一种高寒阴湿区黄芪成药期覆膜种植方法

技术领域

本发明属于中药材种植技术领域，尤其涉及一种黄芪覆膜种植方法。

背景技术

黄芪为常用的滋补中药材，含有活性较强的黄酮类、多糖类、氨基酸、微量元素等有效成分，广泛应用于食品、作料、煲汤、炖肉等，具有广阔的市场价值。黄芪为半干旱作物，适应性较强，近年来推广应用的黄芪种植方法为地膜露头栽培技术，其按株距10-12cm、行距25-30cm开互对种植沟，沟深10cm,垄距30cm，密度1200株/亩，种苗约85kg左右，将黄芪苗子尾向尾平放在种植沟内，覆土5cm厚再将地膜平铺，使种苗头部露出地膜边外2cm，顺行取土压紧压实地膜两边和种苗头部，自然形成高5cm的垄面，每隔3m左右压土腰带以防大风揭膜。虽然该种栽培技术的鲜黄芪产量较高，比露地种植技术有所增产，但在移栽是费工费时，且收获的黄芪侧根较多，不易加工，由于黄芪接近地膜，病虫害相对多一些，特一等品出成率较低，不便于后期的加工。

发明内容

针对上述背景技术中指出的不足，本发明提供了一种黄芪覆膜种植方法，旨在解决上述背景技术中现有黄芪采用地膜露头栽培技术存在的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种高寒阴湿区黄芪成药期覆膜种植方法，包括如下步骤：

(1)土壤解冻后，黄芪种苗条播露地移栽。

(2)待移栽种苗达到成药生长期时，选择宽80-100cm的地膜，结合中耕除草，进行覆膜放苗。

优选地，所述条播株距为12cm，行距25cm。

优选地，所述种苗达到成药生长期时，需待移栽种苗返青至株高10cm时进行中耕除草、覆膜放苗。

相比于现有技术的缺点和不足，本发明具有以下有益效果：

本发明首先采用露地沟播移栽技术进行黄芪种苗移栽，一些小地块可以利用小型农用机械，大幅度减少了人力投入。待种苗返青至株高10cm时，结合中耕除草进行覆膜放苗。由于黄芪栽培时株行距采用12×25cm，待返青株高10cm时，黄芪的分支冠幅在5cm左右，此时黄芪植株的生长力强，韧性高，结合中耕除草覆膜放苗时不易发生折断现象。本发明充分保证了前期黄芪种苗条播移栽后在高寒阴湿主产区的通风透气性，能有效减少病害发生，解决了高寒阴湿区黄芪覆膜种植通风透气性不足及病虫害高发的问题；后期中耕除草并覆膜放苗，有利于保墒除草，大幅提高亩产量和特一等品出成率，较露地栽培技术增产近30％，且特一等品出成率提高77.7％，较露头移栽栽培产量增加6％，且特一等品出成率提高107％；此外，本发明种植的黄芪主根长，侧根较少，便于产后的初加工。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

2020年，在岷县禾驮镇曙光村采用本发明的技术进行田间试验，试验田面积为10亩，记为试验田；

土壤解冻后，首先进行黄芪种苗的栽培，栽培按照株距12cm、行距25cm，采用露地条播技术。因株行距较宽，待返青株高10cm时(黄芪处于成药生长期)，黄芪的分支冠幅在5cm左右，此时黄芪植株的生长力强，韧性高，移栽时不易发生折断现象，然后选择宽80-100cm的地膜，进行中耕除草，同时覆膜放苗。由于前期黄芪种苗生长力强，移栽后通风透气能力强，便于机械化移栽，减少病害发生。

对实施例1中的种植条件进行优化，在相同种植地区进行了黄芪种苗栽培株行距的优化，种植情况如下表1所示：

表1黄芪种苗栽培株行距的优化

由表1可知，采用试验3-6的株距和行距种植黄芪时，在黄芪种苗返青竹高10cm时，平均分支冠幅位置达到5cm以上，且随株行距的增大，平均分支冠幅位置增高，其生长力和韧性均会增强。但株行距较大时，采挖亩根鲜产量和特一等品出成率均降低，尤其是特一等品出成率的下降非常明显。因此，黄芪种苗栽培时，应选择栽培株距12cm、行距25cm的露地条播方式。

对照例1

2020年，在岷县禾驮镇曙光村采用露地栽培技术种植黄芪，试验田面积为10亩，记为对照田1。

对照例2

2020年，在岷县禾驮镇曙光村采用露头移栽栽培技术种植黄芪，试验田面积为10亩，记为对照田2。

试验田及对照田种植黄芪的情况如表2所示：

表2本发明试验田与对照田种植黄芪的情况

由于表1可知，采用本发明技术种植的黄芪较露地栽培技术种植增产近30％，且特一等品出成率提高77.7％；采用本发明技术种植的黄芪较露头移栽栽培技术种植增产6％，而特一等品出成率提高约107％，特一等品出成率提高非常显著；此外，根据表2中病虫害的检测和平均侧根数的记录情况可知，采用本发明技术种植的黄芪根腐病发病率明显降低，有效减少了病害发生，同时平均侧根数也明显减少，有利于黄芪主根的生长，侧根较少，便于初加工。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。