发光元件、显示装置

本发明申请是国际申请号为PCT/IB2017/052329，国际申请日为2017年4月24日，进入中国国家阶段的申请号为201780028120.4，名称为“发光元件、显示装置、电子设备及照明装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的一个实施方式涉及一种发光元件或包括该发光元件的显示装置、电子设备及照明装置。

注意，本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个实施方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个实施方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个实施方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或制造方法。

背景技术

近年来，对利用电致发光(EL)的发光元件的研究开发日益火热。这些发光元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光物质的层(EL层)的结构。通过将电压施加到该元件的电极间，可以获得来自发光物质的发光。

因为上述发光元件是自发光型发光元件，所以使用该发光元件的显示装置具有如下优点：具有良好的可见度；不需要背光源；以及功耗低等。而且，该发光元件还具有如下优点：能够被制造得薄且轻；以及响应速度激发态高效地获得发光，即高荧光量子产率是重要的。但是，难以设计同时满足上述两个条件的发光材料。

另外，专利文献1已公开如下方法：在包含热活化延迟荧光材料和荧光性化合物的发光元件中，将热活化延迟荧光材料的单重激发能转移到荧光性化合物，并从该荧光性化合物获得发光。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2014-45179号公报

[非专利文献]

[非专利文献1]T.sajoto及其他五名，Journal of American Chemical Society，vol.131，9813(2009)

发明内容

为了提高包含热活化延迟荧光材料和荧光性化合物的发光元件的发光效率，优选从三重激发态高效地产生单重激发态，且被要求提供在将激基复合物用作热活化延迟荧光材料的发光元件中从三重激发态高效地产生单重激发态以进一步提高发光效率的方法。

因此，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种发光效率高的发光元件。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种驱动电压低的发光元件。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种功耗得到降低的发光元件。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种可靠性高的发光元件。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的发光装置。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。

注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个实施方式并不一定需要实现所有上述目的。另外，上述目的以外的目的可以从说明书等的记载得知并衍生。

本发明的一个实施方式是一种包括两种有机化合物(第一有机化合物及第二有机化合物)的发光元件，该两种有机化合物能够组合而形成激基复合物，其中一个有机化合物具有将三重激发能转换为发光的功能。另外，在该发光元件中，通过将激发能从该激基复合物供应到具有将单重激发能转换为发光的功能的第三有机化合物，可以从该第三有机化合物高效地得到发光。

另外，本发明的一个实施方式是一种包括发光层的发光元件，发光层包括第一有机化合物、第二有机化合物以及第三有机化合物，第一有机化合物和第二有机化合物中的一个的LUMO能级为第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个的LUMO能级以上，第一有机化合物和第二有机化合物中的一个的HOMO能级为第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个的HOMO能级以上，该第一有机化合物和该第二有机化合物能够组合而形成激基复合物，第一有机化合物能够将三重激发能转换为发光，第三有机化合物能够将单重激发能转换为发光，并且发光层的发光包括第三有机化合物的发光。

另外，本发明的另一个实施方式是一种包括发光层的发光元件，发光层包括第一有机化合物、第二有机化合物以及第三有机化合物，第一有机化合物和第二有机化合物中的一个的LUMO能级为第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个的LUMO能级以上，第一有机化合物和第二有机化合物中的一个的HOMO能级为第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个的HOMO能级以上，该第一有机化合物和该第二有机化合物能够组合而形成激基复合物，第一有机化合物能够发射磷光而不发射荧光，第三有机化合物能够发射荧光，并且发光层的发光包括第三有机化合物的发光。

另外，本发明的另一个实施方式是一种包括发光层的发光元件，发光层包括第一有机化合物、第二有机化合物以及第三有机化合物，第一有机化合物的LUMO能级为第二有机化合物的LUMO能级以上，第一有机化合物的HOMO能级为第二有机化合物的HOMO能级以上，该第一有机化合物和该第二有机化合物能够组合而形成激基复合物，第一有机化合物包含Ru、Rh、Pd、Os、Ir或Pt，并且发光层的发光包括第三有机化合物的发光。

在上述各结构中，第一有机化合物的最低三重激发能级优选为第二有机化合物的最低三重激发能级以上。

另外，在上述各结构中，激基复合物优选能够将激发能供应到第三有机化合物。另外，激基复合物的发射光谱优选包括与第三有机化合物的吸收光谱的最长波长一侧的吸收带重叠的区域。

另外，在上述各结构中，第一有机化合物优选包含铱。另外，第一有机化合物优选包括键合于铱的配体，该配体包含含氮五元杂环骨架。

另外，在上述各结构中，第二有机化合物优选能够传输电子。另外，第二有机化合物优选包含缺π电子型杂芳香骨架。

另外，在上述各结构中，第一有机化合物的发光量子产率优选在室温下为0％以上且40％以下。

另外，在上述各结构中，激基复合物的发光效率优选高于第一有机化合物的发光效率。

另外，本发明的另一个实施方式是一种显示装置，包括：上述各结构的发光元件；以及滤色片和晶体管之中的至少一个。另外，本发明的另一个实施方式是一种电子设备，包括：该显示装置；以及外壳和触摸传感器之中的至少一个。另外，本发明的另一个实施方式是一种照明装置，包括：上述各结构的发光元件；以及外壳和触摸传感器之中的至少一个。另外，本发明的一个实施方式在其范畴内不仅包括具有发光元件的发光装置，还包括具有发光装置的电子设备。因此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。另外，发光装置有时还包括如下模块：在发光元件中安装有连接器诸如柔性电路板(FPC)或载带封装(TCP)的显示模块；在TCP端部中设置有印刷线路板的显示模块；或者集成电路(IC)通过玻璃覆晶(COG)方式直接安装在发光元件上的显示模块。

根据本发明的一个实施方式，可以提供一种发光效率高的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种驱动电压低的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种功耗低的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种可靠性高的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种新颖的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种新颖的发光装置。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种新颖的显示装置。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。另外，本发明的一个实施方式并不一定需要具有所有上述效果。另外，上述效果以外的效果可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并衍生。

附图说明

在附图中：

图1是本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；

图2A是说明本发明的一个实施方式的发光元件的发光层的截面示意图，而图2B和图2C是说明能级相关的图；

图3是说明本发明的一个实施方式的发光元件的发光层的能级相关的图；

图4是本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；

图5是本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；

图6A和图6B是本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；

图7A和图7B是说明本发明的一个实施方式的显示装置的俯视图及截面示意图；

图8A和图8B是说明本发明的一个实施方式的显示装置的截面示意图；

图9A和图9B是说明本发明的一个实施方式的显示装置的截面示意图；

图10是说明本发明的一个实施方式的显示模块的透视图；

图11A至图11G是说明本发明的一个实施方式的电子设备的图；

图12A至图12C是说明本发明的一个实施方式的显示装置的图；

图13是说明本发明的一个实施方式的照明装置的图；

图14是说明实施例的发光元件的亮度-电流密度特性的图；

图15是说明实施例的发光元件的亮度-电压特性的图；

图16是说明实施例的发光元件的电流效率-亮度特性的图；

图17是说明实施例的发光元件的电力效率-亮度特性的图；

图18是说明实施例的发光元件的外部量子效率-亮度特性的图；

图19是说明实施例的发光元件的电致发射光谱的图；

图20是说明实施例的薄膜的发射光谱的图；

图21是说明实施例的化合物的吸收光谱及发射光谱的图；

图22是说明实施例的发光元件的亮度-电流密度特性的图；

图23是说明实施例的发光元件的亮度-电压特性的图；

图24是说明实施例的发光元件的电流效率-亮度特性的图；

图25是说明实施例的发光元件的电力效率-亮度特性的图；

图26是说明实施例的发光元件的外部量子效率-亮度特性的图；

图27是说明实施例的发光元件的电致发射光谱的图；

图28是说明实施例的化合物的吸收光谱的图；

图29是说明实施例的化合物的吸收光谱的图；

图30是说明实施例的发光元件的外部量子效率-亮度特性的图；

图31是说明实施例的发光元件的电致发射光谱的图；

图32是说明实施例的过渡EL曲线的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式及实施例。注意，本发明不局限于以下说明，其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式及实施例所记载的内容中。

另外，为了容易理解，有时在附图等中示出的各结构的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的发明不一定局限于附图等所公开的位置、大小、范围等。

另外，在本说明书等中，为了容易理解，附加了第一、第二等序数词，而其有时并不表示工序顺序或叠层顺序。因此，例如可以将“第一”适当地置换为“第二”或“第三”等而进行说明。另外，本说明书等中所记载的序数词与用于指定本发明的一个实施方式的序数词不一定是一致的。

注意，在本说明书等中，当利用附图说明发明的结构时，有时以同一符号表示不同的附图中的同一构成要素。

另外，在本说明书等中，可以将“膜”和“层”相互调换。例如，有时可以将“导电层”换称为“导电膜”。另外，有时可以将“绝缘膜”换称为“绝缘层”。

另外，在本说明书等中，单重激发态(S

另外，在本说明书等中，荧光性化合物是指在从单重激发态返回到基态时在可见光区域发光的化合物。磷光性化合物是指在从三重激发态返回到基态时在室温下以可见光区域发光的化合物。换言之，磷光性化合物是指能够将三重激发能转换为可见光的化合物之一。

注意，在本说明书等中，室温是指0℃以上且40℃以下的范围。

另外，在本说明书等中，蓝色的波长区域是指400nm以上且小于490nm的波长区域，蓝色光在该波长区域具有至少一个发射光谱峰值。另外，绿色的波长区域是指490nm以上且小于580nm的波长区域，绿色光在该波长区域具有至少一个发射光谱峰值。另外，红色的波长区域是指580nm以上且680nm以下的波长区域，红色光在该波长区域具有至少一个发射光谱峰值。

(实施方式1)

在本实施方式中，参照图1至图3说明本发明的一个实施方式的发光元件。

〈发光元件的结构例子〉

首先，下面将参照图1说明本发明的一个实施方式的发光元件的结构。

图1是本发明的一个实施方式的发光元件150的截面示意图。

发光元件150包括一对电极(电极101及电极102)，并包括设置在该一对电极间的EL层100。EL层100至少包括发光层130。

另外，图1所示的EL层100除了发光层130以外还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层118及电子注入层119等功能层。

注意，虽然在本实施方式中以一对电极中的电极101为阳极且电极102为阴极来进行说明，但是发光元件150的结构并不局限于此。也就是说，也可以将电极101用作阴极且将电极102用作阳极，倒序地层叠该电极间的各层。换言之，从阳极一侧依次层叠空穴注入层111、空穴传输层112、发光层130、电子传输层118及电子注入层119即可。

注意，EL层100的结构不局限于图1所示的结构，只要包括选自空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层118及电子注入层119中的至少一个即可。或者，EL层100也可以包括具有如下功能的功能层：能够减少空穴或电子的注入势垒；能够提高空穴或电子的传输性；能够阻碍空穴或电子的传输性；或者能够抑制电极所引起的猝灭现象等。功能层既可以是单层又可以是叠层。

〈发光元件的发光机理〉

以下说明发光层130的发光机理。

在本发明的一个实施方式的发光元件150中，通过将电压施加到一对电极(电极101及电极102)间，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到EL层100，而使电流流过。并且，注入的电子及空穴重新结合，从而形成激子。在因载流子(电子及空穴)的重新结合而产生的激子中，单重激子与三重激子的比(产生概率)的统计概率为1:3。因此，产生单重激子的概率为25％，产生三重激子的概率为75％。因此，为了提高发光元件的发光效率，使三重激子有助于发光是重要的。由此，作为用于发光层130的发光材料，优选为具有将三重激发能转换为发光的功能的材料。

作为具有将三重激发能转换为发光的功能的材料，可以举出能够发射磷光的化合物(以下称为磷光性化合物)。在本说明书等中，磷光性化合物是指在低温(例如77K)以上且室温以下的温度范围(即，77K以上且313K以下)的温度下发射磷光而不发射荧光的化合物。为了使磷光性化合物高效地将三重激发能转换为发光，优选包含重原子。另外，在磷光性化合物包含重原子的情况下，因为自旋轨道相互作用(电子的自旋角运动量与轨道角运动量之间的相互作用)促进单重态与三重态之间的系间窜越，所以磷光性化合物中的单重基态与三重激发态之间的跃迁为容许跃迁。也就是说，可以提高磷光性化合物的单重基态与三重激发态之间的跃迁概率，由此可以提高与该跃迁有关的发光效率及吸收概率。为此，优选使磷光性化合物包含自旋轨道相互作用大的金属元素，具体而言，优选包含过渡金属元素，尤其优选包含铂族元素(钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)或铂(Pt))，特别优选包含铱。铱可以提高单重基态与三重激发态之间的直接跃迁的概率，所以是优选的。

另外，作为具有将三重激发能转换为发光的功能的材料，可以举出热活化延迟荧光(TADF)材料。热活化延迟荧光材料是指S1能级和T1能级的差异较小且具有通过反系间窜越将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，热活化延迟荧光材料能够通过微小的热能量将三重激发能上转换为单重激发能(反系间窜越)并能够高效地产生单重激发态。激基复合物因S1能级和T1能级的差异极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的热活化延迟荧光材料的功能。

作为本发明的一个实施方式，发光层130包含形成激基复合物的两种物质。再者，作为本发明的一个实施方式，发光层130还包含能够将单重激发能转换为发光的材料作为发光材料。借助于这种结构，在激基复合物中通过反系间窜越将三重激发能转换为单重激发能，并将该单重激发能转移到发光材料，由此可以从发光材料高效地得到发光。

