一种电磁感应芯片制作方法

技术领域

本发明属于电磁感应芯片技术领域，具体涉及一种电磁感应芯片制作方法。

背景技术

电磁感应芯片是一种电子元件，它的主要作用是利用电磁感应原理将电流转化为磁场的信号输出。通过在芯片上集成更多的电子元件和功能，电磁感应芯片可以用于各种不同的应用领域，如电力传输、通信、数据处理等。

然而现有的电磁感应芯片制作方法制作出的成品存在线圈直径大，线圈匝数有限以及电感性能低的缺点。

发明内容

为解决上述背景技术中提出的问题，本发明提供一种电磁感应芯片制作方法，以解决现有技术中制作出的成品存在线圈直径大，线圈匝数有限以及电感性能低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电磁感应芯片制作方法，包括以下步骤：

S1：在玻璃基板上涂布激光解键合胶；

S2：在激光解键合胶表面涂上绝缘层下层；

S3：在绝缘层下层上制作RDL，获得金属线路下层；

S4：在金属线路下层上涂布绝缘层上层，并在绝缘层上层顶面的两侧设置多个开孔连通金属线路下层，开孔用于引线；

S5：通过S4获得的开孔，穿过绝缘层在金属线路下层上电镀多个金属柱；

S6：通过芯片键合方式将磁性金属块放置在绝缘层表面，磁性金属块位于两侧金属柱之间；

S7：在磁性金属块上覆盖绝缘塑封材料，然后研磨绝缘塑封材料直至露出金属柱顶端；

S8：在绝缘塑封材料上制作RDL，获得金属线路上层，金属线路上层与金属柱顶端导通，金属线路上层、金属柱和金属线路下层形成线圈结构；

S9：在金属线路上层上涂布绝缘材料形成电极绝缘层，将电极绝缘层的两侧设置多个开孔连通金属线路上层，开孔用于引线；

S10：在绝缘层上制作多个金属电极，金属电极通过电极绝缘层上的开孔与金属线路上层导通，完成芯片制作；

S11：使用激光解键合，将玻璃基板去除；

S12：将芯片切割为单颗，单颗芯片的顶面包括两个金属电极，侧面包括裸露的磁性金属块。

优选地，S2中的绝缘层采用的绝缘材料包括聚酰亚胺。

优选地，S3中和S8中，制作RDL的具体方法均为：使用物理气相沉积钛或铜，再涂布光刻胶并进行曝光，经过显影和电镀后进行去胶和蚀刻，RDL为多层结构。

优选地，S4和S9中，开孔均采用photo曝光或激光钻孔方式。

优选地，S5中电镀金属柱使用的工艺为：使用物理气相沉积钛或铜，再涂布光刻胶并进行曝光，经过显影和电镀后进行去胶和蚀刻，其中一个开孔中设置一个金属柱。

优选地，S7中，绝缘塑封材料包括环氧树脂和聚酰亚胺。

优选地，S10中金属电极组成为：铜+镍+锡银。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本申请利用封装技术，在基板上制作线路RDL，形成线圈，内埋磁性金属，形成高密线圈电磁感应芯片。传统电感的导线直径>200um，且为单层，本申请的电磁感应芯片可实现导线直径5～50um，且多层线圈，电感芯片原件体积更小，线圈匝数更多，电感强度更高。

附图说明

图1为本发明的方法流程示意图；

图2为图1的俯视图；

图3为电磁感应芯片结构示意图。

具体实施方式

为便于本领域技术人员理解本发明的技术内容，以下结合附图和具体的实例对本发明作进一步地详细说明。应当理解，此处所描述的具体实例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

如图1、图2和图3所示，一种电磁感应芯片制作方法，包括以下步骤：

S1：在玻璃基板上涂布激光解键合胶；

S2：在激光解键合胶表面涂上绝缘层下层；

S3：在绝缘层下层上制作RDL，获得金属线路下层；

S4：在金属线路下层上涂布绝缘层上层，并在绝缘层上层顶面的两侧设置多个开孔连通金属线路下层，开孔用于引线；

S5：通过S4获得的开孔，穿过绝缘层在金属线路下层上电镀多个金属柱；

S6：通过芯片键合方式将磁性金属块放置在绝缘层表面，磁性金属块位于两侧金属柱之间；

S7：在磁性金属块上覆盖绝缘塑封材料，然后研磨绝缘塑封材料直至露出金属柱顶端；

S8：在绝缘塑封材料上制作RDL，获得金属线路上层，金属线路上层与金属柱顶端导通，金属线路上层、金属柱和金属线路下层形成线圈结构；

S9：在金属线路上层上涂布绝缘材料形成电极绝缘层，将电极绝缘层的两侧设置多个开孔连通金属线路上层，开孔用于引线；

S10：在绝缘层上制作多个金属电极，金属电极通过电极绝缘层上的开孔与金属线路上层导通，完成芯片制作；

S11：使用激光解键合，将玻璃基板去除；

S12：将芯片切割为单颗，单颗芯片的顶面包括两个金属电极，侧面包括裸露的磁性金属块。

在本实施例中，本申请利用封装技术，在基板上制作线路RDL，形成线圈，内埋磁性金属，形成高密线圈电磁感应芯片。传统电感的导线直径>200um，且为单层，本申请的电磁感应芯片可实现导线直径5～50um，且多层线圈，电感芯片原件体积更小，线圈匝数更多，电感强度更高。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：S2中的绝缘层采用的绝缘材料为聚酰亚胺。

实施例3

本实施例与实施例1的区别在于：S3中和S8中，制作RDL的具体方法均为：使用物理气相沉积铜，再涂布光刻胶并进行曝光，经过显影和电镀后进行去胶和蚀刻，RDL为多层结构。

实施例4

本实施例与实施例1的区别在于：S4和S9中，开孔均采用激光钻孔方式。

实施例5

本实施例与实施例1的区别在于：S5中电镀金属柱使用的工艺为：使用物理气相沉积铜，再涂布光刻胶并进行曝光，经过显影和电镀后进行去胶和蚀刻，其中一个开孔中设置一个金属柱。

实施例6

本实施例与实施例1的区别在于：S7中，绝缘塑封材料为环氧树脂。

实施例7

本实施例与实施例1的区别在于：S10中金属电极组成为：铜+镍+锡银。