弹性波滤波器

技术领域

本发明涉及弹性波滤波器。

背景技术

以往，已知有包含串联臂谐振器和并联臂谐振器的梯型的弹性波滤波器。作为这种弹性波滤波器的一个例子，在专利文献1公开了一种弹性波滤波器，其具备：第1串联臂谐振器；第2串联臂谐振器，与第1串联臂谐振器串联连接；以及并联臂谐振器，连接于第1串联臂谐振器与第2串联臂谐振器之间的节点。在该弹性波滤波器中，在第1串联臂谐振器并联地连接有电容元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第6593678号说明书

像在专利文献1公开的弹性波滤波器那样，通过在第1串联臂谐振器并联连接电容元件，从而能够使并联连接的状态的第1串联臂谐振器的反谐振频率向低频侧移动。由此，变得能够使位于比弹性波滤波器的通带靠高频侧的衰减斜率陡峭化。

然而，在专利文献1公开的弹性波滤波器中，难以对第1串联臂谐振器的谐振频率以及反谐振频率进行微调，难以降低通带内的高频侧的插入损耗(loss)。

发明内容

发明要解决的课题

因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够在使位于比弹性波滤波器的通带靠高频侧的衰减斜率陡峭化的同时降低通带内的高频侧的插入损耗的弹性波滤波器。

用于解决课题的技术方案

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的弹性波滤波器具备：第1谐振电路，包含配置在将第1端子和第2端子连结的路径上的第1串联臂谐振器和与所述第1串联臂谐振器并联连接的第1电容元件，在所述弹性波滤波器中，所述第1串联臂谐振器包含相互串联连接的第1分割谐振器以及第2分割谐振器，所述第1谐振电路具备：第2谐振电路，包含所述第1分割谐振器和与所述第1分割谐振器并联连接的第2电容元件，所述第2电容元件的一个端子连接于所述第1分割谐振器与所述第2分割谐振器之间的一个节点，所述第2电容元件的另一个端子连接于位于所述第1分割谐振器的与所述一个节点相反的一侧的另一个节点。

发明效果

根据本发明涉及的弹性波滤波器，能够在使位于比弹性波滤波器的通带靠高频侧的衰减斜率陡峭化的同时降低通带内的高频侧的插入损耗。

附图说明

图1是实施方式涉及的弹性波滤波器的电路结构图。

图2是示出实施方式涉及的弹性波滤波器的第1分割谐振器、第2分割谐振器以及第2谐振电路的导纳特性的示意图。

图3是示意性地表示实施方式的弹性波滤波器包含的弹性波谐振器的一个例子的俯视图以及剖视图。

图4是示意性地表示实施方式涉及的弹性波滤波器的第1谐振电路的俯视图。

图5是比较例的弹性波滤波器的电路结构图。

图6是示出实施方式涉及的弹性波滤波器的通过特性以及第1谐振电路的导纳特性的图。

图7是示出实施方式的弹性波滤波器以及比较例的弹性波滤波器的通过特性的图。

图8是示出实施方式的变形例涉及的弹性波滤波器的电路结构图。

附图标记说明

5：基板；

10、10A：弹性波滤波器；

53：压电膜；

54：IDT电极；

55：保护层；

91：第1端子；

92：第2端子；

101：第1串联臂谐振器(串联臂谐振器)；

101a、101b：梳齿状电极；

102、103：第2串联臂谐振器(串联臂谐振器)；

111a、111b：汇流条电极；

121a、121b：电极指；

142：反射器；

202、203：并联臂谐振器；

301a、301b：电极指；

311a、311b：汇流条电极；

C1：第1电容元件；

C2：第2电容元件；

D1：第1分割谐振器；

D2：第2分割谐振器；

n1、n2、n3、n4：节点；

RC1：第1谐振电路；

RC2：第2谐振电路；

λ、λ1、λ2：波长。

具体实施方式

以下，使用实施方式以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。

(实施方式)

[1.弹性波滤波器的基本结构]