再者，本发明人发现：通过使用能够单独地将三重激发能转换为发光的化合物作为形成激基复合物的一个化合物，可以形成能够高效地将非发光性三重激发能转换为发光性单重激发能或发光性三重激发能的激基复合物。另外，在使用包含重原子的化合物作为形成激基复合物的一个化合物的情况下，因为自旋轨道相互作用(电子的自旋角运动量与轨道角运动量之间的相互作用)促进单重态与三重态之间的系间窜越。也就是说，促进激基复合物中的从三重激发态向单重激发态的反系间窜越，由此可以提高激基复合物中的单重激发态的产生概率。由此，可以形成从单重激发态高效发光的激基复合物。另外，还可以提高从三重激发态向单重基态的跃迁概率，由此可以形成从三重激发态高效发光的激基复合物。也就是说，在上述任一情况下都非常适合用作福斯特型能量转移的媒体(供体)。对于激基复合物从单重激发态发光还是从三重激发态发光没有特别的限制(这是因为激基复合物的单重态能与三重态能相邻)。与一般的热活化延迟荧光的发光寿命相比，激基复合物的激发(发光)寿命大幅度减少。该特征影响到从激基复合物到发光材料的能量转移，使得激发态的劣化得到抑制，由此可以得到实质上驱动寿命长的发光元件。为了形成上述状态，优选使形成激基复合物的一个化合物包含自旋轨道相互作用大的金属元素，具体而言，优选包含过渡金属元素，尤其优选包含铂族元素(钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)或铂(Pt))，特别优选包含铱。铱可以促进激基复合物中的单重激发态与三重激发态之间的系间窜越。

在上述结构中，不需要使用发光量子产率高的材料作为形成激基复合物的材料，由此容易进行材料设计，材料选择范围也变宽。具体而言，在形成激基复合物的至少一个化合物具有能够单独地将三重激发能转换为发光的功能或者包含铂族元素(Ru、Rh、Pd、Os、Ir或Pt)的情况下，该化合物的发光量子产率在室温或常温下可以为0％以上且50％以下、0％以上且40％以下、0％以上且25％以下、0％以上且10％以下或者0％以上且1％以下。

图2A是示出图1所示的发光层130的一例的截面示意图。图2A所示发光层130包括化合物131、化合物132以及化合物133。在本发明的一个实施方式中，化合物133优选为荧光性化合物。另外，化合物131优选为磷光性化合物。虽然以下说明使用磷光性化合物作为化合物131的结构，但是只要是包含铂族元素的化合物，就可以使用在室温下也不发光的化合物。

发光层130所包括的化合物131及化合物132优选形成激基复合物。

化合物131及化合物132只要能够形成激基复合物即可，优选其中一个是具有传输空穴的功能(空穴传输性)的化合物，另一个是具有传输电子的功能(电子传输性)的化合物。在该情况下，更容易形成供体-受体型的激基复合物，而可以高效地形成激基复合物。另外，当化合物131及化合物132是具有空穴传输性的化合物及具有电子传输性的化合物时，能够通过调整其混合比而容易地控制载流子的平衡。具体而言，具有空穴传输性的化合物与具有电子传输性的化合物的重量比优选在1:9至9:1的范围内。另外，通过具有该结构，可以容易地控制载流子的平衡，由此也可以容易地对载流子重新结合区域进行控制。

另外，为了使化合物131与化合物132高效地形成激基复合物，优选的是，化合物131及化合物132中的一个的最高占据分子轨道(也称为HOMO)能级高于另一个的HOMO能级，且化合物131及化合物132中的一个的最低空分子轨道(也称为LUMO)能级高于另一个的LUMO能级。另外，化合物131的HOMO能级也可以与化合物132的HOMO能级相等，或者，化合物131的LUMO能级也可以与化合物132的LUMO能级相等。

注意，化合物的LUMO能级及HOMO能级可以从通过循环伏安(CV)测得的化合物的电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。

例如，当化合物131具有空穴传输性而化合物132具有电子传输性时，如图2B所示的能带图那样,优选的是，化合物131的HOMO能级高于化合物132的HOMO能级，且化合物131的LUMO能级高于化合物132的LUMO能级。借助于这种能级相关，从一对电极(电极101及电极102)注入的被用作载流子的电子及空穴分别容易注入到化合物131及化合物132，所以是优选的。

另外，在图2B中，Comp(131)表示化合物131，Comp(132)表示化合物132，ΔE

另外，此时，由化合物131和化合物132形成的激基复合物的HOMO和LUMO分别在于化合物131和化合物132中。另外，该激基复合物的激发能大致相当于化合物132的LUMO能级和化合物131的HOMO能级的能量差(ΔE

图2C示出发光层130中的化合物131、化合物132以及化合物133的能级相关。

注意，图2C中的记载及符号表示的是如下：

·Comp(131)：化合物131(磷光性化合物)

·Comp(132)：化合物132

·Guest(133)：化合物133(荧光性化合物)

·S

·T

·S

·T

·S

·T

·S

·T

在本发明的一个实施方式的发光元件中，发光层130所包含的化合物131及化合物132形成激基复合物。激基复合物的S1能级(S

激基复合物是由两种物质形成的激发态，作为其形成过程主要有以下两种过程。

一是电激复合物(Electroplex)的形成过程。在本说明书等中，电激复合物是指因载流子注入而被离子化了(处于阳离子状态或阴离子状态)的化合物131和化合物132相互作用而形成的激基复合物。注意，电激复合物的形成过程是在电激发中发生的现象。在本实施方式中，因化合物131和化合物132中的一个接收空穴而另一个接收电子使化合物131与化合物132相互作用而迅速地形成激基复合物的过程相当于电激复合物形成过程。在电激复合物形成过程中，化合物131和化合物132迅速地形成激基复合物而不会分别单独地形成激发态。由此，形成激基复合物的各化合物(化合物131及化合物132)的激发寿命和发光量子产率等特性不影响到激基复合物的形成过程。也就是说，即使在形成激基复合物的各化合物(化合物131及化合物132)的发光量子产率低的情况下，本发明的一个实施方式也可以高效地形成激基复合物。在上述过程中，化合物131的S1能级(S

二是因受到激发能而成为激发态的一个化合物与基态的另一个化合物相互作用形成激基复合物的过程。该激基复合物形成过程是在光激发及电激发中发生的现象。在本实施方式中，化合物131和化合物132中的一个接收光能或电能而成为激发态并与基态的另一个化合物迅速地发生相互作用而形成激基复合物的过程相当于上述激基复合物形成过程。在该激基复合物形成过程中，只要化合物131的T1能级(T

当经上述过程生成的激基复合物因发光或者将激发能供应到其他材料等而失去激发能变为基态时，形成激基复合物的两种物质再次作为原来的两种物质存在。

激基复合物的激发能级(S

由于激基复合物的S1能级(S

另外，激基复合物的单重激发能级(S

另外，在本发明的一个实施方式中，因为使用包含重原子的化合物作为形成激基复合物的一个化合物，所以促进了单重态与三重态之间的系间窜越。由此，可以形成能够从三重激发态跃迁到单重基态(即，能够发射磷光)的激基复合物。在此情况下，激基复合物的三重激发能级(T

经上述能量转移过程，化合物133变为单重激发态，由此能够发光(参照图2C中的路径A

注意，为了高效地从作为发光材料的化合物133的单重激发态获得发光，化合物133的荧光量子产率优选为高，具体而言，优选为50％以上，更优选为70％以上，进一步优选为90％以上。

由于化合物133为荧光性化合物，化合物133中的单重基态到三重激发态的直接跃迁为禁戒跃迁，因此从激基复合物的单重激发能级(S

另外，当发生从激基复合物的三重激发能级(T

注意，当化合物133中的载流子的直接重新结合过程占优势时，在发光层130中产生多个三重激子，而热失活导致发光效率的下降。因此，优选的是，经由激基复合物的产生过程的能量转移过程(图2C的路径A

另外,为了使上述电激复合物形成过程占优势，例如，当化合物131具有空穴传输性而化合物132具有电子传输性时，优选的是，化合物131的HOMO能级高于化合物132的HOMO能级，且化合物131的LUMO能级高于化合物132的LUMO能级。具体而言，化合物131的HOMO能级与化合物132的HOMO能级的能量差优选为0.1eV以上，更优选为0.2eV以上，进一步优选为0.3eV以上。另外，化合物131的LUMO能级与化合物132的LUMO能级的能量差优选为0.1eV以上，更优选为0.2eV以上，进一步优选为0.3eV以上。借助于这种能级相关，从一对电极(电极101及电极102)注入的被用作载流子的电子及空穴分别容易注入到化合物131及化合物132，所以是优选的。

另外，化合物131可以具有电子传输性且化合物132可以具有空穴传输性。在此情况下，如图3所示的能带图那样，化合物132的HOMO能级优选高于化合物131的HOMO能级，而化合物132的LUMO能级优选高于化合物131的LUMO能级。

另外，优选的是，相对于化合物132的化合物131的重量比较低。具体而言，相对于化合物132的化合物131的重量比优选为0.01以上且0.5以下，更优选为0.05以上且0.3以下。

如上所述，当上述路径A

在本说明书等中，有时将上述路径A

通过使发光层130具有上述结构，可以高效地获得来自发光层130的荧光性化合物的发光。

<能量转移机理>

下面，对分子间的能量转移过程的控制因素进行说明。作为分子间的能量转移的机理，提出了福斯特

《福斯特机理》

在福斯特机理中，在能量转移中不需要分子间的直接接触，通过第一材料与第二材料间的偶极振荡的共振现象发生能量转移。通过偶极振荡的共振现象，第一材料给第二材料供应能量，激发态的第一材料成为基态，基态的第二材料成为激发态。另外，算式(1)示出福斯特机理的速度常数k

[算式1]

在算式(1)中，ν表示振荡数，f’

《德克斯特机理》

在德克斯特机理中，第一材料和第二材料接近于其轨道重叠的接触有效距离，通过交换激发态的第一材料的电子和基态的第二材料的电子，发生能量转移。另外，算式(2)示出德克斯特机理的速度常数k

[算式2]

在算式(2)中，h表示普朗克常数，K表示具有能量维数的常数，ν表示振荡数，f’

在此，从第一材料到第二材料的能量转移的效率(能量转移效率φ

[算式3]

从算式(3)可知，为了提高能量转移效率φ

《用来提高能量转移的概念》

首先，考虑基于福斯特机理的能量转移。通过将算式(1)代入到算式(3),可以消去τ。因此，在福斯特机理中，能量转移效率

另外，第一材料的发射光谱(当考虑由单重激发态的能量转移时，相当于荧光光谱，而当考虑由三重激发态的能量转移时，相当于磷光光谱)与第二材料的吸收光谱(相当于从单重基态到单重激发态的迁移的吸收)的重叠优选为大。再者，第二材料的摩尔吸光系数优选为高。这意味着第一材料的发射光谱与第二材料的最长波长一侧的吸收带重叠。注意，由于第二材料中的从单重基态到三重激发态的直接跃迁为禁戒跃迁，因此在第二材料中，可以忽视三重激发态下的摩尔吸光系数。由此，可以忽视基于福斯特机理的第一材料的激发态到第二材料的三重激发态的能量转移过程，只需考虑到第二材料的单重激发态的能量转移过程。

接着，考虑基于德克斯特机理的能量转移。从算式(2)可知，为了增大速度常数k

另外，当将算式(2)代入到算式(3)时，可知德克斯特机理中的能量转移效率

与从第一材料到第二材料的能量转移同样地，在从激基复合物到荧光性化合物的能量转移过程中也发生基于福斯特机理及德克斯特机理的双方的能量转移。

在本发明的一个实施方式的发光元件中，第二材料是荧光性化合物，所以到第二材料的三重激发态的能量转移效率优选为低。也就是说，从第一材料到第二材料的基于德克斯特机理的能量转移效率优选为低，而从第一材料到第二材料的基于福斯特机理的能量转移效率优选为高。

如上所述，基于福斯特机理的能量转移效率不取决于第一材料的激发态的寿命τ。另一方面，基于德克斯特机理的能量转移效率取决于第一材料的激发寿命τ，为了降低基于德克斯特机理的能量转移效率，第一材料的激发寿命τ优选为短。

于是，在本发明的一个实施方式中，作为第一材料使用激基复合物，形成该激基复合物的一个化合物能够将三重激发能转换为发光。借助于本发明的一个实施方式的结构，可以促进激基复合物(第一材料)的从三重激发态向单重激发态的反系间窜越，以缩短激基复合物(第一材料)的三重激发态的激发寿命τ。另外，可以促进激基复合物(第一材料)的从三重激发态向单重基态的跃迁，以缩短激基复合物(第一材料)的三重激发态的激发寿命τ。其结果是，可以降低从激基复合物(第一材料)的三重激发态向荧光性化合物(第二材料)的三重激发态的基于德克斯特机理的能量转移效率。

另外，如上所述，可以忽视基于福斯特机理的从激基复合物的激发态向荧光性化合物(第二材料)的三重激发态的能量转移过程。由此，根据本发明的一个实施方式，可以不容易发生基于福斯特机理和德克斯特机理的双方的从激基复合物的激发态向荧光性化合物(第二材料)的三重激发态的能量转移过程。其结果是，可以抑制发光层130中的三重激发能的失活，由此可以提供发光效率高的发光元件。

另外，在激基复合物所呈现的发光中，热活化延迟荧光成分的荧光寿命优选为短，具体而言，优选为10ns以上且50μs以下，更优选为10ns以上且20μs以下，进一步优选为10ns以上且10μs以下。

