一种具有高光产额的铊掺杂Cs3Cu2I5纳米晶闪烁体

技术领域

本发明属于无机半导体发光材料技术领域，具体涉及一种具有高光产额、高辐射吸收系数的铊掺杂Cs

背景技术

在众多的闪烁体中，金属卤化物得益于其较高的辐射发光效率，成为了应用最为广泛的闪烁体材料。但是，传统的金属卤化物闪烁体如CsI: Tl和NaI: Tl虽然具有较高的光产额，他们具有很长的余辉以及无法通过溶液加工方法实现柔性探测成像。此外，由于其跃迁方式固定，无法实现光谱的可调谐（

因此，迫切需要开发一种具有高辐射吸收系数、高光产额、高稳定性以及余辉短等特性的纳米晶闪烁体，为低成本、高分辨、柔性X射线医疗影像和辐射探测等技术提供一种闪烁体材料。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有高辐射吸收系数、高光产额、高稳定性以及余辉短的Cs

本发明采用如下技术方案：

一种高辐射发光强度的铊掺杂Cs

上述铊掺杂Cs

（1）将乙酰丙酮铊与Cs

（2）将CuI、ZnI

（3）将步骤（1）中所得前驱体溶液用针管迅速注入步骤（2）所得溶液中，待反应一定时间后迅速搅拌冷却至室温；

（4）将步骤（3）冷却的溶液采用乙酸乙酯进行洗涤，并将得到的铊掺杂Cs

较佳的，步骤（1）中，加热至第一温度保温10 min，再加热至第二温度保温10 min，第一温度为120 ℃，第二温度为150 ℃。

较佳的，步骤（2）中，加热至第三温度保温10 min，再加热至第四温度保温10 min，第三温度为120 ℃，第四温度为160 ℃。

较佳的，步骤（3）中，反应时间为30 s。

本发明与现有技术相比，其有益效果为：

（1）本发明所采用的制备方法能够成功将Tl

（2）本发明制得的Cs

附图说明

图1是本发明实施例3中所示条件下合成的Cs

图2是本发明实施例3制备Cs

图3是本发明实施例3制备Cs

图4是本发明实施例1与实施例3制备Cs

图5是本发明实施例1与实施例3制备Cs

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等效形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围

本发明铊掺杂Cs

（1）将乙酰丙酮铊与Cs

（2）将步骤（1）所得溶液作为前驱体储存在试剂瓶中留存备用；

（3）将CuI、ZnI

（4）将步骤（2）中所收集的前驱体溶液用一次性针管取适量迅速注入步骤（3）的澄清透明液体中，待反应特定时间后迅速转入水槽中采用冰水浴搅拌冷却至室温；

（5）将步骤（4）冷却下来的原始溶液与乙酸乙酯按照特定的比例进行洗涤，并将得到的铊掺杂Cs

实施例1

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

实施例2

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

实施例3

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

实施例4

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

实施例5

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

实施例6

根据化学式Cs

根据化学式Cs

此时抽取2 mL上述前驱体溶液迅速注入到该温度下的黄色澄清透明液体中，反应30 s后移至水槽，采用冰水浴搅拌冷却至室温，向得到的奶白色浑浊液体加入45 mL的乙酸乙酯溶液并在9000 rpm下离心洗涤5 min，重复洗涤1-2次，将得到的Cs

图1为本实施例3所得纳米晶样品在三种不同有机溶剂分散下给予其254 nm紫外光激发的发光照片，由图1知，环己烷对纳米晶的分散性最好。

图2为本实施例3所得纳米晶样品的XRD图谱，由图2知，该Cs

图3为本实施例3所得样品的TEM照片，由图3知，所得纳米晶为长棒状且具有较为均一的尺寸分布。

图4为本实施例1、实施例3所得纳米晶样品在254 nm紫外光激发下的PL对比示意图，由图5知，未掺杂的Cs

图5为本实施例1、实施例3所得纳米晶样品在X射线激发下的RL对比示意图，由图5知，Cs