图1是实施方式涉及的弹性波滤波器10的电路结构图。

弹性波滤波器10具备配置在将第1端子91和第2端子92连结的路径上的多个串联臂谐振器101、102以及103和配置在上述路径与接地(基准端子)之间的多个并联臂谐振器202以及203。串联臂谐振器102配置在第1端子91与串联臂谐振器101之间，串联臂谐振器103配置在串联臂谐振器101与第2端子92之间。

以下，有时将多个串联臂谐振器101～103中的串联臂谐振器101称为第1串联臂谐振器101，将与第1串联臂谐振器101不同的串联臂谐振器102、103称为第2串联臂谐振器102、103。

如同图所示，在第1串联臂谐振器101并联连接有第1电容元件C1。具体地，第1电容元件C1的一个端子连接于第1串联臂谐振器101与第2串联臂谐振器102之间的节点n1，第1电容元件C1的另一个端子连接于第1串联臂谐振器101与第2串联臂谐振器103之间的节点n2。

像这样，弹性波滤波器10具备第1谐振电路RC1，第1谐振电路RC1包含第1串联臂谐振器101和与第1串联臂谐振器101并联连接的第1电容元件C1。

第1串联臂谐振器101包含被分割的两个谐振器。在此，将在两个谐振器之间的节点未连接与接地相连的并联臂谐振器且相互串联地连接的各个谐振器定义为串联分割谐振器。具体地，第1串联臂谐振器101包含相互串联连接的第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2。第1分割谐振器D1与第2串联臂谐振器102串联连接，第2分割谐振器D2与第2串联臂谐振器103串联连接。第1分割谐振器D1形成为谐振频率以及反谐振频率分别比第2分割谐振器D2高。另外，上述的谐振频率或反谐振频率意味着未连接电容元件的状态下的第1分割谐振器D1的固有的谐振频率或反谐振频率。

在第1分割谐振器D1并联连接有第2电容元件C2。具体地，第2电容元件C2的一个端子连接于第1分割谐振器D1与第2串联臂谐振器102之间的节点n3，第2电容元件C2的另一个端子连接于第1分割谐振器D1与第2分割谐振器D2之间的节点n4。

第2电容元件C2的电容值与第1电容元件C1不同。具体地，第2电容元件C2的电容比第1电容元件C1的电容小，是第1电容元件C1的电容的0.1倍以上且0.3倍以下。

另外，在第2分割谐振器D2未并联连接电容元件。此外，在第1分割谐振器D1与第2分割谐振器D2之间的节点未连接与接地相连的并联臂谐振器。

像这样，第1谐振电路RC1具备第2谐振电路RC2和与第2谐振电路RC2串联连接的第2分割谐振器D2，第2谐振电路RC2包含第1分割谐振器D1以及第2电容元件C2。

第2谐振电路RC2的反谐振频率与第2分割谐振器D2的反谐振频率大致一致。换言之，第2电容元件C2的电容形成为第2谐振电路RC2的反谐振频率与第2分割谐振器D2的反谐振频率大致一致。所谓大致一致，例如意味着第2谐振电路RC2的反谐振频率与第2分割谐振器D2的反谐振频率的频率的偏移为0.2％以上且5％以下。

图2是示出第1分割谐振器D1、第2分割谐振器D2以及第2谐振电路RC2的导纳特性的示意图。

在图2的(a)示出了第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2各自的导纳特性。如同图所示，第1分割谐振器D1的谐振频率比第2分割谐振器D2的谐振频率高，第1分割谐振器D1的反谐振频率比第2分割谐振器D2的反谐振频率高。

在图2的(b)示出了第2谐振电路RC2以及第2分割谐振器D2各自的导纳特性。通过在第1分割谐振器D1并联连接第2电容元件C2，从而图2的(b)所示的第2谐振电路RC2的反谐振频率变得比图2的(a)所示的第1分割谐振器D1的反谐振频率低。在本实施方式中，第2谐振电路RC2的反谐振频率接近第2分割谐振器D2的反谐振频率，与第2分割谐振器D2的反谐振频率大致一致。