另外，福斯特机理的速度常数和第一材料-第二材料间距的六次方成反比，而德克斯特机理的速度常数和第一材料-第二材料间距的指数函数成反比。因此，当两个分子间的距离大约为1nm以下时德克斯特机理占优势，当两个分子间的距离大约为1nm以上时福斯特机理占优势。因此，为了降低基于德克斯特机理的能量转移效率，优选增大第一材料与第二材料之间的距离，具体而言，其距离优选为0.7nm以上，更优选为0.9nm以上，进一步优选为1nm以上。另外，为了使基于福斯特机理的能量转移高效地产生，第一材料与第二材料之间的距离优选为5nm以下。

因此，在本发明的一个实施方式中，作为荧光性化合物的化合物133优选包括至少两个各碳原子数为2以上的烷基。或者，化合物133优选包括至少两个各碳原子数为3至10的具有支链的烷基。或者，化合物133优选包括至少两个各碳原子数为3至10的环烃基或至少两个各碳原子数为3至10的桥环烃基。另外，化合物133优选包括碳原子数为3至12的稠合芳烃。

另外，在激基复合物所呈现的发光中，热活化延迟荧光成分所占的比例优选为高。具体而言，在激基复合物所呈现的发光中，热活化延迟荧光成分所占的比率优选为10％以上，更优选为30％以上，进一步优选为50％以上。

〈材料〉

接着，说明根据本发明的一个实施方式的发光元件的构成要素。

《发光层》

下面对能够用于发光层130的材料分别进行说明。

化合物131与化合物132只要能够形成激基复合物就没有特别的限制，优选其中一个是具有传输电子的功能的化合物，另一个是具有传输空穴的功能的化合物。

在化合物132具有传输空穴的功能的情况下，化合物132优选包含富π电子型杂芳香骨架和芳香胺骨架中的至少一个。

作为化合物132所具有的富π电子型杂芳香骨架，呋喃骨架、噻吩骨架和吡咯骨架中的一种或多种是因其稳定性及可靠性高而是优选的。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，优选使用吲哚骨架、咔唑骨架以及3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。另外，这些骨架可以具有取代基。

作为化合物132所具有的芳香胺骨架，优选为不具有NH键合的所谓的叔胺，特别优选为三芳胺骨架。作为三芳胺骨架的芳基，优选为包含在环中的碳原子数为6至13的取代或未取代的芳基，例如可以举出苯基、萘基、芴基等。

包含富π电子型杂芳香骨架及芳香胺骨架的结构具有高空穴传输性、高稳定性以及高可靠性，所以是特别优选的，例如可以举出包含咔唑骨架及芳香胺骨架的结构。

作为上述富π电子型杂芳香骨架及芳香胺骨架，例如可以举出以下面通式(101)至(117)表示的骨架。注意，通式(115)至(117)中的X表示氧原子或硫原子。

[化学式1]

或者，在化合物132具有传输电子的功能的情况下，化合物132优选包含缺π电子型杂芳香骨架。作为缺π电子型杂芳香骨架，优选使用吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)、三嗪骨架，其中二嗪骨架及三嗪骨架是稳定性及可靠性高的骨架，所以是特别优选的。

作为上述缺π电子型杂芳香骨架，例如可以举出以下面通式(201)至(218)表示的骨架。注意，通式(209)至(211)中的X表示氧原子或硫原子。

[化学式2]

另外，也可以使用具有空穴传输性的骨架(具体而言，富π电子型杂芳香骨架和芳香胺骨架中的至少一个)直接或者通过亚芳基键合于具有电子传输性的骨架(具体而言，缺π电子型杂芳香骨架)的化合物。另外，作为上述亚芳基，例如可以举出亚苯基、联苯二基、萘二基、芴二基等。

作为使上述具有空穴传输性的骨架与具有电子传输性的骨架键合的键合基，例如可以举出以下面通式(301)至(315)表示的基。

[化学式3]

上述芳香胺骨架(例如三芳胺骨架)、富π电子型杂芳香骨架(例如具有呋喃骨架、噻吩骨架、吡咯骨架的环)、缺π电子型杂芳香骨架(例如具有二嗪骨架或三嗪骨架的环)、上述通式(101)至(117)、通式(201)至(218)或者通式(301)至(315)可以具有取代基。作为该取代基，可以选择碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者碳原子数为6至12的取代或未取代的芳基。作为碳原子数为1至6的烷基，具体而言，例如可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基及n-己基等。另外，作为碳原子数为3至6的环烷基，例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。另外，作为碳原子数为6至12的芳基，例如可以举出苯基、萘基、联苯基等。另外，上述取代基可以彼此键合而形成环。作为这种例子，例如可以举出如下情况：在芴基的9位的碳具有两个苯基作为取代基的情况下，该苯基相互键合而形成螺芴骨架。另外，在未取代的情况下，在易合成性或原料廉价的方面有利。

另外，Ar表示单键或碳原子数为6至13的亚芳基，该亚芳基可以具有一个或多个取代基，该取代基可以彼此键合而形成环。例如，可以举出如下情况：在芴基的9位的碳原子具有两个苯基作为取代基的情况下，该苯基相互键合而形成螺芴骨架。作为碳原子数为6至13的亚芳基，例如可以举出亚苯基、萘二基、联苯二基及芴二基等。另外，在该亚芳基具有取代基的情况下，作为该取代基，可以选择碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基或者碳原子数为6至12的芳基。作为碳原子数为1至6的烷基，具体而言，例如可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基及n-己基等。另外，作为碳原子数为3至6的环烷基，例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。另外，作为碳原子数为6至12的芳基，例如可以举出苯基、萘基、联苯基等。

另外，由Ar表示的亚芳基例如可以使用以下述结构式(Ar-1)至(Ar-18)表示的基。另外，可以用作Ar的基不局限于此。

[化学式4]

另外，R

另外，由R

[化学式5]

另外，作为通式(101)至(117)、通式(201)至(218)、通式(301)至(315)、Ar、R

作为化合物132，例如可以使用如下空穴传输性材料及电子传输性材料。

作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材料，优选使用具有1×10

作为空穴传输性高的材料，例如，作为芳香胺化合物，可以举出N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺(简称：DTDPPA)、4,4’-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]苯(简称：DPA3B)等。

另外，作为咔唑衍生物，具体而言，例如可以举出3-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA1)、3，6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA2)、3，6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-(1-萘基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzTPN2)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)等。

另外，作为咔唑衍生物，还可以举出4,4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。

另外，作为空穴传输性高的材料，例如，可以使用4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：TCTA)、4，4’，4”-三[N-(1-萘基)-N-苯氨基]三苯胺(简称：1’-TNATA)、4，4’，4”-三(N，N-二苯氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]三苯胺(简称：m-MTDATA)、4，4’-双[N-(螺-9，9’-联芴-2-基)-N―苯氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9，9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)氨]-9H-芴-7-基}苯基胺(简称：DFLADFL)、N-(9，9-二甲基-2-二苯氨基-9H-芴-7-基)二苯基胺(简称：DPNF)、2-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]螺-9，9’-联芴(简称：DPASF)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(简称：PCA1BP)、N，N’-双(9-苯基咔唑-3-基)-N，N’-二苯基苯-1，3-二胺(简称：PCA2B)、N，N’，N”-三苯基-N，N’，N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(简称：PCA3B)、N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCBiF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-联芴-2-胺(简称：PCBASF)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]螺-9，9’-联芴(简称：PCASF)、2，7-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-螺-9，9’-联芴(简称：DPA2SF)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(简称：YGA1BP)、N，N’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基-9，9-二甲基芴-2，7-二胺(简称：YGA2F)等芳香族胺化合物等。另外，可以使用3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPPn)、3，3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、1，3，5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(简称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)、4-[3-(三亚苯-2-基)苯基]二苯并噻吩(简称：mDBTPTp-II)等胺化合物、咔唑化合物、噻吩化合物、呋喃化合物、芴化合物、三亚苯化合物、菲化合物等。在此所述的物质主要是空穴迁移率为1×10

作为电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选使用具有1×10

作为具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物，例如有三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq

化合物131优选具有将三重激发能转换为发光的功能。在化合物131包含重原子的情况下，因为自旋轨道相互作用(电子的自旋角运动量与轨道角运动量之间的相互作用)促进单重态与三重态之间的系间窜越，所以化合物131中的单重基态与三重激发态之间的跃迁成为容许跃迁。由此，可以提高有关化合物131的单重基态与三重激发态之间的迁移的发光效率及吸收概率。为此，化合物131优选包含自旋轨道相互作用大的金属元素，具体而言，优选包含过渡金属元素，尤其是，铂族元素(钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)或铂(Pt))，特别优选包含铱。铱可以提高有关单重基态与三重激发态之间的直接跃迁的跃迁概率，所以是优选的。

另外，作为化合物131(磷光性化合物)，可以举出铱、铑、铂类有机金属配合物或金属配合物。另外，可以举出具有卟啉配体的铂配合物或有机铱配合物，尤其是，优选使用铱类邻位金属配合物等有机铱配合物。作为邻位金属化的配体，可以举出4H-三唑配体、1H-三唑配体、咪唑配体、吡啶配体、嘧啶配体、吡嗪配体或异喹啉配体等。此时，化合物131(磷光化合物)具有三重MLCT(从金属到配体的电荷转移：Metal to Ligand Charge Transfer)跃迁的吸收带。

作为在蓝色或绿色波长范围中具有发光峰值的物质，例如可以举出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：Ir(mpptz-dmp)

作为在绿色或黄色波长范围中具有发光峰值的物质，例如可以举出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(mppm)

另外，作为在黄色或红色波长范围中具有发光峰值的物质，例如可以举出(二异丁酰甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称：Ir(5mdppm)

另外，作为发光层130中的化合物133，优选使用荧光性化合物。对荧光性化合物没有特别的限制，但是优选使用蒽衍生物、并四苯衍生物、

具体而言，可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N，N'-二苯基-N，N'-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-N,N’-双(4-叔丁基苯基)-芘-1,6-二胺(简称：1,6tBu-FLPAPrn)、N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-3,8-二环己基芘-1,6-二胺(简称：ch-1,6FLPAPrn)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-苯撑基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p]

此时，优选以有机化合物131与化合物132所形成的激基复合物的发光峰值与作为发光材料的化合物133的最长波长一侧(低能量一侧)的吸收带重叠的方式选择化合物131、化合物132以及化合物133。由此，可以实现一种发光效率得到显著提高的发光元件。

另外，发光层130也可以由两层以上的叠层形成。例如，在从空穴传输层一侧依次层叠第一发光层和第二发光层来形成发光层130的情况下，可以将具有空穴传输性的物质用于第一发光层的主体材料，并且将具有电子传输性的物质用于第二发光层的主体材料。

另外，在发光层130中，也可以包含化合物131、化合物132以及化合物133以外的材料(化合物134)。在此情况下，为了使化合物131和化合物132高效地形成激基复合物，优选的是，化合物131和化合物132中的一个的HOMO能级在发光层130中的材料中最高，而化合物131和化合物132中的另一个的LUMO能级在发光层130中的材料中最低。也就是说，化合物131和化合物132中的一个的HOMO能级优选高于化合物131和化合物132中的另一个的HOMO能级及化合物134的HOMO能级，而化合物131和化合物132中的另一个的LUMO能级优选低于化合物131和化合物132中的一个的LUMO能级及化合物134的LUMO能级。通过采用这种能级相关，可以抑制由化合物132和化合物134形成激基复合物的反应。

例如，在化合物131具有空穴传输性且化合物132具有电子传输性的情况下，优选的是，化合物131的HOMO能级高于化合物132的HOMO能级及化合物134的HOMO能级，而化合物132的LUMO能级低于化合物131的LUMO能级及化合物134的LUMO能级。在此情况下，化合物134的LUMO能级既可高于又可低于化合物131的LUMO能级。另外，化合物134的HOMO能级既可高于又可低于化合物132的HOMO能级。

另外，也可以采用化合物131具有电子传输性且化合物132具有空穴传输性的结构。在此情况下，化合物132的HOMO能级优选高于化合物131的HOMO能级及化合物134的HOMO能级，而化合物131的LUMO能级优选低于化合物132的LUMO能级及化合物134的LUMO能级。在此情况下，化合物134的LUMO能级既可高于又可低于化合物132的LUMO能级。另外，化合物134的HOMO能级既可高于又可低于化合物131的HOMO能级。

虽然对能够用于发光层130的材料(化合物134)没有特别的限制，但是例如可以使用：三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq

《一对电极》

电极101及电极102具有对发光层130注入空穴及电子的功能。电极101及电极102可以使用金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物或叠层体等形成。金属的典型例子是铝(Al)，除此之外，可以使用银(Ag)、钨、铬、钼、铜、钛等过渡金属；锂(Li)或铯等碱金属；钙或镁(Mg)等第2族金属。作为过渡金属，也可以使用镱(Yb)等稀土金属。作为合金，可以使用包括上述金属的合金，例如可以举出MgAg、AlLi等。作为导电性化合物，例如，可以举出铟锡氧化物(以下称为ITO)、包含硅或氧化硅的铟锡氧化物(简称：ITSO)、铟锌氧化物、包含钨及锌的铟氧化物等金属氧化物。作为导电性化合物也可以使用石墨烯等无机碳类材料。如上所述，可以通过层叠多个这些材料形成电极101和/或电极102。

