电介质电磁结构及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年12月4日提交的美国临时申请序列号第62/775,069号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。

背景技术

本公开内容总体涉及电介质Dk电磁EM结构及其制造方法，并且特别地涉及制造高性能Dk EM结构的成本有效方法。

在转让给申请人的WO 2017/075177 Al中公开了示例Dk EM结构及其示例制造方法。

虽然现有的Dk EM结构及其制造方法可能适合于它们的预期目的，但是通过应用制造Dk EM结构的成本有效的方法，将推进与Dk EM结构的制造相关的技术。

发明内容

实施方式包括一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该方法包括：提供第一模具部分，第一模具部分包括被布置成阵列的第一多个凹部中的基本相同的凹部；用可固化第一Dk组合物填充第一多个凹部，第一Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数；将衬底放置在填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部的顶部上并跨填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部，并且至少部分地固化可固化第一Dk组合物；以及从第一模具部分去除衬底以及至少部分固化的第一Dk组合物，使得得到包括衬底以及包含至少部分固化的第一Dk组合物的多个Dk模版的组件，多个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部中的对应凹部限定的三维3D形状。

另一实施方式包括一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该电介质Dk电磁EM结构具有一个或更多个第一电介质部分1DP，该方法包括：提供第一模具部分，第一模具部分包括被布置成阵列的第一多个凹部中的基本相同的凹部并且被配置成形成多个1DP，第一模具部分还包括将多个凹部中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道；用可固化Dk组合物填充第一多个凹部和相对薄的连接通道，该可固化Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的平均介电常数；将第二模具部分放置在第一模具部分的顶部上，其中可固化Dk组合物设置在第一模具部分与第二模具部分之间；将第二模具部分朝向第一模具部分按压并且至少部分地固化可固化Dk组合物；相对于第一模具部分分离第二模具部分；以及从第一模具部分去除至少部分固化的Dk组合物，使得得到包括至少部分固化的Dk组合物的至少一个Dk模版，所述至少一个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部和互连的多个相对薄的连接通道限定的三维3D形状，由第一多个凹部限定的3D形状在EM结构中提供多个1DP。

另一实施方式包括一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该方法包括：提供Dk材料片材；在片材中形成被布置成阵列的多个凹部中的基本相同的凹部，其中片材的非凹部部分形成多个凹部中的各个凹部之间的连接结构；用可固化Dk组合物填充多个凹部，可固化Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数，其中，Dk材料片材具有与第一平均介电常数不同的第二平均介电常数；以及至少部分地固化可固化Dk组合物。

另一实施方式包括一种电介质Dk电磁EM结构，该电介质Dk电磁EM结构包括：至少一个Dk部件，其包括不同于空气的具有第一平均介电常数的Dk材料；以及不透水层、阻水层或防水层，其共形地设置在至少一个Dk部件的暴露表面的至少一部分上。

当结合附图考虑时，根据本发明的以下详细描述，本发明的以上特征和优点以及其他特征和优点将变得明显。

附图说明

参考示例性非限制性附图，其中，相同的元件用相同的附图标记表示，或者其中，相似的元件用相似但具有不同的前导数字的附图标记表示，在附图中：

图1A、图1B和图1C以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造Dk EM结构的替选方法的框图表示；

图1D描绘了根据实施方式的如在图1A中所描绘的替选处理步骤的截面侧视图和对应的平面图；

图2A、图2B和图2C以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造Dk EM结构的其他替选方法的框图表示；

图3A以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造Dk EM结构的另一替选方法的框图表示；

图3B以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造图3A的Dk EM结构的制造方法的示意性图表示；

图4A、图4B和图4C以截面侧视图描绘了根据实施方式的与图1A至图1D、图2A至图2C以及图3A至图3B的Dk EM结构类似但替代这些Dk EM结构的Dk EM结构；

图4D描绘了根据实施方式的图4C的Dk EM结构的自上而下的平面图；

图5A以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造Dk EM结构的另一替选方法的框图表示；

图5B以截面侧视图描绘了根据实施方式的根据图5A中描绘的方法制造的Dk EM结构；

图6A以旋转等距视图描绘了根据实施方式的用于制造替代图1A至图1D、图2A至图2C、图3A至图3B、图4A至图4C以及图5A至图5B的Dk EM结构的Dk EM结构的示例模具；

图6B以旋转等距视图描绘了根据实施方式的图6A的模具的单位单元；

图6C描绘了根据实施方式的由图6A和图6B的模具制造的Dk EM结构的透明旋转等距视图、对应的实体旋转等距视图和对应的平面图；

图7A、图7B、图7C、图7D和图7E以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选DkEM结构的替选方法的框图表示；

图8以自上而下的平面图描绘了根据实施方式的用于形成多个Dk EM结构的面板级处理的示例；

图9A、图9B和图9C以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选Dk EM结构的方法的框图表示；

图9D以截面侧视图描绘了根据实施方式的根据图9A至图9C中描绘的方法制造的Dk EM结构；

图9E描绘了根据实施方式的图9D的Dk EM结构的自上而下的平面图；

图9F和图9G以截面侧视图描绘了根据实施方式的根据图9A至图9D中描绘的方法制造的替选Dk EM结构；

图10A、图10B、图10C和图10D以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造冲压模版的方法的框图表示；

图11A和图11B以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选Dk EM结构的替选方法的框图表示；

图12A、图12B和图12C以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选Dk EM结构的替选方法的框图表示；

图13A、图13B和图13C以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选冲压模版的方法的框图表示；

图14A和图14B以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选Dk EM结构的替选方法的框图表示；

图15A和图15B以截面侧视图描绘了根据实施方式的制造替选冲压模版的方法的框图表示；以及

图16A和图16B分别描绘了根据实施方式使用的替选三维3D和二维2D形状。

具体实施方式

尽管以下详细描述包含用于说明目的许多细节，但是本领域的任何普通技术人员将理解，对以下细节的许多变化和更改在所附权利要求的范围内。因此，在不丧失本文公开的要求保护的发明的一般性并且不对其施加限制的情况下，阐述以下示例实施方式。

如由各个附图和所附文本示出和描述的示例实施方式提供了替选Dk EM结构及其制造方法，该制造方法包括但不限于：模塑、注塑、压塑、经由辊对辊模具鼓的模塑、压印、冲压、压纹、制版、热成型、光刻、灰度级光刻或模板填充。可以应用这样的方法来制造单层或多层Dk EM结构，其中Dk EM结构可以是单个Dk EM结构、多个Dk EM结构、Dk EM结构的面板或阵列、或Dk EM结构的多个面板或阵列。本文公开的Dk EM结构的实施方式可以用于涉及例如以下的应用：天线；电介质谐振器天线DRA；天线或DRA的阵列；电介质透镜；和/或电介质波导。尽管本文示出和描述的实施方式描绘了具有特定截面轮廓(x-y、x-z或y-z截面轮廓)的Dk EM结构，但是应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以修改这样的轮廓。因此，落在本文公开的范围内并且适合于本文公开的目的任何轮廓被设想并且被认为是与本文公开的实施方式互补。尽管本文示出和描述的实施方式描绘了具有或暗示具有特定阵列大小的Dk EM阵列结构，但是应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以修改这样的大小。因此，落在本文公开的范围内并且适合于本文公开的目的任何阵列大小被设想并且被认为是与本文公开的实施方式互补。

尽管单独地呈现了以下示例实施方式，但是根据对下面本文描述的所有实施方式的完整阅读将理解，在将使得能够进行特征和/或处理的一些交叉的各个实施方式之间可以存在相似性。因此，根据实施方式，可以采用任何这样的各个特征和/或处理的组合，而不管这样的组合是否被明确地示出，同时与本文的公开内容保持一致。

与以下示例实施方式中的一个或更多个相关联的若干附图描绘了x-y-z轴的正交集合，其为对应的特征相对于彼此的结构关系提供了参考系，其中x-y平面与对应的实施方式的自上而下的平面图一致，并且x-z或y-z平面与侧视图一致。

尽管本文提供的若干附图仅描绘了具有多个lDP和2DP的Dk EM结构的侧视图，但是根据对本文提供的整个公开内容的阅读将理解，本文提供的其他附图的自上而下的平面图或旋转的等距视图可以用作与对应正视图相关联的阵列配置的代表性图示，其中对应正视图的相关联lDP和2DP被布置成阵列(例如，参见图1C、图4D、图6A、图8和图9E中所描绘的阵列)。

下面共同地特别参照图1A、图1B、图1C和图1D对用于制造Dk EM结构1500的示例方法1100进行描述，其中图1A描绘了方法步骤1102、1104、1106、1108、1110、1112和1114以及对应的所得Dk EM结构1500，图1B描绘了方法步骤1122、1124、1126、1128、1130、1132、1134和1136以及对应的所得Dk EM结构1500，图1C描绘了方法步骤1122、1124、1126、1128’、1130’、1134’和1136以及替代图1B的Dk EM结构的对应的所得Dk EM结构1500，并且图1D描绘了中间方法步骤的截面正视图和对应的平面图，中间方法步骤描绘了相对较薄的连接通道1516和对应的结构1518。

在实施方式中并且特别参照图1A，制造电介质Dk电磁EM结构1500的示例方法1100包括以下步骤：提供1102第一模具部分1502的步骤，第一模具部分1502具有被布置成阵列的第一多个凹部1504中的基本相同的凹部；用可固化第一Dk组合物1506填充1104第一多个凹部1504的步骤，该可固化第一Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数；将衬底1508放置1106在填充有第一Dk组合物1506的第一多个凹部1504中的多个凹部的顶部上并跨第一多个凹部中的多个凹部并且至少部分地固化可固化第一Dk组合物的步骤；将第二模具部分1510放置1108在衬底1508的顶部上的可选步骤；将第二模具部分1510朝向第一模具部分1502按压1110并且进一步至少部分地固化可固化第一Dk组合物1506的另一可选步骤；相对于第一模具部分1502分离1112第二模具部分1510的另一可选步骤；以及从第一模具部分1502去除1114衬底1508以及至少部分固化的第一Dk组合物1506使得得到具有衬底1508以及具有至少部分固化的第一Dk组合物1506的多个Dk模版(form)1514的组件1512的步骤，多个Dk模版1514中的每一个具有由第一多个凹部1504中的对应凹部限定的三维3D形状。

