低压差线性稳压器电路

技术领域

本申请涉及稳压器技术领域，尤其涉及低压差线性稳压器(LDO)的优化设计。

背景技术

在电源管理技术中，低压差线性稳压器(LDO)是一种重要的组件，广泛用于各种电子设备中，以提供稳定的电压输出。传统的capless LDO设计，即不含或仅含有非常小的输出电容的LDO，尽管在减小电路板面积和降低成本方面有优势，但存在一定的技术问题。

例如，当电源电压存在高频扰动时，这些LDO通常无法通过内部环路及时响应来稳定输出，导致输出电压随电源电压产生较大波动。又例如，这些LDO在负载突变时的响应速度和可靠性也仍然无法很好地满足要求，电路的性能和稳定性有待进一步提高。

因此，需要一种新的低压差线性稳压器电路，既能够解决LDO输出不稳定的问题，同时还能够提升电路的响应速度，提高整体电路性能和可靠性。

发明内容

本申请的目的在于提供一种低压差线性稳压器电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

本申请公开了一种高效抗电源扰动LDO电路，包括：

运算放大器，用于比较输入电压和反馈电压，其中运算放大器采用运放电路；

频率补偿模块，连接在运算放大器输出端，用于对信号进行频率补偿，所述频率补偿模块包含Buffer放大电路和补偿电路；

功率输出模块，连接在频率补偿模块输出端，用于提供所需的稳定功率输出，所述功率输出模块采用功率MOS管；

反馈网络，连接在功率输出模块和运算放大器之间，用于提供反馈信号；

Cc补偿电容，连接在反馈网络和频率补偿模块之间；

抗扰动模块，用于在电源存在高频扰动时保持电路稳定，所述抗扰动模块能形成放电通路以抑制电源扰动对输出的影响；

其中，所述运算放大器、频率补偿模块、功率输出模块、反馈网络、Cc补偿电容和抗扰动模块连接构成负反馈控制环路，通过该环路稳定LDO电路的输出。

在一个优选例中，所述抗扰动模块包含第一晶体管、第三电容和第三电阻，所述第一晶体管的栅极连接所述第三电容的一端，所述第一晶体管的源极接地，所述第一晶体管的漏极连接所述第三电容的另一端和所述运算放大器，所述第三电容的一端还连接所述频率补偿模块，所述第三电阻的一端连接所述第三电容的一端，所述第三电阻的另一端接地。

在一个优选例中，所述抗扰动模块的一端连接所述功率输出模块的输出端，所述抗扰动模块的另一端接地。

在一个优选例中，所述运算放大器采用运放电路，包含多个晶体管构成差分放大器。

在一个优选例中，所述频率补偿模块包含运算放大器构成的Buffer电路，所述补偿电路采用电容补偿电路。

在一个优选例中，所述功率输出模块采用PMOS管，所述PMOS管的栅极连接所述频率补偿模块，漏极输出稳压电压，源极连接电源。

在一个优选例中，所述抗扰动模块包含第一晶体管、第三电容和第三电阻，所述第一晶体管的栅极连接所述第三电容的一端，所述第一晶体管的源极接地，所述第一晶体管的漏极连接所述第三电容的另一端和运算放大器，所述第三电容的另一端还连接所述频率补偿模块，所述第三电阻的一端连接所述第三电容的一端，所述第三电阻的另一端接地。

在一个优选例中，所述抗扰动模块包含第一晶体管、第三电容和第三电阻，所述第一晶体管的栅极连接所述第三电容的一端，所述第一晶体管的源极接地，所述第一晶体管的漏极连接所述第三电容的另一端和频率补偿模块，所述第三电阻的一端连接所述第三电容的一端，所述第三电阻的另一端接地。

在一个优选例中，所述抗扰动模块包含第一晶体管、第三电容和第三电阻，所述第一晶体管的栅极连接所述第三电容的一端，所述第一晶体管的源极接地，所述第一晶体管的漏极连接所述第三电容的另一端和所述频率补偿模块，所述第三电阻的一端连接所述第三电容的一端，所述第三电阻的另一端接地。

本申请实施方式中，在电路中增加了抗扰动模块，用来抵抗和消除电源端的高频扰动，使LDO输出端在电源扰动时仍能保持稳定。进一步的，在电路中增加了Cc补偿电容，可以扩大电路的带宽。进一步的，频率补偿模块中的Buffer和补偿电路，也能提高电路的稳定性和响应速度。由此，本申请既能够解决LDO输出不稳定的问题，同时还能够提升电路的响应速度，提高整体电路性能和可靠性。