另外，从发光层130获得的发光透过电极101和/或电极102被提取。因此，电极101和电极102中的至少一个具有使可见光透过的功能。作为具有透光功能的导电性材料，可以举出可见光的透过率为40％以上且100％以下，优选为60％以上且100％以下，且电阻率为1×10

注意，在本说明书等中，作为具有透光的功能的电极，使用具有使可见光透光的功能且具有导电性的材料即可，例如有上述以ITO为代表的氧化物导电体层、氧化物半导体层或包含有机物的有机导电体层。作为包含有机物的有机导电体层，例如可以举出包含混合有机化合物与电子给体(供体)而成的复合材料的层、包含混合有机化合物与电子受体(受体)而成的复合材料的层等。另外，透明导电层的电阻率优选为1×10

另外，作为电极101及电极102的形成方法，可以适当地使用溅射法、蒸镀法、印刷法、涂敷法、分子束外延(MBE)法、CVD法、脉冲激光沉积法、原子层沉积(ALD)法等。

《空穴注入层》

空穴注入层111具有降低来自一对电极中的一个(电极101或电极102)的空穴的注入势垒促进空穴注入的功能，并例如使用过渡金属氧化物、酞菁衍生物或芳香胺等形成。作为过渡金属氧化物可以举出钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。作为酞菁衍生物，可以举出酞菁或金属酞菁等。作为芳香胺，可以举出联苯胺衍生物或亚苯基二胺衍生物等。也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作为被自掺杂的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。

作为空穴注入层111，可以使用具有由空穴传输性材料和具有接收来自空穴传输性材料的电子的特性的材料构成的复合材料的层。或者，也可以使用包含具有接收电子的特性的材料的层与包含空穴传输性材料的层的叠层。在定态或者在存在有电场的状态下，电荷的授受可以在这些材料之间进行。作为具有接收电子的特性的材料，可以举出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂三亚苯衍生物等有机受体。具体而言，例如可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F

作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材料，优选使用具有1×10

作为芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-双(3,5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9,10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9,10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9,10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9,10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-联蒽、10,10'-二苯基-9,9'-联蒽、10,10'-双(2-苯基苯基)-9,9'-联蒽、10,10'-双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2,5,8,11-四(叔丁基)苝等。另外，除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。如此，更优选使用具有1×10

注意，芳烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如，可以举出4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。

另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。

《空穴传输层》

空穴传输层112是包含空穴传输性材料的层，可以使用作为空穴注入层111的材料所例示的材料。为了使空穴传输层112具有将注入到空穴注入层111的空穴传输到发光层130的功能，空穴传输层112的HOMO能级优选与空穴注入层111的HOMO能级相同或接近。

作为上述空穴传输性材料，可以使用作为空穴注入层111的材料例示出的材料。另外，优选使用具有1×10

《电子传输层》

电子传输层118具有将从一对电极中的另一个(电极101或电极102)经过电子注入层119注入的电子传输到发光层130的功能。作为电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选使用具有1×10

另外，还可以在电子传输层118与发光层130之间设置控制电子载流子的移动的层。该层是对上述电子传输性高的材料添加少量的电子俘获性高的物质而形成的层，通过抑制电子载流子的移动，可以调节载流子的平衡。这种结构对抑制因电子穿过发光层而引起的问题(例如元件寿命的下降)发挥很大的效果。

《电子注入层》

电子注入层119具有降低来自电极102的电子的注入势垒促进电子注入的功能，例如可以使用第1族金属、第2族金属或它们的氧化物、卤化物、碳酸盐等。另外，也可以使用上述电子传输性材料和具有对电子传输性材料供应电子的特性的材料的复合材料。作为具有供电子特性的材料，可以举出第1族金属、第2族金属或它们的氧化物等。具体而言，可以使用氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF

另外，也可以将有机化合物与电子给体(供体)混合形成的复合材料用于电子注入层119。这种复合材料因为通过电子给体在有机化合物中产生电子而具有优异的电子注入性和电子传输性。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料，具体而言，例如，可以使用如上所述的构成电子传输层118的物质(金属配合物、杂芳香化合物等)。作为电子给体，只要是对有机化合物呈现电子供给性的物质即可。具体而言，优选使用碱金属、碱土金属和稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱金属氧化物或碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。另外，还可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。

另外，上述发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层都可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、喷嘴印刷法、凹版印刷等方法形成。另外，作为上述发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，除了上述材料之外，也可以使用量子点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)。

作为量子点，例如可以使用胶状量子点、合金型量子点、核壳型量子点、核型量子点等。此外，也可以使用包含第2族与第16族、第13族与第15族、第13族与第17族、第11族与第17族或第14族与第15族的元素群的量子点。或者，可以使用包含镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)、磷(P)、铟(In)、碲(Te)、铅(Pb)、镓(Ga)、砷(As)、铝(Al)等元素的量子点。

作为用于湿式法的液体介质，例如可以使用：甲乙酮、环己酮等的酮类；乙酸乙酯等的甘油脂肪酸酯类；二氯苯等的卤化芳烃类；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等的芳烃类；环己烷、十氢化萘、十二烷等的脂肪烃类；二甲基甲酰胺(DMF)、二甲亚砜(DMSO)等的有机溶剂。

作为可以用于发光层的高分子化合物，例如可以举出：聚亚苯基亚乙烯(PPV)衍生物诸如聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](简称：MEH-PPV)、聚(2，5-二辛基-1，4-亚苯基亚乙烯)等；聚芴衍生物诸如聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)(简称：PF8)、聚[(9，9-二正辛基芴基-2，7-二基)-alt-(苯并[2，1，3]噻二唑-4，8-二基)](简称：F8BT)、聚[(9，9-二正辛基芴基-2，7-二基)-alt-(2，2’-联噻吩-5，5’-二基)](简称F8T2)、聚[(9，9-二辛基-2，7-二亚乙烯基亚芴基)-alt-(9，10-蒽)]、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-alt-(2，5-二甲基-1，4-亚苯)]等；聚烷基噻吩(PAT)衍生物诸如聚(3-己基噻吩-2，5-二基)(简称：P3HT)等、聚亚苯衍生物等。另外，也可以对上述高分子化合物、聚(9-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(2-乙烯基萘)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](简称：PTAA)等高分子化合物掺杂发光性化合物，而将其用于发光层。作为发光性化合物，可以使用以上举例的发光性化合物。

《衬底》

另外，本发明的一个实施方式的发光元件可以在由玻璃、塑料等构成的衬底上制造。作为在衬底上层叠的顺序，既可以从电极101一侧依次层叠又可以从电极102一侧依次层叠。

另外，作为能够形成本发明的一个实施方式的发光元件的衬底，例如可以使用玻璃、石英或塑料等。或者，也可以使用柔性衬底。柔性衬底是可以弯曲的衬底，例如由聚碳酸酯、聚芳酯制成的塑料衬底等。另外，可以使用薄膜、通过蒸镀形成的无机薄膜等。注意，只要在发光元件及光学元件的制造过程中起支撑物的作用，就可以使用其他材料。或者，只要具有保护发光元件及光学元件的功能，就可以使用其他材料。

例如，在本说明书等中，可以使用各种衬底形成发光元件。对衬底的种类没有特别的限制。作为该衬底的例子，例如可以使用半导体衬底(例如，单晶衬底或硅衬底)、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、具有不锈钢箔的衬底、钨衬底、具有钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状材料的纤维素纳米纤维(CNF)、纸或基材薄膜等。作为玻璃衬底的例子，有钡硼硅酸盐玻璃衬底、铝硼硅酸盐玻璃衬底、钠钙玻璃衬底等。作为柔性衬底、贴合薄膜、基材薄膜等，可以举出如下例子：以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)为代表的塑料。或者，作为例子，可以举出丙烯酸树脂等树脂等。或者，作为例子，可以举出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。或者，作为例子，可以举出聚酰胺、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、环氧树脂、无机蒸镀薄膜、纸类等。

另外，也可以作为衬底使用柔性衬底，并在柔性衬底上直接形成晶体管或发光元件。或者，也可以在衬底与发光元件之间设置剥离层。当将制造在剥离层上的发光元件的一部分或全部从衬底分离并转置到其他衬底上时可以使用剥离层。此时，也可以将发光元件转置到耐热性低的衬底或柔性衬底上。另外，作为上述剥离层，例如可以使用钨膜和氧化硅膜的无机膜的叠层结构或在衬底上形成有聚酰亚胺等树脂膜的结构等。

也就是说，也可以使用一个衬底来形成发光元件，然后将发光元件转置到另一个衬底上。作为发光元件被转置的衬底的例子，除了上述衬底之外，还可以举出玻璃纸衬底、石材衬底、木材衬底、布衬底(包括天然纤维(丝、棉、麻)、合成纤维(尼龙、聚氨酯、聚酯)或再生纤维(醋酯纤维、铜氨纤维、人造纤维、再生聚酯)等)、皮革衬底、橡胶衬底等。通过采用这些衬底，可以制造不易损坏的发光元件、耐热性高的发光元件、实现轻量化的发光元件或实现薄型化的发光元件。

另外，也可以在上述衬底上例如形成场效应晶体管(FET)，并且在与FET电连接的电极上制造发光元件150。由此，可以制造通过FET控制发光元件的驱动的有源矩阵型显示装置。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。

(实施方式2)

在本实施方式中，参照图4对与实施方式1所示的结构不同的结构的发光元件及该发光元件的发光机理进行说明。注意，在图4中使用与图1相同的阴影线示出具有与图1相同的功能的部分，而有时省略附图标记。另外，具有相同功能的部分由相同的附图标记表示，有时省略其详细说明。

<发光元件的结构例子>

图4是发光元件250的截面示意图。

图4所示的发光元件250在一对电极(电极101与电极102)之间具有多个发光单元(图4中的发光单元106和发光单元108)。一个发光单元具有与图1所示的EL层100同样的结构。也就是说，图1所示的发光元件150具有一个发光单元，而发光元件250具有多个发光单元。注意，虽然在以下发光元件250的说明中电极101被用作阳极且电极102被用作阴极，但是这些功能也可以在发光元件250中互相调换。

另外，在图4所示的发光元件250中，层叠有发光单元106和发光单元108，并且在发光单元106与发光单元108之间设置有电荷产生层115。另外，发光单元106和发光单元108可以具有相同结构或不同结构。例如，优选将与图1所示的EL层100同样的结构用于发光单元106。

另外，发光元件250包括发光层130和发光层140。另外，发光单元106除了发光层130之外还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层113及电子注入层114。另外，发光单元108除了发光层140之外还包括空穴注入层116、空穴传输层117、电子传输层118及电子注入层119。

电荷产生层115既可以具有对空穴传输性材料添加有作为电子受体的受体性物质的结构，也可以具有对电子传输性材料添加有作为电子给体的供体性物质的结构。另外，也可以层叠这两种结构。

当电荷产生层115包含有机化合物与受体性物质的复合材料时，作为该复合材料使用可以用于实施方式1所示的空穴注入层111的复合材料即可。作为有机化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等各种化合物。另外，作为有机化合物，优选使用其空穴迁移率为1×10

注意，电荷产生层115也可以是包含有机化合物和受体性物质的复合材料的层与包含其他材料的层的叠层结构。例如，也可以组合包含有机化合物和受体性物质的复合材料的层与包含选自供电子性材料中的一个化合物和具有高电子传输性的化合物的层。另外，也可以组合包含有机化合物和受体性物质的复合材料的层与包含透明导电材料的层。

夹在发光单元106与发光单元108之间的电荷产生层115只要在将电压施加到电极101和电极102之间时可以将电子注入到一个发光单元且将空穴注入到另一个发光单元就可以具有任何结构。例如，在图4中，在以使电极101的电位高于电极102的电位的方式施加电压时，电荷产生层115将电子注入到发光单元106且将空穴注入到发光单元108。

从光提取效率的观点来看，电荷产生层115优选具有可见光透射性(具体而言，40％以上的可见光透射率)。另外，电荷产生层115即使其导电率小于一对电极(电极101及电极102)也发挥作用。当电荷产生层115的导电率与一对电极大致同样高时，由于电荷产生层115中产生的载流子流向膜表面方向，所以有时在电极101与电极102不重叠的区域会产生发光。为了抑制这样的不良现象，电荷产生层115优选由其导电率低于一对电极的材料形成。

通过使用上述材料形成电荷产生层115，可以抑制在层叠发光层时的驱动电压的增大。

虽然在图4中说明了具有两个发光单元的发光元件，但是可以将同样的结构应用于层叠有三个以上的发光单元的发光元件。如发光元件250所示，通过在一对电极之间以由电荷产生层将其隔开的方式配置多个发光单元，可以实现在保持低电流密度的同时还可以进行高亮度发光，并且使用寿命更长的发光元件。另外，还可以实现功耗低的发光元件。

另外，通过将图1所示的EL层100的结构应用于多个单元中的至少一个单元，可以提供一种发光效率高的发光元件。

另外，发光单元106所包括的发光层130优选具有实施方式1所示的结构。由此，发光元件250成为发光效率高的发光元件，所以是优选的。

另外，用于发光单元106及发光单元108的客体材料既可以相同又可以不同。当发光单元106和发光单元108包含相同的客体材料时，发光元件250成为以小电流值呈现高发光亮度的发光元件，所以是优选的。另外，当发光单元106和发光单元108包含不同的客体材料时，发光元件250成为呈现多色发光的发光元件，所以是优选的。尤其优选以实现演色性高的白色发光或至少具有红色、绿色、蓝色的发光的方式选择客体材料。