如本文中使用的，术语基本上旨在考虑了制造公差。因此，如果用于产生对应结构的制造公差为零，则基本相同的结构是相同的。

在实施方式中，衬底1508可以包括以下中的一个或更多个：Dk层；金属层；Dk层与金属层的组合；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与多个填充的凹部中的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。

在实施方式中并且特别参照图1B，方法1100还包括以下步骤：在提供1102第一模具部分1502的步骤之前，包括提供1122第一预模具部分1522的步骤，第一预模具部分1522具有被布置成第一模具部分1502的阵列的第二多个凹部1524中的基本相同的凹部，第二多个凹部1524中的每个凹部大于第一多个凹部1504中的对应凹部；用可固化第二Dk组合物1526填充1124第二多个凹部1524的步骤，可固化第二Dk组合物1526完全固化后具有小于第一平均介电常数并且大于空气的介电常数的第二平均介电常数；将第二预模具部分1528放置1126在第一预模具部分1522的顶部上的步骤，第二预模具部分1528具有被布置成第一模具部分1502的阵列并且与第二多个凹部1524中的每个凹部一一对应的多个开口1530；将第三预模具部分1532放置1128在第二预模具部分1528的顶部上的步骤，第三预模具部分1532具有被布置成第一模具部分1502的阵列的突起1534的多个基本上相同的突起，突起1534的多个基本上相同的突起插入到第二预模具部分1528的开口1530中的对应开口中并且插入到第二多个凹部1524中的对应凹部中，从而使第二多个凹部1524中的每个凹部中的第二Dk材料1526移位(displace)与给定突起1534的体积相等的体积；将第三预模具部分1532朝向第二预模具部分1528按压1130并且至少部分地固化可固化第二Dk组合物1526的步骤；以及相对于第二预模具部分1528分离1132第三预模具部分1532以产生其中具有至少部分固化的第二Dk组合物1526的模具模板(mold form)1536的步骤，该模具模板1536用于提供第一模具部分1502并且建立提供1102第一模具部分1502、1536的步骤，第一模具部分1502、1536具有被布置成阵列的第一多个凹部1504中的基本相同的凹部；其中，去除1114的前述步骤包括从第一模具部分1502、1536去除1136衬底1508以及至少部分固化的第一Dk组合物1506和至少部分固化的第二Dk组合物1526的步骤，使得得到包括衬底1508和多个Dk模版1504的组件1538，多个Dk模版包括至少部分固化的第一Dk组合物1506的阵列和至少部分固化的第二Dk组合物1526的对应阵列，多个Dk模版1504中的每一个具有由第一多个凹部1504和第二多个凹部1524中的对应凹部限定的3D形状。

在实施方式中并且特别结合图1B参照图1C，将理解，可以用与图1C的附图标记1128’、1130’和1134’相关联的步骤代替与图1B的附图标记1128、1130、1132和1134相关联的步骤，而所有其他步骤和对应的结构基本上保持相同。如图1C中所描绘的，可以用将具有衬底1508和其上形成的具有至少部分固化的第一Dk组合物1506的多个Dk模版1514的上述组件1512放置1128’在第二预模具部分1528(参见图1B)顶部上的步骤来代替图1B中的放置1128的步骤，组件1512具有插入到第二预模具部分1528的开口1530的对应开口中且插入到第二多个凹部1524的对应凹部中的多个Dk模版1514，从而使第二多个凹部1524的每个凹部中的第二Dk材料1526移位与给定Dk模版1514的体积相等的体积。此外，可以用将组件1512朝向第二预模具部分1528按压1130’且至少部分地固化可固化第二Dk组合物1526的步骤代替图1B中的按压1130步骤。此外，可以省略图1B中的分离1132的步骤，并且可以用产生1134’其中具有组件1512和至少部分固化的第二Dk组合物1526的模具模板1536的步骤代替图1B中的产生1134的步骤。并且此外，上述去除1114步骤包括从第一模具部分1502、1536去除1136衬底1508以及至少部分固化的第一Dk组合物1506和至少部分固化的第二Dk组合物1526使得得到包括衬底1508和多个Dk模版1540的组件1538的步骤，多个Dk模板包括至少部分固化的第一Dk组合物1506的阵列和至少部分固化的第二Dk组合物1526的对应阵列，多个Dk模版1540中的每一个具有由第一多个凹部1504和第二多个凹部1524中的对应凹部限定的3D形状。

在实施方式中，多个Dk模版1514提供设置在衬底1508上的多个电介质谐振器天线DRA，其中，每个DRA是具有由第一Dk组合物1506提供的Dk材料的体积或层的单层DRA。

在实施方式中，多个Dk模版1504提供设置在衬底1508上的多个电介质谐振器天线DRA，其中，每个DRA是具有由第一Dk组合物1506提供的Dk材料的第一内体积或层、由第二Dk组合物1526提供的Dk材料的第二外体积或层的两层DRA。

在实施方式中，多个Dk模版1540提供设置在衬底1508上的多个电介质谐振器天线DRA 1506以及被设置成与多个DRA一一对应的多个电介质透镜或电介质波导1526，其中，每个DRA是具有由第一Dk组合物1506提供的Dk材料的体积或层的单体积或单层DRA，并且每个对应透镜或波导是具有由第二Dk组合物1526提供的Dk材料的体积或层的单体积或单层结构。

在实施方式中并且特别结合图1A参照图1C，第一模具部分1502包括将第一多个凹部1504中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道1516，在用具有第一平均介电常数的可固化第一Dk组合物1506填充1104第一多个凹部的步骤期间填充多个相对薄的连接通道，从而得到包括衬底1508和多个Dk模版1514以及将多个Dk模版1514中的相邻Dk模版互连的多个相对薄的连接结构1518的组件1512，相对薄的连接结构1518由至少部分固化的第一Dk组合物1506构成，相对薄的连接结构1518和具有第一Dk组合物1506的填充的第一多个凹部形成单个单片。

在实施方式中并且特别结合图1B参照图1C，第二预模具部分1528包括将第二多个凹部1524中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道1516，在使第二多个凹部1524中的每个凹部中的第二Dk材料1526移位与给定突起1534的体积相等的体积的前述过程期间填充多个相对薄的连接通道，从而得到具有衬底1508和多个Dk模版1540以及将多个Dk模版1540中的相邻Dk模版互连的多个相对薄的连接结构1518的组件1538，相对薄的连接结构1518由至少部分固化的第二Dk组合物1526构成，相对薄的连接结构1518和具有第二Dk组合物1526的填充的第二多个凹部形成单个单片。

在实施方式中，填充第一多个凹部1104的步骤、填充第二多个凹部1124的步骤、或者填充第一多个凹部和第二多个凹部两者的步骤还包括：将可流动形式的相应可固化Dk组合物浇注和刮刷(pouring and squeegeeing)到对应的凹部中。

在实施方式中，填充第一多个凹部1104的步骤、填充第二多个凹部1124的步骤、或者填充第一多个凹部和第二多个凹部两者的步骤还包括：将相应的可固化Dk组合物的可流动电介质膜压印到对应的凹部中。

在实施方式中，按压和至少部分地固化1110可固化第一Dk组合物1506的步骤、按压和至少部分地固化1130可固化第二Dk组合物1526的步骤、或者按压和至少部分地固化可固化第一Dk组合物和可固化第二Dk组合物两者的步骤包括：将相应的可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

在方法1100的实施方式中，第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

在方法1100的实施方式中，可固化第一Dk组合物1506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法1100的实施方式中，可固化第一Dk组合物1506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法1100的实施方式中，给定Dk模版1514、1540的3D形状具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如，参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在本文公开的任何实施方式中，衬底可以是晶片例如硅晶片，或者适合于本文公开的目的任何其他电子衬底。

下面共同地特别参照图2A、图2B和图2C对用于制造Dk EM结构2500的示例方法2100进行描述，其中图2A描绘了方法步骤2102、2106、2108、2110、2112和2114以及所得DkEM结构2500的阵列2501，图2B描绘了方法步骤2117以及所得Dk EM结构2500。

在实施方式中并且特别参照图2A，制造具有一个或更多个第一电介质部分1DP2512的Dk EM结构2500的示例方法2100包括以下步骤：提供2102第一模具部分2502的步骤，第一模具部分具有被布置成阵列的第一多个凹部2504中的基本相同的凹部并且被配置成形成多个1DP 2512，第一模具部分2502还具有将多个凹部2504中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道2104；用可固化Dk组合物2506填充2106第一多个凹部2504和相对薄的连接通道2104的步骤，可固化Dk组合物2506完全固化后具有大于空气的介电常数的平均介电常数；将第二模具部分2508放置2108在第一模具部分2502的顶部上的步骤，其中可固化Dk组合物2506设置在它们之间；将第二模具部分2508朝向第一模具部分2502按压2110并且至少部分地固化可固化Dk组合物2506的步骤；相对于第一模具部分2502分离2112第二模具部分2508的步骤；以及从第一模具部分2502去除2114至少部分固化的Dk组合物2506使得得到具有至少部分固化的Dk组合物2506的至少一个Dk模版2510的步骤，至少一个Dk模版2510中的每一个具有由第一多个凹部2504和互连的多个相对薄的连接通道2104限定的三维3D形状，由第一多个凹部2504限定的3D形状提供了EM结构2500，该EM结构2500具有经由相对薄的连接结构2514互连的多个1DP 2512，该相对薄的连接结构经由填充的互连的多个相对较薄的连接通道2104的通道形成。

在实施方式中并且仍然特别参照图2A，第二模具部分2508包括至少一个凹部2116，所述至少一个凹部2116被设置用于向至少一个Dk模版2510提供对准特征2516，其中，将第二模具部分2508朝向第一模具部分2502按压2110的步骤还包括：将可固化Dk组合物2506的一部分移位到至少一个凹部2116中。

在实施方式中并且结合图2A特别参照图2B，第一模具部分2502还包括至少一个第一突起2118，所述至少一个第一突起2118被设置用于向至少一个Dk模版2510提供对准特征(未具体示出，但是将被本领域技术人员理解为由突起2118形成的连接结构2514中的开口)，其中，将第二模具部分2508朝向第一模具部分2502按压2110的步骤还包括：使可固化Dk组合物2506的一部分围绕至少一个第一突起2118移位。