此外，如图2的(b)所示，第2谐振电路RC2的谐振频率变得比第2分割谐振器D2的谐振频率高。因此，关于作为谐振频率与反谐振频率的间隔的谐振带宽，与第2分割谐振器D2相比，第2谐振电路RC2变得更窄。第2谐振电路RC2的反谐振频率与第2分割谐振器D2的反谐振频率的频率差比第2谐振电路RC2的谐振频率与第2分割谐振器D2的谐振频率的频率差小。

像这样，通过在第1分割谐振器D1并联连接第2电容元件C2，从而变得能够使用包含第2谐振电路RC2的第1谐振电路RC1的反谐振频率可靠地形成位于比通带靠高频侧的衰减极。此外，通过提高第2谐振电路RC2的谐振频率，从而提高第1谐振电路RC1的谐振频率，变得能够降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

在此，重新对弹性波滤波器10具备的谐振电路以及谐振器的连接结构进行说明。

前述的第1谐振电路RC1配置在将第1端子91和第2端子92连结的路径上。第2串联臂谐振器102在第1端子91与第1谐振电路RC1之间与第1谐振电路RC1串联连接，第2串联臂谐振器103在第1谐振电路RC1与第2端子92之间与第1谐振电路RC1串联连接。并联臂谐振器202配置在第2串联臂谐振器102与第1谐振电路RC1之间的节点和接地之间，并联臂谐振器203配置在第1谐振电路RC1与第2串联臂谐振器103之间的节点和接地之间。

通过上述连接结构，弹性波滤波器10构成梯型的带通滤波器。第1谐振电路RC1以及第2串联臂谐振器102、103各自的谐振频率存在于弹性波滤波器10的通带内。此外，第1谐振电路RC1的反谐振频率成为如下的频率，即，比上述通带高，且比第2串联臂谐振器102、103各自的反谐振频率低。

像这样，通过使第1谐振电路RC1的反谐振频率比其它串联臂谐振器102、103的反谐振频率低，从而能够使用第1谐振电路RC1的反谐振频率可靠地形成位于比上述通带靠高频侧的衰减极。由此，变得能够在可靠地形成弹性波滤波器10的衰减极的同时降低通带内的高频侧的插入损耗。

[2.弹性波滤波器的构造]

接着，对用于实现上述结构的弹性波滤波器10的构造进行说明。

弹性波滤波器10例如是包含串联臂谐振器101～103以及并联臂谐振器202、203等多个弹性波谐振器的声表面波滤波器。

图3是示意性地表示弹性波滤波器10包含的弹性波谐振器的一个例子的概略图，(a)是俯视图，(b)以及(c)是(a)所示的单点划线处的剖视图。另外，图3所示的弹性波谐振器用于说明上述多个弹性波谐振器的典型的构造，构成电极的电极指的根数以及长度等并不限定于此。

弹性波谐振器包含具有压电性的基板5和梳齿状电极101a以及101b。

如图3的(a)所示，在基板5上形成有相互对置的一对梳齿状电极101a以及101b。梳齿状电极101a包含相互平行的多个电极指121a和连接多个电极指121a的汇流条电极111a。此外，梳齿状电极101b包含相互平行的多个电极指121b和连接多个电极指121b的汇流条电极111b。多个电极指121a以及121b沿着与弹性波传播方向(X轴方向)正交的方向形成。

此外，如图3的(b)所示，包含多个电极指121a以及121b和汇流条电极111a以及111b的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极54成为密接层541和主电极层542的层叠构造。

密接层541是用于使基板5和主电极层542的密接性提高的层，作为材料，例如可使用Ti。密接层541的膜厚例如为12nm。

作为主电极层542的材料，例如可使用含有1％的Cu的A1。主电极层542的膜厚例如为162nm。

保护层55形成为覆盖梳齿状电极101a以及101b。保护层55是以从外部环境保护主电极层542、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主成分的电介质膜。保护层55的厚度例如为25nm。

另外，构成密接层541、主电极层542以及保护层55的材料并不限定于上述的材料。进而，IDT电极54也可以不是上述层叠构造。IDT电极54例如也可以包含Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等的金属或合金，此外，还可以包含上述的金属或合金所构成的多个层叠体。此外，也可以不形成保护层55。

