显示装置

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种显示装置。

背景技术

最近，已经开发了使用可靠的无机晶体结构的材料制造超小型的发光元件和使用发光元件制造发光器件的技术。例如，已经开发了制造具有与从纳米级到微米级的范围对应的小尺寸的多个超小型的发光元件以及使用超小型的发光元件制造诸如显示装置的像素的各种发光器件的技术。

发明内容

技术问题

本公开的各种实施例涉及一种具有包括多个发光元件的像素的显示装置。

技术方案

根据本公开的一个方面，显示装置可以包括：多个像素，分别包括发光区域；以及堤，设置在像素的发光区域之间以围绕发光区域中的每个。每个像素可以包括：第一电极和第二电极，设置在发光区域中以彼此分隔开；以及多个发光元件，电连接在第一电极与第二电极之间。第一电极可以包括：第一电极部，设置在发光区域中以与第二电极的第一侧相邻；第二电极部，设置在发光区域中以与第二电极的第二侧相邻；以及第三电极部，被构造为在第一电极部与第二电极部之间连接第一电极部和第二电极部，并且设置在发光区域中以与第二电极的第三侧相邻。

第一电极部、第二电极部和第三电极部中的每个可以与第二电极分隔开等于或小于发光元件中的每个的长度的距离。

第一电极部、第二电极部和第三电极部中的每个可以与第二电极分隔开相同的距离。

第一电极部和第二电极部可以在发光区域中沿第一方向延伸以彼此平行，并且第三电极部可以在发光区域中沿与第一方向交叉的第二方向延伸。

第一电极部、第二电极部和第三电极部可以彼此一体地连接。

第一电极可以弯曲，使得面对第二电极的区域在第一电极部、第二电极部和第三电极部之间的边界处具有弯曲的表面，并且第二电极可以在面对第一电极的弯曲的表面的区域中具有与第一电极的形状对应的弯曲的表面。

第一电极部和第二电极部可以彼此对称，并且第二电极设置在第一电极部与第二电极部之间。

第二电极可以包括：主电极部，设置在第一电极部与第二电极部之间，并且被第一电极围绕；以及子电极部，连接到主电极部的第一端，并且在与主电极部延伸所沿的方向不同的方向上延伸以面对第一电极部和第二电极部中的每个的第一端。

第一电极部和第二电极部以及主电极部可以在发光区域中沿第一方向延伸以彼此平行，并且第三电极部和子电极部可以在发光区域中沿与第一方向交叉的第二方向延伸以彼此平行。

第二电极可以包括圆形或椭圆形的主电极部，并且第一电极部、第二电极部和第三电极部可以在具有与主电极部的形状对应的形状的同时围绕主电极部。

第二电极还可以包括连接到主电极部且设置在发光区域中以面对第一电极部和第二电极部中的每个的第一端的子电极部。

发光元件中的每个可以包括：第一端，与第一电极叠置且电连接到第一电极；以及第二端，与第二电极叠置且电连接到第二电极。

像素中的每个还可以包括：第三电极，在具有与第一电极的形状对应的形状的同时与第一电极叠置，并且通过第一电极电连接到发光元件的第一端；以及第四电极，在具有与第二电极的形状对应的形状的同时与第二电极叠置，并且通过第二电极电连接到发光元件的第二端。

第三电极可以电连接到第一电力或第一驱动信号供应到其的第一线，并且第四电极可以电连接到第二电力或第二驱动信号供应到其的第二线。

像素中的每个还可以包括：第一分隔壁，在具有比第三电极的宽度窄的宽度并且具有与第三电极的形状对应的形状的同时设置在第三电极下面；以及第二分隔壁，在具有比第四电极的宽度窄的宽度并且具有与第四电极的形状对应的形状的同时设置在第四电极下面。

根据本公开的一个方面，显示装置可以包括：多个像素，分别包括发光区域；以及堤，设置在像素的发光区域之间以围绕发光区域中的每个。每个像素可以包括：第一电极和第二电极，设置在发光区域中以彼此分隔开；以及多个发光元件，电连接在第一电极与第二电极之间。第二电极可以包括：主电极部，设置在发光区域中以被第一电极围绕；以及子电极部，连接到主电极部的第一端，并且在发光区域中沿与主电极部延伸所沿的方向不同的方向延伸以面对第一电极的相对端。

第一电极可以包括：第一电极部，设置在发光区域中以与主电极部的第一侧相邻；第二电极部，设置在发光区域中以与主电极部的第二侧相邻；以及第三电极部，被构造为在第一电极部与第二电极部之间连接第一电极部和第二电极部，并且设置在发光区域中以与主电极部的第三侧相邻。

第一电极部、第二电极部和第三电极部中的每个可以与第二电极分隔开等于或小于发光元件中的每个的长度的距离。

第一电极部、第二电极部和第三电极部中的每个可以与第二电极分隔开相同的距离。

像素中的每个还可以包括：第三电极，在具有与第一电极的形状对应的形状的同时与第一电极叠置，并且通过第一电极电连接到发光元件的第一端；以及第四电极，在具有与第二电极的形状对应的形状的同时与第二电极叠置，并且通过第二电极电连接到发光元件的第二端。

有益效果

根据本公开的各种实施例的包括像素的显示装置可以通过更有效地利用供应到每个像素的发光区域的发光元件来形成光源单元。

附图说明

图1a和图1b是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖视图。

图2a和图2b是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖视图。

图3a和图3b是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖视图。

图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。

图5a至图5c均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成每个发光器件的有效的像素的不同的示例的电路图。

图6a和图6b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素的示例的平面图。

图7a是示出图6a和图6b的第一对准电极和第二对准电极的平面图。

图7b是示出图6a和图6b的第一接触电极和第二接触电极的平面图。

图8a和图8b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出沿着图6b的线I-I’截取的剖面的示例的剖视图。

图9a和图9b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出沿着图6b的线I-I’截取的剖面的其它示例的剖视图。

图10是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出与图6b的线II-II’对应的剖面的示例的剖视图。

图11是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素的示例的平面图。

图12a是示出图11的第一对准电极和第二对准电极的平面图。

图12b是示出图11的第一接触电极和第二接触电极的平面图。

图13是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素的示例的平面图。

图14a是示出图13的第一对准电极和第二对准电极的平面图。

图14b是示出图13的第一接触电极和第二接触电极的平面图。

图15是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素的示例的平面图。

图16a是示出图15的第一对准电极和第二对准电极的平面图。

图16b是示出图15的第一接触电极和第二接触电极的平面图。

图17和图18均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素的不同的示例的平面图。

具体实施方式

由于本公开的实施例可以以许多不同的形式进行各种修改，因此现在将详细参照本公开的各种实施例，本公开的各种实施例的具体示例在附图中示出并在下面描述。然而，本公开不限于下面的实施例，并且可以被修改为各种形式。

可以省略在附图中与本公开的特征不直接相关的一些元件，以清楚地解释本公开。此外，可以稍微地夸大附图中的一些元件的尺寸、比例等。应注意的是，在整个附图中，相同的附图标记用于表示相同或相似的元件，并且将省略重复的说明。

将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”等时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当第一组件或部分设置在第二组件或部分上时，所述第一组件或部分不仅可以直接在所述第二组件或部分上，而且第三组件或部分可以置于它们之间。此外，在下面的描述中使用的术语“位置”、“方向”等以相对术语限定，应注意的是，它们可以根据视角或方向改变为相反的位置或方向。

为了详细描述本公开，参照附图描述本公开的实施例和所需的细节，使得在本公开所属的技术领域中具有普通知识的技术人员可以容易地实践本公开。此外，只要在句子中没有具体地提及，单数形式也可以包括复数形式。

图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b是示出根据本公开的实施例的发光元件LD的透视图和剖视图。虽然在图1a至图3b中示出圆柱状形状的棒型发光元件LD，但是根据本公开的发光元件LD的类型和/或形状不限于此。

首先，参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光元件LD包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件LD可以被构造为通过在长度方向L上依次地堆叠第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13而形成的堆叠体。

在实施例中，发光元件LD可以以在一个方向上延伸的棒的形式设置。如果发光元件LD延伸所沿的方向被限定为长度方向L，则发光元件LD可以具有相对于长度方向L的第一端和第二端。

在实施例中，第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端上，第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端上。

在实施例中，发光元件LD可以是以棒的形式制造的棒型发光二极管。在本说明书中，术语“棒型”包含在长度方向L上延伸(即，具有大于1的长宽比)的棒状形状和条状形状(诸如圆柱状形状和棱柱状形状)，并且其剖面形状不限于特定的形状。例如，发光元件LD的长度L可以比发光元件LD的直径D(或发光元件LD的剖面的宽度)大。

在实施例中，发光元件LD可以具有与从纳米级到微米级的范围对应的小尺寸。例如，发光元件LD可以具有在从纳米级到微米级的范围内的直径D和/或长度L。然而，在本公开中，发光元件LD的尺寸不限于此。例如，发光元件LD的尺寸可以根据各种装置(例如，采用使用发光元件LD的发光器件作为光源的显示装置)的设计条件以各种方式改变。

第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层，n型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂。然而，形成第一半导体层11的材料不限于此，第一半导体层11可以由各种其它材料形成。

