一种安装在内存条插槽的调试装置及调试方法

技术领域

本发明涉及一种调试装置，尤其涉及一种安装在内存条插槽的调试装置，还进一步涉及采用了所述安装在内存条插槽的调试装置的调试方法。

背景技术

目前在个人电脑和服务器中，有时会遇到特殊的部件组合搭配在一起工作异常的问题，比如在处理器、内存、显卡和电源模组等部件搭配在一起后出现工作异常的问题，但是任意一个部件其实都是正常的，即把其中一个部件切换一下厂家或型号则能正常工作，这种特殊的现象简称为系统共振现象，属于系统兼容中的现象之一。

目前，行业内普遍通过修改可支持产品的部件列表或者默认配置来回避这种情况。或者修改PCB电路板来兼容更多种配置情况。但是，这种修改PCB电路板的做法，一方面，若要进行修改，则对应的硬件主板电路必然需要面临新一轮PCB电路板设计、PCB电路板制作以及PCB电路板验证，需要花费大量的人力和物力，且周期长；另一方面，还可能会导致需要更换主板供应商等问题，给产品的稳定性带来不确定的影响，还可能会造成经济损失的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是需要提供一种安装在内存条插槽的调试装置，进而能够通过自带的内存条插槽实现控制参数的调试，以便在不修改产品的原始设计基础上，满足系统兼容性的调试需求，且无需更换产品自身的硬件设计，有效地降低了产品的成本并缩短了研发周期。在此基础上，还进一步提供一种采用了所述安装在内存条插槽的调试装置的调试方法。

对此，本发明提供一种安装在内存条插槽的调试装置，包括：电源端、负载控制电路、电容控制电路以及MCU主控单元，所述负载控制电路的一端和电容控制电路的一端分别通过所述电源端连接至内存条插槽的电源引脚，所述负载控制电路的另一端和电容控制电路的另一端分别通过接地端连接至内存条插槽的地线；所述负载控制电路包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路，不同的阻性负载接入回路分别包括不同功率的电阻；所述电容控制电路包括至少两路互相并联的容性负载接入回路，不同的容性负载接入回路分别包括不同容值的电容；每一路所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端分别连接至所述MCU主控单元；当首次上电时，所述MCU主控单元通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路和容性负载接入回路，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路和电容控制电路的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述MCU主控单元先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路和电容控制电路的开关。

本发明的进一步改进在于，所述MCU主控单元包括调试控制接口，所述调试控制接口通过GPIO总线连接至所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端。

本发明的进一步改进在于，所述MCU主控单元还包括USB接口，所述MCU主控单元通过所述USB接口连接至终端设备，所述终端设备包括电脑，连接操作便捷。

本发明的进一步改进在于，所述负载控制电路包括四路相互并联的阻性负载接入回路，第一路阻性负载接入回路包括电阻R1、MOS开关管Q1、电阻R5和电阻R6，所述MOS开关管Q1的G极通过所述电阻R6连接至所述MCU主控单元，所述MOS开关管Q1的G极与所述电阻R6的连接点与所述电阻R5的一端相连接，所述MOS开关管Q1的S极和所述电阻R5的另一端与所述电源端相连接，所述MOS开关管Q1的D极通过所述电阻R1接地。

本发明的进一步改进在于，四路所述阻性负载接入回路分别包括功率为5W、10W、20W和50W的电阻。

本发明的进一步改进在于，所述电容控制电路包括四路相互并联的容性负载接入回路，第一路容性负载接入回路包括电阻R13、MOS开关管Q5、电阻R14和电容C1，所述MOS开关管Q5的G极通过所述电阻R14连接至所述MCU主控单元，所述MOS开关管Q5的G极与所述电阻R14的连接点与所述电阻R13的一端相连接，所述MOS开关管Q5的S极和所述电阻R13的另一端与所述电源端相连接，所述MOS开关管Q5的D极通过所述电容C1接地。

本发明的进一步改进在于，所述容性负载接入回路分别包括容值为22uF、47uF、100uF以及470uF的电容。

本发明还提供一种安装在内存条插槽的调试方法，采用了如上所述的安装在内存条插槽的调试装置，并包括以下步骤：

步骤S1，将所述安装在内存条插槽的调试装置插入至主板的内存条插槽中；

步骤S2，所述主板上电并开机；

步骤S3，查看操作系统日志，判断当前状态是否为正常开机，若否，则跳转至步骤S4；若是，则结束调试；

步骤S4，逐步调高所述电容控制电路所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤S5；

步骤S5，调高所述电阻控制电路所接入的负载功率，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤S6；

步骤S6，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，发出错误提示信息。

本发明的进一步改进在于，判断当前状态是否为正常开机的过程包括：判断系统是否规律性重启、判断系统的硬件模组是否正常完成初始化以及判断供电支路上的电压值是否出现±5%以上的波动，若出现任意一种异常，则判断为没有正常开机，所述硬件模组包括内存模组、硬盘模组和显卡模组。

