一种口罩滤芯

技术领域

本发明涉及口罩技术领域，尤其涉及一种抗菌口罩滤芯及其制备方法。

背景技术

口罩主要用于过滤灰尘、细菌以及一些对人体有害的气体颗粒，随着空气质量的日益恶化，雾霾天气频繁出现，出门戴口罩可以有效地隔绝污染颗粒物，此外，为了防护病菌等医生必须佩带口罩，现有的口罩基本采用三层结构，上下层为纺粘无纺布，中间为熔喷无纺布，通过熔喷无纺布采用静电吸附原理进行过滤颗粒物，但是抗菌性差，长时间使用或者遇水后，静电衰减使得过滤效率下降，只能一次性使用。

CN112806634A公开了一种新型抗菌口罩滤芯及其制备方法。传统各类、各式、各规格口罩不具有抗菌效果。基于上述问题，本发明提供一种新型抗菌口罩滤芯，包括载体和抗菌剂，由抗菌剂与载体通过纺丝、浸渍、喷涂工艺复合得到。本发明将表面铜、银纳米粒子的石墨烯作为抗菌剂，大大提高了口罩滤芯的抗菌持久性。

CN111493410A公开了

发明内容

本发明目的在于提供一种具有杀菌功能的口罩，以解决上述背景技术中提出的问题。

一种口罩，其特征在于，包括抗菌滤芯，其制备工艺如下：

(1)称取六次甲基四胺、硫酸铜、水合肼和氢氧化钠溶于去离子水中，超声混合均匀后，转入高压反应釜中，180-200℃下水热反应，得到纳米花状Cu

(2)纺丝壳层材料制备：

将聚丙烯腈溶于有机溶剂中，加入钛酸四丁酯，50-70℃搅拌10-12h；

(3)纺丝芯层材料制备

将聚甲基丙烯酸甲酯和纳米花状Cu

(4)将芯层材料和壳层材料进行同轴静电纺丝得到纤维层；

(5)将得到的纤维层以甲醇浸泡，从而去除芯层的聚甲基丙烯酸甲酯，得到芯层具有中空孔隙结构的Cu

优选的，有机溶剂为乙二醇、DMF、丙三醇中的一种或者多种；

优选的，静电纺丝工艺为，芯层和壳层出液量比例为1:(2-3)，纺丝电压为12-15kV，接收距离为10-16cm；

优选的，步骤(1)中具体的称取10-12mg的六次甲基四胺、3-7mmol硫酸铜、10-20ml，0.3-0.8M水合肼和6-18mmol氢氧化钠溶于去离子水中。

有益效果：

通过静电纺丝工艺制备得到具有发达孔隙结构的中空纤维层，极大的提高了纤维层比表面积，有利于提高对污染物的物理吸附性；制备的花状纳米Cu

附图说明

图1为本申请花状纳米Cu

具体实施方式

实施例1

(1)称取16mg六次甲基四胺、4mmol硫酸铜、10mL 0.6M水合肼和8mmol氢氧化钠钠溶于去离子水中，超声混合均匀后，转入高压反应釜中，180℃下水热反应，将产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤三次，得到纳米花状Cu

(2)纺丝壳层材料制备：

将1g聚丙烯腈溶于10ml乙二醇/DMF混合液中，加入5ml钛酸四丁酯，50℃搅拌10h；

(3)纺丝芯层材料制备

将0.5g聚甲基丙烯酸甲酯和步骤(1)纳米Cu

(4)将芯层材料和壳层材料进行同轴静电纺丝得到纤维层；同轴静电纺丝工艺为：芯层和壳层出液量比例为1:2，纺丝电压为13kV，接收距离为10cm。

(5)将得到的纤维层以甲醇浸泡，从而去除芯层的聚甲基丙烯酸甲酯，得到芯层具有孔隙结构，壳层为聚丙烯腈/TiO

实施例2

(1)称取16mg六次甲基四胺、4mmol硫酸铜、10mL 0.6M水合肼和8mmol氢氧化钠钠溶于去离子水中，超声混合均匀后，转入高压反应釜中，190℃下水热反应，将产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤三次，得到纳米花状Cu

(2)纺丝壳层材料制备：

将1g聚丙烯腈溶于10ml乙二醇/DMF混合液中，加入3ml钛酸四丁酯，50℃搅拌10h；

(3)纺丝芯层材料制备

将0.5g聚甲基丙烯酸甲酯和步骤(1)纳米Cu

(4)将芯层材料和壳层材料进行同轴静电纺丝得到纤维层；同轴静电纺丝工艺为：内外层出液量比例为1:3，纺丝电压为13kV，接收距离为12cm。

(5)将得到的纤维层以甲醇浸泡，从而去除芯层的聚甲基丙烯酸甲酯，得到芯层具有孔隙结构，壳层为聚丙烯腈/TiO

对比例1

(1)称取16mg六次甲基四胺、4mmol硫酸铜、10mL 0.6M水合肼和8mmol氢氧化钠钠溶于去离子水中，超声混合均匀后，转入高压反应釜中，190℃下水热反应，将产物分别用蒸馏水和乙醇洗涤三次，得到纳米花状Cu

(2)将0.5g聚甲基丙烯酸甲酯和步骤(1)纳米Cu

(3)将步骤(2)的材料进行静电纺丝得到纤维层；同轴静电纺丝工艺为：纺丝电压为13kV，接收距离为12cm。

对比例2

将1g聚丙烯腈溶于10ml乙二醇/DMF混合液中，加入3ml钛酸四丁酯，50℃搅拌10h；将得到的溶液进行静电纺丝得到纤维层；同轴静电纺丝工艺为：纺丝电压为13kV，接收距离为12cm。

抗菌性能检测：根据标准YY/T0969-2016测试实施例1-2以及对比例1-2所获得抗菌口罩的细菌过滤效率。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。