在实施方式中并且特别参照图2A，第一模具部分2502和第二模具部分2508中的至少一个包括围绕多个凹部2504的子集的分割突起2120，以用于提供阵列2501形式的分割面板集，其中，将第二模具部分2508朝向第一模具部分2502按压2110的步骤还包括：使可固化Dk组合物2506的一部分移位远离第一模具部分2502与第二模具部分2508之间的靠近分割突起2120的面对面接触。

在实施方式中并且结合图2A和图2B特别参照图2C，第一模具部分2502还包括第二多个凹部2122，如在第一模具部分2502的自上而下的平面图中观察到的，第二多个凹部2122中的每个凹部被设置成与第一多个凹部2504中的凹部一一对应并且基本上围绕第一多个凹部2504中的对应凹部，以用于针对至少一个Dk模版2510中的给定1DP 2512提供至少一个Dk隔离部2518(参见图2B)。在实施方式中，Dk隔离部2518形成围绕1DP 2512的对应1DP的Dk组合物2506的连续环。在实施方式中，Dk模版2510是Dk组合物2506的单片，其包括多个1DP 2512、相对薄的连接结构2514和至少一个Dk隔离部2518的整体形成的布置。

在实施方式中并且结合图2A和图2B仍然特别参照图2C，第一模具部分2502还包括被设置成与第二多个凹部2122中的凹部一一对应的多个第二突起2124，每个第二突起2124居中地设置在第二多个凹部2122中的对应凹部内并且基本上围绕第一多个凹部2504中的对应凹部，以针对至少一个Dk模版2510中的给定1DP 2512提供对应的增强Dk隔离部2520。在实施方式中，增强Dk隔离部2520形成围绕1DP 2512的对应1DP的Dk组合物2506的连续环。在实施方式中，Dk模版2510是Dk组合物2506的单片，其包括多个1DP 2512、相对薄的连接结构2514和对应的增强Dk隔离部2520的整体形成的布置。

在实施方式中并且结合图2A和图2B仍然特别参照图2C，第二模具部分2508还包括被设置成与第一模具部分2502的第二多个凹部2122中的凹部一一对应的多个第三突起2126，每个第三突起2126居中地设置在第一模具部分2502的第二多个凹部2122中的对应凹部内并且基本上围绕第一模具部分2502的第一多个凹部2504中的对应凹部，以针对至少一个Dk模版2510中的给定1DP 2512提供增强Dk隔离部2522。在实施方式中，增强Dk隔离部2522形成围绕1DP 2512的对应1DP的Dk组合物2506的连续环。在实施方式中，Dk模版2510是Dk组合物2506的单片，其包括多个1DP 2512、相对薄的连接结构2514和对应的增强Dk隔离部2522的整体形成的布置。

在实施方式中，包括至少部分地固化可固化第一Dk组合物2506的步骤2110包括：将可固化Dk组合物2506在等于或大于约170摄氏度的温度下加热持续等于或大于约1小时的持续时间。

在实施方式中，方法2100在从第一模具部分2502去除2114至少部分固化的Dk组合物2506的步骤之后还包括：完全固化至少一个Dk模版2510，并且将粘合剂2524施加到所述至少一个Dk模版2510的背部。

在实施方式中，可固化Dk组合物2506的平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

在方法2100的实施方式中，可固化第一Dk组合物2506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在实施方式中，可固化第一Dk组合物2506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法2100的实施方式中，多个1DP 2512中的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如，参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在实施方式中并且结合图2A特别参照图2B，方法2100还包括：提供衬底2526并且将至少一个Dk模版2510放置2117在衬底2526上。

在实施方式中，衬底2526可以包括以下中的一个或更多个：Dk层；金属层；Dk层与金属层的组合；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与多个填充的凹部中的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。

在实施方式中，将至少一个Dk模版2510放置在衬底2526上的处理还包括：将对准特征2516与衬底2526上的对应接收特征(一般由所示衬底2526的虚线中的开口描绘)对准，并且经由粘合剂2524将至少一个Dk模版2510粘附到衬底2526。

下面共同地特别参照图3A和3B对用于制造Dk EM结构3500的示例方法3100进行描述，其中图3A以通过多个凹部3504中的对应凹部的中心的截面正视图描绘了方法步骤3102、3104、3106、3107、3108和3110以及所得到的Dk EM结构3500，并且图3B描绘了包括方法步骤3120和3122的制造处理。

在实施方式中并且特别参照图3A，制造Dk EM结构3500的示例方法3100包括以下步骤：提供Dk材料片材3502的步骤；在Dk材料片材3502中形成3104被布置成阵列的多个凹部3504中的基本相同凹部的步骤，其中Dk材料片材3502的非凹部部分形成设置在多个凹部3504的各个凹部之间的连接结构3505，在实施方式中，多个凹部3504的每个凹部是具有环绕壁的袋凹部；用可固化Dk组合物3506填充3106多个凹部3504的步骤，该可固化Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数，其中，Dk材料片材3502具有与第一平均介电常数不同的第二平均介电常数；以及至少部分地固化3107可固化Dk组合物3506的步骤。

在方法3100的实施方式中，第二平均介电常数小于第一平均介电常数。

在实施方式中并且仍然特别参照图3A，方法3100还包括：在至少部分地固化3107可固化Dk组合物的步骤之后将Dk材料片材3502切割3108成单独的片块(tile)3508的步骤，每个片块3508具有其中具有至少部分固化的Dk组合物3506的多个凹部3504的子集的阵列，其中连接结构3505的一部分设置在其间。

在实施方式中，形成3104的步骤包括：以自上而下的方式冲压或压印多个凹部3504。

在实施方式中，形成3104的步骤包括：以自下而上的方式压纹得到多个凹部3504。

在实施方式中，填充3106的步骤包括：将可流动形式的可固化Dk组合物3506浇注和刮刷到多个凹部3504中。

在实施方式中，形成3104的步骤还包括从Dk材料片材3502的第一侧在片材3502中形成多个凹部3504中的基本相同的凹部，多个凹部3504中的每一个具有深度H5，并且还包括：从片材3502的第二相对侧形成3110与多个凹部3504一一对应的多个凹陷3510的步骤，多个凹陷3510中的每一个具有深度H6，其中，H6等于或小于H5。

在实施方式中，多个凹部3504中的每一个是袋凹部，并且多个凹陷3510中的每一个在多个凹部3504中的每个对应的凹部中形成具有周围侧壁3511的盲袋，使得每个袋凹部3504内的Dk组合物3506围绕对应的居中设置的凹陷3510。

在实施方式中，多个凹陷3510中的每一个相对于多个凹部3504中的对应凹部被居中设置。

在实施方式中，至少部分地固化3107可固化Dk组合物3506的步骤包括：将Dk组合物3506在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

在实施方式中，提供3102的步骤包括提供呈平坦形式的Dk材料片材3502；并且填充3106的步骤包括一次一个或多于一个凹部3504地填充平坦形式片材的多个凹部3504。

在实施方式中并且结合图3A特别参照图3B，提供3102的步骤包括在辊3520上提供3120Dk材料片材3502，以及针对随后的形成3104的步骤展开3122Dk材料片材3502。

在实施方式中并且结合图3A特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：在Dk材料3502的辊3520的下游提供图案辊3522和相对的压辊3524的步骤；在图案辊3522的下游提供Dk组合物3506的分配器单元3526的步骤；在分配器单元3526下游提供固化单元3528的步骤；以及在固化单元3528的下游提供整理辊3530的步骤。

在实施方式中并且结合图3A仍然特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：在图案辊3522的下游和分配器单元3526的上游提供第一张紧辊3532的步骤；以及在第一张紧辊3532的下游和固化单元3528的上游提供第二张紧辊3534的步骤。

在实施方式中并且结合图3A仍然特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：提供被设置成与第二张紧辊3534协作并与第二张紧辊3534相对的刮刷单元3536的步骤。

在实施方式中并且结合图3A仍然特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：从Dk材料辊3520展开3122Dk材料片材3502的步骤；使展开的Dk材料片材3502在图案辊3522与相对的压辊3524之间通过的步骤，由此发生在片材中形成3104(参见图3A)被布置成阵列的多个凹部3504中的基本相同的凹部以得到图案化片材3512的步骤；使图案化片材3512通过分配器单元3526附近的步骤，由此发生用可固化Dk组合物3506填充3106(参见图3A)多个凹部3504以得到填充的图案化片材3514的步骤；使填充的图案化片材3514通过固化单元3528附近的步骤，由此发生至少部分地固化3107可固化Dk组合物3506以得到至少部分固化的片材3518的步骤；以及使至少部分固化的片材3518通过整理锟3530以进行后续处理的步骤。

在实施方式中并且结合图3A仍然特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：在使图案化片材3512通过分配器单元3526附近的步骤之前，使图案化片材3512与第一张紧辊3532接合的步骤，在实施方式中第一张紧辊的位置可调节以控制图案化片材3512的过程中张紧(in-process tension)；以及在使填充的图案化片材3514通过固化单元3528附近的步骤之前，使填充的图案化片材3514与第二张紧辊3534接合的步骤，在实施方式中第二张紧辊的位置可调节以控制填充的图案化片材3514的过程中张紧。

在实施方式中并且结合图3A仍然特别参照图3B，方法3100还包括以下步骤：在使填充的图案化片材3514通过固化单元3528附近的步骤之前，使填充的图案化片材3514与刮刷单元3536和相对的第二张紧辊3534接合以得到填充且刮刷的图案化片材3516的步骤。

在方法3100的实施方式中，可固化Dk组合物3506的第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

在方法3100的实施方式中，可固化第一Dk组合物3506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法3100的实施方式中，可固化第一Dk组合物3506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法3100的实施方式中，多个凹部中的每个凹部3504具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状(参见图16B，例如以及本文考虑的其他示例形状)。

下面共同地特别参照图4A、图4B、图4C和图4D对示例Dk EM结构4500进行描述，其中图4A描绘了Dk EM结构4500的替选形式的截面正视图，图4B和图4C描绘了代替Dk EM结构4500的截面正视图的Dk EM结构4500.1和4500.2的截面正视图，并且图4D描绘了Dk EM结构4500、4500.1、4500.2的自上而下的平面图。