另外，发光单元106、发光单元108及电荷产生层115可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、凹版印刷等的方法形成。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。

(实施方式3)

在本实施方式中，参照图5至图6B说明与实施方式1及实施方式2所示的结构不同的结构的发光元件的例子。

<发光元件的结构例子1>

图5是示出本发明的一个实施方式的发光元件的截面图。在图5中使用与图1相同的阴影线示出具有与图1相同的功能的部分，而有时省略附图标记。另外，具有相同功能的部分由相同的附图标记表示，有时省略其详细说明。

图5所示的发光元件260既可以是通过衬底200提取光的底面发射型发光元件，也可以是将光提取到与衬底200相反的方向的顶面发射型发光元件。注意，本发明的一个实施方式并不局限于此，也可以是将发光元件所发射的光提取到衬底200的上方及下方的双方的双面发射型发光元件。

当发光元件260是底部发射型时，电极101优选具有透过光的功能，电极102优选具有反射光的功能。或者，当发光元件260是顶部发射型时，电极101优选具有反射光的功能，电极102优选具有透过光的功能。

发光元件260在衬底200上包括电极101及电极102。另外，在电极101与电极102之间包括发光层123B、发光层123G及发光层123R。另外，还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层118及电子注入层119。

另外，电极101也可以由多个导电层形成。在此情况下，优选层叠具有反射光的功能的导电层和具有透射光的功能的导电层。

另外，电极101可以使用与实施方式1所示的电极101或电极102同样的结构及材料。

在图5中，在被电极101与电极102夹持的区域221B、区域221G与区域221R之间具有分隔壁145。分隔壁145具有绝缘性。分隔壁145覆盖电极101的端部，并具有与该电极重叠的开口。通过设置分隔壁145，可以将各区域的衬底200上的电极101分为岛状。

另外，发光层123B与发光层123G可以在与分隔壁145重叠的区域中彼此重叠。另外，发光层123G与发光层123R可以在与分隔壁145重叠的区域中彼此重叠。另外，发光层123R与发光层123B可以在与分隔壁145重叠的区域中彼此重叠。

分隔壁145具有绝缘性，使用无机材料或有机材料形成。作为该无机材料，可以举出氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝等。作为该有机材料，例如可以举出丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等感光性树脂材料。

另外，发光层123R、发光层123G、发光层123B优选包含具有发射不同颜色的光的功能的发光材料。例如，当发光层123R包含具有发射红色光的功能的发光材料时，区域221R呈现红色光；当发光层123G包含具有发射绿色光的功能的发光材料时，区域221G呈现绿色光；当发光层123B包含具有发射蓝色光的功能的发光材料时，区域221B呈现蓝色光。通过将具有这种结构的发光元件260用于显示装置的像素，可以制造全彩色显示装置。另外，每个发光层的厚度既可以相同又可以不同。

另外，发光层123B、发光层123G、发光层123R中的任一个或多个发光层优选采用与实施方式1所示的发光层130同样的结构。由此，可以制造发光效率良好的发光元件。

另外，发光层123B、发光层123G、发光层123R中的任一个或多个发光层也可以是两层以上的叠层。

如上所示，通过使至少一个发光层包含实施方式1所示的发光层，并且将包括该发光层的发光元件260用于显示装置的像素，可以制造发光效率高的显示装置。包括发光元件260的显示装置可以减少功耗。

另外，通过在提取光的电极上设置滤色片，可以提高发光元件260的色纯度。因此，可以提高包括发光元件260的显示装置的色纯度。

另外，通过在提取光的电极上设置偏振片，可以减少发光元件260的外光反射。因此，可以提高包括发光元件260的显示装置的对比度。

注意，关于发光元件260中的其他构成要素，参照实施方式1中的发光元件的构成要素即可。

<发光元件的结构例子2>

下面，参照图6A及图6B说明与图5所示的发光元件不同的结构例子。

图6A及图6B是示出本发明的一个实施方式的发光元件的截面图。在图6A及图6B中使用与图5相同的阴影线示出具有与图5相同的功能的部分，而有时省略附图标记。另外，具有相同功能的部分由相同的附图标记表示，有时省略其详细说明。

图6A及图6B是在一对电极之间具有发光层的发光元件的结构例子。图6A所示的发光元件262a是在与衬底200相反的方向上提取光的顶面发射型发光元件，并且图6B所示的发光元件262b是将光提取到衬底200一侧的底面发射型发光元件。注意，本发明的一个实施方式并不局限于此，也可以是将发光元件所发射的光提取到形成发光元件的衬底200的上方及下方的双方的双面发射型发光元件。

发光元件262a及发光元件262b在衬底200上包括电极101、电极102、电极103、电极104。另外，在电极101与电极102之间、在电极102与电极103之间以及在电极102与电极104之间至少包括发光层130及电荷产生层115。另外，还包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层140、电子传输层113、电子注入层114、空穴注入层116、空穴传输层117、电子传输层118、电子注入层119。

电极101包括导电层101a、在导电层101a上并与其接触的导电层101b。另外，电极103包括导电层103a、在导电层103a上并与其接触的导电层103b。电极104包括导电层104a、在导电层104a上并与其接触的导电层104b。

图6A所示的发光元件262a及图6B所示的发光元件262b在由电极101及电极102夹持的区域222B、由电极102及电极103夹持的区域222G与由电极102及电极104夹持的区域222R之间包括分隔壁145。分隔壁145具有绝缘性。分隔壁145覆盖电极101、电极103及电极104的端部，并包括与该电极重叠的开口。通过设置分隔壁145，可以将各区域的衬底200上的该电极分为岛状。

发光元件262a及发光元件262b在从区域222B、区域222G及区域222R发射的光被提取的方向上具有分别包括光学元件224B、光学元件224G及光学元件224R的衬底220。从各区域发射的光透过各光学元件射出到发光元件外部。也就是说，从区域222B发射的光透过光学元件224B射出，从区域222G发射的光透过光学元件224G射出，且从区域222R发射的光透过光学元件224R射出。

光学元件224B、光学元件224G及光学元件224R具有选择性地使入射光中的呈现特定颜色的光透过的功能。例如，从区域222B发射的光透过光学元件224B成为蓝色光，从区域222G发射的光透过光学元件224G成为绿色光，从区域222R发射的光透过光学元件224R成为红色光。

作为光学元件224R、光学元件224G、光学元件224B，例如可以采用着色层(也称为滤色片)、带通滤光片、多层膜滤光片等。另外，可以将颜色转换元件应用于光学元件。颜色转换元件是将入射光转换为其波长比该入射光长的光的光学元件。作为颜色转换元件，优选使用量子点元件。通过利用量子点，可以提高显示装置的色彩再现性。

另外，也可以在光学元件224R、光学元件224G及光学元件224B上重叠地设置多个光学元件。作为其他光学元件，例如可以设置圆偏振片或防反射膜等。通过将圆偏振片设置在显示装置中的发光元件所发射的光被提取的一侧，可以防止从显示装置的外部入射的光在显示装置的内部被反射而射出到外部的现象。另外，通过设置防反射膜，可以减弱被显示装置的表面反射的外光。由此，可以清晰地观察显示装置所发射的光。

在图6A及图6B中使用虚线的箭头示意性地示出透过各光学元件从各区域射出的蓝色光(B)、绿色光(G)、红色光(R)。

在各光学元件之间包括遮光层223。遮光层223具有遮蔽从相邻的区域发射的光的功能。另外，也可以采用不设置遮光层223的结构。

遮光层223具有抑制外光的反射的功能。遮光层223具有防止从相邻的发光元件发射出的光的混色的功能。遮光层223可以使用金属、包含黑色颜料的树脂、碳黑、金属氧化物、包含多种金属氧化物的固溶体的复合氧化物等。

另外，关于衬底200及具有光学元件的衬底220，参照实施方式1即可。

并且，发光元件262a及发光元件262b具有微腔结构。

《微腔结构》

从发光层130及发光层140射出的光在一对电极(例如，电极101与电极102)之间被谐振。另外，发光层130及发光层140形成在所射出的光中的所希望的波长的光得到增强的位置。例如，通过调整从电极101的反射区域到发光层130的发光区域的光学距离以及从电极102的反射区域到发光层130的发光区域的光学距离，可以增强从发光层130射出的光中的所希望的波长的光。另外，通过调整从电极101的反射区域到发光层140的发光区域的光学距离以及从电极102的反射区域到发光层140的发光区域的光学距离，可以增强从发光层140射出的光中的所希望的波长的光。当采用层叠多个发光层(在此为发光层130及发光层140)的发光元件时，优选将发光层130及发光层140的光学距离最优化。

另外，在发光元件262a及发光元件262b中，通过在各区域中调整导电层(导电层101b、导电层103b及导电层104b)的厚度，可以增强发光层130及发光层140所发射的光中的所希望的波长的光。另外，通过在各区域之间使空穴注入层111和空穴传输层112中的至少一个的厚度不同，也可以增强从发光层130及发光层140发射的光。

例如，当电极101至电极104中的具有反射光的功能的导电性材料的折射率小于发光层130或发光层140的折射率时，以电极101与电极102之间的光学距离为m

如上所述，通过设置微腔结构调整各区域的一对电极之间的光学距离，可以抑制各电极附近的光的散射及光的吸收，由此可以实现高的光提取效率。另外，在上述结构中，导电层101b、导电层103b、导电层104b优选具有透过光的功能。另外，构成导电层101b、导电层103b、导电层104b的材料既可以相同又可以不同。另外，导电层101b、导电层103b、导电层104b也可以分别是两层以上的叠层。

由于图6A所示的发光元件262a是顶面发射型发光元件，所以导电层101a、导电层103a及导电层104a优选具有反射光的功能。另外，电极102优选具有透过光的功能及反射光的功能。

另外，由于图6B所示的发光元件262b是底面发射型发光元件，所以导电层101a、导电层103a及导电层104a优选具有透过光的功能及反射光的功能。另外，电极102优选具有反射光的功能。

在发光元件262a及发光元件262b中，导电层101a、导电层103a、和导电层104a既可以使用相同的材料，又可以使用不同的材料。当导电层101a、导电层103a、导电层104a使用相同的材料时，可以降低发光元件262a及发光元件262b的制造成本。另外，导电层101a、导电层103a、导电层104a也可以分别是两层以上的叠层。

另外，发光元件262a及发光元件262b中的发光层130优选具有实施方式1所示的结构。由此，可以制造发光效率高的发光元件。

例如，发光层130和/或发光层140可以具有如发光层140a及发光层140b那样的两层结构。通过作为两层的发光层分别使用发射不同颜色的光的两种发光材料(第一发光材料及第二发光材料)，可以得到多种颜色的发光。尤其是，优选选择用于各发光层的发光材料，以便通过组合发光层130和发光层140所发射的光而能够得到白色发光。

发光层130和/或发光层140也可以具有层叠有三层以上的结构，并也可以包括不具有发光材料的层。

如上所示，通过将包括具有实施方式1所示的结构的发光层的发光元件262a或发光元件262b用于显示装置的像素，可以制造发光效率高的显示装置。也就是说，包括发光元件262a或发光元件262b的显示装置可以减少功耗。

注意，关于发光元件262a及发光元件262b中的其他构成要素，参照发光元件260或者实施方式1及实施方式2所示的发光元件的构成要素即可。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。

(实施方式4)

在本实施方式中，参照图7A至图9B对包括本发明的一个实施方式的发光元件的显示装置进行说明。

<显示装置的结构例子1>

图7A是示出显示装置600的俯视图，图7B是沿图7A中的点划线A-B、点划线C-D的截面图。显示装置600包括驱动电路部(信号线驱动电路部601、扫描线驱动电路部603)以及像素部602。信号线驱动电路部601、扫描线驱动电路部603、像素部602具有控制发光元件的发光的功能。

显示装置600还包括元件衬底610、密封衬底604、密封剂605、由密封剂605围绕的区域607、引绕布线608以及FPC609。

注意，引绕布线608是用来传送输入到信号线驱动电路部601及扫描线驱动电路部603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC609，但是FPC609还可以安装有印刷线路板(PWB)。

作为信号线驱动电路部601，形成组合N沟道型晶体管623和P沟道型晶体管624的CMOS电路。另外，信号线驱动电路部601或扫描线驱动电路部603可以利用CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路等各种电路。另外，虽然在本实施方式中示出将形成有驱动电路部的驱动器和像素设置在衬底的同一表面上的显示装置，但是不需要必须采用该结构，驱动电路部也可以形成在衬底的外部。

另外，像素部602包括开关晶体管611、电流控制晶体管612以及与电流控制晶体管612的漏极电连接的下部电极613。注意，以覆盖下部电极613的端部的方式形成有分隔壁614。作为分隔壁614例如可以使用正型感光丙烯酸树脂膜。

另外，将分隔壁614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为分隔壁614的材料的情况下，优选只使分隔壁614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。作为分隔壁614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。

对晶体管(晶体管611、612、623、624)的结构没有特别的限制。例如，可以使用交错型晶体管。另外，对晶体管的极性也没有特别的限制。作为这些晶体管，也可以使用N沟道型晶体管及P沟道型晶体管或者只使用N沟道型晶体管或P沟道型晶体管。对用于晶体管的半导体膜的结晶性也没有特别的限制。例如，可以使用非晶半导体膜或结晶性半导体膜。作为半导体材料，可以使用第14族半导体(包含硅的半导体等)、化合物半导体(包括氧化物半导体)、有机半导体等。作为晶体管，例如使用能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上的氧化物半导体，由此可以降低晶体管的关态电流，所以是优选的。作为该氧化物半导体，例如可以举出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M表示铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、锆(Zr)、镧(La)、铈(Ce)、锡(Sn)、铪(Hf)或钕(Nd))等。