活性层12可以设置在第一半导体层11上且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上方和/或下面。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。在实施例中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12，并且可以使用各种其它材料来形成活性层12。

如果等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件LD的相对端，则发光元件LD通过在活性层12中组合电子-空穴对来发光。由于可以基于前述原理来控制发光元件LD的发光，因此发光元件LD可以用作各种发光器件以及显示装置的像素的光源。

第二半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层，p型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。然而，形成第二半导体层13的材料不限于此，第二半导体层13可以由各种其它材料形成。

在实施例中，发光元件LD还可以包括设置在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF。绝缘膜INF可以形成在发光元件LD的表面上以围绕至少活性层12的外圆周表面。另外，绝缘膜INF还可以围绕第一半导体层11和第二半导体层13中的每个的区域。绝缘膜INF可以允许发光元件LD的具有不同的极性的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜INF可以暴露相对于长度方向L设置在发光元件LD的相应的相对端上的第一半导体层11和第二半导体层13中的每个的一端，例如，可以暴露圆柱体的两个表面(图1a和图1b中的发光元件LD的顶表面和底表面)而不是覆盖它。

在实施例中，绝缘膜INF可以包括SiO

在实施例中，发光元件LD除了第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和/或绝缘膜INF之外还可以包括附加的其它组件。例如，发光元件LD还可以包括设置在第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的一端上的至少一个荧光层、至少一个活性层、至少一个半导体层和/或至少一个电极层。

例如，如图2a和图2b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第二半导体层13的第一端上的至少一个电极层14。在实施例中，如图3a和图3b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第一半导体层11的第一端上的至少一个电极层15。

电极层14和15中的每个可以是欧姆接触电极，但不限于此。此外，电极层14和15中的每个可以包括金属或金属氧化物。例如，Cr、Ti、Al、Au、Ni、ITO、IZO、ITZO以及它们的氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，电极层14和15可以是基本上透明或半透明的。因此，从发光元件LD产生的光可以在穿过电极层14和15之后发射到发光元件LD的外部。

在实施例中，绝缘膜INF可以至少部分地围绕电极层14和15的外表面，或者可以不围绕它们。换句话说，绝缘膜INF可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。此外，例如，绝缘膜INF可以形成为暴露发光元件LD的具有不同的极性的相对端，并且可以暴露电极层14和15中的每个的至少一个区域。可选地，在其它实施例中，可以不设置绝缘膜INF。

如果绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上(具体地，在活性层12的表面上)，则可以防止活性层12与至少一个电极(未示出)(例如，连接到发光元件LD的相对端的接触电极中的至少一个接触电极等)短路。因此，可以确保发光元件LD的电稳定性。

此外，由于形成在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF，因此可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。另外，如果绝缘膜INF形成在每个发光元件LD上，则即使当多个发光元件LD彼此相邻设置时，也可以防止发光元件LD之间的不期望的短路。

在本公开的实施例中，可以执行表面处理工艺以制造发光元件LD。例如，可以对发光元件LD进行表面处理，使得当将多个发光元件LD与流体溶液(或溶剂)混合然后供应到每个发光区域(例如，每个像素的发光区域)时，发光元件LD可以在溶液中均匀地分布而不是不均匀地聚集。

包括上述发光元件LD的发光器件可以用于包括需要光源的显示装置的各种装置中。例如，至少一个超小型的发光元件LD(例如，均具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的多个超小型的发光元件LD)可以设置在显示面板的每个像素区域中，以使用超小型的发光元件LD形成对应的像素的光源(或光源单元)。此外，根据本公开的发光元件LD的应用的领域不限于显示装置。例如，发光元件LD也可以用于需要光源的各种装置(诸如照明装置)。

图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。在实施例中，图4示出显示装置(具体地，设置在显示装置中的显示面板PNL)作为可以使用参照图1a至图3b描述的发光元件LD作为光源的装置的示例。例如，显示面板PNL的像素PXL可以包括至少一个发光元件LD。

为了说明的目的，图4简单地示出聚焦于显示区域DA的显示面板PNL的结构。在一些实施例中，虽然未示出，但是至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)和/或多条线可以进一步设置在显示面板PNL中。

参照图4，根据本公开的实施例的显示面板PNL可以包括基体层BSL和设置在基体层BSL上的多个像素PXL。更具体地，显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的基体层BSL可以包括用于显示图像的显示区域DA和形成在除了显示区域DA之外的预定的区域中的非显示区域NDA。像素PXL可以在基体层BSL上设置在显示区域DA中。

在实施例中，显示区域DA可以设置在显示面板PNL的中心部分中，非显示区域NDA可以以围绕显示区域DA的这样的方式设置在显示面板PNL的周边部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，显示区域DA和非显示区域NDA的位置可以改变。这样的显示区域DA可以构成其上显示有图像的屏幕。

基体层BSL可以形成显示面板PNL的基体构件。在实施例中，基体层BSL可以是刚性或柔性基底或膜，基体层BSL的材料或性质没有特别地限制。例如，基体层BSL可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性基底、由塑料或金属材料制成的软质基底(或薄膜)或者至少一个绝缘层，基体层BSL的材料和/或性质没有特别地限制。

此外，基体层BSL可以是透明的，但不限于此。例如，基体层BSL可以是透明的、半透明的、不透明的或反射的基体构件。

基体层BSL上的一个区域可以被限定为其中设置有像素PXL的显示区域DA，基体层BSL上的另一区域可以被限定为非显示区域NDA。例如，基体层BSL可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，显示区域DA包括在其中形成有相应的像素PXL的多个像素区域，非显示区域NDA设置在显示区域DA外部。连接到显示区域DA的像素PXL的各种线和/或内部电路单元可以设置在非显示区域NDA中。

在实施例中，像素PXL可以分布和布置在显示区域DA中。在实施例中，像素PXL可以在显示区域DA中布置为条纹或PenTile布置结构。然而，本公开不限于此。例如，像素PXL可以以各种公知的布置结构布置在显示区域DA中。

每个像素PXL可以包括由预定的控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定的电力(例如，第一电力和第二电力)驱动的至少一个光源，例如，根据图1a至图3b的实施例中的任何一个的发光元件LD。例如，每个像素PXL可以包括具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸的至少一个超小型的发光元件LD。例如，每个像素PXL可以包括多个超小型的发光元件，多个超小型的发光元件在像素电极和/或电力线之间并联连接以构成对应的像素PXL的光源或光源单元，并且均具有棒形状。

在实施例中，每个像素PXL可以由有效的像素形成。然而，能够应用于根据本公开的显示装置的像素PXL的类型、结构和/或驱动方法没有特别地限制。例如，每个像素PXL可以被构造为具有各种公知的结构和/或驱动方法的无源或有源发光显示装置的像素。

图5a至图5c均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成每个发光器件的有效的像素PXL的不同的示例。在实施例中，图5a至图5c中所示的每个像素PXL可以是设置在图4的显示面板PNL中的像素PXL中的任何一个。像素PXL可以具有基本上相同或相似的结构。

首先，参照图5a，根据本公开的实施例的像素PXL包括用于产生具有与数据信号对应的亮度的光的光源单元LSU。像素PXL还可以包括被构造为驱动光源单元LSU的像素电路PXC。

在实施例中，光源单元LSU可以包括在第一电源VDD与第二电源VSS之间彼此电连接的多个发光元件LD。在实施例中，发光元件LD可以彼此并联连接，而不限于此。例如，在另一实施例中，多个发光元件LD可以在第一电源VDD与第二电源VSS之间以串联/并联混合的结构连接。

在实施例中，第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电势，以使发光元件LD可以发光。例如，第一电源VDD可以设定为高电势电源，第二电源VSS可以设定为低电势电源。这里，在至少像素PXL的发光时段期间，第一电源VDD与第二电源VSS之间的电势差可以设定为发光元件LD的阈值电压或更大。

虽然图5a示出其中形成每个像素PXL的光源单元LSU的发光元件LD在第一电源VDD与第二电源VSS之间沿相同方向(例如，沿正向方向)彼此并联连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，发光元件LD中的一些可以在第一电源VDD与第二电源VSS之间沿第一方向(例如，正向方向)彼此连接，其它发光元件LD可以在第二方向(例如，反向方向)上彼此连接。可选地，在另一实施例中，至少一个像素PXL可以仅包括单个发光元件LD(例如，在第一电源VDD与第二电源VSS之间沿正向方向连接的单个有效发光元件)。

在实施例中，构成每个光源单元LSU的发光元件LD中的每个的第一端可以通过光源单元LSU的一个电极(例如，每个像素PXL的第一对准电极和/或第一接触电极)共同连接到像素电路PXC，并且可以通过像素电路PXC和第一电力线PL1连接到第一电源VDD。此外，发光元件LD中的每个的第二端可以通过光源单元LSU的另一电极(例如，每个像素PXL的第二对准电极和/或第二接触电极)和第二电力线PL2共同连接到第二电源VSS。

每个光源单元LSU可以发射具有与通过对应的像素电路PXC供应到其的驱动电流对应的亮度的光。由此，可以在显示区域DA中显示预定的图像。

像素电路PXC可以连接到对应的像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果像素PXL设置在显示区域DA的第i行(i是自然数)第j列(j是自然数)上，则像素PXL的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。在实施例中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。

