具有埋入式折射率引导型电流限制层的垂直腔面发射器件

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背景技术

1.技术领域

本发明的技术总体上涉及垂直腔面发射光电电路，更具体地涉及具有埋入式折射率引导型电流限制层的垂直腔面发射光电电路。

2.背景讨论

垂直腔面发射器(VCSE)包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)和共振腔发光二极管(RC-LED)，具有许多应用如电信、传感和打印。此外，可调谐VCSEL作为光学相干断层扫描(OCT)和调频连续波(FMCW)光检测和测距(LIDAR)系统的光源变得越来越重要。VCSEL阵列已被发现在3D传感和机载LIDAR系统中用作光源的应用。这些垂直腔面发射器件与边缘发射器件相比具有许多优势。首先，VCSEL器件的垂直几何形状导致占地面积小，这能够在晶片上制造高密度的器件，并且便于晶片规模测试；这两者都降低了每个器件的成本。其次，由于垂直器件的器件尺寸较小，因此垂直腔器件的直接调制速度明显快于边缘发射器件。尽管VCSE器件的单器件光输出具有低功率输出，但是形成二维阵列的可能性提出了一种获得更高光功率的方式。最后，圆形输出光束使它们成为耦合到光纤中的理想光源。

垂直腔面发射光电器件通常结合以下结构。有源区夹在两个高反射镜之间。放置p型接触层和n型接触层以在有源区周围形成p-i-n结。将电极沉积在接触层上以提供电流注入。另外，对于那些垂直腔面发射器件，为了在横向方向上限制电流注入和内部光学模式，较小的体积区域(横向尺寸为大约2～20μm)是必要的。对于VCSEL，这种横向限制能够实现达到激射阈值所需的高电流密度，并同时限制了器件的阈值电流和功耗。其结果是，可以实现更高的器件效率。

为了在垂直表面发射器中提供横向限制，提出了将器件蚀刻成柱的概念，其中由于半导体与空气之间的折射率差而观察到了折射率引导。然而，该方法在半导体与空气之间的暴露界面处遭受载流子的表面复合，其转化为寄生复合电流。此外，处于表面状态的光吸收导致光损失。此外，器件中的含铝层暴露于空气中并且逐渐氧化，这导致器件可靠性问题。

提出了另外两种方法，具体而言为离子注入和氧化的孔，以实现垂直腔面发射器件的横向限制。离子注入在半导体材料中产生晶体空位，这补偿半导体中的自由载流子，从而形成高阻抗区，其约束并且由此限制电流流向器件上的非注入区。离子注入至少有两个劣势：(1)离子注入会损坏晶体，这将导致可靠性问题并且限制器件的性能；以及(2)该方法不会沿横向方向产生折射率分布。缺少导引元件会导致器件支持多种横向模式。基于具有多种横向模式的激光器的光链路受其数据速率和范围所限制并且导致较高的相对激光噪声强度以及由光纤中色度和模态色散所产生的噪声。

由部分氧化的AlGaAs或AlAs层形成的孔提供了折射率引导以及横向电流限制。然而，多孔氧化铝层引起多个问题。多孔氧化铝层的机械不稳定性及其在其氧化层中从大气中吸收水能够造成损坏并且降低氧化物限制的器件的可靠性。此外，氧化物的耐热性显著高于周围半导体的耐热性，这限制了有源区的散热，从而降低了高功率器件和器件阵列的性能。

因此，存在对进行折射率引导的改进机制的需要。本发明满足了该需求并且提供了额外的益处。

发明内容

描述了一种具有埋入式折射率引导型电流限制孔层的垂直腔面发射器，其克服了现有的电流引导概念的许多缺点。在有源区上生长第二接触层之后，折射率引导型电流限制层是通过使用光刻法的外延再生长的若干步骤来限定其中内部孔的位置、形状和尺寸并且去除内部孔的区域进行制造的。在形成折射率引导型电流限制层之后，使与第二接触层相同的掺杂类型的第三接触层外延生长(单晶结构)。在第三接触层上，最终的顶反射器以与第二接触层和第三接触层相同的掺杂类型进行生长。

另外，上述实施方式可以形成为垂直腔面发射激光器(VCSEL)或共振腔发光二极管(RC-LED)，或具有共振腔的其他光电结构。同样，根据本发明的技术，有源区可以包括夹在覆层之间的一个或多个量子阱层。