本申请的说明书中记载了大量的技术特征，分布在各个技术方案中，如果要罗列出本申请所有可能的技术特征的组合(即技术方案)的话，会使得说明书过于冗长。为了避免这个问题，本申请上述发明内容中公开的各个技术特征、在下文各个实施方式和例子中公开的各技术特征、以及附图中公开的各个技术特征，都可以自由地互相组合，从而构成各种新的技术方案(这些技术方案均因视为在本说明书中已经记载)，除非这种技术特征的组合在技术上是不可行的。例如，在一个例子中公开了特征A+B+C，在另一个例子中公开了特征A+B+D+E，而特征C和D是起到相同作用的等同技术手段，技术上只要择一使用即可，不可能同时采用，特征E技术上可以与特征C相组合，则，A+B+C+D的方案因技术不可行而应当不被视为已经记载，而A+B+C+E的方案应当视为已经被记载。

附图说明

图1a和图1b是根据本申请第一实施方式的低压差线性稳压器电路的结构示意图；

图2a和图2b是根据本申请第二实施方式的低压差线性稳压器电路的结构示意图；

图3是没有抗电源扰动电路时电源电压、M1漏端电压与LDO输出波形；

图4是有抗电源扰动电路时电源电压、M1漏端电压与LDO输出波形；

图5是电路中负载突变时LDO的快速响应。

具体实施方式

在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

下面概要说明本申请的部分创新点：

本申请的发明人经过深入研究分析，发现当电源电压存在高频扰动时，这些LDO通常无法通过内部环路及时响应来稳定输出，导致输出电压随电源电压产生较大波动，而这种波动主要是由于低压差线性稳压器在设计上缺乏足够的电容来抑制电源的高频扰动，由此，创造性地提出了优化的低压差线性稳压器电路设计。关键创新点在于加入了一个抗电源扰动模块，旨在解决传统低压差线性稳压器电路的一个主要问题：当电源电压存在高频扰动时，LDO无法通过其内部环路及时响应来稳定输出，导致输出电压随电源电压产生较大波动。这个问题的根源在于低压差线性稳压器通常没有电容或只有很小的电容，使得其对电源高频扰动的抑制能力较弱。进一步的，本发明的电路设计不仅引入了抗电源扰动模块，还包含以下几个关键方面：1)Cc补偿：电路中加入Cc补偿以增加电路的带宽。这种增加带宽的做法可以提升电路的响应速度，尤其是在电路负载发生突变时，有助于电路快速响应。2)Buffer和补偿电路：电路内部还包含Buffer和补偿电路。这些部分可以对电路进行频率补偿，提升电路的稳定性并抑制电路产生的过冲。

综上，本发明通过在低压差线性稳压器电路内部加入抗电源扰动电路和其他优化措施，有效地解决了电源高频扰动下LDO输出电压波动的问题。同时，通过Cc补偿、Buffer和补偿电路的加入，使得电路能够对负载变化快速响应，从而提高整体电路的性能和稳定性。

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的实施方式作进一步地详细描述。

本申请的第一实施方式涉及一种高效抗电源扰动LDO电路，其结构如图1a和图1b所示。具体来说，该电路由以下几个部分组成：

运算放大器(opamp)：负责提供必要的信号放大和控制。

Buffer电路和Buffer内部补偿电路：这些部分共同工作，进行频率补偿，以增强电路的稳定性，其中内部补偿电路可以简单的使用电容进行补偿。

功率器件(MP)：负责提供所需的电源输出。

反馈网络(R1、R2)：用来确定输入电压与输出电压的比例关系。

抗电源扰动模块(M1、C3、R3)：这是电路中的关键创新，该模块可以放置在电路的两个虚线框的位置，如图1a和图1b所示。用于在电源存在高频扰动时稳定LDO输出。当电源扰动发生时，该模块通过Cc补偿、C3和R3的分压被激活，形成一个放电通路，从而保持LDO输出的稳定。

此外，电路中还引入了Cc补偿，以增加电路的带宽和提升响应速度。这不仅使电路能够更快地响应负载的突变，而且还帮助提升了电路的整体稳定性和性能。

总体来说，这种电路设计旨在解决传统capless LDO(无电容低压差线性稳压器)电路在面对电源高频扰动时的稳定性问题，通过引入抗电源扰动模块和其他优化措施，显著提高了电路在动态条件下的性能。