在实施方式中并且特别参照图4A，示例Dk Em结构4500包括：至少一个Dk部件4520，其具有不同于空气的具有第一平均介电常数的Dk材料；以及不透水层4504，其共形地设置在至少一个Dk部件4520的暴露表面的至少一部分上。在实施方式中，不透水层4504共形地设置在至少一个Dk部件4520的至少暴露的上表面上，并且还可以共形地设置在至少一个Dk部件4520的暴露的最外侧表面上(参照图4A)。在实施方式中，不透水层4504共形地设置在至少一个Dk部件4520的所有暴露表面上。在实施方式中，不透水层4504等于或小于30微米，替选地等于或小于10微米，进一步替选地等于或小于3微米，又进一步替选地等于或小于1微米。在实施方式中，不透水层4504能够承受等于或大于280摄氏度的焊接温度。在实施方式中，用防水层(在本文中也用附图标记4504表示)代替不透水层4504。在实施方式中，不透水层或防水层包括：氮化物、氮化硅、丙烯酸酯、具有可选添加剂(例如一氧化硅(SiO)、氧化镁(MgO)等)的丙烯酸酯层、聚乙烯或疏水性聚合物基材料。

如本文所使用的，短语“具有不同于空气的Dk材料”必然包括不是空气的Dk材料，但是还可以包括包含泡沫的空气。如本文所使用的，短语“包括空气”必然包括空气，但是也不排除不是包含泡沫的空气的Dk材料。此外，术语“空气”更一般地可以被称为并且被认为是具有适合于本文所公开的目的的介电常数的气体。

在实施方式中并且仍然特别参照图4A，至少一个Dk部件4520包括被布置成x乘y布置的多个Dk部件4520，以形成Dk部件4520的阵列(未在图4A中具体描绘但是本领域技术人员参照至少图8可以理解的图4A中描绘的被布置成阵列的多个Dk部件4520)。

在实施方式中并且仍然特别参照图4A，多个Dk部件4520中的每一个经由相对薄的连接结构4528物理地连接至多个Dk部件4520的至少另一个Dk部件，与多个Dk部件4520中的一个Dk部件的整体外部尺寸相比，每个连接结构4528相对较薄，每个连接结构4528具有小于相应的连接的Dk部件4520的总高度H1的截面总高度H0并且由Dk部件4520的Dk材料形成，每个相对薄的连接结构4528和多个Dk部件4520形成单个单片(一般地也由附图标记4520表示)。在实施方式中，相对薄的连接结构4528包括与单片4520整体形成的至少一个对准特征4508。在实施方式中，至少一个对准特征4508可以是以下中的任一个：突起、凹部、孔或前述对准特征的任何组合。

在实施方式中并且仍然特别参照图4A，Dk部件4520的阵列包括被设置成与多个Dk部件4520中的每个Dk部件一一对应的多个Dk隔离部4510，每个Dk隔离部4510被设置成基本上围绕多个Dk部件4520中的对应Dk部件。在实施方式中，每个Dk隔离部4510形成围绕Dk部件4520中的对应Dk部件的连续环。在实施方式中，多个Dk隔离部4510中的每一个具有等于或小于多个Dk部件4520的高度H1的高度H2。在实施方式中，Dk隔离部4510中的每一个包括中空内部部分(参见图2C的增强Dk隔离部2520、2522)。在实施方式中，中空内部在顶部处开口(参见图2C的增强Dk隔离部2520)或者在底部处开口(参见图2C的Dk隔离部2522)。在实施方式中，多个Dk隔离部4510经由相对薄的连接结构4528与多个Dk部件4520整体地形成，以形成单片。

在实施方式中并且仍然特别参照图4A，至少一个Dk部件4520中的每个Dk部件包括第一电介质部分4522 1DP，并且还包括多个第二电介质部分4532 2DP，多个2DP中的每个2DP 4532具有不同于空气的具有第二平均介电常数的Dk材料；其中，每个1DP 4522具有近端4524和远端4526；其中，每个2DP 4532具有近端4534和远端4536，给定2DP 4532的近端4534被设置成靠近对应1DP 4522的远端4526，给定2DP 4532的远端4536被设置成远离对应1DP 4522的远端4526限定距离；并且其中，第二平均介电常数小于第一平均介电常数。在实施方式中并且如在侧截面视图中观察到的(参见图4A)，每个1DP 4522具有总高度H1，并且每个2DP 4532具有总高度H3，其中H3大于H1，并且其中给定2DP 4532的远端4536

在实施方式中，每个2DP 4532经由相对薄的连接结构4538与2DP 4532中的相邻2DP整体地形成，以形成具有相对薄的连接结构4538的2DP 4532的单片。

在Dk EM结构4500的实施方式中，第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

在Dk EM结构4500的实施方式中并且特别结合图4B的Dk EM结构4500.1参照图4A的Dk EM结构4500，至少一个Dk部件4520的每一个包括具有高度H1的第一电介质部分45221DP，并且还包括具有高度H3的第二电介质部分2DP 4532，第二电介质部分具有不同于空气的具有第二平均介电常数的Dk材料；其中，2DP 4532的Dk材料包括多个凹部4533，多个凹部中的每个凹部4533用1DP 4522的对应1DP的Dk材料填充；其中，2DP 4532中的每一个基本围绕1DP 4522的对应1DP；并且其中，第二平均介电常数小于第一平均介电常数。在实施方式中，如在Dk EM结构4500的平面图中观察到的，2DP 4532中的每一个形成比围绕1DP 4522中的对应1DP的1DP 4522的Dk材料相对更低的Dk材料的连续环。在图4B的Dk EM结构4500、4500.1的实施方式中，H1等于H3。

在Dk EM结构4500的替选实施方式中并且结合图4C的Dk EM结构4500.2特别参照图4A的Dk EM结构4500，2DP 4532包括从属于1DP 4522中的每一个的相对薄的连接结构4538，其中，2DP 4532和相对薄的连接结构4538形成单片，并且其中，H1小于H3。

在Dk EM结构4500.1和4500.2的实施方式中，不透水层4504共形地设置在阵列的所有暴露表面上。

在Dk EM结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

在Dk EM结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，具有第一平均介电常数的Dk材料包括包含Dk颗粒材料的至少部分固化的树脂。在Dk结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，Dk颗粒材料还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在Dk结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，至少一个Dk部件的每个Dk部件4520具有如在x-y平面截面图中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，并且例如本文考虑的其他形状)。在Dk结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，至少一个Dk部件的每个Dk部件4520是电介质谐振器天线DRA。在Dk结构4500、4500.1和4500.2的实施方式中，多个2DP中的每个2DP 4532是电介质透镜或波导。

图4C描绘了Dk EM结构4500、4500.2的侧截面视图，并且图4D描绘了具有被多个2DP 4532围绕的被布置成阵列的多个1DP 4522的Dk EM结构4500、4500.2的自上而下的平面图(其可以是如实线所示的矩形，或者如虚线所示的圆形，或者适合于本文公开的目的的任何其他形状)。

下面共同地特别参照图5A和图5B对制造Dk EM结构5500的示例方法5100进行描述，其中图5A描绘了方法步骤5102、5104、5106、5108、5110、5112、5114、5116、5120以及DkEM结构5500的所得阵列5501，并且图5B描绘了所得到的示例Dk EM结构5500。

在实施方式中并且共同特别参照图5A和图5B，Dk EM结构5500具有多个第一电介质部分5510 1DP以及被设置成与多个1DP 5510的给定1DP一一对应的多个第二电介质部分5520 2DP，多个1DP的每个1DP 5510具有近端5512和远端5514，在x-y平面截面图中观察到的给定1DP 5510的远端5514的截面小于在x-y平面截面中观察到的给定1DP 5510的近端5512的截面，制造Dk EM结构5500的示例方法5100包括以下步骤：提供5102支承模版5502的步骤；提供5104被布置成至少一个阵列的2DP 5520的多个整体成形的2DP并且将多个2DP5520放置5106在支承模版5502上的步骤，多个2DP 5520是被至少部分地固化的Dk材料，多个2DP中的每个2DP 5520包括近端5522和远端5524，给定2DP 5520的每个近端5522包括具有盲端的居中设置的凹陷5526，其中，多个2DP 5520中的每个凹陷5526被配置成在被填充时形成多个1DP 5510中的对应1DP；将可流动形式的可固化Dk组合物5506填充5108到多个2DP 5520的凹陷5526中的步骤，Dk组合物在完全固化时具有第一平均介电常数，第一平均介电常数大于多个2DP 5520在完全固化时的第二平均介电常数；刮刷5110整个支承模版5502的上侧和多个2DP 5520的近端5522以去除任何过量的可固化Dk组合物5506以使Dk组合物5506至少与多个2DP中的每个2DP 5520的近端5522齐平的步骤；至少部分地固化5112可固化Dk组合物5506以形成多个lDP 5510的至少一个阵列5501的步骤；从支承模版5502去除5120所得组件5530的步骤，所得到的组件5530包括2DP 5520的至少一个阵列5501，其中2DP中形成有1DP 5510的至少一个阵列5501。

在方法5100的实施方式中，支承模版5502包括围绕多个2DP 5520的至少一个阵列5501中的给定阵列的凸起壁5504，并且其中，填充5108和刮刷5110的步骤还包括：将可流动形式的可固化Dk组合物5506填充5114到多个2DP 5520的凹陷5526中并且直到支承模版5502的凸起壁5504的上边缘5508以使得多个2DP 5520的凹陷5526被填充并且相关联的多个2DP 5520的近端5522被Dk组合物5506覆盖至特定厚度H6的步骤；以及在支承模版5502的凸起壁5504上刮刷5116以去除任何过量的Dk组合物5506使Dk组合物5506与凸起壁5504的上边缘5508齐平的步骤，其中厚度为H6的Dk组合物5506提供与多个lDP 5510整体形成的连接结构5516(参见图5B)以形成单片。在方法5100的实施方式中，H6约为0.002英寸。

在方法5100的实施方式中，多个整体形成的2DP 5520的至少一个阵列是放置在支承模版5502上的整体形成的2DP 5528的多个阵列中的一个阵列，其中，多个2DP 5520包括热塑性聚合物，多个1DP 5510包括热固性Dk材料5506，并且至少部分固化5112的步骤包括将可固化Dk组合物5506在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。在方法5100的实施方式中，热塑性聚合物是高温聚合物，并且Dk材料5506包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法5100的实施方式中，多个lDP 5510中的每一个和多个2DP 5520中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，并且例如本文考虑的其他示例形状)。

下面共同地特别参照图6A、图6B和图6C对用于制造Dk EM结构6500的示例模具6100进行描述，其中图6A描绘了示例模具6100，图6B描绘了模具6100的单位单元6050，并且图6C描绘了能够从模具6100生产的示例Dk EM结构6500。