接着，对基板5的层叠构造进行说明。

如图3的(c)所示，基板5具备高声速支承基板51、低声速膜52、以及压电膜53，并具有依次层叠了高声速支承基板51、低声速膜52以及压电膜53的构造。

压电膜53包含50°Y切割X传播LiTaO

高声速支承基板51是对低声速膜52、压电膜53和IDT电极54进行支承的基板。进而，高声速支承基板51是高声速支承基板51中的体波(bulk wave)的声速与在压电膜53传播的表面波以及边界波等弹性波相比成为高速的基板，其发挥如下功能，即，将声表面波封闭在层叠有压电膜53以及低声速膜52的部分而不会泄漏到比高声速支承基板51靠下方。高声速支承基板51例如为硅基板，厚度例如为200μm。

低声速膜52是低声速膜52中的体波的声速与在压电膜53传播的体波相比成为低速的膜，配置在压电膜53与高声速支承基板51之间。通过该构造和弹性波的能量在本质上集中于低声速的介质这样的性质，可抑制声表面波能量向IDT电极54外的泄漏。低声速膜52例如是以二氧化硅为主成分的膜，厚度例如为670nm。

在此，对构成弹性波谐振器的IDT电极54的电极参数的一个例子进行说明。

弹性波谐振器的波长由图3的(b)所示的作为构成IDT电极54的多个电极指121a或121b的重复周期的波长λ规定。此外，电极间距为波长λ的1/2，在将构成梳齿状电极101a以及101b的电极指121a以及121b的线宽度设为W，并将相邻的电极指121a与电极指121b之间的空隙宽度设为S的情况下，可用(W+S)来定义。此外，如图3的(a)所示，一对梳齿状电极101a以及101b的交叉宽度L是电极指121a和电极指121b的从弹性波传播方向(X轴方向)观察的情况下的重复的电极指长度。此外，各弹性波谐振器的电极占空比是多个电极指121a以及121b的线宽度占有率，是多个电极指121a以及121b的线宽度相对于该线宽度和空隙宽度的相加值的比例，可用W/(W+S)来定义。此外，将梳齿状电极101a以及101b的高度设为h。另外，将波长λ、交叉宽度L、电极占空比、IDT电极54的高度h等决定弹性波谐振器的形状以及大小的参数称为谐振器参数。

接着，对弹性波滤波器10的第1谐振电路RC1的构造进行说明。

图4是示意性地表示弹性波滤波器10的第1谐振电路RC1的俯视图。

如同图所示，第1谐振电路RC1具备第1串联臂谐振器101和与第1串联臂谐振器101并联连接的第1电容元件C1。第1串联臂谐振器101包含相互串联连接的第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2。此外，在第1分割谐振器D1并联连接有第2电容元件C2。第1谐振电路RC1包含第2谐振电路RC2和与第2谐振电路RC2串联连接的第2分割谐振器D2，第2谐振电路RC2包含第1分割谐振器D1以及第2电容元件C2。

另外，在第1分割谐振器D1的两端以及第2分割谐振器D2的两端分别设置有反射器142。反射器142包含相互平行的多个电极指和连接该多个电极指的汇流条电极。

第1串联臂谐振器101形成在基板5上，使得第1串联臂谐振器101的多个电极指121a以及121b相对于弹性波传播方向正交。

第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2沿着与弹性波传播方向正交的方向依次配置。第1分割谐振器D1形成为谐振频率以及反谐振频率分别比第2分割谐振器D2高。具体地，作为第1分割谐振器D1的谐振器参数之一的波长λ1比作为第2分割谐振器D2的谐振器参数之一的波长λ2短。

第1电容元件C1以及第2电容元件C2各自具有梳齿电极，并形成在基板5上。第1电容元件C1以及第2电容元件C2的梳齿电极具有配置为相互平行且彼此交替插入的多个电极指301a以及301b、和夹着多个电极指301a以及301b而对置地配置的一组汇流条电极311a以及311b。多个电极指301a与汇流条电极311a连接，多个电极指301b与汇流条电极311b连接。