本发明的进一步改进在于，所述步骤S6中，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路所接入的负载容值，包括以下任意一个子步骤：

步骤S601，先调高所述电阻控制电路所接入的负载功率之后，再调高或调低所述电容控制电路所接入的负载容值；

步骤S602，先调高所述电容控制电路所接入的负载容值之后，再调高或调低所述电阻控制电路所接入的负载功率；

步骤S603，通过另一个内存条插槽插入一个所述安装在内存条插槽的调试装置，重复步骤S2至步骤S5进行再次调试。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：所述负载控制电路包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路，不同的阻性负载接入回路分别包括不同功率的电阻，以便为调试过程接入不同功率的阻性负载；所述电容控制电路包括至少两路互相并联的容性负载接入回路，不同的容性负载接入回路分别包括不同容值的电容，以便为调试过程接入不同容值的容性负载；每一路所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端分别连接至所述MCU主控单元；当首次上电时，所述MCU主控单元通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路和容性负载接入回路，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路和电容控制电路的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述MCU主控单元先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路和电容控制电路的开关，进而能够在不修改产品的部件列表或者默认配置的基础上，能够通过自带的内存条插槽实现安装，以便通过USB接口实现控制参数的调试，满足系统兼容性的适配和调试需求，实现过程简单且高效，并且还能够有效地降低产品的成本，缩短了产品的研发周期。

附图说明

图1是本发明一种实施例的电路设计原理框图；

图2是本发明一种实施例的负载控制电路的电路原理图；

图3是本发明一种实施例的电容控制电路的电路原理图；

图4是本发明一种实施例的工作流程示意图。

附图说明：1-电源端；2-负载控制电路；201-阻性负载接入回路；3-电容控制电路；301-容性负载接入回路；4-MCU主控单元；5-接地端；6-USB接口。

具体实施方式

在本发明的描述中，如果涉及到“若干”，其含义是一个以上；如果涉及到 “多个”，其含义是两个以上；如果涉及到“大于”、“小于”、“超过”，均应理解为不包括本数；如果涉及到“以上”、“以下”、“以内”，均应理解为包括本数。如果涉及到“第一”、“第二”等，应当理解为仅用于相同或是相似技术特征名称的区分，而不能理解为暗示/指明技术特征的相对重要性，不能理解为暗示/指明技术特征的数量，也不能理解为暗示/指明技术特征的先后关系。

下面结合附图，对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。

如图1至图3所示，本实施例提供一种安装在内存条插槽的调试装置，包括：电源端1、负载控制电路2、电容控制电路3以及MCU主控单元4。所述负载控制电路2的一端和电容控制电路3的一端分别通过所述电源端1连接至内存条插槽的电源引脚，所述负载控制电路2的另一端和电容控制电路3的另一端分别通过接地端5连接至内存条插槽的地线；所述负载控制电路2包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路201，不同的阻性负载接入回路201分别包括不同功率的电阻；所述电容控制电路3包括至少两路互相并联的容性负载接入回路301，不同的容性负载接入回路301分别包括不同容值的电容；每一路所述阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301的控制端分别连接至所述MCU主控单元4。当首次上电时，所述MCU主控单元4通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路2和电容控制电路3的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述MCU主控单元4先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路2和电容控制电路3的开关。所述控制参数指的是所述阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301的控制端所分别对应GPIO控制信号，高电平表示对应的阻性负载接入回路201或容性负载接入回路301关闭，低电平表示对应的阻性负载接入回路201或容性负载接入回路301打开。

如图2和图3所示，本实施例所述MCU主控单元4优选包括调试控制接口，所述调试控制接口为GPIO接口，所述调试控制接口通过GPIO总线连接至所述阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301的控制端。如图1所示，本实施例所述MCU主控单元4还优选包括USB接口6，所述MCU主控单元4通过所述USB接口6连接至终端设备，所述终端设备包括电脑。所述MCU主控单元4指的是MCU集成芯片。

本实施例所述MCU主控单元4的MCU 优选通过 MOS 开关管控制 12V 主供电回路上的电容容量以及负载大小。可用电脑通过 USB 接口连接至本实施例所述调试装置，可以设置其工作时的容抗和负载等参数，具有成本低、操作方便和参数调节范围广的优势。

如图2所示，本实施例所述负载控制电路2包括四路相互并联的阻性负载接入回路201，第一路阻性负载接入回路201包括电阻R1、MOS开关管Q1、电阻R5和电阻R6，所述MOS开关管Q1的G极通过所述电阻R6连接至所述MCU主控单元4，所述MOS开关管Q1的G极与所述电阻R6的连接点与所述电阻R5的一端相连接，所述MOS开关管Q1的S极和所述电阻R5的另一端与所述电源端1相连接，所述MOS开关管Q1的D极通过所述电阻R1接地。本实施例的四路所述阻性负载接入回路201优选分别包括功率为5W、10W、20W和50W的电阻。VCC 表示从内存条插槽的电源引脚所获得的直流电源正极，GND表示负极。