在实施方式中并且共同地特别参照图6A、图6B和图6C，Dk EM结构6500包括具有第一平均介电常数的第一区域6510、相对于z轴被径向设置在第一区域外侧并且具有第二平均介电常数的第二区域6520、相对于z轴被径向设置在第二区域外侧并且具有第三平均介电常数的第三区域6530、以及相对于z轴被径向设置在第三区域外侧并且具有第二平均介电常数的第四区域6540，用于制造Dk EM结构6500的示例模具6100包括：多个彼此整体形成或接合以提供连续模具6100的单位单元6050，每个单位单元6050具有：第一部分6110，其被设置并且被配置成形成EM结构6500的第一区域6510；第二部分6120，其被设置并且被配置成形成EM结构6500的第二区域6520；第三部分6130，其被设置并且被配置成形成EM结构6500的第三区域6530；第四部分6140，其被设置并且被配置成形成EM结构6500的第四区域6540；以及第五部分6150，其被设置并且被配置成形成并限定每个单位单元6050的外边界；其中，第一部分6110、第二部分6120、第三部分6130、第四部分6140和第五部分6150全部由单一材料彼此整体地形成以提供单片单位单元6050；其中，第一部分6110和第五部分6150包括单片单位单元6050的单一材料，第二部分6120和第四部分6140不存在单片单位单元6050的单一材料，并且第三部分6130具有不存在和存在单片单位单元6050的单一材料的组合；并且其中，第二部分6120和第四部分6140以及第三部分6130的仅一部分被配置成接收可流动形式的可固化Dk组合物6506。

在模具6100的实施方式中并且结合图6A和图6B特别参照图6C，由模具6100的单位单元6050制成的单个Dk EM结构6500包括：由至少部分固化形式的Dk组合物6506制成的三维3D本体6501，其具有近端6502和远端6504；3D本体6501具有(相对于对应的z轴)基本设置在3D本体6501的中心处的第一区域6510，第一区域6510利用组合物轴向延伸至3D本体6501的远端6504，第一区域6510包括空气；3D本体6501还具有由至少部分固化形式的Dk组合物6506制成的第二区域6520，其中第二平均介电常数大于第一平均介电常数，第二区域6520从3D本体6501的近端6502轴向延伸至远端6504；3D本体6501还具有部分地由至少部分固化形式的Dk组合物6506并且例如部分地由诸如空气的另一电介质制成的第三区域6530，其中，第三平均介电常数小于第二平均介电常数，第三区域6530从3D本体6501的近端6502轴向延伸至远端6504；其中，第三区域6530包括由至少部分固化形式的Dk组合物6506制成的突起6532，突起相对于z轴从第二区域6520径向向外延伸并且与第二区域成整体和单片；其中，突起6532中的每个突起具有如在x-y平面截面中观察到的截面总长度L1和截面总宽度W1，其中LI和W1均小于λ，其中λ是当Dk EM结构6500被电磁激励时Dk EM结构6500的工作波长；并且其中，3D本体6501的至少第二区域6520的所有暴露表面经由模具6100的起模侧壁从3D本体6501的近端6502到远端6504向内起模。在模具6100的实施方式中，由模具6100的单位单元6050制成的单个Dk EM结构6500还包括：3D本体6501的第一区域6510和第二区域6520，第一区域和第二区域分别具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状以及如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状(例如参见图16B，并且例如本文考虑的其他示例形状)。在实施方式中，Dk EM结构6500设置在衬底6508上，该衬底可以是本文公开的任何衬底的形式以用于本文公开的目的。尽管图6C相对于Dk EM结构6500的大小描绘了0至4mm的比例，但是将理解，该比例仅用于说明目的，而不对Dk EM结构6500的物理大小进行限制，Dk EM结构可以是适合于本文公开的目的的任何大小。

根据前述内容，将认识到，Dk EM结构6500的实施方式可以在单个步骤中经由模具/模版6100模制或以其他方式形成在信号馈送板上，相对于用于本文公开的目的的现有Dk EM结构的现有制造方法，预期这将大大减少处理时间和成本。

下面共同地特别参照图7A、图7B、图7C、图7D和图7E对制造Dk EM结构7500的示例方法7100进行描述，其中图7A描绘了方法步骤7102、7104、7106、7108、7110、7112、7114和7116以及所得Dk EM结构7500和其阵列7501，图7B描绘了附加方法步骤7118，图7C描绘了附加方法步骤7120、7122、7124、7126和7128以及所得Dk EM结构7500和其阵列7501，图7D描绘了附加步骤7130，并且图7E描绘了附加方法步骤7132、7134、7136、7138和7140以及所得DkEM结构7500和其阵列7501。

在实施方式中并且特别参照图7A，Dk EM结构7500具有多个第一电介质部分1DP7510，多个1DP中的每个1DP 7510具有近端7512和远端7514，如在x-y平面截面中观察到的，远端7514具有比近端7512的截面积小的截面积，制造Dk EM结构7500的示例方法7100包括以下步骤：提供7102载体7150的步骤；将衬底7530放置7104在载体7150上的步骤；将第一制版掩模7152放置7106在衬底7530上的步骤，第一制版掩模7152具有被布置成至少一个阵列的多个开口7154，每个开口7154具有被配置用于形成1DP 7510中的对应1DP的形状；将第一可流动形式的可固化第一Dk组合物7506填充7108到第一制版掩模7152的开口7154中的步骤，第一Dk组合物7506在固化后具有第一平均介电常数；在第一制版掩模7152的上表面上刮刷7110以去除任何过量的第一Dk组合物7506使剩余的第一Dk组合物7506与第一制版掩模7152的上表面齐平的步骤；至少部分地固化7112可固化第一Dk组合物7506以形成lDP7510的至少一个阵列7501的步骤；去除7114第一制版掩模7152的步骤；以及从载体7150去除7116所得组件7500的步骤，所得组件具有衬底7530以及附接至其的lDP 7510的至少一个阵列7501。

在实施方式中并且结合图7A特别参照图7B和图7C，方法7100还包括以下步骤：在去除7114第一制版掩模7152的步骤之后并且在去除7116衬底7530以及附接至其的1DP7510的至少一个阵列的步骤之前，将第二制版掩模7156放置7118在衬底7530上的步骤，第二制版掩模7156具有由分隔壁7160围绕的开口7158，分隔壁被配置和设置成围绕多个1DP7510的子集以形成1DP的多个阵列7501，其中1DP 7510的每个阵列7501将被包封在第二电介质部分7520 2DP中(参见图7C)；将第二可流动形式的可固化第二Dk组合物7507填充7120到第二制版掩模7156的开口7158中的步骤，第二Dk组合物7507在固化后具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数；在第二制版掩模7156的上表面上刮刷7122以去除任何过量的第二Dk组合物7507使剩余的第二Dk组合物7507与第二制版掩模7156的上表面齐平的步骤；至少部分地固化7124可固化第二Dk组合物7507以形成包封在2DP 7520内的lDP 7510的多个阵列7501的步骤；从包封在2DP 7520中的1DP 7510的多个阵列7501去除7126第二制版掩模7156的步骤；以及从载体7150去除7128所得组件7500的步骤，所得组件具有衬底7530以及附接至其的包封在对应的2DP 7520中的lDP 7510的多个阵列7501。

在实施方式中并且结合图7A至图7C特别参照图7D和图7E，方法7100还包括以下步骤：在去除7114第一制版掩模7152的步骤之后并且在去除7116衬底7530以及附接至其的1DP 7510的至少一个阵列的步骤之前，将第二制版掩模7162放置7130在衬底7530上的步骤，第二制版掩模7162具有：覆盖多个lDP 7510中的对应1DP和各个lDP的覆盖部7164、如在平面图中观察到的围绕多个lDP 7510中的各个lDP的开口7166、以及如在平面图中观察到的围绕多个lDP 7510的子集以形成lDP 7510的多个阵列7501的分隔壁7168，其中多个lDP7510中的每个1DP将被导电结构7516围绕(参见图7E)；将可流动形式的可固化组合物7508填充7132到第二制版掩模7162的开口7166中的步骤，可固化组合物7508在完全固化时是导电的；在第二制版掩模7162的上表面上刮刷7134以去除任何过量的可固化组合物7508使剩余的可固化组合物与第二制版掩模7162的上表面齐平的步骤；至少部分地固化7136可固化组合物7508以形成lDP 7510的多个阵列7501的步骤，其中如在平面图中观察到的每个1DP7510被导电结构7516围绕；从多个阵列7501去除7138第二制版掩模7162的步骤；以及从载体7150去除7140所得组件7500的步骤，所得组件具有衬底7530以及附接至其的lDP 7510的多个阵列7501，其中每个1DP 7510被导电结构7516围绕。

在实施方式中，第一制版掩模7152可以具有垂直的、倾斜的或弯曲的侧壁，以向由第一Dk组合物7506产生的lDP 7510提供任何期望的形状。

在方法7100的实施方式中，可固化第一Dk组合物7506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。在方法7100的实施方式中，可固化第一Dk组合物7506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法7100的实施方式中，多个1DP 7510中的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，并且例如本文考虑的其他示例形状)。

在方法7100的实施方式中，可固化组合物7508包括以下中的任一种：具有金属颗粒的聚合物；具有铜颗粒的聚合物；具有铝颗粒的聚合物；具有银颗粒的聚合物；导电墨；碳墨；或前述可固化组合物的组合。

在方法7100的实施方式中，导电结构7516具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状(例如参见图16B，并且例如本文考虑的其他示例形状)。

在方法7100的实施方式中，衬底7530包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

下面特别参照图8对制造Dk EM结构8500的示例方法8100进行描述。尽管在本文中下面关于图8描述了方法8100和Dk EM结构8500，但是将理解，同一方法可以适用于前述方法1100、2100、3100、5100、6100和7100中的任一种，并且所示的Dk EM结构8500可以适用并代表前述DK EM结构1500、2500、3500、4500、5500、6500和7500中的任一种。这样，对图8中的方法8100和Dk EM结构8500的任何参考还应当考虑到图1A至图7E中描绘的任何前述方法和结构来阅读。