具体的，本实施例的高效抗电源扰动LDO电路，包括：

运算放大器，用于比较输入电压和反馈电压，其中运算放大器采用运放电路；

频率补偿模块，连接在运算放大器输出端，用于对信号进行频率补偿，提高电路稳定性，所述频率补偿模块包含Buffer放大电路和补偿电路；

功率输出模块，连接在频率补偿模块输出端，用于提供所需的稳定功率输出，所述功率输出模块采用功率MOS管；

反馈网络，连接在功率输出模块和运算放大器之间，用于提供反馈信号，反馈网络由电阻构成；

Cc补偿电容，连接在反馈网络和频率补偿模块之间，用于提高电路带宽，增强响应速度；

抗扰动模块，用于在电源存在高频扰动时保持电路稳定，该模块能形成放电通路以抑制电源扰动对输出的影响；

其中，所述运算放大器、频率补偿模块、功率输出模块、反馈网络、Cc补偿电容和抗扰动模块连接构成负反馈控制环路，通过该环路稳定LDO电路的输出。

可选的，所述抗扰动模块包含第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，所述第一晶体管M1的栅极连接所述第三电容C3的一端，所述第一晶体管M1的的源极接地，所述第一晶体管M1的漏极连接所述第三电容C3的另一端和所述运算放大器，所述第三电容C3的另一端还连接所述频率补偿模块，所述第三电阻R3的一端连接所述第三电容C3的一端，所述第三电阻R3的另一端接地。

可选的，所述抗扰动模块的一端连接所述功率输出模块的输出端，所述抗扰动模块的另一端接地。

可选的，所述运算放大器采用运放电路，包含多个晶体管构成差分放大器。

可选的，所述频率补偿模块包含运算放大器构成的Buffer电路，所述补偿电路采用电容补偿电路。

可选的，所述功率输出模块采用PMOS管，所述PMOS管的栅极连接所述频率补偿模块，漏极输出稳压电压，源极连接电源。

下面进一步详细说明本实施例的构成。

如图1a和图1b所示，Capless LDO电路包括运算放大器OP、Buffer与内部补偿电路、功率管MP、反馈网络(R1、R2)和抗电源扰动模块(M1、C、R)。抗电源扰动模块的加入形成放电通路，使LDO输出在有电源扰动时保持稳定。Cc补偿电容提升响应速度，Buffer和内部补偿电路提高稳定性和抑制过冲。

运算放大器OP

运算放大器OP包括：第三晶体管M3，第四晶体管M4，第五晶体管M5，第六晶体管M6，第七晶体管M7，第八晶体管M8，第二晶体管M2、第九晶体管M9，以及第十晶体管M10。

其中，第二晶体管M2、第三晶体管M3、第六晶体管M6、第九晶体管M9、第十晶体管M10是PMOS管，每个晶体管的第一极是源极，第二极是漏极。

第四晶体管M4、第五晶体管M5、第七晶体管M7、第八晶体管M8是NMOS管，每个晶体管的第一极是漏极，第二极是源极。

运算放大器OP各个元件的连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

本实施例中，运算放大器OP的作用是使运放的输入信号Vin与反馈信号Vf相等。

Buffer电路与补偿电路

Buffer电路的正输入端与第三晶体管M3的栅极和第二极、第四晶体管M4的第一极，第六晶体管M6的栅极连接，Buffer电路的负输入端与第六晶体管M6的第二极、第七晶体管M7的第一极连接，Buffer电路的输出端与功率管Mp的栅极连接，并且，补偿电路连接在Buffer电路的负输入端与输出端之间。

Buffer电路与内部补偿电路的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

Buffer电路与内部补偿电路的作用是电路进行频率补偿，提升电路的稳定性。

功率管MP

功率管MP的第一极与第三晶体管M3的第一极、第六晶体管M6的第一极，第十晶体管M10的第一极，以及Vpp连接，功率管MP的第二极与输出电压Vout连接。

功率管MP的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

功率管MP用于提供必要的功率输出。

反馈网络(R1、R2)