第一晶体管(驱动晶体管)T1连接在第一电源VDD与光源单元LSU之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压来控制供应到光源单元LSU的驱动电流。

第二晶体管(开关晶体管)T2连接在数据线Dj与第一节点N1之间。第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第一节点N1电连接到数据线Dj。

在每个帧时段期间，对应的帧的数据信号供应到数据线Dj。数据信号经由第二晶体管T2传输到第一节点N1。由此，与数据信号对应的电压被充入到存储电容器Cst。

存储电容器Cst的第一电极连接到第一电源VDD，存储电容器Cst的第二电极连接到第一节点N1。这样的存储电容器Cst在每个帧时段期间充入与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压。

虽然在图5a中，包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换句话说，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以改变为N型晶体管。

例如，如图5b中所示，第一晶体管T1和第二晶体管T2两者可以由N型晶体管形成。在这种情况下，用于在像素PXL中于每个帧时段写入供应到数据线Dj的数据信号的扫描信号的栅极导通电压可以是高电平电压。类似地，用于使第一晶体管T1导通的数据信号的电压可以是与图5a的实施例的波形电压相反的波形电压。作为示例，在图5b的实施例中，随着要表示的灰度值的增加，可以供应具有较高电压电平的数据信号。

除了一些电路元件的连接位置和控制信号(例如，扫描信号和数据信号)的电压电平根据晶体管类型的改变而改变之外，图5b中所示的像素PXL在构造和操作上与图5a的像素PXL基本上相似。因此，将省略图5b的像素PXL的详细描述。

像素电路PXC的结构不限于图5a和图5b中所示的实施例。换句话说，像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。例如，像素电路PXC可以以与图5c中所示的实施例的方式相同的方式构造。

参照图5c，像素电路PXC不仅可以连接到对应的水平线中的扫描线Si，而且可以连接到至少一条其它扫描线(或控制线)。例如，设置在显示区域DA的第i行上的像素PXL的像素电路PXC还可以连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施例中，像素电路PXC不仅可以连接到第一电源VDD和第二电源VSS，而且可以连接到其它第三电源。例如，像素电路PXC还可以连接到初始化电源Vint。在实施例中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。

第一晶体管T1连接在第一电源VDD与光源单元LSU之间。例如，第一晶体管T1的第一电极(例如，源电极)可以通过第五晶体管T5和第一电力线PL1连接到第一电源VDD，第一晶体管T1的第二电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管T6连接到光源单元LSU的第一电极(例如，对应的像素PXL的第一对准电极和/或第一接触电极)。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压来控制供应到光源单元LSU的驱动电流。

第二晶体管T2连接在数据线Dj与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到对应的扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管T2可以导通以将数据线Dj电连接到第一晶体管T1的第一电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从数据线Dj供应的数据信号传输到第一晶体管T1。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到对应的扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3导通以以二极管的形式连接第一晶体管T1。

第四晶体管T4连接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4导通，使得初始化电源Vint的电压传输到第一节点N1。在实施例中，当第一晶体管T1是P型晶体管时，用于使第一晶体管T1的栅极电压初始化的初始化电源Vint的电压可以小于或等于数据信号的最低电压。

第五晶体管T5连接在第一电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5在栅极截止电压(例如，高电平电压)的发射控制信号供应到发射控制线Ei时截止，并且在其它情况下导通。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与光源单元LSU之间。第六晶体管T6的栅电极连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第六晶体管T6在栅极截止电压的发射控制信号供应到发射控制线Ei时截止，并且在其它情况下导通。

第七晶体管T7连接在光源单元LSU的第一电极(例如，对应的像素PXL的第一对准电极和/或第一接触电极)与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后续级的任何一条扫描线，例如，连接到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7导通，使得初始化电源Vint的电压供应到光源单元LSU的第一电极。因此，在当初始化电源Vint的电压传输到光源单元LSU时的初始化时段期间，光源单元LSU的第一电极的电压被初始化。此外，可以不同地改变用于控制第七晶体管T7的操作的控制信号。例如，在另一实施例中，第七晶体管T7的栅电极可以连接到对应的水平线中的扫描线，即，第i扫描线Si。在这种情况下，当栅极导通电压的扫描信号供应到第i扫描线Si时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应到光源单元LSU的第一电极。

存储电容器Cst连接在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst存储与在每个帧时段期间供应到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。

虽然在图5c中，包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以改变为N型晶体管。

可以应用于本公开的像素PXL的结构不限于图5a至图5c中所示的实施例，每个像素PXL可以具有各种公知的结构。例如，包括在每个像素PXL中的像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作的公知的像素电路形成。在本公开的另一实施例中，每个像素PXL可以被构造在无源发光显示装置等中。在这种情况下，可以省略像素电路PXC，构成光源单元LSU的发光元件LD中的每个的两端可以直接连接到扫描线Si、数据线Dj、电力线和/或控制线。

图6a和图6b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素PXL的示例的平面图。在实施例中，除了图6b的实施例不同于图6a的实施例还包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之外，图6b的实施例可以基本上等同于图6a的实施例。在实施例中，像素PXL可以是图4至图5c中所示的像素PXL中的任何一个，但是本公开不限于此。此外，设置在显示区域DA中的像素PXL可以具有基本上相同的结构，但是本公开不限于此。图7a是示出图6a和图6b的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的平面图，图7b是示出图6a和图6b的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的平面图。

图6a至图7b仅示出其中设置有每个像素PXL的光源单元LSU的显示元件层的结构。像素PXL还可以选择性地包括用于控制每个光源单元LSU的电路元件(例如，构成图5a至图5c的像素电路PXC的至少一个电路元件)。此外，根据实施例，图6a和图6b示出其中每个光源单元LSU通过第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接到预定的电力线(例如，第一电力线PL1和/或第二电力线PL2)、电路元件(例如，形成像素电路PXC的至少一个电路元件)和/或信号线(例如，扫描线Si和/或数据线Dj)的实施例，但是本公开不限于此。例如，在本公开的另一实施例中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的至少一个可以直接连接到预定的电力线和/或信号线而不穿过(通过)接触孔和/或中间线。

参照图6a至图7b，根据本公开的实施例的发光器件(例如，像素PXL)包括预定的发光区域EMA、设置在发光区域EMA中的第一对准电极ALE1(也称为“第三电极”)和第二对准电极ALE2(也称为“第四电极”)以及分别与第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2叠置的第一接触电极CNE1(也称为“第一电极”或“第一驱动电极”)和第二接触电极CNE2(也称为“第二电极”或“第二驱动电极”)。第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2设置在每个发光区域EMA中以彼此分隔开。类似地，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在每个发光区域EMA中以彼此分隔开。在实施例中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的任何一个可以是光源单元LSU的阳极电极，同时另一电极可以是光源单元LSU的阴极电极。例如，第一对准电极ALE1可以是阳极电极，第二对准电极ALE2可以是阴极电极。

此外，像素PXL包括电连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间以及第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的多个发光元件LD。例如，设置在每个发光区域EMA中的多个发光元件LD之中的至少一些发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1，同时至少一些发光元件LD的第二端EP2可以电连接到第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2。因此，电连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间以及第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间(具体地，响应于供应到第一对准电极ALE1和/或第二对准电极ALE2的预定的控制信号和/或电力在正向方向上连接以发光)的多个发光元件LD(也称为“有效发光元件”)中的每个可以构成对应的像素PXL的光源。这些有效发光元件LD可以聚集以形成对应的像素PXL的光源单元LSU。

另外，像素PXL还可以选择性地包括设置为分别与第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2叠置的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。例如，如图6a中所示，根据实施例的像素PXL可以不包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。如图6b中所示，根据另一实施例的像素PXL可以包括分别设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2下面的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。

发光区域EMA可以是其中设置有形成像素PXL的光源单元LSU的发光元件LD(具体地，完全地或有效地连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的有效发光元件)的区域。发光区域EMA可以被遮光的和/或反射的堤BNK(也称为“像素限定层”)围绕。换句话说，根据实施例，每个像素PXL的发光区域EMA可以由堤BNK限定和/或划分。

在实施例中，堤BNK可以设置为围绕每个像素PXL的发光区域EMA。例如，堤BNK可以设置在像素PXL的发光区域EMA之间，以位于每个像素PXL的外部区域和/或相邻的像素PXL之间的区域中。

第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以在彼此分隔开的同时设置在每个发光区域EMA中，使得第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的至少第一区域彼此面对。此外，第一对准电极ALE1可以设置为围绕第二对准电极ALE2的至少一个区域。例如，第一对准电极ALE1可以设置为围绕第二对准电极ALE2的区域的至少三个表面。

例如，第一对准电极ALE1可以设置为在三个表面上围绕第二对准电极ALE2的主电极部ALE21。例如，第一对准电极ALE2可以包括第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13，第一电极部ALE11设置为与第二对准电极ALE2的主电极部ALE21的第一侧(例如，左侧)相邻，第二电极部ALE12设置为与主电极部ALE21的第二侧(例如，右侧)相邻且设置为与第一电极部ALE11相对，第三电极部ALE13在第一电极部ALE11与第二电极部ALE12之间连接第一电极部ALE11和第二电极部ALE12且设置为与主电极部ALE21的第三侧(例如，上侧)相邻。