在下部电极613上形成有EL层616及上部电极617。将下部电极613用作阳极，将上部电极617用作阴极。

另外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法(包括真空蒸镀法)、液滴喷射法(也称为喷墨法)、旋转法等的涂敷法、凹板印刷法等各种方法形成。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包括低聚物、树枝状聚合物)。

由下部电极613、EL层616及上部电极617构成发光元件618。发光元件618优选为具有实施方式1至实施方式3的结构的发光元件。注意，当像素部包括多个发光元件时，也可以包括在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件以及具有其他结构的发光元件。

另外，通过使用密封剂605将密封衬底604贴合到元件衬底610，将发光元件618配置在由元件衬底610、密封衬底604以及密封剂605围绕的区域607中。注意，在区域607中填充有填料，有时填充有惰性气体(氮或氩等)或可用于密封剂605的紫外线固化树脂或热固化树脂。例如可以使用PVC(聚氯乙烯)类树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、硅酮类树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)类树脂或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)类树脂。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。

另外，在密封衬底604的下方以与发光元件618重叠的方式设置光学元件621。另外，在密封衬底604的下方还设置遮光层622。作为光学元件621及遮光层622都可以采用与实施方式3所示的光学元件及遮光层同样的结构。

另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封剂605。另外，这些材料优选为尽可能地不使水或氧透过的材料。另外，作为用于密封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。

通过上述步骤，可以得到包括实施方式1至实施方式3所记载的发光元件及光学元件的发光装置。

<显示装置的结构例子2>

下面，参照图8A、图8B对显示装置的其他例子进行说明。另外，图8A、图8B是本发明的一个实施方式的显示装置的截面图。

图8A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周围部1042、像素部1040、驱动电路部1041、发光元件的下部电极1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、发光元件的上部电极1026、密封层1029、密封衬底1031、密封剂1032等。

另外，在图8A中，光学元件的例子，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G及蓝色着色层1034B)设置在透明基材1033上。另外，还可以设置遮光层1035。对设置有着色层及遮光层的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001。另外，着色层及遮光层被覆盖层1036覆盖。另外，在图8A中，红色光、绿色光及蓝色光使着色层透过，因此能够以三个颜色的像素呈现图像。

图8B示出作为光学元件的例子将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。

作为光学元件的例子，也可以将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在第一层间绝缘膜1020和第二层间绝缘膜1021之间。

另外，虽然以上说明了具有从形成有晶体管的衬底1001一侧提取光的结构(底面发射型)的显示装置，但是也可以采用具有从密封衬底1031一侧提取发光的结构(顶面发射型)的显示装置。

<显示装置的结构例子3>

图9A及图9B示出顶面发射型显示装置的截面图的例子。图9A及图9B是说明本发明的一个实施方式的显示装置的截面图，省略图8A、图8B所示的驱动电路部1041、周围部1042等。

在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造连接晶体管与发光元件的阳极的连接电极为止的工序与底面发射型显示装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他各种材料形成。

虽然在此发光元件的下部电极1024R、1024G、1024B都被用作阳极，但是也可以被用作阴极。另外，在采用如图9A及图9B所示那样的顶面发射型显示装置的情况下，下部电极1024R、1024G、1024B优选具有反射光的功能。另外，在EL层1028上设置有上部电极1026。优选的是：上部电极1026具有反射光的功能及透过光的功能，在下部电极1024R、1024G、1024B与上部电极1026之间采用微腔结构，增强特定波长的光的强度。

在采用图9A所示的顶面发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G及蓝色着色层1034B)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的遮光层1035。另外，作为密封衬底1031，优选使用具有透光性的衬底。

在图9A中，例示出设置多个发光元件并对各发光元件设置着色层的结构，但是不局限于此。例如，如图9B所示，也可以以设置红色着色层1034R及蓝色着色层1034B而不设置绿色着色层的方式以红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。如图9A所示，当各发光元件设置有着色层时，发挥可以抑制外光反射的效果。另一方面，如图9B所示，当设置红色着色层以及蓝色着色层而不设置绿色着色层时，绿色发光元件所发射出的光的能量损失少，因此发挥可以减少功耗的效果。

虽然上述显示装置包括三种颜色(红色、绿色及蓝色)的子像素，但是也可以包括四种颜色(红色、绿色、蓝色及黄色或者红色、绿色、蓝色及白色)的子像素。在此情况下，可以使用具有透过黄色光的功能或者透过选自蓝色、绿色、黄色、红色中的多个颜色的光的功能的着色层。当该着色层能够透过选自蓝色、绿色、黄色、红色中的多个颜色的光时，透过该着色层的光也可以是白色。发射黄色或白色的光的发光元件的发光效率高，因此采用这种结构的显示装置可以降低功耗。

图7A和图7B所示的显示装置600也可以在由元件衬底610、密封衬底604及密封剂605围绕的区域607中包括密封层。该密封层例如可以使用PVC(聚氯乙烯)类树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、硅酮类树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)类树脂或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)类树脂等树脂。另外，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝等无机材料。通过在区域607中形成密封层，可以抑制水等杂质所引起的发光元件618的劣化，所以是优选的。另外，当形成密封层时，可以不设置密封剂605。

另外，通过使密封层具有多层结构，可以高效地防止水等杂质从显示装置600的外部进入显示装置内部的发光元件618。另外，当密封层具有多层结构时，优选层叠树脂和无机材料。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式或本实施方式中的其他结构适当地组合。

(实施方式5)

在本实施方式中，参照图10至图13对包括本发明的一个实施方式的发光元件的显示模块、电子设备、发光装置以及照明装置进行说明。

<显示模块>

图10所示的显示模块8000在上盖8001与下盖8002之间包括连接于FPC8003的触摸传感器8004、连接于FPC8005的显示装置8006、框架8009、印刷电路板8010和电池8011。

例如可以将本发明的一个实施方式的发光元件用于显示装置8006。

上盖8001和下盖8002的形状和尺寸可以根据触摸传感器8004和显示装置8006的尺寸适当地改变。

触摸传感器8004可以为电阻膜式触摸面板或静电电容式触摸面板，并且能够被形成为与显示装置8006重叠。可以使显示装置8006的对置衬底(密封衬底)具有触摸面板功能。通过将光传感器设置于显示装置8006的每个像素内，可以制成光学式触摸面板。

框架8009除了保护显示装置8006的功能之外还具有阻挡由于印刷电路板8010的工作产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。框架8009也可以具有散热板的功能。

印刷电路板8010包括电源电路以及用来输出视频信号和时钟信号的信号处理电路。作为用来给电源电路供电的电源，可以使用外部商用电源或者另行设置的电池8011。在使用商用电源时，可以省略电池8011。

显示模块8000还可以增设偏振片、相位差板、棱镜片等的构件。

<电子设备>

图11A至图11G是示出电子设备的图。这些电子设备可以包括外壳9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(它具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。另外，传感器9007可以如脉冲传感器及指纹传感器等那样具有测量生物信息的功能。

图11A至图11G所示的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触控传感器的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；通过利用无线通信功能来连接到各种计算机网络的功能；通过利用无线通信功能，进行各种数据的发送或接收的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据来将其显示在显示部上的功能；等。注意，图11A至图11G所示的电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。另外，虽然在图11A至图11G中未图示，但是电子设备可以包括多个显示部。另外，也可以在该电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像的功能；拍摄动态图像的功能；将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。

下面，详细地说明图11A至图11G所示的电子设备。

图11A是示出便携式信息终端9100的透视图。便携式信息终端9100所包括的显示部9001具有柔性。因此，可以沿着所弯曲的外壳9000的弯曲面组装显示部9001。另外，显示部9001具备触摸传感器，而可以用手指或触屏笔等触摸屏幕来进行操作。例如，通过触摸显示于显示部9001上的图标，可以启动应用程序。

图11B是示出便携式信息终端9101的透视图。便携式信息终端9101例如具有电话机、电子笔记本和信息阅读装置中的一种或多种的功能。具体而言，可以将其用作智能手机。注意，扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等在图11A中未图示，但可以在便携式信息终端9101中设置在与图11A所示的便携式信息终端9100同样的位置上。另外，便携式信息终端9101可以将文字或图像信息显示在其多个面上。例如，可以将三个操作按钮9050(还称为操作图标或只称为图标)显示在显示部9001的一个面上。另外，可以将由虚线矩形表示的信息9051显示在显示部9001的另一个面上。另外，作为信息9051的例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS(社交网络服务)留言或电话等的显示；电子邮件或SNS留言的标题及发送者姓名；日期；时间；电量；以及表示电波等信号的接收强度的显示等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示操作按钮9050等代替信息9051。

作为外壳9000的材料，例如可以使用合金、塑料、陶瓷等。作为塑料，也可以使用增强塑料。增强塑料之一种的碳纤维增强复合材料(CFRP)具有轻量且不腐蚀的优点。另外，作为其他增强塑料，可以举出使用玻璃纤维的增强塑料及使用芳族聚酰胺纤维的增强塑料。作为合金，可以举出铝合金或镁合金。其中，包含锆、铜、镍、钛的非晶合金(也称为金属玻璃)从弹性强度的方面来看很优越。该非晶合金在室温下具有玻璃迁移区域，也称为块体凝固非晶合金，实质上具有非晶原子结构。通过利用凝固铸造法，将合金材料浇铸到外壳的至少一部分的铸模中并凝固，使用块体凝固非晶合金形成外壳的一部分。非晶合金除了锆、铜、镍、钛以外还可以包含铍、硅、铌、硼、镓、钼、钨、锰、铁、钴、钇、钒、磷、碳等。另外，非晶合金的形成方法不局限于凝固铸造法，也可以利用真空蒸镀法、溅射法、电镀法、无电镀法等。另外，非晶合金只要在整体上保持没有长程有序(周期结构)的状态，就可以包含微晶或纳米晶。注意，合金是指具有单一固相结构的完全固溶体合金及具有两个以上的相的部分溶体的双方。通过使用非晶合金形成外壳9000，可以实现具有高弹性的外壳。如果外壳9000是非晶合金，即使便携式信息终端9101摔落并受到冲击而发生暂时变形，也能够恢复到原来的形状，所以可以提高便携式信息终端9101的耐冲击性。

图11C是示出便携式信息终端9102的透视图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，便携式信息终端9102的使用者能够在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下确认其显示(这里是信息9053)。具体而言，将打来电话的人的电话号码或姓名等显示在能够从便携式信息终端9102的上方观看这些信息的位置。因此，使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，能够判断是否接电话。

图11D是示出手表型便携式信息终端9200的透视图。便携式信息终端9200可以执行移动电话、电子邮件、文章的阅读及编辑、音乐播放、网络通信、电脑游戏等各种应用程序。另外，显示部9001的显示面被弯曲，能够在所弯曲的显示面上进行显示。另外，便携式信息终端9200可以进行被通信标准化的近距离无线通信。例如，通过与可进行无线通信的耳麦相互通信，可以进行免提通话。另外，便携式信息终端9200包括连接端子9006，可以通过连接器直接与其他信息终端进行数据的交换。另外，也可以通过连接端子9006进行充电。另外，充电工作也可以利用无线供电进行，而不通过连接端子9006。

图11E至图11G是示出能够折叠的便携式信息终端9201的透视图。另外，图11E是展开状态的便携式信息终端9201的透视图，图11F是从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9201的透视图，图11G是折叠状态的便携式信息终端9201的透视图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域而其显示的一览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001由铰链9055所连接的三个外壳9000来支撑。通过利用铰链9055在两个外壳9000之间的连接部折叠便携式信息终端9201，可以将便携式信息终端9201从展开状态可逆性地变为折叠状态。例如，可以以1mm以上且150mm以下的曲率半径使便携式信息终端9201弯曲。

作为电子设备，例如可以举出：电视装置(也称为电视或电视接收机)；用于计算机等的显示屏；数码相机；数码成像机；数码相框；移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)；护目镜型显示装置(头盔显示器)；便携式游戏机；便携式信息终端；声音再现装置；弹珠机等大型游戏机等。

本发明的一个实施方式的电子设备可以包括二次电池，优选通过非接触电力传送对二次电池充电。

作为二次电池，例如可以举出使用凝胶电解质的锂聚合物电池(锂离子聚合物电池)等锂离子二次电池、锂离子电池、镍氢电池、镍镉电池、有机自由基电池、铅蓄电池、空气二次电池、镍锌电池、银锌电池等。

本发明的一个实施方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示图像或信息等。另外，在电子设备包括二次电池时，可以将天线用于非接触电力传送。

另外，由于本发明的一个实施方式的电子设备或照明装置具有柔性，因此也可以将该电子设备或照明装置沿着房屋及高楼的内壁或外壁、汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。例如，也可以将电子设备或照明设置在用于汽车的仪表盘、挡风玻璃、天花板等的照明上。

<发光装置>

图12A是本实施方式所示的发光装置3000的透视图，图12B是沿着图12A所示的点划线E-F的截面图。注意，在图12A中，为了避免繁杂而以虚线表示构成要素的一部分。

图12A及图12B所示的发光装置3000包括衬底3001、衬底3001上的发光元件3005、设置于发光元件3005的外周的第一密封区域3007以及设置于第一密封区域3007的外周的第二密封区域3009。

另外，来自发光元件3005的发光穿过衬底3001和衬底3003中的任一个或两个射出。在图12A及图12B中，说明来自发光元件3005的发光射出到下方一侧(衬底3001一侧)的结构。