反馈网络包括第一电阻R1和第二电阻R2，其中，第一电阻R1和第二电阻R2依次串联连接于输出电压Vout与地端之间。

反馈网络的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

反馈网络用来确定输入电压Vin与输出电压Vout的比例关系。

Cc补偿电容

Cc补偿电容的一端与第四晶体管M4的第二极、第五晶体管M5的第一极连接，Cc补偿电容的另一端与功率管MP的第二极、第一电阻R1的一端，以及输出电压Vout连接。

Cc补偿电容的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

Cc补偿电容用于增加电路的带宽，引入Cc补偿电容有助于拓宽电路的频率响应范围，使其能够更有效地处理不同频率的信号。

抗电源扰动模块(M1、C3、R3)

抗电源扰动模块的一端与第五晶体管M5的第一极以及第九晶体管M9的第二极连接，抗电源扰动模块的另一端接地。

可选的，参见图1a，抗电源扰动模块包括第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，其中，第一晶体管M1的第一极与第三电容C3的一端以及第九晶体管M9的第二极连接，第一晶体管M1的第二极接地，第一晶体管M1的栅极与第三电容C3的另一端连接，第三电容C3的一端与第五晶体管M5的第一极连接，第三电阻R3的一端与第三电容C3的另一端连接，第三电阻R3的另一端接地。

抗电源扰动模块的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

抗电源扰动模块用于抵抗电源扰动，保持LDO输出的稳定。

可选的，参见图1b，在另一个实施例中，抗电源扰动模块的一端与输出电压Vout连接，抗电源扰动模块的另一端接地。

上述实施例的核心在于对capless LDO(低压差线性稳压器)电路的优化。主要创新点是在电路内部加入一个抗电源扰动电路。这一改进针对了当电源存在高频扰动时，LDO输出电压随电源波动较大的问题。通过这种设计，即使在电源电压受到高频干扰时，也能保持LDO输出电压的稳定性。

此外，上述实施例中引入了以下几个关键元素来进一步优化性能：

Cc补偿：通过引入Cc补偿，增加了电路的带宽。这种扩大的带宽有助于提升电路对信号变化的响应速度，特别是在电路负载发生突变时。

内部Buffer和补偿电路：电路内部包含Buffer和补偿电路，这些部分负责进行频率补偿。通过这种补偿，电路的稳定性得到提升，同时还能有效抑制电路产生的过冲。

综上所述，上述实施例通过在capless LDO电路中加入抗电源扰动电路，并引入Cc补偿、Buffer和内部补偿电路，不仅解决了电源高频扰动导致的输出电压波动问题，还增强了电路在面对负载突变时的快速响应能力，提高了电路的整体稳定性和性能。

需指出，如图1a和图1b所示，抗电源扰动模块还可以放在不同的位置，下面结合一个具体的例子来进行说明，该例子中罗列的细节主要是为了便于理解，不作为对本申请保护范围的限制。

如图1b所示，在本例子中，所述抗扰动模块包含第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，所述第一晶体管M1的栅极连接所述第三电容C3的一端，所述第一晶体管M1的的源极接地，所述第一晶体管M1的漏极连接所述第三电容C3的另一端和运算放大器，所述第三电容C3的另一端还连接所述频率补偿模块，所述第三电阻R3的一端连接所述第三电容C3的一端，所述第三电阻R3的另一端接地。

本例子中的其它电路结构可与上述实施例一致，在此不做赘述。

上述实施例具有以下技术效果：

1.解决LDO输出不稳定的问题：通过在capless LDO(低压差线性稳压器)电路中增加抗电源高频扰动电路，成功解决了当电源出现高频扰动时LDO输出不稳定的问题。这个抗电源扰动电路的加入确保了即使在受到高频扰动的影响下，LDO的输出仍然能够保持稳定。这是一个重要的改进，因为它增强了电路在动态和不稳定条件下的性能。

2.提升电路的响应速度：本设计通过增加Cc补偿、Buffer电路和内部补偿电路，提高了电路在负载突变时的响应速度。这种增强的响应能力意味着电路能够更快地适应负载变化，从而提高了整体电路性能和可靠性。

总的来说，这些技术改进使得capless LDO电路在面对电源高频扰动和负载变化时，能够展现出更高的稳定性和更快的响应能力，从而提高了电路的整体性能和应用的可靠性。

