集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法

技术领域

本申请是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法。

背景技术

传统上，为了去除集成电路上的铜毛刺会采用化学蚀刻的方式清洗集成电路。然而，使用化学蚀刻的方式会差生化学废弃物，同时，还会对集成电路产品产生侧蚀，可能因此影响产品效能，进而降低产品良率。

发明内容

有鉴于此，本申请提出一种集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法以解决上述问题。

依据本申请的一实施例，提出一种集成电路去毛刺装置。所述集成电路去毛刺装置包括基座、集成电路去毛刺辅助装置以及清洗装置。所述基座用于承载放置在UV膜上的集成电路料条。当所述集成电路去毛刺辅助装置与所述基座组合时，所述集成电路去毛刺辅助装置覆盖所述UV膜并暴露所述集成电路料条。所述喷射头设置于所述基座上方并用于通过物理清洗方式清洗所述集成电路料条。

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置呈现圆板结构。

依据本申请的一实施例，所述圆板结构的外圆周包括定位结构，所述定位结构的位置与形状对应所述基座上的定位结构。

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置包括定位装置，用于辅助所述集成电路去毛刺辅助装置与所述基座的连接。

依据本申请的一实施例，所述定位装置包括磁铁、锁扣、螺丝及卡榫的其中之一或组合。

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置包括镂空结构，当所述集成电路去毛刺辅助装置与所述基座组合时，所述镂空结构暴露所述集成电路料条。

依据本申请的一实施例，所述镂空结构的尺寸大于所述集成电路料条的尺寸。

依据本申请的一实施例，所述镂空结构的形状对应所述集成电路料条的形状。

依据本申请的一实施例，所述清洗装置包括喷射头，所述喷射头用于提供喷射水流以清洗所述集成电路。

依据本申请的一实施例，所述喷射头距离所述基座上方的高度在10毫米至20毫米的范围。

依据本申请的一实施例，所述喷射头距离所述基座上方的高度为15毫米。

依据本申请的一实施例，所述喷射水流的水压在每平方厘米280公斤至每平方厘米320公斤的范围。

依据本申请的一实施例，所述喷射水流的水压为每平方公分300公斤。

依据本申请的一实施例，所述喷射水流的速度在每分钟0.1米至每分钟0.3米的范围。

依据本申请的一实施例，所述喷射水流的速度为每分钟0.2米。

依据本申请的一实施例，提出一种集成电路去毛刺辅助装置。所述集成电路去毛刺辅助装置用于辅助集成电路去毛刺装置清洗放置在UV膜上的集成电路料条，当所述集成电路去毛刺辅助装置与所述集成电路去毛刺装置的基座组合时，所述集成电路去毛刺辅助装置覆盖所述UV膜并暴露所述集成电路料条

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置呈现圆板结构。

依据本申请的一实施例，所述圆板结构的外圆周包括定位结构，所述定位结构的位置与形状对应所述基座上的定位结构。

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置包括定位装置，用于辅助所述集成电路去毛刺辅助装置与所述基座的连接。

依据本申请的一实施例，所述定位装置包括磁铁、锁扣、螺丝及卡榫的其中之一或组合。

依据本申请的一实施例，所述集成电路去毛刺辅助装置包括镂空结构，当所述集成电路去毛刺辅助装置与所述基座组合时，所述镂空结构暴露所述集成电路料条。

依据本申请的一实施例，所述镂空结构的尺寸大于所述集成电路料条的尺寸。

依据本申请的一实施例，所述镂空结构的形状对应所述集成电路料条的形状。

依据本申请的一实施例，提出一种集成电路去毛刺方法。所述方法包括：通过基座承载放置在UV膜上的集成电路料条；将集成电路去毛刺辅助装置与所述基座组合以覆盖所述UV膜并暴露所述集成电路料条；以及启动清洗装置以通过物理清洗方式清洗所述集成电路料条。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺装置的示意图。

图2A和图2B分别演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺辅助装置的俯视示意图和仰视示意图。

图3演示依据本申请一实施例之基座的俯视视图。

图4演示依据本申请一实施例之基座与集成电路去毛刺辅助装置组合后的俯视视图。

图5演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺方法的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。

再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。

虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。

图1演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺装置1的示意图。在某些实施例中，集成电路去毛刺装置1包括基座11、集成电路去毛刺辅助装置12及清洗装置13。在某些实施例中，集成电路去毛刺装置1用于清洗集成电路料条上的铜毛刺。在某些实施例中，集成电路去毛刺装置1是在UV膜经过带锯后，对放置在UV膜上的集成电路料条进行清洗铜毛刺作业。在某些实施例中，基座11用于承载放置在UV膜上的集成电路料条。在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12用于与承载有集成电路料条的基座11组合。在某些实施例中，当集成电路去毛刺辅助装置12与承载有集成电路料条的基座11组合时，集成电路去毛刺辅助装置12覆盖UV膜并暴露集成电路料条。

在某些实施例中，集成电路去毛刺装置1通过制动机制(图未示)来实现集成电路去毛刺辅助装置12与基座11的组合。在某些实施例中，可以由集成电路去毛刺装置1的使用者以人工方式实现集成电路去毛刺辅助装置12与基座11的组合。此并非本申请的限制。