在实施例中，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11和第二电极部ALE12可以在每个发光区域EMA中沿第一方向DR1延伸，并且可以设置为彼此平行。此外，第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸，以在第一电极部ALE11与第二电极部ALE12之间连接第一电极部ALE11和第二电极部ALE12。在实施例中，第一方向DR1和第二方向DR2可以彼此正交，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一方向DR1和第二方向DR2可以在对角线方向上交叉。

然而，根据实施例可以不同地改变第一对准电极ALE1的形状。例如，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11和第二电极部ALE12可以相对于第二对准电极ALE2对角地延伸以彼此对称。此外，第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13可以在与第一电极部ALE11和第二电极部ALE12垂直的方向上延伸，或者可以相对于第一电极部ALE11和第二电极部ALE12对角地延伸。

在实施例中，构成每个第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13中的至少一些可以具有相同的宽度。例如，第一电极部ALE11和第二电极部ALE12可以具有相同的宽度WA1。此外，第三电极部ALE13可以具有与第一电极部ALE11和/或第二电极部ALE12的宽度WA1相等或不同的宽度WA1’。

第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和/或第三电极部ALE13中的每个可以具有均匀的宽度，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和/或第三电极部ALE13中的每个针对每个预定的划分区域可以具有不同的宽度，或者可以具有在任何一个方向上逐渐地改变的宽度。换句话说，在本公开中，构成每个第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13的形状和/或结构可以以各种方式改变。

在实施例中，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13中的每个可以与第二对准电极ALE2分隔开相同的距离。例如，第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13中的每个可以与第二对准电极ALE2分隔开预定的第一距离d1。

在实施例中，第一对准电极ALE1可以连接到发光区域EMA的外部中的第一连接电极CNL1。在实施例中，第一对准电极ALE1和第一连接电极CNL1可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，当第一对准电极ALE1和第一连接电极CNL1彼此一体地连接时，它们可以被认为是一个电极。例如，第一连接电极CNL1可以被认为是第一对准电极ALE1的一个电极。

在实施例中，第一连接电极CNL1可以在与第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13相同的方向上延伸，并且可以与第三电极部ALE13分隔开。例如，第一连接电极CNL1可以与第三电极部ALE13分隔开且开口OPN置于第一连接电极CNL1与第三电极部ALE13之间，并且第一连接电极CNL1可以与第三电极部ALE13一样沿第二方向DR2延伸以与第三电极部ALE13平行。

这样的第一对准电极ALE1可以通过第一连接电极CNL1和/或第一接触孔CH1电连接到预定的电路元件(例如，构成像素电路PXC的至少一个晶体管)、电力线(例如，第一电力线PL1)和/或信号线(例如，扫描线Si、数据线Dj或预定的控制线)。例如，第一对准电极ALE1可以通过第一连接电极CNL1和第一接触孔CH1电连接到设置在其下面的预定的电路元件，并且可以通过电路元件电连接到第一线。在实施例中，第一线可以是用于供应第一电源VDD的第一电力线PL1，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一线可以是预定的第一驱动信号(例如，扫描信号、数据信号、预定的控制信号等)供应到其的信号线。

可选地，在另一实施例中，第一对准电极ALE1可以直接连接到预定的电力线或信号线，而不穿过(通过)第一连接电极CNL1、第一接触孔CH1和/或电路元件。在这种情况下，第一对准电极ALE1可以一体地或非一体地连接到预定的电力线或信号线。

第二对准电极ALE2可以包括被第一对准电极ALE1围绕的主电极部ALE21和连接到主电极部ALE21的子电极部ALE22。例如，第二对准电极ALE2的主电极部ALE21可以置于第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11与第二电极部ALE12之间，以被第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13围绕。

第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以连接到主电极部ALE21的第一端，并且可以在与主电极部ALE21的方向不同的方向上延伸。例如，在每个发光区域EMA中，主电极部ALE21可以在第一方向DR1上延伸，子电极部ALE22可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。

在实施例中，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以设置为使得其至少一个区域面对第一对准电极ALE1的至少一端。例如，子电极部ALE22的两端可以设置为分别面对第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11和第二电极部ALE12。

在实施例中，构成第二对准电极ALE2的主电极部ALE21和子电极部ALE22可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，主电极部ALE21和子电极部ALE22可以具有相同的宽度或不同的宽度。例如，子电极部ALE22可以具有等于主电极部ALE21的宽度WA2的宽度WA2’，或者具有与主电极部ALE21的宽度WA2不同的宽度WA2’。

此外，在实施例中，第二对准电极ALE2的主电极部ALE21和子电极部ALE22中的每个可以具有均匀的宽度，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，主电极部ALE21和子电极部ALE22中的每个针对每个预定的划分区域可以具有不同的宽度，或者可以具有在任何一个方向上逐渐地改变的宽度。换句话说，在本公开中，构成每个第二对准电极ALE2的主电极部ALE21和子电极部ALE22的形状和/或结构可以以各种方式改变。

在实施例中，第二对准电极ALE2的主电极部ALE21和子电极部ALE22可以与第一对准电极ALE1分隔开相同的距离。例如，主电极部ALE21和子电极部ALE22可以与第一对准电极ALE1分隔开预定的第一距离d1。

在实施例中，第二对准电极ALE2可以连接到发光区域EMA的外部中的第二连接电极CNL2。第二对准电极ALE2和第二连接电极CNL2可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，当第二对准电极ALE2和第二连接电极CNL2彼此一体地连接时，它们可以被认为是一个电极。例如，第二连接电极CNL2可以被认为是第二对准电极ALE2的一个电极。

在实施例中，第二连接电极CNL2可以在与第二对准电极ALE2的子电极部ALE22相同的方向上延伸，并且可以与子电极部ALE22分隔开。例如，第二连接电极CNL2可以在第一方向DR1上与子电极部ALE22分隔开预定的距离，并且可以与子电极部ALE22一样沿第二方向DR2延伸以与子电极部ALE22平行。

这样的第二对准电极ALE2可以通过第二连接电极CNL2和/或第二接触孔CH2电连接到预定的电路元件(例如，构成像素电路PXC的至少一个晶体管)、电力线(例如，第二电力线PL2)和/或信号线(例如，扫描线Si、数据线Dj或预定的控制线)。例如，第二对准电极ALE2可以通过第二连接电极CNL2和第二接触孔CH2电连接到设置在其下面的预定的第二线。在实施例中，第二线可以是用于供应第二电源VSS的第二电力线PL2，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第二线可以是预定的第二驱动信号(例如，扫描信号、数据信号、预定的控制信号等)供应到其的信号线。

可选地，在另一实施例中，第二对准电极ALE2可以直接连接到预定的电力线或信号线，而不穿过(通过)第二连接电极CNL2、第二接触孔CH2和/或电路元件。在这种情况下，第二对准电极ALE2可以一体地或非一体地连接到预定的电力线或信号线。

此外，在形成像素PXL的工艺之前(具体地，在完成发光元件LD的对准之前)，设置在显示区域DA中的每个像素PXL的第一对准电极ALE1可以彼此电连接，第二对准电极ALE2可以彼此电连接。在使发光元件LD对准的步骤中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以分别供应有第一对准电压和第二对准电压。换句话说，在使发光元件LD对准的步骤中，预定的对准信号可以施加在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间，从而可以在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间产生电场。通过这样的电场，供应到每个像素区域(具体地，每个像素PXL的发光区域EMA)的发光元件LD可以在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准。在完成发光元件LD的对准之后，可以在像素PXL之间断开第一对准电极ALE1和/或第二对准电极ALE2，因此允许像素PXL被单独地驱动。

在实施例中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以具有单层或多层结构。例如，每个第一对准电极ALE1可以包括至少一个反射电极层。另外，第一对准电极ALE1还可以选择性地包括至少一个透明电极层和/或导电封装层。类似地，每个第二对准电极ALE2可以包括至少一个反射电极层。另外，第二对准电极ALE2还可以选择性地包括至少一个透明电极层和/或导电封装层。

根据实施例，在每个发光区域EMA中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以分别设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2下面。此外，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2上方。根据实施例，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有分别与第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2对应的形状，并且可以设置在每个发光区域EMA中以彼此分隔开。

第一分隔壁PW1可以设置在第一对准电极ALE1下面以与第一对准电极ALE1叠置。例如，第一分隔壁PW1可以在具有比第一对准电极ALE1的宽度窄的宽度的同时设置在第一对准电极ALE1下面。例如，在平面图中，第一分隔壁PW1可以位于第一对准电极ALE1中。

在实施例中，第一分隔壁PW1可以具有与第一对准电极ALE1的形状对应的形状。例如，与第一对准电极ALE1一样，第一分隔壁PW1可以成形为在至少三个表面上围绕第二对准电极ALE2的主电极部ALE21。