在实施方式中，示例方法8100是关于前述方法中的任何方法，其中Dk EM结构8500包括1DP(前述1DP中的任何1DP)的至少一个阵列8501(还参见1501、2501、5501、7501，它们可以代替阵列8501)，其通过面板级处理形成，其中1DP的至少一个阵列的多个阵列8501形成在面板形式的单个Dk EM结构8500(在本文中也称为附图标记8500)上。

在方法8100的实施方式中，面板8500还包括衬底8508(例如参见本文公开的衬底中的任何衬底)或以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

下面共同地特别参照图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F和图9G对制造Dk EM 9500的示例方法9100进行描述，其中图9A描绘了处理步骤9102、9104、9106，图9B描绘了处理步骤9106.1，图9C描绘了处理步骤9106.2，图9D描绘了处理步骤9108、9110、9112、9114以及DkEM结构9500的侧截面视图，图9E描绘了Dk EM结构9500的自上而下的平面图，该Dk EM结构9500具有被多个2DP 9520围绕的被布置成阵列的多个1DP 9510(其可以是如实线所描绘的矩形，或者如虚线所描绘的圆形，或者适合于本文公开的目的的任何其他形状)，图9F描绘了处理步骤9116，并且图9G描绘了替代处理步骤9116的处理步骤9118。

在实施方式中并且特别参照图9A至图9E，Dk EM结构9500(参见图9D和图9E)具有多个第一电介质部分9510 1DP和多个第二电介质部分9520 2DP，每个1DP 9510具有近端9512和远端9514，制造Dk EM结构9500(参见图9D和图9E)的示例方法9100包括以下步骤：提供9102支承模版9150的步骤；将聚合物片材9522设置9104在支承模版9150上的步骤；提供冲压模版9152并且向下9106.1然后向上9106.2冲压9106由支承模版9150支承的聚合物片材9522的步骤，冲压模版9152具有被布置成阵列的多个基本上相同地配置的突起9154，其中，冲压9106致使聚合物片材9522的材料移位，在聚合物片材9522中多个凹陷9524具有被布置阵列的盲端(多个凹陷9524用于形成多个1DP 9510)，以及聚合物片材9522的多个凸起壁9526围绕所多个凹陷9524中的每个凹陷(多个凸起壁9526形成多个2DP 9520)；将可流动形式的可固化Dk组合物9506填充9108到多个凹陷9524中的步骤，其中，多个凹陷中的每个凹陷形成具有第一平均介电常数的多个1DP 9510中的对应1DP，其中，聚合物片材9522具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数，其中，每个1DP 9510的远端9514靠近聚合物片材9522的多个凸起壁9526的上表面9528；可选地去除9110聚合物片材9522的多个凸起壁9526的上表面9528上方的任何过量Dk组合物使Dk组合物9506与多个凸起壁9526的上表面9528齐平的步骤；至少部分地固化9112可固化Dk组合物9506以形成多个lDP 9510的至少一个阵列9501的步骤；从支承模版9150去除9114所得组件9500的步骤，所得组件9500包括具有多个凸起壁9526、多个凹陷9524的冲压的聚合物材料片材9522以及形成在多个凹陷9524中的多个1DP 9510的至少一个阵列9501，其中多个2DP 9520设置在多个1DP 9510周围。

在实施方式中并且结合图9A至图9E特别参照图9F，方法9100还包括以下步骤：提供衬底9530并且将组件9500放置9116在衬底9530上的步骤，其中冲压的聚合物片材9522设置在衬底9530上，使得每个1DP 9510的近端9512被设置成靠近衬底9530并且每个1DP 9510的远端9514被设置在远离衬底9530一定距离处。

在实施方式中并且结合图9A至图9E特别参照图9G，方法9100还包括以下步骤：提供衬底9530并且将组件9500放置9118在衬底9530上的步骤，其中多个1DP 9510的至少远端9514设置在衬底9530上并且多个1DP 9510的近端9512设置在远离衬底9530一定距离处。

在方法9100的实施方式中，衬底9530包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

在方法9100的实施方式中，可固化Dk组合物9506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法9100的实施方式中，可固化Dk组合物9506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法9100的实施方式中，多个1DP 9510的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图6B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法9100的实施方式中，对应2DP 9520的每个凸起壁9526具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法9100的实施方式中，至少部分地固化9112的步骤包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下至少部分地固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

下面共同地特别地参照图10A、图10B、图10C和图10D对制造冲压模版10500的示例方法10100进行描述，其中图10A描绘了方法步骤10102和10104，图10B描绘了方法步骤10105、10108和10110，图10C描绘了方法步骤10112和10114，图10D描绘了方法步骤10116、10118和10120以及所得冲压模版10500。

在实施方式中并且特别参照图10A至图10D，示例方法10100是用于制造冲压模版10500(参见图10D)以用于制造经由冲压模版形成的任何前述Dk EM结构(例如Dk EM结构9500)，方法10100包括以下步骤：提供10102衬底10150的步骤，衬底的顶部上具有金属层10152，金属层10152覆盖衬底10150；将光致抗蚀剂10154设置10104在金属层10152的顶部上并覆盖金属层10152的步骤；将光掩模10156设置10106在光致抗蚀剂10154的顶部上的步骤，光掩模10156具有被布置成阵列的多个基本相同配置的开口10158，从而提供暴露的光致抗蚀剂10160；将至少暴露的光致抗蚀剂10160暴露10108于EM辐射10109的步骤；从金属层10152去除10110经受EM辐射10109曝光10108的暴露的光致抗蚀剂10160以使得在被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂10164中得到多个基本相同配置的袋10162的步骤；将金属涂层10510施加10112到其中具有多个袋10162的剩余光致抗蚀剂10164的所有暴露表面的步骤；用适合冲压的金属10512填充10114多个袋10162并且覆盖剩余的金属涂覆的光致抗蚀剂10510至相对于金属层10152的顶表面的特定厚度H7的步骤；从金属层10152的底部去除10116衬底10150的步骤；去除10118金属层10152的步骤；以及去除10120剩余的光致抗蚀剂10164得到冲压模版10500的步骤。在实施方式中，用适合冲压的金属10512填充10114包括金属电铸，在实施方式中，金属电铸包括使用现有的金属表面作为种子层来电镀金属。

在方法10100的实施方式中，衬底10150包括以下中的任一种：金属；电绝缘材料；晶片；硅衬底或晶片；二氧化硅衬底或晶片；氧化铝衬底或晶片；蓝宝石衬底或晶片；锗衬底或晶片；砷化镓衬底或晶片；硅和锗的合金衬底或晶片；或磷化铟衬底或晶片；其中，光致抗蚀剂10154为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射10109是X射线或UV辐射；其中，经由金属沉积例如金属蒸发或溅射以多个倾斜角施加金属涂层10510，以实现在所有侧面上的覆盖；其中，适合冲压的金属10512包括镍或镍合金；其中，经由蚀刻或研磨去除10116衬底10150；其中，经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除10118金属层10152；以及其中，经由蚀刻去除10120暴露的光致抗蚀剂10160和剩余光致抗蚀剂10164。

在实施方式中，光致抗蚀剂成还可以是低吸水率的抗蚀剂层(例如，按体积计小于1％的吸水率)。

下面共同地特别参照图11A和图11B对制造Dk EM结构11500的示例方法11100进行描述，其中图11A描绘了方法步骤11102、11104和11106，并且图11B描绘了方法步骤11108、11110、11112、11114、11116、11118、11120和11122以及所得Dk EM结构11500。

在实施方式中并且特别参照图11A和图11B，Dk EM结构11500具有多个第一电介质部分11510 1DP和多个第二电介质部分11520 2DP，制造Dk EM结构11500的示例方法11100包括以下步骤：提供11102支承模版11150的步骤；将光致抗蚀剂11522层设置11104在支承模版11150的顶部上的步骤；将光掩模11152设置11106在光致抗蚀剂11522的顶部上的步骤，光掩模11152具有被布置成阵列的多个基本相同配置的开口11154，从而提供暴露的光致抗蚀剂11524；将至少暴露的光致抗蚀剂11524暴露11108于EM辐射11109的步骤；从支承模版11150去除11110经受EM辐射11109曝光11108的暴露的光致抗蚀剂11524使得在被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂11528中得到多个基本相同配置的开口11526的步骤；将可流动形式的可固化Dk组合物11506填充11112到剩余光致抗蚀剂11528中的多个开口11526中的步骤，其中，多个填充的开口11526提供具有第一平均介电常数的多个lDP 11510中的对应lDP，其中，剩余光致抗蚀剂提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP 11520；可选地去除11114多个2DP 11520的上表面11521上方的任何过量的Dk组合物11506以使Dk组合物11506与多个2DP 11520的上表面11521齐平的步骤；至少部分地固化11116可固化Dk组合物11506以形成多个lDP 11510的至少一个阵列的步骤；以及从支承模版11150去除11118所得组件11500的步骤，所得组件11500具有多个2DP 11520和形成在其中的多个lDP 11510的至少一个阵列。

在实施方式中，方法11100还包括以下步骤：提供11120衬底11530并且将所得组件11500粘附11122至衬底11530的步骤；其中，衬底11530包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；其中，光致抗蚀剂11522为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射11109是X射线或UV辐射；其中，经由蚀刻去除11110暴露的光致抗蚀剂11524和剩余的光致抗蚀剂11528；其中，至少部分地固化11116的步骤包括将可固化Dk组合物11506在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

在方法11100的实施方式中，可固化Dk组合物11506包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法11100的实施方式中，可固化Dk组合物11506还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法11100的实施方式中，多个1DP 11510的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法11100的实施方式中，多个2DP 11520的对应2DP的每个开口11526具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

下面共同地特别参照图12A、图12B和图12C对制造Dk EM结构12500的示例方法12100进行描述，其中图12A描绘了方法步骤12102、12104和12106，图12B描绘了方法步骤12108和12110，并且图12C描绘了方法步骤12112、12114、12116、12118和12120以及所得DkEM结构12500。