在某些实施例中，清洗装置13通过物理清洗方式清洗集成电路料条。在某些实施例中，清洗装置13包括喷射头131。在某些实施例中，喷射头131用于提供喷射水流以清洗集成电路料条。在某些实施例中，喷射头131提供的喷射水流的水压在每平方厘米280公斤至每平方厘米320公斤的范围。优选地，喷射头131提供的喷射水流的水压为每平方公分300公斤。在某些实施例中，喷射头131提供的喷射水流的速度在每分钟0.1米至每分钟0.3米的范围。优选地，喷射头131提供的喷射水流的速度为每分钟0.2米。在某些实施例中，清洗装置13及喷射头131设置在基座11上方。在某些实施例中，喷射头131距离基座11上方的高度在10毫米至20毫米的范围。优选地，喷射头131距离基座11上方的高度为15毫米。需注意的是，本申请并不限制喷射头131设置在基座11上方。在某些实施例中，喷射头131可以设置在基座11侧向方向。只要喷射头131所提供的喷射水流能对集成电路料条上的铜毛刺进行清洗作业，本申请并不限制清洗装置13和喷射头131的设置位置。

图2A和图2B分别演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺辅助装置12的俯视示意图和仰视示意图。在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12呈现圆板结构。在某些实施例中，圆板结构的外圆周包括定位结构121。在某些实施例中，定位结构121在集成电路去毛刺辅助装置12的外圆周呈现缺口结构。在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12的定位结构121的位置、形状对应基座11的定位结构的位置、形状。在某些实施例中，当集成电路去毛刺辅助装置12的定位结构121与基座11的定位结构对齐时，集成电路去毛刺辅助装置12得以与基座11进行组合，避免集成电路去毛刺辅助装置12的错误安装。

在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12的背面包括定位装置122。在某些实施例中，定位装置122用于辅助集成电路去毛刺辅助装置12与基座11的连接。在某些实施例中，定位装置122包括磁铁、锁扣、螺丝及卡榫的其中之一或组合，并且，基座11上同样包括与定位装置122向对应的磁铁、锁扣、螺丝及卡榫的其中之一或组合。在某些实施例中，当集成电路去毛刺辅助装置12的定位结构121与基座11的定位结构对齐时，集成电路去毛刺辅助装置12可以通过定位装置122与基座11相结合。需注意的是，本申请并不限制定位结构121和定位装置122的数量与设置位置。

在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12包括镂空结构123。在某些实施例中，当集成电路去毛刺辅助装置12与基座11组合时，镂空结构123暴露集成电路料条。在某些实施例中，镂空结构123尺寸大于集成电路料条的尺寸。在某些实施例中，镂空结构123形状对应集成电路料条的形状。当集成电路去毛刺辅助装置12与基座11组合时，集成电路料条得以完全暴露。

在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12为防静电材质制成。在某些实施例中，集成电路去毛刺辅助装置12以厚度大于1毫米的不锈钢制成，以防止清洗装置13以物理清洗方式清洗集成电路料条时集成电路去毛刺辅助装置12产生形变。

图3演示依据本申请一实施例之基座11的俯视视图。在某些实施例中，集成电路料条20放置于UV膜21之上，基座11承载放置于UV膜21上的集成电路料条20。在某些实施例中，基座11的形状与集成电路去毛刺辅助装置12大致相同，呈现圆板结构。在某些实施例中，基座11的外周包括定位结构111。在某些实施例中，基座的定位结构111与集成电路去毛刺辅助装置12的定位结构121的形状、位置、用途大致相同。如上述段落所述，当定位结构111与121对齐时，集成电路去毛刺辅助装置12与基座11得以组合，如此可避免错误安装。需注意的是，在图3的实施例中，放置在UV膜21上的集成电路料条20的数量仅为范例说明，并非本申请的限制。

图4演示依据本申请一实施例之基座11与集成电路去毛刺辅助装置12组合后的俯视视图。在某些实施例中，当基座11与集成电路去毛刺辅助装置12组合时，集成电路去毛刺辅助装置12覆盖UV膜21，并且镂空结构123暴露集成电路料条20。如此一来，当清洗装置13通过物理方式对集成电路料条20进行清洗时，将不会对UV膜21进行破坏。

本申请所提出的集成电路去毛刺装置1通过物理方式清洗集成电路料条以将铜毛刺去除，可避免因化学清洗，例如以化学药剂进行蚀刻，所产生的化学废弃物，并且可避免对集成电路料条造成侧向蚀刻，提高了产品良率。另外，本申请所提出的集成电路去毛刺辅助装置12在与基座11结合后可覆盖UV膜并仅暴露集成电路料条，可避免因物理清洗方式对UV膜造成破坏。

图5演示依据本申请一实施例之集成电路去毛刺方法50的流程图。倘若大致上可以得到相同的结果，本申请并不限制完全依照图5所示的步骤流程进行集成电路去毛刺方法50。在某些实施例中，集成电路去毛刺方法50可应用于集成电路去毛刺装置1。集成电路去毛刺方法50大致上归纳如下：

步骤52：通过基座承载放置在UV膜上的集成电路料条。

步骤54：将集成电路去毛刺辅助装置与所述基座组合以覆盖所述UV膜并暴露所述集成电路料条。

步骤56：启动清洗装置以通过物理清洗方式清洗所述集成电路料条。

本领域技术人员在阅读完上述实施例后应能轻易理解集成电路去毛刺方法50的详细操作。细节说明在此省略以省篇幅。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的±10％、±5％、±1％或±0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的±10％、±5％、±1％或±0.5％内的值。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。

如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动为极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(S/m)。通常，导电材料是电导率大于近似地104S/m(例如，至少105S/m或至少106S/m)的一种材料。材料的电导率有时可以随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率是在室温下测量的。

如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。

如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。

前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。