如果第一分隔壁PW1设置在第一对准电极ALE1下面，则第一对准电极ALE1可以在其中形成有第一分隔壁PW1的区域中向上突出。因此，从发光元件LD的面对第一对准电极ALE1的第一端EP1发射的光可以被控制为面对显示装置的前面。

第二分隔壁PW2可以设置在第二对准电极ALE2下面以与第二对准电极ALE2叠置。例如，第二分隔壁PW2可以在具有比第二对准电极ALE2的宽度窄的宽度的同时设置在第二对准电极ALE2下面。

第二分隔壁PW2可以具有与第二对准电极ALE2的形状对应的形状。例如，在平面图中，第二分隔壁PW2可以在具有与第二对准电极ALE2的形状对应的形状的同时位于第二对准电极ALE2中。

如果第二分隔壁PW2设置在第二对准电极ALE2下面，则第二对准电极ALE2可以在其中形成有第二分隔壁PW2的区域中向上突出。因此，从发光元件LD的面对第二对准电极ALE2的第二端EP2发射的光可以被控制为面对显示装置的前面。

第一接触电极CNE1可以设置在第一对准电极ALE1上方以与第一对准电极ALE1叠置。在实施例中，第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1可以具有彼此对应的形状。

例如，第一接触电极CNE1可以包括第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13，第一电极部CNE11在具有与第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11的形状对应的形状的同时与第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11叠置，第二电极部CNE12在具有与第一对准电极ALE1的第二电极部ALE12的形状对应的形状的同时与第一对准电极ALE1的第二电极部ALE12叠置，第三电极部CNE13在具有与第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13的形状对应的形状的同时与第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13叠置。在实施例中，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11可以设置为与第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的第一侧(例如，左侧)相邻，第一接触电极CNE1的第二电极部CNE12可以设置为与第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的第二侧(例如，右侧)相邻。此外，第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13可以设置为与第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的第三侧(例如，上侧)相邻。换句话说，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13可以设置在每个发光区域EMA中以位于第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的不同侧中。

根据实施例，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12可以彼此对称，并且第二接触电极CNE2置于第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11与第二电极部CNE12之间。第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13可以设置在第一电极部CNE11与第二电极部CNE12之间，以连接第一电极部CNE11和第二电极部CNE12。例如，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12可以设置在对应的发光区域EMA中以在第一方向DR1上延伸且彼此平行，第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13可以设置在发光区域EMA中以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸，从而将第一电极部CNE11和第二电极部CNE12彼此连接。此外，第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13可以在与第一电极部CNE11和第二电极部CNE12垂直的方向上延伸，或者可以相对于第一电极部CNE11和第二电极部CNE12对角地延伸。

在实施例中，构成每个第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13中的至少一些可以具有相同的宽度。例如，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12可以具有相同的宽度WC1。此外，第三电极部CNE13可以具有与第一电极部CNE11和/或第二电极部CNE12的宽度WC1相等或不同的宽度WC1’。

第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和/或第三电极部CNE13中的每个可以具有均匀的宽度，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和/或第三电极部CNE13中的每个针对每个预定的划分区域可以具有不同的宽度，或者可以具有在一个方向上逐渐地改变的宽度。换句话说，在本公开中，构成每个第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13的形状和/或结构可以以各种方式改变。

在实施例中，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13中的每个可以与第二接触电极CNE2分隔开相同的距离。例如，第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13中的每个可以与第二接触电极CNE2分隔开预定的第二距离d2。根据实施例，第二距离d2可以具有等于或小于发光元件LD的长度的值，使得发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2可以分别与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2接触。例如，第二距离d2可以具有比发光元件LD的平均长度小的值。

在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在第一对准电极ALE1的第一区域和在发光区域EMA中对准的多个发光元件LD的第一端EP1上，以电连接到第一端EP1和第一对准电极ALE1。通过第一接触电极CNE1，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第一对准电极ALE1。此外，发光元件LD的第一端EP1可以通过第一接触电极CNE1可靠地固定，因此防止发光元件LD从对准的位置去除。

第二接触电极CNE2可以设置在第二对准电极ALE2上方以与第二对准电极ALE2叠置。在实施例中，第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2可以具有彼此对应的形状。

例如，第二接触电极CNE2可以包括主电极部CNE21和子电极部CNE22，主电极部CNE21在具有与第二对准电极ALE2的主电极部ALE21的形状对应的形状的同时与主电极部ALE21叠置，子电极部CNE22在具有与第二对准电极ALE2的子电极部ALE22的形状对应的形状的同时与子电极部ALE22叠置。在实施例中，第二接触电极CNE2的主电极部CNE21可以设置在第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11与第二电极部CNE12之间，以被第一接触电极CNE1围绕。此外，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以连接到第二接触电极CNE2的主电极部CNE21的第一端，并且在与主电极部CNE21的方向不同的方向上延伸以面对第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12中的每个的第一端。

在实施例中，第二接触电极CNE2的主电极部CNE21可以与第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12一样在每个发光区域EMA中沿第一方向DR1延伸，并且可以设置为与第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12平行。此外，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以与第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13一样沿第二方向DR2延伸，并且可以设置为与第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13平行。

在实施例中，构成第二接触电极CNE2的主电极部CNE21和子电极部CNE22可以彼此一体地连接，但是本公开不限于此。此外，主电极部CNE21和子电极部CNE22可以具有相同的宽度或不同的宽度。例如，子电极部CNE22可以具有等于主电极部CNE21的宽度WC2的宽度WC2’，或者具有与主电极部CNE21的宽度WC2不同的宽度WC2’。

此外，在实施例中，第二接触电极CNE2的主电极部CNE21和子电极部CNE22中的每个可以具有均匀的宽度，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，主电极部CNE21和子电极部CNE22中的每个针对每个预定的划分区域可以具有不同的宽度，或者可以具有在一个方向上逐渐地改变的宽度。换句话说，在本公开中，构成每个第二接触电极CNE2的主电极部CNE21和子电极部CNE22的形状和/或结构可以以各种方式改变。

在实施例中，第二接触电极CNE2的主电极部CNE21和子电极部CNE22可以与第一接触电极CNE1分隔开相同的距离。例如，主电极部CNE21和子电极部CNE22可以与第一接触电极CNE1分隔开预定的第二距离d2。

在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在第二对准电极ALE2的至少第一区域和在发光区域EMA中对准的多个发光元件LD的第二端EP2上，以电连接到第二端EP2和第二对准电极ALE2。通过第二接触电极CNE2，发光元件LD的第二端EP2可以电连接到第二对准电极ALE2。此外，发光元件LD的第二端EP2可以通过第二接触电极CNE2可靠地固定，因此防止发光元件LD从对准的位置去除。

发光元件LD在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准。发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第一对准电极ALE1，同时第二端EP2可以电连接到第二对准电极ALE2。例如，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第一接触电极CNE1以与第一接触电极CNE1叠置，并且可以通过第一接触电极CNE1电连接到第一对准电极ALE1。类似地，发光元件LD的第二端EP2可以电连接到第二接触电极CNE2以与第二接触电极CNE2叠置，并且可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二对准电极ALE2。

在实施例中，每个发光元件LD可以是在长度方向上延伸的棒状发光元件。此外，发光元件LD可以包括第一端EP1和第二端EP2，第一端EP1在长度方向上位于第一端处且电连接到第一对准电极ALE1，第二端EP2在长度方向上位于第二端处且电连接到第二对准电极ALE2。例如，每个发光元件LD可以在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2设置为彼此面对的区域中电连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间。

在实施例中，发光元件LD中的每个可以由由具有无机晶体结构的材料制成且具有超小型的尺寸(例如，从纳米级到微米级的范围)的发光元件形成。例如，如图1a至图3b中所示，每个发光元件LD可以是具有从纳米级到微米级的范围的直径D和/或长度L的超小型的棒型发光元件。发光元件LD的尺寸可以根据发光器件(例如，像素PXL)的设计条件以各种方式改变。

在实施例中，发光元件LD(例如，完全地或有效地连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的有效发光元件)的第一端EP1可以经由第一接触电极CNE1电连接到第一对准电极ALE1，发光元件LD的第二端EP2可以经由第二接触电极CNE2电连接到第二对准电极ALE2。在另一实施例中，发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2中的至少一个可以与第一对准电极ALE1和/或第二对准电极ALE2直接接触，并且电连接到第一对准电极ALE1和/或第二对准电极ALE2。

在实施例中，发光元件LD可以在预定的溶液中以扩散的形式准备，然后使用喷墨法等供应到每个发光区域EMA。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合且供应到每个发光区域EMA。这里，如果预定的对准电压(或“对准信号”)施加到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2，则在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间形成电场，由此发光元件LD在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准。在已经使发光元件LD对准之后，可以通过挥发方案或其它方案去除溶剂。以这种方式，发光元件LD可以可靠地布置在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间。此外，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别形成在发光元件LD的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)上。因此，发光元件LD可以更可靠地连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间。

如果发光元件LD的第一端EP1经由第一对准电极ALE1、像素电路PXC和/或第一电力线PL1电连接到第一电源VDD，发光元件LD的第二端EP2经由第二对准电极ALE2和/或第二电力线PL2电连接到第二电源VSS，则在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间沿正向方向连接的至少一个发光元件LD发射具有与从像素电路PXC等供应的驱动电流对应的亮度的光。从而，像素PXL可以发光。