本文描述的技术的其他方面将在说明书的以下部分中提出，其中，具体实施方式是出于完全公开本技术的优选实施方式而非对其施加限制的目的。

附图说明

通过参考以下仅用于说明目的的附图，将更充分地理解本文所描述的技术：

图1是根据本发明的实施方式的垂直腔面发射光电器件的第一实施方式的截面示意图。

图2是根据本发明的实施方式利用的折射率引导型电流限制层的俯视图。

图3是根据本发明的实施方式的垂直腔面发射光电器件的第二实施方式的截面示意图。

图4是描绘根据本发明的实施方式的折射率引导型电流限制层的元件的扫描电子显微镜(SEM)图像。

图5A至图5C是根据本发明的第二实施方式的用于制造垂直腔面发射光电器件的工艺步骤的截面示意图。

图6A至图6C是根据本发明第二实施方式的垂直腔面发射光电器件的截面示意图和SEM图像再现。

图7是根据本发明的实施方式的图6A中所示器件的光-电流-电压(LIV)曲线图。

图8是由根据本发明的实施方式的图6A中所示器件获得的光谱图。

具体实施方式

垂直腔面发射器器件结构(例如VCSEL或RC-LED)含有埋入式折射率引导型电流限制孔。至少一个实施方式中的结构具有第一类型掺杂的底部分布式布拉格反射器(DBR)镜(反射器)堆叠体，并且在具有相同第一类型掺杂的半导体衬底上外延生长。将会理解的是，半导体掺杂包括两种通用类型：n型掺杂和p型掺杂。然后，使具有相同类型掺杂的第一接触层生长在底部DBR的顶部上，随后是未掺杂的有源区作为增益材料。在有源区上生长具有与第一接触层不同类型掺杂的另一接触层。

在第二接触层之后，折射率引导型电流限制层是通过利用使用光刻方法的外延再生长的若干步骤来限定其中内部孔的位置、形状和尺寸而形成的。

在折射率引导型电流限制层孔产生之后，使与第二接触层相同掺杂类型的第三接触层外延生长。在第三接触层上，最终的顶部DBR镜以与第二接触层和第三接触层相同的掺杂类型生长。可以使用湿式蚀刻或干式蚀刻方法来在结构中限定一个或多个台面。然后，顶部接触形成在顶部DBR反射器(镜)上方，而底部接触形成在底部DBR反射器(镜)或基板的背面上以注入电流。高对比度光栅(HCG)也能被用作顶反射器或底反射器。而且，所述接触能够在接触层上形成。因此，在第二实施方式中，所述顶部接触形成在第三接触层上，而底部接触形成在第一接触层上。在至少一个实施方式中，HCG代替顶部DBR堆叠体作为顶反射器。除了其高反射率之外，HCG层还控制光输出的偏振，其根据HCG的类型能够提供与HCG中的光栅棒平行或垂直的发射偏振。

由于折射率引导型电流限制层是通过在光刻限定的图案上再生长进行制造的，因此如果图案的尺寸较大，则在再生长之后可能无法使表面平坦化。然而，应当理解的是，即使表面不完全平坦，共形的DBR或HCG顶反射器(镜)仍能够为器件操作提供足够的反射率。

图1示出了在具有第一类型掺杂的衬底14上生长的垂直腔面发射器件(例如，共振腔发光二极管(RC-LED)或垂直腔面发射激光器(VCSEL))器件的第一示例性实施方式10。衬底上方的外延生长的结构如下。在具有第一类型掺杂的底部DBR 16之后是：第一类型掺杂的第一接触层18；有源区20；具有第二类型掺杂的第二接触层22；然后是折射率引导型电流限制层24，其包括内部孔部分28和外部电流阻挡环部分26；随后是具有第二类型掺杂的第三接触层30；和具有第二类型掺杂的顶部DBR 32。在生长之后的制造期间，能够从侧面(例如，从上反射器向下至少直到折射率引导型电流限制层24)蚀刻器件的上部以形成至少一个台面。顶部接触34沉积在顶部DBR 32的顶部上，而底部接触12沉积在底部DBR下方，在本文示为在衬底14的下侧。