当所述MCU主控单元4驱动第一路阻性负载接入回路201的控制端GPIO1 为低电平时，MOS开关管Q1导通，一个5W的阻性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第二路阻性负载接入回路201的控制端GPIO2 为低电平时，MOS开关管Q2导通，一个10W的阻性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第三路阻性负载接入回路201的控制端GPIO3为低电平时，MOS开关管Q3 导通，一个20W的阻性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第四路阻性负载接入回路201的控制端GPIO4为低电平时，MOS开关管Q4导通，一个50W的阻性负载接入至主板电源回路。当同时打开以上两路及两路以上的所述阻性负载接入回路201时，给主板增加的阻性负载为打开的所述阻性负载接入回路201的负载之和。

如图3所示，本实施例所述电容控制电路3包括四路相互并联的容性负载接入回路301，第一路容性负载接入回路301包括电阻R13、MOS开关管Q5、电阻R14和电容C1，所述MOS开关管Q5的G极通过所述电阻R14连接至所述MCU主控单元4，所述MOS开关管Q5的G极与所述电阻R14的连接点与所述电阻R13的一端相连接，所述MOS开关管Q5的S极和所述电阻R13的另一端与所述电源端1相连接，所述MOS开关管Q5的D极通过所述电容C1接地。本实施例所述容性负载接入回路301分别包括容值为22uF、47uF、100uF以及470uF的电容。

当所述MCU主控单元4驱动第一路容性负载接入回路301的控制端GPIO5为低电平时，MOS开关管Q5 导通，一个22uF的容性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第二路容性负载接入回路301的控制端GPIO6为低电平时，MOS开关管Q6 导通，一个47uF的容性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第三路容性负载接入回路301的控制端GPIO7 为低电平时，MOS开关管Q7导通，一个100uF的容性负载接入至主板电源回路；当所述MCU主控单元4驱动第四路容性负载接入回路301的控制端GPIO8为低电平时，MOS开关管Q8 导通，一个470uF的容性负载接入至主板电源回路。当同时打开两个及两路以上的所述容性负载接入回路301时，给主板增加的电容为打开的所述容性负载接入回路301的容值之和。

如图4所示，本实施例还提供一种安装在内存条插槽的调试方法，采用了如上所述的安装在内存条插槽的调试装置，并包括以下步骤：

步骤S1，将所述安装在内存条插槽的调试装置插入至主板的内存条插槽中；

步骤S2，所述主板上电并开机；

步骤S3，查看操作系统日志，判断当前状态是否为正常开机，若否，则跳转至步骤S4；若是，则结束调试；所述调试也称适配调试；

步骤S4，逐步调高所述电容控制电路3所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤S5；

步骤S5，调高所述电阻控制电路所接入的负载功率，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤S6；

步骤S6，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路3所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，发出错误提示信息。

本实施例判断当前状态是否为正常开机的过程包括：判断系统是否规律性重启、判断系统的硬件模组是否正常完成初始化以及判断供电支路上的电压值是否出现±5% 以上的波动，若出现任意一种异常，则判断为没有正常开机，所述硬件模组包括内存模组、硬盘模组和显卡模组，如果初始化失败，则判断为异常；如果出现规律性重启，则判断为异常；如果供电支路上的电压值出现±5%以上的波动，则判断为异常。

本实施例所述步骤S6中，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路3所接入的负载容值，包括以下任意一个子步骤：

步骤S601，先调高所述电阻控制电路所接入的负载功率之后，再调高或调低所述电容控制电路3所接入的负载容值；对接入的负载功率进行调高或降低操作，通过打开或关闭相应的一路或多路所述阻性负载接入回路201即可实现；对接入的负载容值进行调高或降低操作，通过打开或关闭相应的一路或多路所述容性负载接入回路301即可实现；

步骤S602，先调高所述电容控制电路3所接入的负载容值之后，再调高或调低所述电阻控制电路所接入的负载功率；

步骤S603，通过另一个内存条插槽插入一个所述安装在内存条插槽的调试装置，重复步骤S2至步骤S5进行再次调试。

综上所述，本实施例所述负载控制电路2包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路201，不同的阻性负载接入回路201分别包括不同功率的电阻，以便为调试过程接入不同功率的阻性负载；所述电容控制电路3包括至少两路互相并联的容性负载接入回路301，不同的容性负载接入回路301分别包括不同容值的电容，以便为调试过程接入不同容值的容性负载；每一路所述阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301的控制端分别连接至所述MCU主控单元4；当首次上电时，所述MCU主控单元4通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路201和容性负载接入回路301，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路2和电容控制电路3的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述MCU主控单元4先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路2和电容控制电路3的开关，进而能够在不修改产品的部件列表或者默认配置的基础上，能够通过自带的内存条插槽实现安装，以便通过USB接口实现控制参数的调试，满足系统兼容性的适配和调试需求，实现过程简单且高效，并且还能够有效地降低产品的成本，缩短了产品的研发周期。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。