此外，未完全地或未有效地连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的至少一个发光元件LD可以进一步设置在每个发光区域EMA中。例如，在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2彼此面对的区域之中，在第一接触电极CNE1弯曲的区域(诸如第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13的边界区域)中，第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的距离会相对大。因此，未完全地或未有效地连接在第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的至少一个发光元件LD会存在于对应的区域中。可选地，即使在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2均匀地分开第二距离d2的区域中，当发光元件LD未对准或发光元件LD朝向任何一个电极偏置时，发光元件LD也不会完全地或有效地连接到第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。

如在上述实施例中，当第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1包括第一电极部ALE11和CNE11、第二电极部ALE12和CNE12以及第三电极部ALE13和CNE13，并且设置为在至少三个表面上围绕第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2中的每个的区域时，可以更有效地利用供应到每个发光区域EMA的发光元件LD，因此形成光源单元LSU。例如，在本实施例中，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13可以在至少三个表面上围绕第二接触电极CNE2，同时与第二接触电极CNE2分隔开等于或小于发光元件LD的长度的第二距离d2。此外，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13可以分别设置在第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13下面。

根据上述实施例，在通过将预定的对准电压(或对准信号)施加在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间来使发光元件LD对准的步骤中，在发光元件LD供应到每个发光区域EMA之后(或与发光元件LD的供应同时)，形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2，使得在由对准电压形成电场的区域中布置的发光元件LD之中，大量的发光元件LD电连接在第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间。例如，第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1可以设置在第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的相对侧(例如，左侧和右侧)上，另外，第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1也可以设置在第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的另一侧(例如，上侧)上。

例如，第一对准电极ALE1和第一接触电极CNE1可以包括分别设置在第二对准电极ALE2和第二接触电极CNE2的第一侧、第二侧和第三侧上的第一电极部ALE11和CNE12、第二电极部ALE12和CNE12以及第三电极部ALE13和CNE13。此外，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13中的每个可以与第二接触电极CNE2分隔开等于或小于发光元件LD的长度的第二距离d2，同时围绕第二接触电极CNE2的至少三个表面。

换句话说，根据上述实施例，可以形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以提高在每个发光区域EMA中对准的发光元件LD的利用效率。例如，在使发光元件LD对准的步骤中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有与其中在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间形成电场的区域对应的形状和/或尺寸。

此外，在上述实施例中，与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的形状对应的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2下面。因此，在使发光元件LD对准的步骤中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在由施加到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的对准电压形成电场的区域中。因此，大量的发光元件LD可以可靠地连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间。

图8a和图8b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出沿着图6b的线I-I’截取的剖面的示例的剖视图。根据实施例，图8a和图8b示出与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2及其上层的形状相关的其它示例。

图9a和图9b均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出沿着图6b的线I-I’截取的剖面的其它示例的剖视图。根据实施例，图9a和图9b示出与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2及其上层的形状相关的其它示例。此外，关于第一绝缘层INS1以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2，图9a和图9b示出与图8a和图8b的实施例不同的实施例。

参照图6a至图9b，根据本公开的实施例的发光器件(例如，像素PXL)包括基体层BSL以及顺序地设置和/或形成在基体层BSL的表面上的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2、第一绝缘层INS1、发光元件LD、第二绝缘层INS2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第三绝缘层INS3。此外，在实施例中，像素PXL还可以选择性地包括在基体层BSL与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之间的像素电路层PCL。

像素电路层PCL可以包括形成像素电路PXC的至少一个电路元件(例如，至少一个晶体管和/或电容器)、至少一条电力线和/或信号线等。当省略像素电路PXC且光源单元LSU直接连接到第一电力线PL1和第二电力线PL2(或预定的信号线)时，可以省略像素电路层PCL。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2设置在每个发光区域EMA中以彼此分隔开。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2在基体层BSL和/或像素电路层PCL上沿高度方向突出。在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有基本上相同的高度，但是本公开不限于此。

在实施例中，第一分隔壁PW1可以设置在基体层BSL和/或像素电路层PCL与第一对准电极ALE1之间。第一分隔壁PW1可以设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻。例如，第一分隔壁PW1的一侧可以以与发光元件LD的第一端EP1相邻的距离定位，从而设置为面对第一端EP1。

在实施例中，第二分隔壁PW2可以设置在基体层BSL和/或像素电路层PCL与第二对准电极ALE2之间。第二分隔壁PW2可以设置为与发光元件LD的第二端EP2相邻。例如，第二分隔壁PW2的一侧可以以与发光元件LD的第二端EP2相邻的距离定位，从而设置为面对第二端EP2。

在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有各种形状。作为示例，如图8a和图9a中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有从其底部到顶部宽度减小的梯形的剖面。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有倾斜的表面。可选地，在另一实施例中，如图8b和图9b中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度向上逐渐地减小的半圆形或半椭圆形剖面。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有弯曲的表面。换句话说，在本公开中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状可以以各种方式改变，而不被特别地限制。此外，在实施例中，可以省略第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的至少一个，或者可以改变第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的位置。

第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有无机材料和/或有机材料的绝缘材料。作为示例，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以包括包含本领域技术人员公知的各种无机绝缘材料(诸如SiN

此外，在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以用作反射构件。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2以及设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以用作在期望的方向上引导从每个发光元件LD发射的光的反射构件，因此提高像素PXL的光效率。

第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上。第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2设置在每个发光区域EMA中以彼此分隔开。

在实施例中，分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的相应的形状对应的形状。例如，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以在基体层BSL的高度方向上突出，同时具有分别与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2对应的倾斜的表面或弯曲的表面。

第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以包括至少一种导电材料。例如，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti或它们的合金的金属、诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO的导电氧化物以及诸如PEDOT的导电聚合物中的至少一种；然而，它不限于此。

此外，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以具有单层或多层结构。作为示例，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以包括至少一个反射电极层。第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个还可以选择性地包括设置在反射电极层上方和/或下面的至少一个透明电极层以及覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部的至少一个导电封装层中的至少一个。

根据实施例，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的反射电极层可以由具有均匀的反射率的导电材料形成。例如，反射电极层可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的合金的金属中的至少一种；然而，本公开不限于此。换句话说，反射电极层可以由各种反射导电材料形成。当第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2均包括反射电极层时，这使得从每个发光元件LD的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)发射的光能够在显示图像所沿的方向上(例如，在正面方向上)传播。具体地，如果第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2分别具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的弯曲的或倾斜的表面且分别设置为面对发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2，则从每个发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2反射，因此在显示面板PNL的正面方向上(例如，在基体层BSL的向上方向上)传播。从而，可以提高从发光元件LD发射的光的效率。

此外，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的透明电极层可以由各种透明电极材料形成。作为示例，透明电极层可以包括ITO、IZO或ITZO，但是本公开不限于此。在实施例中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构的三层结构。因此，如果第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2均由两层或更多层的多层结构组成，则可以使由于信号延迟(RC延迟)引起的电压降最小化。因此，期望的电压可以有效地传输到发光元件LD。

另外，如果第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个包括覆盖反射电极层和/或透明电极层的导电封装层，则能够防止第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的反射电极层由于因像素PXL的制造工艺引起的缺陷而被损坏。然而，导电封装层可以选择性地包括在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中，并且可以根据实施例被省略。此外，导电封装层可以被认为是第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的组件，或者被认为是设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2上的单独的组件。

第一绝缘层INS1设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的一个区域上。例如，第一绝缘层INS1可以形成为覆盖第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的一个区域，并且可以包括开口以暴露第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的另一区域。

在实施例中，可以形成第一绝缘层INS1以主要完全地覆盖第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2。在发光元件LD供应在第一绝缘层INS1上并在第一绝缘层INS1上对准之后，如图8a和图8b中所示，第一绝缘层INS1可以部分地开口以在预定的第一接触部CNT1和第二接触部CNT2中暴露第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2。可选地，在完成发光元件LD的供应和对准之后，如图9a和图9b中所示，第一绝缘层INS1可以以局部地设置在发光元件LD下面的单个图案的形式被图案化。

即，第一绝缘层INS1可以置于第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2与发光元件LD之间，并且可以暴露第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个的至少一个区域。在形成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2之后，形成第一绝缘层INS1以覆盖第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2，因此防止第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2被损坏或者防止金属在后续工艺中沉淀。此外，第一绝缘层INS1可以可靠地支撑每个发光元件LD。

例如，多个发光元件LD可以供应在其中形成有第一绝缘层INS1的每个发光区域EMA中并在其中形成有第一绝缘层INS1的每个发光区域EMA中对准。作为示例，多个发光元件LD可以通过喷墨法等供应到每个发光区域EMA，发光元件LD可以通过施加到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的预定的对准电压(或对准信号)在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准。

第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD(具体地，在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准的发光元件LD)上，并且可以暴露发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。例如，第二绝缘层INS2可以仅部分地设置在发光元件LD的第一区域中，而不覆盖发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。第二绝缘层INS2可以在每个发光区域EMA中以独立的图案形成；然而，本公开不限于此。此外，如图8a和图8b中所示，当在形成第二绝缘层INS2之前在第一绝缘层INS1与发光元件LD中的每个之间存在空间时，可以在形成第二绝缘层INS2的工艺中填充该空间。因此，可以更可靠地支撑发光元件LD。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上。在实施例中，如图8a和图8b中所示，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在相同的层上。在这种情况下，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在相同的工艺中由相同的导电材料形成，但是本公开不限于此。