本申请的第二实施方式涉及一种高效抗电源扰动LDO电路，如图2a和图2b所示，该电路包括：

运算放大器，用于比较输入电压和反馈电压，其中运算放大器采用运放电路；

频率补偿模块，连接在运算放大器输出端，用于对信号进行频率补偿，提高电路稳定性，所述频率补偿模块包含Buffer放大电路和补偿电路；

功率输出模块，连接在频率补偿模块输出端，用于提供所需的稳定功率输出，所述功率输出模块采用功率MOS管；

反馈网络，连接在功率输出模块和运算放大器之间，用于提供反馈信号，反馈网络由电阻构成；

Cc补偿电容，连接在反馈网络和频率补偿模块之间，用于提高电路带宽，增强响应速度；

抗扰动模块，用于在电源存在高频扰动时保持电路稳定，该模块能形成放电通路以抑制电源扰动对输出的影响；

其中，所述运算放大器、频率补偿模块、功率输出模块、反馈网络、Cc补偿电容和抗扰动模块连接构成负反馈控制环路，通过该环路稳定LDO电路的输出。

可选的，如图1b所示，所述抗扰动模块包含第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，所述第一晶体管M1的栅极连接所述第三电容C3的一端，所述第一晶体管M1的的源极接地，所述第一晶体管M1的漏极连接所述第三电容C3的另一端和频率补偿模块，所述第三电阻R3的一端连接所述第三电容C3的一端，所述第三电阻R3的另一端接地。

需指出，如图2a和图2b所示，抗电源扰动模块还可以放在不同的位置，下面结合一个具体的例子来进行说明，该例子中罗列的细节主要是为了便于理解，不作为对本申请保护范围的限制。

如图2b所示，在本例子中，所述抗扰动模块包含第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，所述第一晶体管M1的栅极连接所述第三电容C3的一端，所述第一晶体管M1的的源极接地，所述第一晶体管M1的漏极连接所述第三电容C3的另一端和所述频率补偿模块，所述第三电阻R3的一端连接所述第三电容C3的一端，所述第三电阻R3的另一端接地。

下面进一步详细说明本实施例的构成。

如图2a和图2b所示，Capless LDO电路包括运算放大器OP、Buffer与内部补偿电路、功率管MP、反馈网络(R1、R2)和抗电源扰动模块(M1、C、R)。抗电源扰动模块的加入形成放电通路，使LDO输出在有电源扰动时保持稳定。Cc补偿电容提升响应速度，Buffer和内部补偿电路提高稳定性和抑制过冲。

运算放大器OP

运算放大器OP包括：第三晶体管M3，第四晶体管M4，第五晶体管M5，第六晶体管M6，第七晶体管M7，第八晶体管M8，第二晶体管M2、第九晶体管M9。

其中，第三晶体管M3、第四晶体管M4、第六晶体管M6、第七晶体管M7是PMOS管，每个晶体管的第一极是源极，第二极是漏极。

第二晶体管M2、第五晶体管M5、第八晶体管M8、第九晶体管M9是NMOS管，并且，每个晶体管的第一极是漏极，第二极是源极。

运算放大器OP各个元件的连接关系详见图2a和图2b，在此不做赘述。

本实施例中，运算放大器OP的作用是使运放的输入信号Vin与反馈信号Vf相等。

Buffer电路与内部补偿电路

Buffer电路的正输入端与第四晶体管M4的第二极以及第五晶体管M5的第一极连接，Buffer电路的负输入端与第七晶体管M7的第二极以及第八晶体管M8的第一极连接，Buffer电路的输出端与功率管Mp的栅极连接，并且，内部补偿电路连接在Buffer电路的负输入端与输出端之间。

Buffer电路与内部补偿电路的其它连接关系详见图2a和图2b，在此不做赘述。

Buffer电路与内部补偿电路的作用是电路进行频率补偿，提升电路的稳定性。

功率管MP

功率管MP的第一极与第四晶体管M3的第一极、第六晶体管M6的第一极，以及Vpp连接，功率管MP的第二极与输出电压Vout连接。功率管MP的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

功率管MP是PMOS管，功率管MP的第一极是源极，第二极是漏极。

功率管MP用于提供必要的功率输出。

反馈网络(R1、R2)

反馈网络包括第一电阻R1和第二电阻R2，其中，第一电阻R1和第二电阻R2依次串联连接于输出电压Vout与地端之间。

反馈网络的其它连接关系详见图1a和图1b，在此不做赘述。

反馈网络用来确定输入电压Vin与输出电压Vout的比例关系。

Cc补偿电容

Cc补偿电容的一端与第九晶体管M9的第一极连接，Cc补偿电容的另一端与功率管MP的第二极、第一电阻R1的一端，以及输出电压Vout连接。

Cc补偿电容的其它连接关系详见图2a和图2b，在此不做赘述。

Cc补偿电容用于增加电路的带宽，引入Cc补偿电容有助于拓宽电路的频率响应范围，使其能够更有效地处理不同频率的信号。

抗电源扰动模块(M1、C、R)

