一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆

技术领域

本发明涉及一晶圆的检测方法，尤其涉及一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度较高。

随着科技的不断进步，诸多厂商都在致力于晶圆的生产、检测等程序的自动化。电子产品尺寸小型化已成为一种趋势。而电子产品中，晶圆越薄，越有利于最终电子产品尺寸的减小。

而晶圆通常是被间隔地放置在不同高度形成槽体的晶圆置放架中。晶圆的两边被支撑在置放架而晶圆的中部悬空。但是，如果晶圆太薄，将给晶圆的自动传输和感应识别带来困扰。这主要是因为，晶圆如果太薄，一旦晶圆中部下沉，则感应器在识别晶圆时，晶圆有可能会被遮挡而无法被识别，这样就会使得有些超薄晶圆无法被机器取出进行检测。

另外一方面，由于晶圆在被检测和分装时都需要在不同的位置之间传送，如果晶圆太薄，晶圆本身很容易发生变形，从而使得晶圆容易被损坏。尤其是采用机器传送和夹取时，如果晶圆太薄，机器夹持臂夹持超薄晶圆的力度不能过大，否则会容易将超薄晶圆夹碎，但是，如果夹持力太小，势必使得超薄晶圆无法被夹紧而掉落。而超薄晶圆(厚度不超过150um)一旦掉落则势必会损伤晶圆。

此外，在晶圆被夹取在检测设备上后，需要通过检测机对其进行检测。现有的检测机在对晶圆检测时，通常是对晶圆加载预定大小的电压，然后检测对应的电流。比如现有技术中的MOSFET测试。但是这种检测方式，无法适合超薄晶圆。一方面，超薄晶圆被放置在检测工位时，容易发生翘曲，此时如果直接对其进行检测，很容易使待检测的超薄晶圆被扎坏。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中使用所述超薄晶圆的检测方法能够在不改变现有的晶圆检测设备的前提下，实现超薄晶圆的检测。

本发明的另一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法能够防止超薄晶圆在检测过程中发生翘曲。

本发明的另一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法能够防止所述超薄晶圆在检测过程中偏离检测的工位，以避免所述超薄晶圆被所述晶圆检测设备扎坏。

为实现本发明以上至少一个目的，本发明提供一种超薄晶圆的检测方法，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆；

(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同；和

(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。

根据本发明一实施例，在所述步骤(S3)之前，所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S4)通过晶圆检测设备的真空吸臂，吸取所述类普通晶圆，其中组成所述类普通晶圆上的所述可导电的硬质载体的所述承载面设置至少一环状的负压槽。

根据本发明一实施例，所述可导电的硬质载体上设置至少两个同心的所述负压槽。

根据本发明一实施例，所述可导电的硬质载体被实施为裸露的晶圆。

根据本发明一实施例，所述裸露的晶圆的被实施为由65猛钢制成。

根据本发明的另一个方面，本发明提供一种类普通晶圆，其中所述类普通晶圆包括：

一超薄晶圆；和

一可导电的硬质载体，所述超薄晶圆被可电导通地贴合所述可导电的硬质载体。

通过对随后的描述的理解，本发明进一步的目的和优势将得以充分体现。

本发明的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，得以充分体现。

附图说明

图1示出了本发明所述类普通晶圆的立体图。

图2示出了本发明所述类不同晶圆的分解图。

图3示出了本发明所述超薄晶圆的检测方法的流程图。

具体实施方式

以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。

结合说明书附图1至图3，依本发明一较佳实施例的一种超薄晶圆的检测方法，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S1)提供一可导电的硬质载体100，用以承载待检测的超薄晶圆900；

(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体100所形成的承载面101，以使所述可导电的硬质载体100和所述超薄晶圆900形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同；和

(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。

值得一提的是，由于所述超薄晶圆和所述可导电的硬质载体相互之间形成一个类普通晶圆，且所述超薄晶圆是被贴附在所述硬质载体上。因此，在整个所述类普通晶圆在被所述晶圆检测设备检测时，所述超薄晶圆不会偏离检测的工位。

此外，由于所述可导电的硬质载体100所形成的所述承载面101能够增大支撑所述超薄晶圆900的支撑面积，从而使得所述超薄晶圆900在被支撑于所述可导电的硬质载体100后，难以翘曲。

优选地，在上述步骤中，在所述步骤(S3)之前，所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S4)通过晶圆检测设备的真空吸臂，吸取所述类普通晶圆，其中组成所述类普通晶圆上的所述可导电的硬质载体100上设置至少一环状的负压槽102。当所述检测设备的所述真空吸臂吸附所述类普通晶圆时，藉由所述环状的负压槽102，以使所述超薄晶圆900被牢固地吸附于所述可导电的硬质载体100的所述承载面101。

优选地，所述可导电的硬质载体100上设置至少两个同心的所述负压槽102，具体为内侧的第一负压槽102a和外侧的第二负压槽102b。借助所述第一负压槽102a和所述第二负压槽102b，使得所述超薄晶圆900被承载于所述承载面101且被所述真空吸臂吸附后，所述超薄晶圆900上与所述第一负压槽102a和所述第二负压槽102b对应的位置之前形成一封闭的环状吸附区，以使得所述超薄晶圆900被牢固地贴附于所述可导电的硬质载体100。

作为优选地，所述可导电的硬质载体100被实施为裸露的晶圆。更优选地，所述裸露的晶圆的材质为65猛钢。

同样作为优选地，在本发明中，所述超薄晶圆900被贴附于所述可导电的硬质载体100后，形成的厚度在550～650um。

在表1中示出了不同厚度下测试所述超薄晶圆900的结果。

表一

本发明进一步公开一种类普通晶圆，其中所述类普通晶圆包括上述可导电的硬质载体100和上述超薄晶圆900。

本领域的技术人员应理解，上述描述所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。