另外，如图12A及图12B所示，发光装置3000具有以被第一密封区域3007及第二密封区域3009包围的方式配置发光元件3005的双密封结构。通过采用双密封结构，能够适当地抑制从外部侵入发光元件3005的杂质(例如，水、氧等)。但是，并不一定必须要设置第一密封区域3007及第二密封区域3009。例如，可以只设置第一密封区域3007。

注意，在图12B中，第一密封区域3007及第二密封区域3009以与衬底3001及衬底3003接触的方式设置。但是，不局限于此，例如，第一密封区域3007和第二密封区域3009中的一个或两个可以以与形成在衬底3001上的绝缘膜或导电膜接触的方式设置。或者，第一密封区域3007和第二密封区域3009中的一个或两个可以以与形成在衬底3003下的绝缘膜或导电膜接触的方式设置。

作为衬底3001及衬底3003的结构，分别采用与上述实施方式所记载的衬底200及衬底220同样的结构，即可。作为发光元件3005的结构，采用与上述实施方式所记载的发光元件同样的结构，即可。

第一密封区域3007可以使用包含玻璃的材料(例如，玻璃粉、玻璃带等)。另外，第二密封区域3009可以使用包含树脂的材料。通过将包含玻璃的材料用于第一密封区域3007，可以提高生产率及密封性。另外，通过将包含树脂的材料用于第二密封区域3009，可以提高抗冲击性及耐热性。但是，用于第一密封区域3007及第二密封区域3009的材料不局限于此，第一密封区域3007可以使用包含树脂的材料形成，而第二密封区域3009可以使用包含玻璃的材料形成。

另外，上述玻璃粉例如可以包含氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化铯、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铑、氧化铁、氧化铜、二氧化锰、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锆、氧化锂、氧化锑、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃等。为了吸收红外光，玻璃粉优选包含一种以上的过渡金属。

另外，作为上述玻璃粉，例如，在衬底上涂敷玻璃粉浆料并对其进行加热或照射激光等。玻璃粉浆料包含上述玻璃粉及使用有机溶剂稀释的树脂(也称为粘合剂)。注意，也可以使用在玻璃粉中添加有吸收激光束的波长的光的吸收剂的玻璃粉浆料。另外，作为激光，例如优选使用Nd：YAG激光或半导体激光等。另外，激光形状既可以为圆形又可以为四角形。

另外，作为上述包含树脂的材料，例如可以使用聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂、聚氨酯、环氧树脂。还可以使用包括硅酮等具有硅氧烷键合的树脂的材料。

注意，当第一密封区域3007和第二密封区域3009中的任一个或两个使用包含玻璃的材料时，该包含玻璃的材料的热膨胀率优选近于衬底3001的热膨胀率。通过采用上述结构，可以抑制由于热应力而在包含玻璃的材料或衬底3001中产生裂缝。

例如，在将包含玻璃的材料用于第一密封区域3007并将包含树脂的材料用于第二密封区域3009的情况下，具有如下优异的效果。

第二密封区域3009被设置得比第一密封区域3007更靠近发光装置3000的外周部一侧。在发光装置3000中，越接近外周部，起因于外力等的应变越大。因此，使用包含树脂的材料对产生更大的应变的发光装置3000的外周部一侧，即为第二密封区域3009进行密封，并且使用包含玻璃的材料对设置于第二密封区域3009的内侧的第一密封区域3007进行密封，由此，即便发生起因于外力等的应变，发光装置3000也不容易受到损伤。

另外，如图12B所示，第一区域3011相当于被衬底3001、衬底3003、第一密封区域3007及第二密封区域3009包围的区域。另外，第二区域3013相当于被衬底3001、衬底3003、发光元件3005及第一密封区域3007包围的区域。

第一区域3011及第二区域3013例如优选填充有稀有气体或氮气体等惰性气体。或者，可以使用丙烯酸类树脂或环氧类树脂等树脂填充。注意，作为第一区域3011及第二区域3013，与大气压状态相比，更优选为减压状态。

另外，图12C示出图12B所示的结构的变形实例。图12C是示出发光装置3000的变形实例的截面图。

在图12C所示的结构中，衬底3003的一部分设置有凹部，并且，该凹部设置有干燥剂3018。其他构成要素与图12B相同。

作为干燥剂3018，可以使用通过化学吸附来吸附水分等的物质或者通过物理吸附来吸附水分等的物质。作为可用作干燥剂3018的物质，例如可以举出碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物(氧化钙或氧化钡等)、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、沸石或硅胶等。

<照明装置>

图13是将发光元件用于室内照明装置8501的例子。另外，因为发光元件可以实现大面积化，所以也可以形成大面积的照明装置。另外，也可以通过使用具有曲面的外壳来形成发光区域具有曲面的照明装置8502。本实施方式所示的发光元件为薄膜状，所以外壳的设计的自由度高。因此，可以形成能够对应各种设计的照明装置。并且，室内的墙面也可以设置有大型的照明装置8503。也可以在照明装置8501、照明装置8502、照明装置8503中设置触摸传感器，控制电源开闭。

另外，通过将发光元件用于桌子的表面一侧，可以提供具有桌子的功能的照明装置8504。另外，通过将发光元件用于其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明装置。

如上所述，通过应用本发明的一个实施方式的发光元件，能够得到显示模块、发光装置、电子设备以及照明装置。注意，不局限于本实施方式所示的照明装置及电子设备，该发光元件可以应用于各种领域的电子设备。

本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。

[实施例1]

在本实施例中说明本发明的一个实施方式的发光元件及对比发光元件的制造例子。在本实施例中制造的发光元件的结构与图1同样。表1示出元件结构的详细内容。下面示出所使用的化合物的结构及简称。

[化学式6]

[表1]

<发光元件的制造>

以下示出在本实施例中制造的发光元件的制造方法。

《发光元件1的制造》

作为电极101，在玻璃衬底上形成厚度为70nm的ITSO膜。电极101的面积为4mm

作为空穴注入层111，通过共蒸镀在电极101上将DBT3P-II与氧化钼(MoO

作为空穴传输层112，通过蒸镀在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式沉积9-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-9H-咔唑(简称：mCzFLP)。

作为发光层130，通过共蒸镀在空穴传输层112上将4，6mCzP2Pm、Ir(dmpimpt-Me)

作为电子传输层118，通过蒸镀在发光层130上依次以厚度为20nm的方式沉积4，6mCzP2Pm并且以厚度为10nm的方式沉积BPhen。接着，作为电子注入层119，通过蒸镀在电子传输层118上以厚度为1nm的方式沉积LiF。

作为电极102，以厚度为200nm的方式在电子注入层119上形成铝(Al)。

接着，在氮气氛的手套箱中使用有机EL装置用密封剂将密封用玻璃衬底固定于形成有有机材料的玻璃衬底上，由此密封电极及EL层。具体而言，将密封剂涂敷于沉积在玻璃衬底上的有机材料的周围，然后贴合该玻璃衬底和密封用玻璃衬底，以6J/cm

《对比发光元件1及对比发光元件2的制造》

除了发光层130的形成工序以外，对比发光元件1及对比发光元件2的制造工序与上述发光元件1的制造工序相同。

作为对比发光元件1的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm和TBRb以重量比(4，6mCzP2Pm:TBRb)为1:0.005且厚度为40nm的方式沉积。在发光层130中，不包含第一有机化合物，4，6mCzP2Pm相当于第二有机化合物，并且TBRb为相当于第三有机化合物的荧光性化合物。

作为对比发光元件2的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm和Ir(dmpimpt-Me)

《对比发光元件3的制造》

作为电极101，在玻璃衬底上形成厚度为110nm的ITSO膜。电极101的面积为4mm

作为空穴注入层111，通过共蒸镀在电极101上将DBT3P-II与氧化钼(MoO

作为空穴传输层112，通过蒸镀在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式沉积mCP。

作为发光层130，通过共蒸镀在空穴传输层112上将mCP和Ir(dmpimpt-Me)

作为电子传输层118，通过共蒸镀在发光层130上将mDBTBIm-II和Ir(dmpimpt-Me)

作为电极102，以厚度为200nm的方式在电子注入层119上形成铝(Al)。

接着，在氮气氛的手套箱中使用有机EL装置用密封剂将密封用玻璃衬底固定于形成有有机材料的玻璃衬底上，由此密封电极及EL层。具体的方法可以参照发光元件1的说明。通过上述工序得到对比发光元件3。

<发光元件的特性>

接着，测量所制造的上述发光元件1、对比发光元件1至对比发光元件3的特性。在亮度及CIE色度的测量中，利用色亮度计(由Topcon Technohouse公司制造的BM-5A)。在电致发射光谱的测量中，利用多通道光谱分析仪(由滨松光子学株式会社制造的PMA-11)。

图14至图18分别示出发光元件1、对比发光元件1至对比发光元件3的亮度-电流密度特性、亮度-电压特性、电流效率-亮度特性、电力效率-亮度特性以及外部量子效率-亮度特性。另外，图19示出以2.5mA/cm

另外，表2示出1000cd/m

[表2]

如图19所示，在发光元件1和对比发光元件1的电致发射光谱中，峰值波长分别为572nm和565nm。这表示发光元件1和对比发光元件1发射来源于作为荧光性化合物的TBRb的黄色发光。

另外，在对比发光元件3的电致发射光谱中，峰值波长为460nm。这表示对比发光元件3发射来源于作为磷光性化合物的Ir(dmpimpt-Me)

另外，如图14至图18及表2所示，发光元件1的发光效率(电流效率、电力效率以及外部量子效率)高于同样发射来源于TBRb的发光的对比发光元件1。另外，因从一对电极注入的载流子(空穴及电子)的重新结合而生成的单重激子的最大生成概率为25％，因此，当光的外部提取效率为30％时的最大外部量子效率为7.5％。发光元件1具有高于7.5％的外部量子效率。这是因为如下缘故：在发光元件1中，除了因从一对电极注入的载流子(空穴及电子)的重新结合而生成的单重激子所引起的发光以外，还从荧光性化合物得到来源于三重激子的能量转移的发光或来源于经激基复合物中的反系间窜越从三重激子生成的单重激子的发光。也就是说，发光元件1是利用了ExEF的本发明的一个实施方式的发光元件。

另外，与对比发光元件2相比，发光元件1在高亮度一侧的发光效率的降低(也称为衰减(roll-off))少，且在高亮度区域显示高于对比发光元件2的发光效率(电流效率、电力效率以及外部量子效率)。像这样，本发明的一个实施方式的发光元件的特征之一在于与发射来源于激基复合物的发光的发光元件相比衰减少。

另外，可以以高于对比发光元件3的发光效率(电流效率、电力效率以及外部量子效率)及低于对比发光元件3的驱动电压驱动发光元件1。由此，本发明的一个实施方式的发光元件1的发光效率高，其驱动电压和功耗都低。

接着，利用循环伏安法(CV)测定对上述化合物的电化学特性(氧化反应特性及还原反应特性)进行测定。在测定中，使用电化学分析仪(BAS Inc.制造，ALS型号600A或600C)，并且对将各化合物溶解于N，N-二甲基甲酰胺(简称：DMF)而成的溶液进行测定。在测量中，在适当的范围内改变工作电极相对于参考电极的电位，来获得氧化峰值电位以及还原峰值电位。另外，因为参考电极的氧化还原电位估计为-4.94eV，所以从该数值和所得到的峰值电位算出各化合物的HOMO能级及LUMO能级。

根据CV测定结果可知，4，6mCzP2Pm的氧化电位为0.95V，还原电位为-2.06V。另外，根据CV测定计算出的4，6mCzP2Pm的HOMO能级为-5.89eV，LUMO能级为-2.88eV。由此可知，4，6mCzP2Pm的LUMO能级低。另外，Ir(dmpimpt-Me)

如上所述，4，6mCzP2Pm的LUMO能级低于Ir(dmpimpt-Me)

另外，由4，6mCzP2Pm和Ir(dmpimpt-Me)

另外，图29示出甲苯溶液中的TBRb的吸收光谱的测量结果。使用紫外可见分光光度计(日本分光株式会社制造，V550型)在室温(保持为23℃的气氛)下测量了吸收光谱。

如图29所示，TBRb的吸收光谱在450nm至550nm附近呈现具有高摩尔吸光系数的吸收带。该吸收带包括与对比发光元件2中的激基复合物(由4，6mCzP2Pm及Ir(dmpimpt-Me)

另外，发光元件1中的TBRb的发光能量低于对比发光元件2中的激基复合物(由4，6mCzP2Pm及Ir(dmpimpt-Me)

在发光元件1及对比发光元件2中，由4，6mCzP2Pm及Ir(dmpimpt-Me)

接着，为了求出用于发光层130的化合物的T1能级，在石英衬底上通过真空蒸镀法分别形成4，6mCzP2Pm的薄膜，然后在低温(10K)下测定该薄膜的发射光谱。

在该发射光谱的测定中，利用PL显微镜LabRAM HR-PL(由堀场制作所制造)，将测定温度设定为10K，作为激发光使用波长为325nm的He-Cd激光，并且使用CCD检测器。

另外，在该发射光谱的测定中，除了一般的发射光谱的测定以外，还进行了着眼于发光寿命长的发光的时间分辨发射光谱的测定。由于这两个发射光谱的测定在低温(10K)下进行，所以在一般的发射光谱的测定中，除了作为主要发光成分的荧光以外，还观察到磷光。另外，在着眼于发光寿命长的发光的时间分辨发射光谱的测定中，主要观察到磷光。图20示出4，6mCzP2Pm的以低温测定的时间分辨发射光谱。