在实施方式中并且特别参照图12A至图12C，Dk EM结构12500具有多个第一电介质部分1DP 12510和多个第二电介质部分2DP 12520，制造Dk EM结构12500的示例方法12100包括以下步骤：提供12102衬底12530的步骤；将光致抗蚀剂12512层设置12104在衬底12530的顶部上的步骤；将光掩模12150设置12106在光致抗蚀剂12512的顶部上的步骤，光掩模12150具有被布置成阵列的多个基本相同配置的不透明覆盖部12152，从而在由不透明覆盖部12152覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂12514并且在未由不透明覆盖部12152覆盖的区域中提供暴露的光致抗蚀剂12516；将至少暴露的光致抗蚀剂12516暴露12108于EM辐射12109的步骤；从衬底12530去除12110未暴露的光致抗蚀剂12514以使得得到被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂12518的多个基本相同配置的部分的步骤，剩余光致抗蚀剂的多个基本相同配置的部分形成具有第一平均介电常数的多个1DP 12510中的对应1DP；可选地经由冲压模版(例如参见图13C)将多个lDP中的每个1DP 12510(或剩余的光致抗蚀剂12518)成形12112为具有凸形远端12519的圆顶结构的步骤；将可流动形式的可固化Dk组合物12507填充12114到多个1DP 12510之间的空间12524中的步骤，其中，所填充的空间12524提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP 12520中的对应2DP；可选地去除12116多个lDP 12510的上表面上方的任何过量的Dk组合物以使Dk组合物12507与多个lDP12510的上表面齐平的步骤；至少部分地固化12118可固化Dk组合物12507使得得到呈被多个2DP 12520围绕的多个lDP 12510的至少一个阵列形式的Dk EM结构12500的步骤。

在方法12100的实施方式中，可选地成形12112的步骤包括在引起回流但不固化光致抗蚀剂12518的温度下通过将冲压模版(例如参见图13C)施加到多个lDP 12519来成形，随后至少部分地固化12120成形的多个lDP 12519以保持圆顶形状。

在方法12100的实施方式中，衬底12530包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；其中，光致抗蚀剂12512为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射12109是X射线或UV辐射；其中，经由蚀刻去除12110未暴露的光致抗蚀剂12514；并且其中，至少部分地固化12118的步骤包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

在方法12100的实施方式中，可固化Dk组合物12507包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法12100的实施方式中，可固化Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法12100的实施方式中，多个1DP 12510的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法12100的实施方式中，每个不透明覆盖部12152具有如在x-y平面图中观察到的为圆形的外形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

下面共同地特别参照图13A、图13B和图13C对制造冲压模版13500的示例方法13100进行描述，其中图13A描绘了方法步骤13102、13104，图13B描绘了方法步骤13106、13108、13110，并且图13C描绘了方法步骤13112、13114、13116、13118、13120、13122和13124以及所得冲压模版13500。

在实施方式中，示例方法13100用于制造冲压模版13500以用于制造Dk EM结构12500，并且更具体地用于将多个1DP 12510制成具有凸形远端12519的圆顶结构，方法13100包括以下步骤：提供13102衬底13150的步骤，衬底的顶部上具有金属层13152，金属层13152覆盖衬底13150；将光致抗蚀剂13154层设置13104在金属层13152的顶部上并覆盖金属层13152的步骤；将光掩模13156设置13106在光致抗蚀剂13154的顶部上的步骤，光掩模13156具有被布置成阵列的多个基本相同配置的不透明覆盖部13158，从而在由不透明覆盖部13158覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂13160并且在未由不透明覆盖部13158覆盖的区域中提供暴露的光致抗蚀剂13162；将至少暴露的光致抗蚀剂13162暴露13108于EM辐射13109的步骤；从金属层13152去除13110经受EM辐射13109曝光13108的暴露的光致抗蚀剂13162以使得得到被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂13164的多个基本相同配置的部分的步骤；在引起回流但不固化光致抗蚀剂13164的温度下通过将成形模版(例如参见图15B中的冲压模版15500)施加到剩余光致抗蚀剂13164的多个基本相同配置部分的每一个来成形13112以形成成形的光致抗蚀剂13166，随后至少部分地固化13114剩余光致抗蚀剂的成形的多个基本相同配置的部分以维持多个基本相同形成的形状13166的步骤，在实施方式中形成的形状13166是具有凸形远端的圆顶结构；将金属涂层13168施加13116到具有基本相同形成的形状13166的剩余光致抗蚀剂的所有暴露表面的步骤；用适合冲压的金属13172填充13118基本相同形成的形状13166之间的空间13170并且覆盖剩余的金属涂覆的光致抗蚀剂至相对于金属层13152的顶表面的特定厚度H7的步骤；从金属层13152的底部去除13120衬底13150的步骤；去除13122金属层13152的步骤；以及去除13124剩余的光致抗蚀剂13166以得到冲压模版13500的步骤。

在方法13100的实施方式中，衬底13150包括以下中的任一种：金属；电绝缘材料；晶片；硅衬底或晶片；二氧化硅衬底或晶片；氧化铝衬底或晶片；蓝宝石衬底或晶片；锗衬底或晶片；砷化镓衬底或晶片；硅和锗的合金衬底或晶片；或磷化铟衬底或晶片；其中，光致抗蚀剂13154为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射13108是X射线或UV辐射；其中，经由金属沉积施加金属涂层13168；其中，适合冲压的金属13172包括镍；其中，经由蚀刻或研磨去除13120衬底13150；其中，经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除13122金属层13152；并且其中，经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂13162和剩余的光致抗蚀剂13166。

下面共同地特别参照图14A和图14B对制造Dk EM结构14500的示例方法14100进行描述，其中图14A描绘了方法步骤14102、14104、14106、14108，并且图14B描绘了方法步骤14110、14112、14114和14116以及所得Dk EM结构14500。

在实施方式中，Dk EM结构14500具有多个第一电介质部分1DP 14510和多个第二电介质部分2DP 14520，制造Dk EM结构14500的示例方法14100包括以下步骤：提供14102衬底14530的步骤；将光致抗蚀剂14512层设置14104在衬底14530的顶部上的步骤；将灰度光掩模14150设置14106在光致抗蚀剂14512的顶部上的步骤，灰度光掩模14150具有被布置成阵列的多个基本相同配置的覆盖部14152，灰度光掩模14150的覆盖部14152具有径向向外过渡到部分半透明外区域14156的不透明轴向中心区域14154，从而在由不透明中心区域14154覆盖的区域中提供基本未暴露的光致抗蚀剂14513、在由部分半透明区域14156覆盖的区域中提供部分暴露的光致抗蚀剂14514并且在完全未由覆盖部14152覆盖的区域中提供完全暴露的光致抗蚀剂14515；将灰度光掩模14150和完全暴露的光致抗蚀剂14515暴露14108于EM辐射14109的步骤；去除14110经受EM辐射14109曝光14108的部分暴露的光致抗蚀剂14514和完全暴露的光致抗蚀剂14515以使得得到被布置成阵列的多个基本相同形状模版的剩余光致抗蚀剂14516的步骤，剩余光致抗蚀剂形成具有第一平均介电常数的多个1DP 14510，在实施方式中，成形的模版14516是具有凸形远端的圆顶结构；将可流动形式的可固化Dk组合物14507填充14112到多个1DP 14510之间的空间14522中的步骤，其中，所填充的空间提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP 14520中的对应2DP；可选地去除14114多个lDP 14510的上表面上方的任何过量的Dk组合物14507以使Dk组合物14507与多个lDP 14510的上表面齐平的步骤；至少部分地固化14116可固化Dk组合物14507以使得得到组件14500的步骤，组件14500具有衬底14530和具有由设置在衬底14530上的多个2DP 14520围绕的基本相同形状模版14516的多个lDP 14510的至少一个阵列的组件14500。在实施方式中，光致抗蚀剂14512是例如可以不填充或填充有陶瓷填料的相对高的Dk材料(第一平均介电常数)。

在方法14100的实施方式中，衬底14530包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；其中，光致抗蚀剂14512为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射14109是X射线或UV辐射；其中，经由蚀刻去除14110部分14514和完全14515暴露的光致抗蚀剂；其中，至少部分地固化14116的步骤包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

在方法14100的实施方式中，可固化Dk组合物14507包括可固化树脂，优选地其中，可固化树脂包括Dk材料。

在方法14100的实施方式中，可固化Dk组合物14507还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

在方法14100的实施方式中，多个1DP 14510中的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法14100的实施方式中，多个1DP 14510的每个1DP具有以下中的任一个：圆顶形状；圆锥形状；截头圆锥形状；圆柱形状；环形状；或矩形形状(例如参见图16A，以及本文考虑的其他示例形状)。

下面共同地特别参照图15A和图15B对制造冲压模版15500的示例方法15100进行描述，其中图15A描绘了方法步骤15102、15104、15106、和15108，并且图15B描绘了方法步骤15110、15112、15114、15116、15118和15120以及所得冲压模版15500。

在实施方式中，示例方法15100用于制造冲压模版15500以用于制造Dk EM结构12500，方法15100包括以下步骤：提供15102衬底15150的步骤，该衬底的顶部上具有金属层15152，金属层15152覆盖衬底15150；将光致抗蚀剂15154层设置15104在金属层15152的顶部上并覆盖金属层15152的步骤；将灰度光掩模15156设置15106在光致抗蚀剂15154的顶部上的步骤，灰度光掩模15156具有被布置成阵列的多个基本相同配置的覆盖部15158，灰度光掩模15156的覆盖部15158具有径向向外过渡到部分半透明外区域15162的不透明轴向中心区域15160，从而在由不透明区域15160覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂15164、在由部分半透明区域15162覆盖的区域中提供部分暴露的光致抗蚀剂15166并且在未由覆盖部15158覆盖的区域中提供完全暴露的光致抗蚀剂15168；将灰度光掩模15156和完全暴露的光致抗蚀剂15168暴露15108于EM辐射15109的步骤；去除15110经受EM辐射15109曝光15108的部分15166和完全15168暴露的光致抗蚀剂以使得得到被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂15172的多个基本相同形状的模版15170的步骤，在实施方式中，成形的模版15170是具有凸形远端的圆顶结构；将金属涂层15502施加15112到具有基本相同形状的模版15170的剩余光致抗蚀剂15172的所有暴露表面；用适合冲压的金属15506填充15114金属涂覆的基本相同形状的模版15504之间的空间15174并且覆盖金属涂覆的基本相同形状的模版15504至相对于金属层15152的顶表面的特定厚度H7的步骤；从金属层15152的底部去除15116衬底15150的步骤；去除15118金属层15152的步骤；以及去除15120剩余光致抗蚀剂15170以得到冲压模版15500的步骤。