用于形成垂直表面腔发射器件10的材料可以是III-V或II-V族化合物半导体。两种类型的掺杂通常是指使半导体材料具有自由电子的n型掺杂和使半导体具有电子“自由空穴”的p型掺杂。在至少一个实施方式中，有源区20优选具有1～20对被夹在较大带隙覆层中的量子阱，该覆层将载流子限制在量子阱中。

在该实施方式中，顶反射器16(镜)和底反射器(镜)32被描绘为DBR反射器，其由高折射率材料和低折射率材料的交替层形成。顶反射器和底反射器形成垂直腔，而有源区操作作为增益材料。

图2示出了折射率引导型电流限制层的平面图的示例性实施方式50，如图1中所看到的，元件24、26、28由多个处理步骤形成。在图2中，通过外部电流阻挡层52终止第一生长，然后使用光刻来限定内部孔(aperture)54，随后进行选择性蚀刻以蚀刻出孔穴，从而在外部电流阻挡层中形成内部孔54。

在光刻和选择性蚀刻之后，将携带器件衬底的晶片返回到腔室以进行第二次生长。第二生长用与图1所示的限制层24的原始材料相比折射率更大且更导电的材料填充内部孔的孔穴。第二生长阶段还使在折射率引导型电流限制层24上方的结构生长。顶部接触和底部接触是金属的，并且可与半导体形成欧姆接触以注入电流。半导体层通常通过分子束外延(MBE)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)来生长，尽管其他技术也可能适用。台面蚀刻能够通过多种方法来进行，包括使用选定的蚀刻剂的湿法蚀刻，或者例如使用感应耦合等离子体(ICP)蚀刻或反应性离子蚀刻(RIE)的干法蚀刻。金属接触沉积能够以多种方式来进行，例如，通过利用电子束(EB)沉积或溅射。

垂直腔面发射器件可以是VCSEL，其通常需要顶镜和底镜的反射率大于99％，以提供合适的品质因数。垂直腔面发射器件还可以包括共振腔发光二极管(RC-LED)，其需要显著较低水平的镜面反射率(通常低于90％)，这仍可提供足够的光输出同时防止激光超出工作电流范围之外。下面描述了该第一实施方式的示例性实施。

实施例1

在下面的实施例中，垂直腔面发射器件是VCSEL，其通过示例性而非限制性的方式被配置为以980nm的波长操作。所有半导体层都能够通过MOCVD在掺杂水平为约1E18 cm

在第一次生长后，将晶片从腔室中取出。使用光刻在InGaP电流阻挡层上暴露约10μm直径的圆形，晶片上的剩余区被光刻胶掩盖。蚀刻剂(如HCl、H

第二生长以p-GaAs生长开始，生长成直径约为1.215μm的第三接触层，以填充该孔穴并使表面平坦化。填充材料的掺杂水平为约2E18 cm

在第三接触层的生长之后，生长了DBR堆叠体(具有交替的高低折射率的多层)，此处以22.5对碳掺杂的p型AlAs/GaAs DBR堆叠体为例，并且其掺杂水平为约2E18 cm

在外延之后，晶片进入制造步骤。首先，将导电材料(如Ti/Au为例)沉积在p++GaAs的顶部并且在n型GaAs衬底的背面。然后，进行蚀刻，如使用通过使用H

成品器件的表面通过第二生长控制进行平面化；然而，如果该表面未因再生长而变平，则该器件仍可以在共形表面上操作。同样，反射器(镜)能够通过使用高对比度光栅(HCG)进行制造，这能够控制发射光的光学偏振。

尽管以上实施例以及给出的其他实例描述使用了GaAs材料、特定波长、层深度、掺杂和工艺步骤，但是本发明不限于这些特定实施细节。

图3示出了上述第二实施方式70的示例。从附图中可以看出，垂直腔面发射器件以第一类型掺杂生长在衬底72上。衬底上方的外延生长结构是底部DBR 74(第一类型掺杂)、第一接触层76(第一类型掺杂)、有源区80、第二接触层82(具有第二类型掺杂)、具有内部孔88和外部电流阻挡区86的折射率引导型电流限制层84、第三接触层90(第二类型掺杂)、待去除以形成间隔层94的HCG下部折射率间隔层92、蚀刻以形成光栅图案的HCG光栅层98。在第一接触层和第三接触层的顶部上形成金属接触78、91。HCG层的厚度、周期和占空比参数经过精心设计而形成高反射率镜。