由上述发射光谱的测定结果可知，4，6mCzP2Pm的发射光谱的磷光成分的最短波长一侧的峰值(包括肩峰)的波长为459nm。

因此，根据上述峰值波长算出：4，6mCzP2Pm的T1能级为2.70eV。

<化合物的吸收光谱及发射光谱>

接着，图21示出Ir(dmpimpt-Me)

为了测量该吸收光谱及发射光谱，准备溶解有Ir(dmpimpt-Me)

如图21所示，Ir(dmpimpt-Me)

根据上述测量结果可知，4，6mCzP2Pm的T1能级与Ir(dmpimpt-Me)

<化合物的发光量子产率>

接下来，测量了Ir(dmpimpt-Me)

作为测量结果，Ir(dmpimpt-Me)

另一方面，对比发光元件2是呈现来源于由4，6mCzP2Pm和Ir(dmpimpt-Me)

再者，本发明的一个实施方式的发光元件1将激基复合物中产生的单重激子及三重激子的能量供应到作为荧光性化合物的TBRb以从该TBRb得到发光。通过将激基复合物的激发能供应到荧光性化合物以从该荧光性化合物得到发光，可以得到发射光谱的宽度较窄且高亮度区域的效率降低较少的高效发光。

根据本发明的一个实施方式，可以提供一种发光效率高的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种驱动电压低且功耗低的发光元件。

[实施例2]

在本实施例中说明本发明的一个实施方式的发光元件及对比发光元件的制造例子。在本实施例中制造的发光元件的结构与图1同样。表3示出元件结构的详细内容。下面示出所使用的化合物的结构及简称。另外，其他化合物的结构和简称可以参照实施例1。

[化学式7]

[表3]

<发光元件的制造>

以下示出在本实施例中制造的发光元件的制造方法。除了发光层130的形成工序以外，发光元件2及对比发光元件4的制造工序与上述发光元件1的制造工序相同。

作为发光元件2的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm、三[2-(1H-吡唑-1-基-κN

作为对比发光元件4的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

<发光元件的特性>

接着，测量所制造的上述发光元件2及对比发光元件4的特性。其测量方法与实施例1同样。

图22至图26分别示出发光元件2及对比发光元件4的亮度-电流密度特性、亮度-电压特性、电流效率-亮度特性、电力效率-亮度特性以及外部量子效率-亮度特性。另外，图27示出以2.5mA/cm

另外，表4示出1000cd/m

[表4]

如图27所示，在发光元件2的电致发射光谱中，峰值波长为560nm，半峰全宽为80nm。这表示发光元件2发射黄色发光。发光元件2的发光是来源于作为荧光性化合物的TBRb的发光。另外，用于发光元件2的Ir(ppz)

另外，在对比发光元件4的电致发射光谱中，峰值波长为537nm，其显示半峰全宽为94nm的较宽光谱形状。对比发光元件4的发光是如上所述那样来源于由4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

另外，如图22至图26及表4所示，发光元件2的发光效率(电流效率、电力效率以及外部量子效率)高于对比发光元件4。另外，发光元件2及对比发光元件4具有高于7.5％的外部量子效率。这是因为如下缘故：除了因从一对电极注入的载流子(空穴及电子)的重新结合而生成的单重激子所引起的发光以外，还得到来源于三重激子的发光或来源于经激基复合物中的反系间窜越从三重激子生成的单重激子的发光。也就是说，对比发光元件4的发光来源于激基复合物，而发光元件2是利用了ExEF的本发明的一个实施方式的发光元件。

另外，与对比发光元件4相比，发光元件2在高亮度一侧的发光效率的降低(也称为衰减)少，且在高亮度区域显示高发光效率(电流效率、电力效率以及外部量子效率)。像这样，本发明的一个实施方式的发光元件的特征之一在于与显示来源于激基复合物的发光的发光元件相比衰减少。

接着，利用循环伏安法(CV)测定对上述化合物的电化学特性(氧化反应特性及还原反应特性)进行测定。其测定方法与实施例1同样。另外，4，6mCzP2Pm的测定结果可以参照实施例1。

作为CV测定结果，Ir(ppz)

如上所述，4，6mCzP2Pm的LUMO能级低于Ir(ppz)

另外，由4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

如图29所示，TBRb的吸收光谱在450nm至550nm附近呈现具有高摩尔吸光系数的吸收带。该吸收带包括与对比发光元件4中激基复合物(由4，6mCzP2Pm及Ir(ppz)

另外，发光元件2中的TBRb的发光能量低于对比发光元件4中的激基复合物(由4，6mCzP2Pm及Ir(ppz)

另外，由4，6mCzP2Pm及Ir(ppz)

<化合物的吸收光谱>

接着，图28示出Ir(ppz)

为了测量该吸收光谱，准备溶解有Ir(ppz)

如图28所示，Ir(ppz)

根据上述测量结果可知，4，6mCzP2Pm的T1能级小于Ir(ppz)

另外，虽然在室温下测量了Ir(ppz)

另一方面，对比发光元件4是呈现来源于由4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

再者，本发明的一个实施方式的发光元件2将激基复合物中产生的单重激子的能量供应到作为荧光性化合物的TBRb以从该TBRb得到发光。通过将激基复合物的激发能供应到荧光性化合物以从该荧光性化合物得到发光，可以得到发射光谱的宽度较窄且高亮度区域的效率降低较少的高效发光。

根据本发明的一个实施方式，可以提供一种发光效率高的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种驱动电压低且功耗低的发光元件。

[实施例3]

在本实施例中说明本发明的一个实施方式的发光元件及对比发光元件的制造例子。表5示出元件结构的详细内容。下面示出所使用的化合物的结构及简称。另外，其他化合物的结构和简称可以参照实施例1及2。

[化学式8]

[表5]

<发光元件的制造>

以下示出在本实施例中制造的发光元件的制造方法。除了发光层130的形成工序以外，发光元件3及对比发光元件5的制造工序与上述发光元件1的制造工序相同。

作为发光元件3的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm、Ir(ppz)

作为对比发光元件5的发光层130，通过共蒸镀将4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

<对比发光元件6的制造>

作为电极101，在玻璃衬底上形成厚度为70nm的ITSO膜。电极101的面积为4mm

作为形成空穴注入层111，通过共蒸镀在电极101上将DBT3P-II与氧化钼(MoO

作为空穴传输层112，通过蒸镀在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式蒸镀4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)。

作为发光层130，通过共蒸镀在空穴传输层112上将4，6mCzP2Pm和N-(4-联苯)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCBiF)以重量比(4，6mCzP2Pm:PCBiF)为0.8:0.2且厚度为40nm的方式沉积。

作为电子传输层118，通过蒸镀在发光层130上依次以厚度为20nm的方式沉积4，6mCzP2Pm并且以厚度为15nm的方式沉积BPhen。接着，作为电子注入层119，通过蒸镀在电子传输层118上以厚度为1nm的方式沉积LiF。

作为电极102，以厚度为200nm的方式在电子注入层119上形成铝(Al)。

接着，在氮气氛的手套箱中使用有机EL装置用密封剂将密封用玻璃衬底固定于形成有有机材料的玻璃衬底上，由此密封电极及EL层。具体而言，将密封剂涂敷于形成在玻璃衬底上的有机材料的周围，贴合该玻璃衬底和密封用玻璃衬底，以6J/cm

<发光元件的特性>

接着，测量所制造的上述发光元件3、对比发光元件5以及对比发光元件6的特性。其测量方法与实施例1同样。

图30示出发光元件3、对比发光元件5以及对比发光元件6的外部量子效率-亮度特性。另外，图31示出以2.5mA/cm

另外，表6示出1000cd/m

[表6]

如图31所示，在对比发光元件5和对比发光元件6的电致发射光谱中，峰值波长分别为526nm和548nm，它们显示半峰全宽分别为95nm和91nm的较宽光谱形状。这表示对比发光元件5和对比发光元件6发射黄色发光。对比发光元件5的发光是如上所述那样来源于由4，6mCzP2Pm和Ir(ppz)

从对比发光元件6的发光的峰值波长算出的发光能量为2.26eV。该值与用实施例1所示的CV测定计算出的4，6mCzP2Pm的LUMO能级(-2.88eV)和PCBiF的HOMO能级(-5.26eV)的能量差(2.38eV)大致一致。也就是说，对比发光元件6的发光可以说是来源于由发光层中的4，6mCzP2Pm和PCBiF形成的激基复合物的发光。

另外，由图31可知：对比发光元件5的外部量子效率高于对比发光元件6；对比发光元件5的外部量子效率与发光元件3相等。发光元件3采用在对比发光元件5的发光层中添加有作为荧光性材料的TBRb的结构。由此可知，发光元件3的高效率归功于对比发光元件5的高效率。这意味着能够将激发能从对比发光元件5中的激基复合物高效地供应到作为荧光性材料的TBRb。

<薄膜的过渡EL测量>

对发光元件3、对比发光元件5以及对比发光元件6进行了过渡EL测量。利用皮秒荧光寿命测量系统(滨松光子学公司制造)进行了测量。在本测量中，为了测量发光元件中的荧光发光的寿命，对发光元件施加矩形脉冲电压，并且使用条纹相机对从电压下降起衰减的发光进行时间分辨测量。脉冲电压以10Hz的频率施加，并且通过将反复测定的数据累计起来获得S/N比例高的数据。另外，在如下条件下进行了测定:室温(300K)；脉冲电压为3V左右；脉冲时间宽度为100μsec；负偏压为-5V；发光元件3及对比发光元件5的测定时间为20μsec，而对比发光元件6的测定时间为50μsec。图32示出其结果。

由图32可知，对比发光元件6的延迟荧光成分比例大，且发光寿命非常长。另一方面，对比发光元件5的延迟成分比例虽然不大，但如图30所示，其外部量子效率高于对比发光元件6。另外，由图32可知，对比发光元件5的发光寿命非常短。这意味着激发态在短时间内失活而回到基态。这种发光寿命短的发光元件的可靠性高，由此是优选的。因为对比发光元件5在用于激基复合物的材料中包含作为重原子的Ir，所以其显示出与使用一般的主体材料的激基复合物或TADF材料不同的动作。

由图32可知，使用上述对比发光元件5作为能量转移的媒体的本发明的一个实施方式的发光元件3的发光寿命短于对比发光元件5。由此可知，激发能从对比发光元件5中的激基复合物高效地转移到作为荧光性化合物的TBRb。由此可以预测：发光寿命缩短，使得可靠性得到提高。

根据本发明的一个实施方式，可以提供一种发光效率高的发光元件。另外，根据本发明的一个实施方式，可以提供一种可靠性高的发光元件。

符号说明

100：EL层，101：电极，101a：导电层，101b：导电层，102：电极，103：电极，103a：导电层，103b：导电层，104：电极，104a：导电层，104b：导电层，106：发光单元，108：发光单元，111：空穴注入层，112：空穴传输层，113：电子传输层，114：电子注入层，115：电荷产生层，116：空穴注入层，117：空穴传输层，118：电子传输层，119：电子注入层，123B：发光层，123G：发光层，123R：发光层，130：发光层，131：化合物，132：化合物，133：化合物，134：化合物，140：发光层，140a：发光层，140b：发光层，145：分隔壁，150：发光元件，200：衬底，220：衬底，221B：区域，221G：区域，221R：区域，222B：区域，222G：区域，222R：区域，223：遮光层，224B：光学元件，224G：光学元件，224R：光学元件，250：发光元件，260：发光元件，262a：发光元件，262b：发光元件，600：显示装置，601：信号线驱动电路部，602：像素部，603：扫描线驱动电路部，604：密封衬底，605：密封剂，607：区域，608：布线，609：FPC，610：元件衬底，611：晶体管，612：晶体管，613：下部电极，614：分隔壁，616：EL层，617：上部电极，618：发光元件，621：光学元件，622：遮光层，623：晶体管，624：晶体管，1001：衬底，1002：基底绝缘膜，1003：栅极绝缘膜，1006：栅电极，1007：栅电极，1008：栅电极，1020：层间绝缘膜，1021：层间绝缘膜，1022：电极，1024B：下部电极，1024G：下部电极，1024R：下部电极，1025：分隔壁，1026：上部电极，1028：EL层，1029：密封层，1031：密封衬底，1032：密封剂，1033：基材，1034B：着色层，1034G：着色层，1034R：着色层，1035：遮光层，1036：保护层，1037：层间绝缘膜，1040：像素部，1041：驱动电路部，1042：周围部，3000：发光装置，3001：衬底，3003：衬底，3005：发光元件，3007：密封区域，3009：密封区域，3011：区域，3013：区域，3018：干燥剂，8000：显示模块，8001：上盖，8002：下盖，8003：FPC，8004：触摸传感器，8005：FPC，8006：显示装置，8009：框架，8010：印刷电路板，8011：电池，8501：照明装置，8502：照明装置，8503：照明装置，8504：照明装置，9000：外壳，9001：显示部，9003：扬声器，9005：操作键，9006：连接端子，9007：传感器，9008：麦克风，9050：操作按钮，9051：信息，9052：信息，9053：信息，9054：信息，9055：铰链，9100：便携式信息终端，9101：便携式信息终端，9102：便携式信息终端，9200：便携式信息终端，9201：便携式信息终端。

本申请基于2016年5月6日提交到日本专利局的日本专利申请No.2016-093152，通过引用将其完整内容并入在此。