抗电源扰动模块的一端与Cc补偿电容的一端以及第九晶体管M9的第一极连接，抗电源扰动模块的另一端接地。

可选的，如图2a所示，抗电源扰动模块包括第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，其中，第一晶体管M1的第一极与第三电容C3的一端以及第九晶体管M9的第一端连接，第一晶体管M1的第二极接地，第一晶体管M1的栅极与第三电容C3的另一端连接，第三电容C3的一端与第九晶体管M9的第一极连接，第三电阻R3的一端与第三电容C3的另一端连接，第三电阻R3的另一端接地。需指出，在另一个例子中，如图2b所示，抗电源扰动模块包括第一晶体管M1、第三电容C3和第三电阻R3，其中，第一晶体管M1的第一极与第三电容C3的一端以及Cc补偿电容连接，第一晶体管M1的第二极接地，第一晶体管M1的栅极与第三电容C3的另一端连接，第三电阻R3的一端与第三电容C3的另一端连接，第三电阻R3的另一端接地。

抗电源扰动模块的其它连接关系详见图2a和图2b，在此不做赘述。

抗电源扰动模块用于抵抗电源扰动，保持LDO输出的稳定。

可选的，在另一个实施例中，抗电源扰动模块的一端与输出电压Vout连接，抗电源扰动模块的另一端接地。

实验结果：

图3是没有抗电源扰动电路时电源电压、M1漏端电压与LDO输出波形，图4是有抗电源扰动电路时电源电压、M1漏端电压与LDO输出波形。通过图3和图4的对比可以得出以下结论：

图3可以看出在没有抗电源扰动电路时在电源上有10MHz的扰动的时候LDO输出波动为837.3mV-2.47V，图4可以看出在加入抗电源扰动电路时同样电源扰动的情况下LDO输出波动为1.029V～1.367V，极大的抑制了LDO输出电压的波动。

因此，根据本申请的低压差线性稳压器电路，即使在受到高频扰动的影响下，LDO的输出能够更好地保持稳定。

图5是电路中负载突变时LDO的快速响应，通过图4可以得出以下结论：

图5可以看出在负载在1uS的时间从6uA变化到30mA的快速变化过程中LDO能够快速响应，并且仅产生很小的压降。

因此，根据本申请的低压差线性稳压器电路，显著提高了电路在负载突变时的响应速度。

上述实施例具有以下技术效果：

1.解决LDO输出不稳定的问题：通过在capless LDO(低压差线性稳压器)电路中增加抗电源高频扰动电路，成功解决了当电源出现高频扰动时LDO输出不稳定的问题。这个抗电源扰动电路的加入确保了即使在受到高频扰动的影响下，LDO的输出仍然能够保持稳定。这是一个重要的改进，因为它增强了电路在动态和不稳定条件下的性能。

2.提升电路的响应速度：本设计通过增加Cc补偿、Buffer电路和内部补偿电路，提高了电路在负载突变时的响应速度。这种增强的响应能力意味着电路能够更快地适应负载变化，从而提高了整体电路性能和可靠性。

总的来说，这些技术改进使得capless LDO电路在面对电源高频扰动和负载变化时，能够展现出更高的稳定性和更快的响应能力，从而提高了电路的整体性能和应用的可靠性。

第一实施方式是与本实施方式相对应的方法实施方式，第一实施方式中的技术细节可以应用于本实施方式，本实施方式中的技术细节也可以应用于第一实施方式。

需要说明的是，在本专利的申请文件中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本专利的申请文件中，如果提到根据某要素执行某行为，则是指至少根据该要素执行该行为的意思，其中包括了两种情况：仅根据该要素执行该行为、和根据该要素和其它要素执行该行为。多个、多次、多种等表达包括2个、2次、2种以及2个以上、2次以上、2种以上。

在本申请提及的所有文献都被认为是整体性地包括在本申请的公开内容中，以便在必要时可以作为修改的依据。此外应理解，在阅读了本申请的上述公开内容之后，本领域技术人员可以对本申请作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所要求保护的范围。