在生长之后进行制造步骤，其中从顶部向下延伸到第一接触层76的侧面蚀刻器件以形成台面。顶部接触91沉积在第三接触层90的顶部上，而底部接触78沉积在第一接触层76的顶部上。电子束光刻用于限定HCG顶镜96。以下是该第二实施方式的实施实例。

图4示出了如通过SEM图像所示的折射率引导型电流限制层的示例性实施方式110，其仅示出了整个结构的一小部分，特别是右侧部分，其中内部孔(实际上通常在器件中居中)出于图像的左侧。可以看到，第一接触层112的一小部分被相匹配的间隔层114覆盖，间隔层114的上方是有源区116，有源区116的上方是第二接触层118。然后，第二接触层118的上方是折射率引导型电流限制层119，其中示出了该层的内部孔120和外部电流限制区121。折射率引导型电流限制层的上方是第三接触层122。

实施例2

图5A至图5C示出了第二示例性实施方式130，其描绘了配置为波长为980nm的另一VCSE的生长过程。所有半导体层都能够通过MOCVD在厚Si掺杂的n型GaAs衬底上生长。衬底的掺杂水平为约1E18 cm

有源区133的生长跟随第一接触层的生长。该实施例中的有源区包括：100nm的未掺杂的AlGaAs底部覆层134、五对未掺杂的5.5nm InGaAs/10nm GaAsP应变补偿多量子阱(MQW)136和100nm的未掺杂的AlGaAs上部覆层138。

在有源区之后生长第二碳掺杂的p型接触层140，其具有大约2E18 cm

在第一次生长后，将具有图5A所示结构的晶片从腔室中取出。进行光刻，以在In

在图5C中看到，再生长工艺从生长约135nm厚的碳掺杂的p-GaAs第三接触层的p-GaAs层146(待生长以填充图5B的孔144)开始，其示出为向下延伸147到层142’的孔中。生长蚀刻停止层148，包括遵循层146的凹陷轮廓的约20nm的In

图6A至图6C示出了在完成以下制造步骤之后的图5A至图5C的所得VCSEL器件的示例性实施方式170、210、230。

参考图6A，金属材料(以Ti/Au为例)被用作第三接触层146上的顶部接触158作为p-焊盘，并且Au/Ge/Ni/Au沉积在衬底的背面上作为n-焊盘160。进行蚀刻，例如以H

图6B示出了VCSEL的SEM图像的再现，其示出了调谐接触212、具有中心线216和p接触218的台面区域的标记214。

图6C示出了VCSEL的SEM图像的再现，其仅示出了上台面区域230。

图7描绘了示出光功率242和电压244的光-电流-电压(LIV)曲线240。

图8示出了VCSEL器件的光谱250，其示出了基线强度252以及在设计频率下的大约37dB的强度增益。

根据前面的描述将认识到，所提出的技术具有各种新的特征和方面，并且可以提供优于常规技术的众多优势，所述常规技术包括但不限于以下内容。(a)电流限制和光限制是通过仅由单晶材料组成的孔层实现的，这大大提高了器件的可靠性。(b)与氧化物限定的孔相比，所提出的技术中的孔中心与其周围之间的折射率对比度较小。所得的较弱的折射率引导效果支持发射较少数量的孔的大孔单横模器件，从而促进了高效光纤耦合。此外，大电流孔能够实现更高的光功率。(c)新的孔层具有更高的导热率，这为器件的散热提供了一条有效途径；这对于实现大功率设备而言至关重要。(d)孔的形状具有高度的设计自由度；例如，可以专门设计孔以获得某些横向模和光束形状。(e)该技术为孔的布置提供了高度的设计自由度，这可以有助于设计密集封装的VCSEL阵列。

因此，所提出的技术达到了许多设计目标。(1)提供了一种新颖的层，其既提供横向电流限制又提供横向光限制。(2)根据本发明，提高了垂直腔面发射器件的可靠性。(3)所公开的结构提供了改善的散热，以增强在较高的工作电流水平下的操作。(4)所公开的技术能够提供用于达到大功率单横模垂直腔面发射器件的机制和制造步骤。