在另一实施例中，如图9a和图9b中所示，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在不同的层上。在这种情况下，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在不同的工艺中使用相同的导电材料或不同的导电材料形成。当第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在不同的层上时，至少一个绝缘层(例如，第四绝缘层INS4)可以形成在设置在下层上的接触电极(例如，第一接触电极CNE1)上。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2将发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2分别电连接到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2。

例如，第一接触电极CNE1可以设置在第一对准电极ALE1上以与第一对准电极ALE1接触。例如，第一接触电极CNE1可以设置为在第一对准电极ALE1的未被第一绝缘层INS1覆盖的区域(例如，第一接触部CNT1)上与第一对准电极ALE1接触。此外，第一接触电极CNE1可以设置在第一端EP1上以与相邻于第一对准电极ALE1的至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD的第一端EP1)接触。换句话说，第一接触电极CNE1可以设置为覆盖发光元件LD的第一端EP1和第一对准电极ALE1的与其对应的至少一个区域。从而，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第一对准电极ALE1。

类似地，第二接触电极CNE2可以设置在第二对准电极ALE2上以与每个第二对准电极ALE2接触。例如，第二接触电极CNE2可以设置为在第二对准电极ALE2的未被第一绝缘层INS1覆盖的区域(例如，第二接触部CNT2)上与第二对准电极ALE2接触。此外，第二接触电极CNE2可以设置在第二端EP2上以与相邻于第二对准电极ALE2的至少一个发光元件LD(例如，多个发光元件LD的第二端EP2)接触。换句话说，第二接触电极CNE2可以设置为覆盖发光元件LD的第二端EP2和第二对准电极ALE2的与其对应的至少一个区域。从而，发光元件LD的第二端EP2可以电连接到第二对准电极ALE2。

第三绝缘层INS3可以形成和/或设置在基体层BSL的其上形成有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2、发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的表面上，以覆盖第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2、发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。第三绝缘层INS3可以包括包含至少一个无机层和/或有机层的薄膜封装层，但是本公开不限于此。此外，在实施例中，至少一个外涂层(未示出)可以进一步设置在第三绝缘层INS3上方。

在实施例中，第一绝缘层至第四绝缘层INS1、INS2、INS3和INS4中的每个可以具有单层或多层结构，并且包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层至第四绝缘层INS1、INS2、INS3和INS4中的每个可以包括各种公知的有机/无机绝缘材料(包括SiN

图10是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出与图6b的线II-II’对应的剖面的示例的剖视图。在实施例中，图10示出设置在像素电路层PCL中的一些电路元件和/或线以及像素电路层PCL和设置在其上方的显示元件层DPL的连接结构(例如，其中设置有形成光源单元LSU的发光元件LD的层)。在图10中，相同的附图标记用于表示与图6a至图9b的实施例的组件相似或相同的组件，并且将省略其进一步的说明。

参照图6a至图10，根据本公开的实施例的发光器件可以包括设置在基体层BSL与显示元件层DPL之间的像素电路层PCL。例如，像素电路层PCL可以形成在基体层BSL的表面上，显示元件层DPL可以形成在基体层BSL的其上已经形成有像素电路层PCL的表面上。

像素电路层PCL可以包括用于控制显示元件层DPL的像素电路(例如，图5a至图5c中所示的任何一个像素电路PXC)和/或连接到像素电路的线。例如，像素电路层PCL可以包括图5a的第一晶体管T1和第二晶体管T2。像素电路层PCL还可以包括图5a中所示的存储电容器Cst、连接到每个像素电路PXC的各种信号线(例如，扫描线Si和数据线Dj)以及连接到像素电路PXC和/或光源单元LSU的各种电力线(例如，第一电力线PL1和第二电力线PL2)。

在实施例中，设置在每个像素电路PXC中的多个晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)可以具有基本上相同或相似的剖面结构。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施例中，多个晶体管中的至少一些可以具有不同的类型和/或结构。

另外，像素电路层PCL包括多个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括连续地堆叠在基体层BSL的一个表面上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和钝化层PSV。此外，像素电路层PCL还可以选择性地包括设置在至少一些晶体管下面的至少一个遮光图案(未示出)。

缓冲层BFL可以防止杂质扩散到每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单层形成，或者可以由具有两层或更多层的多层形成。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，相应的层可以由相同的材料或不同的材料形成。在实施例中，可以省略缓冲层BFL。

第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个包括半导体层SCL、栅电极GE以及第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2。虽然图10示出其中第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个包括与半导体层SCL分开形成的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，设置在至少一个晶体管(设置在每个像素区域中)中的第一晶体管电极ET1和/或第二晶体管电极ET2可以与对应的半导体层SCL一体地形成。

半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。例如，半导体层SCL可以设置在栅极绝缘层GI与其上形成有缓冲层BFL的基体层BSL之间。半导体层SCL可以包括与每个第一晶体管电极ET1接触的第一区、与每个第二晶体管电极ET2接触的第二区以及设置在第一区与第二区之间的沟道区。在实施例中，第一区和第二区中的一个可以是源区，另一个可以是漏区。

在实施例中，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。半导体层SCL的沟道区可以是作为未掺杂的半导体图案的本征半导体。半导体层SCL的第一区和第二区中的每个可以是掺杂有预定的杂质的半导体图案。

栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，并且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层SCL之间。例如，栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI与层间绝缘层ILD之间，以与半导体层SCL的至少一部分叠置。

第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在每个半导体层SCL和栅电极GE上，并且至少一个层间绝缘层ILD置于第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2与每个半导体层SCL和栅电极GE之间。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在层间绝缘层ILD与钝化层PSV之间。第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以电连接到每个半导体层SCL。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的对应的接触孔连接到半导体层SCL的第一区和第二区。

设置在像素电路PXC中的至少一个晶体管可以连接到任何一个像素电极。例如，第一晶体管T1的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2中的任何一个可以通过穿过钝化层PSV的第一接触孔CH1电连接到设置在钝化层PSV上的光源单元LSU的第一对准电极ALE1和/或第一连接电极CNL1。

在实施例中，连接到每个像素PXL的至少一条信号线和/或电力线可以设置在与形成像素电路PXC的电路元件中的每个的一个电极的层相同的层上。例如，用于供应第二电源VSS的第二电力线PL2可以设置在与第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅电极GE的层相同的层上，并且通过设置在与第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的层相同的层上的桥接图案BRP以及通过穿过钝化层PSV的至少一个第二接触孔CH2两者电连接到设置在钝化层PSV上的光源单元LSU的第二对准电极ALE2和/或第二连接电极CNL2。然而，第二电力线PL2等的结构和/或位置可以以各种方式改变。

在实施例中，显示元件层DPL可以包括像素PXL中的每个的光源单元LSU。例如，显示元件层DPL可以包括至少一对第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及电连接在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的至少一个发光元件LD。另外，显示元件层DPL还可以包括至少一个导电层和/或绝缘层等。

例如，显示元件层DPL可以包括设置在每个发光区域EMA中的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2、设置在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的多个发光元件LD以及设置在发光元件LD中的每个的第一端EP1和第二端EP2上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。此外，显示元件层DPL包括依次地布置的第一绝缘层至第三绝缘层INS1、INS2和INS3，并且还可以选择性地包括图9a和图9b中所示的第四绝缘层INS4。由于已经参照图6a至图9b详细描述了与显示元件层DPL的结构相关的实施例，因此将省略其详细描述。

此外，在实施例中，堤BNK可以设置在发光区域EMA外部的外围区域PEA中。例如，堤BNK可以设置在像素PXL之间以围绕每个像素PXL的发光区域EMA。此外，堤BNK可以设置在显示区域DA的外围上，以围绕其中设置有像素PXL的显示区域DA。

堤BNK可以是限定每个像素PXL的发光区域EMA的结构，例如，是像素限定层。堤BNK可以包括至少一种遮光材料和/或反射材料，以防止光在相邻的像素PXL之间泄漏。

在实施例中，堤BNK可以在发光区域EMA外部的外围区域PEA中设置在第一绝缘层INS1与第三绝缘层INS3之间，但是本公开不限于此。例如，堤BNK的位置(例如，针对每个层的位置)可以以各种方式改变。

图11是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出形成发光器件的像素PXL的示例的平面图。图12a是示出图11的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的平面图，图12b是示出图11的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的平面图。在实施例中，图11至图12b示出根据图6a至图7b的实施例的像素PXL的变型。详细地，图11至图12b示出与设置在每个像素PXL中的电极的形状相关的图6a至图7b的实施例的变型。

示出图11至图12b的实施例和其它随后的实施例的平面图主要地示出电极的形状，并且省略了上述堤BNK等。即使在随后的实施例中，每个像素PXL的发光区域EMA也可以被堤BNK围绕。此外，在图11至图12b的实施例和其它随后的实施例中，与至少一个上述实施例的组件相同或相似的组件将由相同的附图标记表示，并且将省略其详细描述。

