一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别涉及一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法。

背景技术

随着科技的不断发展，特别是NAND FLASH技术的发展。现有技术中，产品制造商为了更好管理每一台设备程序升级、用户认证等操作需要验证“产品的合法身份”需要写入序列号及MAC地址，目前普遍做法是将序列号和MAC地址在烧写到EEPROM、EFUSE或者FLASH指定分区。将FLASH划分多个分区，基本包括引导程序分区、内核分区、文件系统分区以及序列号和MAC地址分区等。

现有技术中存在的缺陷在于：

1、EEPROM需要增加电路和芯片，额外增加产品成本。

2、EFUSE只能写一次，不能修改，空间有限。

3、序列号和MAC地址分区在全擦FLASH时需要重写。

4、数据读写没有保护和校验机制。

现有技术中的常用术语包括：

EEPROM：Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程的存储器。

EFUSE：和EEPROM类似，属于一次性可编程存储器。

NAND FLASH：一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。

块(BLOCK)：NAND FLASH擦除操作单位，一般容量128KB，包含64个2KB页。

坏块：是指在NAND FLASH中出现不能进行擦写操作的区域。

MTD：Memory Technology Device即内存技术设备，在Linux内核中MTD层为NORFLASH和NAND FLASH设备提供统一接口。MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离。

序列号(SN)：Serial Number的缩写。序列号是一组数字和字符组合的标识符，通常都包含产品型号、版本号、生产厂商、日期、流水号等信息，具有唯一性。

MAC地址：Medium/Media Access Control地址，译为媒体存取控制位址，也叫硬件地址物理地址。采用十六进制数，共六个字节的标识符表示在网络上一个站点位置。具有全球唯一性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的在于：提供一种简单的方法克服现有技术中的问题，能够不增加额外电路和芯片，不占用EFUSE有限空间。

具体地，本发明提供一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，包括以下步骤：

S1，在NAND FLASH最后分割预留部分存储序列号和MAC地址区域；

S2，在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时标记坏块，并找到下一个好块位置保存数据；

S3，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见；

S4，所述序列号和MAC地址区域必须通过指定接口读写。

所述步骤S3中，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见是通过在MTD管理层上得到的FLASH存储空间减去了所述预留部分的大小而实现。

所述的步骤S2，进一步包括：

S2.1，MAC地址开始对应第N块开始，根据MAC大小分别存储MAC地址长度、MAC地址数据；

S2.2，当擦写进行到第Z块，发现第Z块是坏块，则标记第Z块为坏块；

S2.3，从第Z+1块开始继续存储，根据序列号大小分别存储序列号长度、序列号数据。

由此，本申请的优势在于：通过本方法：

1、既方便修改，又可兼容安全性。

2、全擦FLASH时不影响序列号和MAC地址保存区域。

3、操作方便，提高生产效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。

图1是本发明方法的示意流程图。

图2是本发明方法的示意框图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容及优点，现结合附图对本发明进行进一步的详细说明。

如图1所示，本发明涉及一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，包括以下步骤：

S1，在NAND FLASH最后分割预留部分存储序列号和MAC地址区域；

S2，在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时标记坏块，并找到下一个好块位置保存数据；

S3，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见；

S4，所述序列号和MAC地址区域必须通过指定接口读写。

所述的预留部分大于序列号和MAC地址大小之和。

所述的预留部分为2M空间，即8个块。

所述步骤S3中，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见是通过在MTD管理层上得到的FLASH存储空间减去了所述预留部分的大小而实现。

应用程序和烧录工具通过指定接口读写所述序列号和MAC地址区域。

全擦FLASH时不影响序列号和MAC地址存储区域。

所述的步骤S2，进一步包括：

S2.1，MAC地址开始对应第N块开始，根据MAC大小分别存储MAC地址长度、MAC地址数据；

S2.2，当擦写进行到第Z块，发现第Z块是坏块，则标记第Z块为坏块；

S2.3，从第Z+1块开始继续存储，根据序列号大小分别存储序列号长度、序列号数据。

本发明还可以进一步解释为是在NAND FLASH最后分割一部份空间存储序列号和MAC地址。由于NAND FLASH工艺特性不能保证所有存储区域都是好块，所以给序列号和MAC地址存储区域预留2M空间(8个块)，在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时将标记坏块并找到下一个好块位置保存数据。

如图2所示，在MTD管理层上得到的FLASH存储空间减去了2MB的大小，也就是说对序列号和MAC地址存储区域是不可见的，应用程序和烧录工具必须通过指定接口读写该区域。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。