本技术的实施方式可以在本文中参考根据该技术和/或步骤和操作的实施方式的方法和系统的流程图进行描述。

根据本文的描述，应当理解，本发明涵盖多个实施方式，这些实施方式包括但不限于以下内容：

1.一种垂直腔面发射光电装置，包括：(a)顶反射器和底反射器；(b)第一接触层，在所述底反射器上方并且具有第一类型掺杂；(c)有源区，位于所述第一接触层上方并且含有一个或多个量子阱层；(d)第二接触层，在所述有源区上方并且具有第二类型掺杂；(e)在所述第二接触层上方的折射率引导型电流限制层，所述折射率引导型电流限制层具有中心孔；和(f)第三接触层，具有第二类型掺杂、位于所述折射率引导型电流限制层上方并且填充所述折射率引导型电流限制层的中心孔。

2.一种制造垂直腔面发射光电器件的方法，包括：(a)在具有第一类型掺杂的衬底上形成底反射器；(b)在所述底反射器上方形成具有第一类型掺杂的第一接触层；(c)在所述第一接触层上方形成含有一个或多个量子阱层的有源区；(d)在所述有源区上方形成具有第二类型掺杂的第二接触层；(e)在所述第二接触层上方形成折射率引导型电流限制层；(f)进行光刻并且在所述折射率引导型电流限制层中蚀刻出中心孔；(g)在形成第三接触层中进行再生长操作，所述第三接触层具有第二类型掺杂、位于所述折射率引导型电流限制层上方并且填充所述折射率引导型电流限制层的中心孔；以及(h)形成底电极和顶电极，所述底电极和顶电极被配置为将它们之间的工作电流耦合到所述垂直腔面发射光电器件中。

3.一种垂直腔面发射器件，包括：(a)衬底；(b)生长在所述衬底上的一对半导体层，包括底镜、具有第一类型掺杂的接触层(第一接触层)、位于所述接触层上方的有源区、在所述有源区上方的第二类型掺杂的接触层(第二接触层)，其中一个折射率引导型电流限制层埋在内部；其中，所述折射率引导型电流限制层在中心处具有孔；在所述第二接触层上方的顶镜；(c)底电极，在所述衬底的背面或在所述第一接触层的顶部；(d)在所述顶镜的顶部或在所述第二接触层的顶部的顶电极；以及(e)台面，其向下延伸穿过所述半导体层。

4.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述装置包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)或共振腔发光二极管(RC-LED)。

5.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)或共振腔发光二极管(RC-LED)包括电泵浦器件或光泵浦器件。

6.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述一个或多个量子阱层被夹在覆层之间。

7.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，还包括电极，所述电极包括底电极和顶电极。

8.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述底电极在所述底反射器下方的衬底下方。

9.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述底电极在所述第一接触层的顶部上。

10.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述顶电极在所述顶反射器的顶部上。

11.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述顶电极在所述第二接触层的顶部上。

12.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述装置形成有至少一个台面。

13.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层被配置为原生层，在外延之后不再对所述原生层进行进一步的氧化或离子注入。

14.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层包括在所述折射率引导型电流限制层中横向分布的内部电流注入孔和外部电流阻挡环。

15.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔与所述第二接触层导电以限定进入所述有源区的电流通道。

16.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述外部电流阻挡环具有足够高的电阻或者为所述第二接触层相反地掺杂，以将电流限制到所述折射率引导型电流限制层中的所述内部电流注入孔中。

17.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔具有与所述外部电流阻挡环相比更高的折射率，从而提供横向折射率引导。

18.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔和所述外部电流阻挡环能选自由以下所组成的孔/环材料对的组：GaAs/InGaP、AlGaAs/InGaP、GaAs/InAlGaP、AlGaAs/InAlGaP、InGaAs/InP、InAlGaAs/InP。

19.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔为直径在约100nm～50μm范围内的圆形。

20.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔能够为宽度在约100nm～50μm范围内的非圆形。

21.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层具有在约10nm～2000nm范围内的厚度。

22.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述底反射器和所述顶反射器包括分布式布拉格反射器(DBR)或高对比度光栅(HCG)反射器。

23.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述顶反射器为平坦的或者从共形的第二生长变形。

24.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述有源区包括一个或多个量子阱以及在所述一个或多个量子阱的两侧上的覆层。

25.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，每个量子阱包括阱层和势垒层。

26.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其还包括蚀刻多层的外部以形成至少一个台面。

27.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层形成为原生层，在外延之后不对所述原生层进行氧化或离子注入步骤。

28.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层被蚀刻以形成内部电流注入孔，在所述内部电流注入孔周围为外部电流阻挡环。