参照图11至图12b，第一对准电极ALE1可以弯曲，使得面对第二对准电极ALE2的区域在第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13之间的边界处具有弯曲的表面。例如，第一对准电极ALE1可以具有平缓地弯曲的表面而不是弯曲，使得第一对准电极ALE1的内表面在第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13之间的边界处具有预定的角度。在实施例中，第一分隔壁PW1可以弯曲，使得至少一个区域具有与第一对准电极ALE1对应的弯曲的表面，但是本公开不限于此。

此外，第二对准电极ALE2可以具有与第一对准电极ALE1的形状对应的形状。例如，第二对准电极ALE2可以在面对第一对准电极ALE1的弯曲的表面的区域中具有与第一对准电极ALE1的形状对应的弯曲的表面。在实施例中，第二分隔壁PW2可以弯曲，使得至少一个区域具有与第二对准电极ALE2对应的弯曲的表面，但是本公开不限于此。

根据实施例，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2可以遍布它们彼此面对的整个区域分隔开均匀的距离。例如，即使在与第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13之间的边界对应的区域中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2也可以均匀地分隔第一距离d1。此外，即使在与第二对准电极ALE2的主电极部ALE21和子电极部ALE22之间的边界对应的区域中，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2也可以均匀地分隔第一距离d1。

类似地，第一接触电极CNE1可以弯曲，使得面对第二接触电极CNE2的区域在第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13之间的边界处具有弯曲的表面。例如，第一接触电极CNE1的内表面可以在第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13之间的边界处具有平缓地弯曲的表面。

此外，第二接触电极CNE2可以具有与第一接触电极CNE1的形状对应的形状。例如，第二接触电极CNE2可以在面对第一接触电极CNE1的弯曲表面的区域中具有与第一接触电极CNE1的形状对应的弯曲的表面。

根据实施例，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以遍布它们彼此面对的整个区域之分隔开均匀的距离。例如，即使在与第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13之间的边界对应的区域中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2也可以均匀地分隔第二距离d2。此外，即使在与第二接触电极CNE2的主电极部CNE21和子电极部CNE22之间的边界对应的区域中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2也可以均匀地分隔第二距离d2。

图13是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出形成发光器件的像素PXL的示例的平面图。图14a是示出图13的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的平面图，图14b是示出图13的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的平面图。在实施例中，图13至图14b示出根据图11至图12b的实施例的像素PXL的变型。

参照图13至图14b，第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13可以直接连接到第一连接电极CNL1，而在第三电极部ALE13与第一连接电极CNL1之间不具有开口(图11中的OPN)。在这种情况下，第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13可以具有较大的宽度。

另外，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以直接连接到第二连接电极CNL2，而不与第二连接电极CNL2分隔开。在这种情况下，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以具有较大的宽度。

第一接触电极CNE1可以具有与第一对准电极ALE1的形状对应的形状。例如，第一接触电极CNE1的第三电极部CNE13可以具有较大的宽度以与第一对准电极ALE1的第三电极部ALE13和第一连接电极CNL1叠置。

此外，第二接触电极CNE2可以具有与第二对准电极ALE2的形状对应的形状。例如，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以具有较大的宽度以与第二对准电极ALE2的子电极部ALE22和第二连接电极CNL2叠置。

图15是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出形成发光器件的像素PXL的示例的平面图。图16a是示出图15的第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的平面图，图16b是示出图15的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的平面图。在实施例中，图15至图16b示出根据上述实施例(例如，图11至图12b的实施例)的像素PXL的变型。此外，虽然在图15至图16b中未示出，但是根据该实施例的像素PXL还可以选择性地包括第一分隔壁和/或第二分隔壁，第一分隔壁和/或第二分隔壁的至少一侧面对发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。

参照图15至图16b，第二对准电极ALE2可以包括圆形的主电极部ALE21，第一对准电极ALE1可以具有与第二对准电极ALE2的形状对应的形状。例如，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13可以围绕主电极部ALE21，同时均具有与第二对准电极ALE2的主电极部ALE21对应的开圆的形状。此外，第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11、第二电极部ALE12和第三电极部ALE13可以与第二对准电极ALE2均匀地分隔开第一距离d1。

在实施例中，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以具有与第一对准电极ALE1的形状对应的形状。例如，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以面对第一对准电极ALE1的第一电极部ALE11和第二电极部ALE12中的每个的第一端，并且可以弯曲为与第一对准电极ALE1的包括第一电极部ALE11和第二电极部ALE12中的每个的第一端的两个外围区域的形状对应的形状。此外，第二对准电极ALE2的子电极部ALE22可以与第一对准电极ALE1均匀地分隔开第一距离d1。

此外，第二对准电极ALE2还可以包括设置在主电极部ALE21与子电极部ALE22之间的连接电极部ALE23。连接电极部ALE23可以一体地或非一体地连接到主电极部ALE21和子电极部ALE22，以连接主电极部ALE21和子电极部ALE22。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有分别与第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2的形状对应的形状。例如，第二接触电极CNE2可以包括与第二对准电极ALE2的主电极部ALE21叠置的圆形的主电极部CNE21。此外，第一接触电极CNE1可以具有与第二接触电极CNE2的形状对应的形状。例如，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13可以围绕主电极部CNE21，同时均具有与第二接触电极CNE2的主电极部CNE21对应的开圆的形状。此外，第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11、第二电极部CNE12和第三电极部CNE13可以与第二接触电极CNE2均匀地分隔开第二距离d2。

在实施例中，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以具有与第一接触电极CNE1的形状对应的形状。例如，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以面对第一接触电极CNE1的第一电极部CNE11和第二电极部CNE12中的每个的第一端，并且可以弯曲为与第一接触电极CNE1的包括第一电极部CNE11和第二电极部CNE12中的每个的第一端的两个外围区域的形状对应的形状。此外，第二接触电极CNE2的子电极部CNE22可以与第一接触电极CNE1均匀地分隔开第二距离d2。

此外，第二接触电极CNE2还可以包括设置在主电极部CNE21与子电极部CNE22之间的连接电极部CNE23。连接电极部CNE23可以一体地或非一体地连接到主电极部CNE21和子电极部CNE22，以连接主电极部CNE21和子电极部CNE22。

图17和图18均是示出根据本公开的实施例的发光器件，例如，示出构成发光器件的像素PXL的不同的示例的平面图。在实施例中，图17和图18示出根据上述实施例(例如，图15至图16b的实施例)的像素PXL的变型。

首先，参照图17，第二对准电极ALE2可以在被第一对准电极ALE1围绕的区域中具有椭圆形的形状。例如，如图16a中所示的圆形的第二对准电极ALE2的主电极部ALE21可以形成为如图17中所示的椭圆形的电极部。

此外，第一对准电极ALE1具有与第二对准电极ALE2的形状对应的形状，使得第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的间隔距离可以在面对第二对准电极ALE2的区域中保持均匀。例如，第一对准电极ALE1可以与第二对准电极ALE2分隔开均匀的距离，同时至少一个区域形成为具有椭圆形的开圆的形状。

类似地，第二接触电极CNE2可以在被第一接触电极CNE1围绕的区域中具有椭圆形的形状。例如，如图16a中所示的圆形的第二接触电极CNE2的主电极部CNE21可以形成为如图17中所示的椭圆形的电极部。

此外，第一接触电极CNE1可以在第二接触电极CNE2的区域中与第二接触电极CNE2保持均匀的间隔距离。例如，第一接触电极CNE1可以与第二接触电极CNE2分隔开均匀的距离，同时具有椭圆形的开圆的形状。

参照图18，第一对准电极ALE1可以直接连接到第一连接电极CNL1，而在第一对准电极ALE1与第一连接电极CNL1之间不具有开口(图15中的OPN)。此外，第一接触电极CNE1可以在发光区域EMA的第一外围区域(例如，上端区域)中在第一方向DR1上具有较大的宽度，以与第一对准电极ALE1和第一连接电极CNL1叠置。

第二对准电极ALE2可以直接连接到第二连接电极CNL2，而不与第二连接电极CNL2分隔开。此外，第二接触电极CNE2可以在发光区域EMA的第二外围区域(例如，下端区域)中在第一方向DR1上具有较大的宽度，以与第二对准电极ALE2和第二连接电极CNL2叠置。

参照图6a至图18描述的根据本公开的各种实施例的像素PXL和包括像素PXL的显示装置可以通过更有效地使用供应在每个发光区域EMA中的发光元件LD来形成每个像素PXL的光源单元LSU。此外，第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及/或者第一接触电极CNE和第二接触电极CNE2的形状可以以各种方式改变。

虽然通过详细的实施例描述了本公开的范围，但是应注意的是，上述实施例仅是描述性的，而不应被认为是限制性的。本领域技术人员应理解的是，在不脱离如由权利要求限定的公开的范围的情况下，可以在此进行各种改变、替换和更改。

本公开的范围不受本说明书的具体实施方式的限制，并且应由所附权利要求限定。此外，从权利要求及其等同物的含义和范围衍生的本公开的所有改变或修改应被解释为包括在本公开的范围内。