多个电极指301a以及301b沿着串联臂谐振器101的IDT电极54中的声表面波的传播方向形成，并沿着与该传播方向正交的方向周期性地形成。

第2电容元件C2形成为电容值比第1电容元件C1小。具体地，第2电容元件C2与第1电容元件C1相比，电极指301a以及301b的数目少。另外，第2电容元件C2也可以形成为电极指301a和电极指301b的间隔比第1电容元件C1宽。此外，也可以是，在从与弹性波传播方向正交的方向观察的情况下，第2电容元件C2与第1电容元件C1相比，电极指301a以及电极指301b的重复的电极指长度短。

[3.弹性波滤波器的频率特性]

接着，一边与比较例的弹性波滤波器进行比较，一边对弹性波滤波器10的频率特性进行说明。

图5是比较例的弹性波滤波器510的电路结构图。

比较例的弹性波滤波器510与实施方式的弹性波滤波器10相比较，成为未设置第2电容元件C2的结构。即，比较例的第1谐振电路511仅由第1串联臂谐振器101以及与第1串联臂谐振器101并联连接的第1电容元件C1构成。另外，第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2的谐振器参数相同，谐振频率相互一致且反谐振频率相互一致。

图6是示出弹性波滤波器10的通过特性以及第1谐振电路RC1的导纳特性的图。图7是示出实施方式的弹性波滤波器10以及比较例的弹性波滤波器510的通过特性的图。

如图6所示，实施方式的第1谐振电路RC1与比较例的第1谐振电路511相比，虽然反谐振频率相同，但是谐振频率变高。此外，如图7所示，实施方式的弹性波滤波器10与比较例的弹性波滤波器510相比，通带内的高频侧的插入损耗降低。具体地，弹性波滤波器10与弹性波滤波器510相比，频率652MHz附近的插入损耗变小。

这是因为，通过像实施方式那样在第1分割谐振器D1并联连接第2电容元件C2，从而能够使用包含第2谐振电路RC2的第1谐振电路RC1的反谐振频率可靠地形成位于比通带靠高频侧的衰减极，此外，通过提高第2谐振电路RC2的谐振频率来提高第1谐振电路RC1的谐振频率，从而可降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

[4.实施方式的变形例]

接着，对实施方式的变形例涉及的弹性波滤波器进行说明。

图8是实施方式的变形例涉及的弹性波滤波器10A的电路结构图。

如同图所示，弹性波滤波器10A具备串联臂谐振器102、第1谐振电路RC1、并联臂谐振器202以及204、和纵向耦合谐振器150。也就是说，弹性波滤波器10A是在梯型的滤波器构造附加了纵向耦合谐振器150的滤波器。

纵向耦合谐振器150具有配置在第1端子91与第2端子92之间的纵向耦合型的滤波器构造。本变形例的纵向耦合谐振器150配置在比第1谐振电路RC1靠第2端子92侧，并包含九个IDT电极和配置在其两端的反射器。另外，配置纵向耦合谐振器150的位置并不限定于此，例如，也可以是串联臂谐振器102与第1谐振电路RC1之间。

即使是像以上那样构成的弹性波滤波器10A，也与实施方式同样地，能够降低弹性波滤波器10A的通带内的高频侧的插入损耗。

[5.总结]

本实施方式的弹性波滤波器10具备：第1谐振电路RC1，包含配置在将第1端子91和第2端子92连结的路径上的第1串联臂谐振器101和与第1串联臂谐振器101并联连接的第1电容元件C1。第1串联臂谐振器101包含相互串联连接的第1分割谐振器D1以及第2分割谐振器D2。第1谐振电路RC1具备：第2谐振电路RC2，包含第1分割谐振器D1和与第1分割谐振器D1并联连接的第2电容元件C2。

像这样，通过在第1分割谐振器D1并联连接第2电容元件C2，从而变得能够使用包含第2谐振电路RC2的第1谐振电路RC1的反谐振频率可靠地形成位于比通带靠高频侧的衰减极。由此，例如能够通过提高第2谐振电路RC2的谐振频率，从而提高第1谐振电路RC1的谐振频率，在使位于比弹性波滤波器10的通带靠高频侧的衰减斜率陡峭化的同时降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