29.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，用所述第三接触层的导电材料填充所述内部电流注入孔，向下直至所述第二接触层以将电流通道限定到所述有源区中。

30.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述埋入式折射率引导型电流限制层为原生层，其中，所述埋入式折射率引导型电流限制层在外延之后不需要进一步的氧化或离子注入。

31.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述埋入式折射率引导型电流限制层包括两部分：内部电流注入孔和外层电流阻挡环，并且它们横向分布在所述埋入式折射率引导型电流限制层中。

32.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述埋入式折射率引导型电流限制层通过多步外延来完成。

33.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔与所述第二接触层导电，以限定进入所述有源区的电流通道。

34.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述外部电流阻挡环为高电阻的，或者与所述第二接触层相反地掺杂，以将所述电流限制到所述埋入式折射率引导型电流限制层的孔中。

35.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔具有与所述外部电流阻挡环相比更高的折射率，从而提供横向折射率引导。

36.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔和所述外部电流阻挡环能够选自以下组合：GaAs(孔)/InGaP(环)、AlGaAs/InGaP、GaAs/InAlGaP、AlGaAs/InAlGaP、InGaAs/InP、InAlGaAs/InP。

37.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述内部电流注入孔能够为尺寸在100nm～50μm范围内的任何形状，如圆形、三角形、正方形、矩形等。

38.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述折射率引导型电流限制层能够具有10nm～2000nm的厚度。

39.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述垂直腔面发射器能够为垂直腔面发射激光器(VCSEL)或共振腔发光二极管(RCLED)。它能够为电泵浦器件或光泵浦器件。

40.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述底镜能够为分布式布拉格反射器或高对比度光栅薄层反射器的堆叠体。

41.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述分布式布拉格反射器能够为平坦的或者由于共形的第二生长而变形。

42.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述高对比度光栅反射器能够为平坦的或者由于共形的第二生长而变形。

43.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述有源区包括一个或多个量子阱以及在所述一个或多个量子阱的两侧上的覆层。

44.根据任何前述实施方式所述的装置或方法，其中，所述一个或多个量子阱包括阱层和势垒层。

如本文中使用，单数术语“一”、“一个”和“该”可包括复数指代，除非上下文另有明确规定。除非明确说明，否则以单数形式提及对象并不旨在表示“一个且仅一个”，而是表示“一个或多个”。

如本文中使用，术语“组(set)”是指一个或多个对象的集合。因此，例如，一组对象可以包括单个对象或多个对象。

如本文中使用，术语“大致”和“大约”用于描述和解释小的变化。当与事件或环境结合使用时，术语可以指事件或环境精确发生的实例以及事件或环境近似发生的实例。当与数值结合使用时，术语可以指小于或等于该数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％，小于或等于±4％，小于或等于±3％，小于或等于±2％，小于或等于±1％，小于或等于±0.5％，小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。例如，“大致”对齐可指小于或等于±10°的角度变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°、或小于或等于±0.05°。

此外，数量、比率和其他数值有时可以在本文中以范围格式呈现。应当理解的是，这种范围格式是为了方便和简洁而使用的，并且应当灵活地理解为包括明确地指定为范围的限制的数值，但是也包括包含在该范围内的所有单独的数值或子范围，如同每个数值和子范围被明确地指定一样。例如，在大约1至大约200的范围内的比率应理解为包括明确列举的大约1至大约200的极限，但也包括单独的比率，例如大约2、大约3和大约4，以及子范围，例如大约10至大约50、大约20至大约100等。

虽然本文的描述包含许多细节，但这些不应被解释为限制本发明的范围，而是仅提供对一些当前优选实施方式的说明。因此，应当理解的是，本发明的范围完全包括对本领域技术人员来说可能变得显而易见的其他实施方式。

本领域普通技术人员已知的与所公开的实施方式的要素的所有结构和功能等同物在此明确引入作为参考，并且旨在被本权利要求书所涵盖。此外，无论本发明中的要素、组件或方法步骤是否在权利要求中明确陈述，该要素、组件或方法步骤都不旨在专用于公众。本文中的权利要求要素不应被解释为“特征加功能”要素，除非使用短语“用于……的特征”明确地叙述该要素。本文中的权利要求要素不应被解释为“步骤加功能”要素，除非使用短语“用于……的步骤”明确地叙述该要素。