此外，第2谐振电路RC2的反谐振频率也可以与第2分割谐振器D2的反谐振频率大致一致。

像这样，通过使第2谐振电路RC2的反谐振频率与第2分割谐振器D2的反谐振频率大致一致，从而能够将第1谐振电路RC1的反谐振频率设为适当的值，能够可靠地形成位于比通带靠高频侧的衰减极。由此，例如能够通过提高第2谐振电路RC2的谐振频率，从而提高第1谐振电路RC1的谐振频率，在使位于比弹性波滤波器10的通带靠高频侧的衰减斜率陡峭化的同时降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

此外，第2谐振电路RC2的谐振频率也可以比第2分割谐振器D2的谐振频率高。

像这样，通过提高第2谐振电路RC2的谐振频率，从而能够提高第1谐振电路RC1的谐振频率。由此，能够降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

此外，也可以是，第2谐振电路RC2的谐振带宽比第2分割谐振器D2窄，该谐振带宽是谐振频率与反谐振频率的间隔。

像这样，通过使第2谐振电路RC2的谐振带宽变窄，从而能够提高第1谐振电路RC1的谐振频率。由此，能够降低弹性波滤波器10的通带内的高频侧的插入损耗。

此外，第2电容元件C2的电容也可以与第1电容元件C1的电容不同。

据此，变得能够对包含第2谐振电路RC2的第1谐振电路RC1的反谐振频率进行调整。由此，能够适当地形成比通带靠高频侧的衰减极的位置。

此外，第2电容元件C2的电容也可以比第1电容元件C1的电容小。

据此，变得能够对包含第2谐振电路RC2的第1谐振电路RC1的反谐振频率进行微调。由此，能够适当地形成比通带靠高频侧的衰减极的位置。

此外，弹性波滤波器10还具备：第2串联臂谐振器102，与第1谐振电路RC1串联连接；以及并联臂谐振器202，配置在第1谐振电路RC1与第2串联臂谐振器102之间的节点和接地之间。也可以是，第1谐振电路RC1的谐振频率以及第2串联臂谐振器102的谐振频率存在于弹性波滤波器10的通带内，第1谐振电路RC1的反谐振频率比第2串联臂谐振器102的反谐振频率低。

像这样，通过使第1谐振电路RC1的反谐振频率比其它串联臂谐振器102的反谐振频率低，从而能够使用第1谐振电路RC1的反谐振频率可靠地形成位于比上述通带靠高频侧的衰减极。由此，变得能够可靠地形成弹性波滤波器10的衰减极，且降低通带内的高频侧的插入损耗。另外，在上述中，即使设为将第2串联臂谐振器102置换为第2串联臂谐振器103并将并联臂谐振器202置换为并联臂谐振器203的结构，也是同样的。

(其它变形例等)

以上，列举实施方式对实施方式涉及的弹性波滤波器10进行了说明，但是本发明并不限定于上述的实施方式。例如，对上述的实施方式实施了如下的变形的方式也能够包含于本发明。

虽然在本实施方式中，示出了第2谐振电路RC2与第2串联臂谐振器102串联连接且第2分割谐振器D2与第2串联臂谐振器103串联连接的例子，但是这也可以相反。即，也可以是，第2分割谐振器D2与第2串联臂谐振器102串联连接，第2谐振电路RC2与第2串联臂谐振器103串联连接。

例如，弹性波滤波器10也可以用作发送滤波器或接收滤波器。例如，在弹性波滤波器10为发送滤波器的情况下，弹性波滤波器10可以经由第2端子92输入在发送电路(RFIC等)中生成的发送波，用给定的频段的发送通带对该发送波进行滤波并向第1端子91输出。在弹性波滤波器10为接收滤波器的情况下，弹性波滤波器10可以输入从第1端子91输入的接收波，用给定的频段的接收通带对该接收波进行滤波并向第2端子92输出。

此外，第1端子91以及第2端子92也可以是输入端子或输出端子。例如，在第1端子91为输入端子的情况下，第2端子92成为输出端子，在第2端子92为输入端子的情况下，第1端子91成为输出端子。

产业上的可利用性

本发明作为降低了通带的插入损耗的弹性波滤波器，作为多工器、高频前端电路或通信装置等，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。