在方法15100的实施方式中，衬底15150包括以下中的任一种：金属；电绝缘材料；晶片；硅衬底或晶片；二氧化硅衬底或晶片；氧化铝衬底或晶片；蓝宝石衬底或晶片；锗衬底或晶片；砷化镓衬底或晶片；硅和锗的合金衬底或晶片；或磷化铟衬底或晶片；光致抗蚀剂15154为正性光致抗蚀剂；EM辐射15109是X射线或UV辐射；经由金属沉积施加金属涂层15502；适合冲压的金属15504包括镍；经由蚀刻或研磨去除衬底15150；经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除金属层15152；以及经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂15168和剩余光致抗蚀剂15170。

在方法15100的实施方式中，多个基本相同形状的模版15170中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状(例如参见图16B，以及本文考虑的其他示例形状)。

在方法15100的实施方式中，多个基本相同形状的模版15170、15504中的每一个具有以下中的任一个：圆顶形状；圆锥形状；截头圆锥形状；圆柱形状；环形状；或矩形形状(例如参见图16A，以及本文考虑的其他示例形状)。

从上述对用于制造本文所公开的示例Dk EM结构的方法步骤的描述中，应当理解，除了本文所公开的或被认为适于本文所公开的目的任何其他方法以外，在本文公开第一模具部分和第二模具部分的情况下，可以采用注射成型或压缩成型方法。

现在参照图16A和图16B。尽管本文公开的某些实施方式描绘了具有圆柱形或圆顶形3D形状的Dk EM结构，但是应当理解，这仅是为了说明和讨论的目的，并且本文公开的任何Dk EM结构可以具有适于本文公开的目的的任何3D形状，并且可以具有适于本文公开的目的如在x-y平面截面中观察到的任何2D截面形状。作为示例而非限制，图16A描绘了以下非限制性3D形状：圆顶形状1602；圆锥形状1604；截头圆锥形状1606；圆柱形状1608；环形状1610；同心环形状1612；例如具有中心孔或空隙的圆柱体1614的任何形状；可以例如用单个或多个冲压、压纹或光刻工艺形成的堆叠在彼此上的任何形状，其为堆叠的圆柱形状1616、堆叠的矩形形状1518、或适于本文所公开的目的任何其他形状或堆叠的形状。作为示例而非限制，图16B描绘了以下非限制性2D x-y平面截面形状：圆形形状1652；圆柱形状1654；椭圆形状1656；矩形形状1658；正方形1660；三角形1662；五边形1664；六边形1666；八边形1668或适于本文所公开的目的的任何形状。

除了本文公开的Dk EM结构的所有前述描述之外，并且为了公开内容的完整性，应当理解，可以用作用于本文公开的目的的信号馈送的前述衬底1508、2526、6508、7530、8508、9530、11530、12530和14530中的任一个可以呈以下中的任一种形式(本文中也由上述附图标记中的对应附图标记表示)：Dk层或电介质面板；金属层或金属面板；Dk层与金属层的组合；电介质面板与金属面板的组合；包括被设置成与多个1DP或DRA中的给定1DP或DRA一一对应的多个插槽孔的金属面板；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与对应的多个填充凹部的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。特别参考图6C中描绘的衬底6508，本领域的技术人员将认识到，所示的衬底6508描绘了电介质的叠层布置，该电介质设置在两个导电层之间，导电层具有用于电磁激励相关联的1DP或DRA的开槽孔信号馈送结构。

本文公开的任何可固化组合物通常包括可固化聚合物组分和可选的电介质填料，每种均被选择以提供完全固化的材料，该材料具有与本文公开的目的一致的介电常数并且在10千兆赫兹(GHz)、23℃下测得的介电损耗(也称为耗散因子)小于0.01或者小于或等于0.008。在某些方面，介电常数大于10，或大于15，例如10至25或15至25；并且耗散因子在23℃时10GHz频率下小于或等于0.007，或者小于或等于0.006，或0.0001至0.007。耗散因子可以通过IPC-TM-650X波段带状线方法或分离谐振器方法进行测量。

可固化组合物可以是辐射可固化或热可固化。在一些方面中，可固化组合物的组分被选择以具有至少两个不同的固化机制(例如辐射和热固化)或至少两个不同的固化条件(例如较低温度固化和较高温度固化)。可固化组合物的组分可以包括共反应组分，例如单体、预聚物、交联剂等，以及固化剂(包括催化剂、固化加速剂、固化促进剂等)。共反应组分可以包括共反应基团，例如环氧基、异氰酸酯基、含活性氢的基团(例如羟基或伯氨基)、烯键式不饱和基团(例如，乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酸)等。特定的共反应组分的示例包括：1,2-聚丁二烯(PBD)、聚丁二烯-聚异戊二烯共聚物、烯丙基化的聚苯醚(例如OPE-2ST1200或OPE-2ST2200(三菱瓦斯化学公司(Mitsubishi Gas Chemical Co.)市售)或NORYLSA9000(沙特基础创新塑料(Sabic Innovative Plastics)市售))、氰酸酯、三烯丙基氰尿酸酯、三烯丙基异氰脲酸酯、1,2,4-三乙烯基环己烷、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯等。

在一方面中，共反应组分包括丁二烯、异戊二烯或其组合，可选地以及其他共反应单体，例如取代或未取代的乙烯基芳族单体(如苯乙烯、3-甲基苯乙烯、3,5-二乙基苯乙烯、4-正丙基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-甲基乙烯基甲苯、对羟基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、α-氯苯乙烯、α-溴苯乙烯、二氯苯乙烯、二溴苯乙烯、四氯苯乙烯等)，或者取代或未取代的二乙烯基芳族单体(例如二乙烯基苯、二乙烯基甲苯等)。还可以使用共反应单体的组合。衍生自这些单体的聚合的完全固化的组合物是“热固性聚丁二烯或聚异戊二烯”，如本文所使用的，其包括丁二烯均聚物、异戊二烯均聚物和包含衍生自丁二烯、异戊二烯或其组合的单元和可选地共反应单体(例如丁二烯-苯乙烯)、共聚物(例如异戊二烯-苯乙烯共聚物)等。还可以使用组合，例如，聚丁二烯均聚物和聚(丁二烯-异戊二烯)共聚物的组合。还可以使用包括间同立构的聚丁二烯的组合。共反应组分可以包括后反应的预聚物或聚合物，例如环氧、马来酸酐或氨基甲酸酯改性的聚合物或丁二烯或异戊二烯的共聚物。

可以存在其他共反应组分以用于特定的性能或工艺修改。例如，为了提高完全固化的电介质的电介质强度和机械性能的稳定性，可以存在较低分子量的乙烯-丙烯弹性体，即共聚物、三元共聚物或主要包含乙烯和丙烯的其他聚合物。乙烯-丙烯弹性体包括EPM共聚物(乙烯和丙烯单体的共聚物)和EPDM三元共聚物(乙烯、丙烯和二烯单体的三元共聚物)。乙烯-丙烯弹性体的分子量可以小于10000克每摩尔(g/mol)粘均分子量(Mv)，例如5000至8000g/mol Mv。相对于可固化组合物的总重量，乙烯-丙烯弹性体可以以例如至多20wt％的量存在于可固化组合物中，例如4wt％至20wt％或者6wt％至12wt％，每一种均基于可固化组合物的总重量。

另一类型的可共固化组分是不饱和的含聚丁二烯或聚异戊二烯的弹性体。该组分可以是主要是1,3-加成丁二烯或异戊二烯与烯键式不饱和单体例如乙烯基芳族化合物如苯乙烯或α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸酯如甲基丙烯酸甲酯、或丙烯腈的无规或嵌段共聚物。弹性体可以是固体的热塑性弹性体，其包括具有聚丁二烯或聚异戊二烯嵌段和可以衍生自单乙烯基芳族单体例如苯乙烯或α-甲基苯乙烯的热塑性嵌段的线性或接枝型嵌段共聚物。这种类型的嵌段共聚物包括：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物，例如，可以从得克萨斯州休斯顿的Dexco Polymers以商品名VECTOR 8508M

可选的含聚丁二烯或聚异戊二烯的弹性体还可以包括与上述类似的第二嵌段共聚物，不同之处在于聚丁二烯或聚异戊二烯嵌段被氢化，从而形成聚乙烯嵌段(在聚丁二烯的情况下)或乙烯-丙烯共聚物嵌段(在聚异戊二烯的情况下)。当与上述共聚物结合使用时，可以生产具有更大韧性的材料。这种类型的示例性第二嵌段共聚物是KRATON GX1855(Kraton Polymers市售)，其被认为是苯乙烯-高1,2-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯嵌段共聚物的组合。相对于电介质材料的总重量，含不饱和聚丁二烯或聚异戊二烯的弹性体组分可以以2wt％至60wt％的量存在于可固化组合物中，具体地，为5wt％至50wt％，或者10wt％至40wt％或50wt％。可以针对特定性能或工艺修改而添加的另外其他可共固化的聚合物包括但不限于：乙烯的均聚物或共聚物，例如聚乙烯和环氧乙烷共聚物、天然橡胶；降冰片烯聚合物，例如聚二环戊二烯；氢化苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物和丁二烯-丙烯腈共聚物；不饱和聚酯等。这些共聚物的含量通常小于可固化组合物中总有机组分的50wt％。

还可以针对特定的性能或工艺修改添加可自由基固化的单体，例如，以增加固化后体系的交联密度。可以作为合适的交联剂的示例性单体包括例如二、三或更高烯键式不饱和单体中的至少一种，例如二乙烯基苯、三烯丙基氰尿酸酯、邻苯二甲酸二烯丙基酯或多官能丙烯酸酯单体(例如，宾夕法尼亚州纽敦广场的Sartomer USA的SARTOMER

可以将固化剂添加到电介质组合物中以促进具有烯烃反应性位点的多烯的固化反应。固化剂可以包括：有机过氧化物，例如过氧化二枯基、过苯甲酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧)己烷、α,α-二-双(叔丁基过氧)二异丙基苯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧)己炔-3，或包括前述至少一种的组合。可以使用碳-碳引发剂，例如2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷。固化剂或引发剂可以单独使用或组合使用。基于电介质组合物中聚合物的总重量，固化剂的量可以为1.5wt％至10wt％。

在一些方面中，聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物被羧基官能化。可以使用在分子中具有以下两者的多官能化合物来实现官能化：(i)碳-碳双键或碳-碳三键；以及(ii)包括羧酸、酸酐、酰胺、酯或酰卤的羧基中的至少一个。特定的羧基是羧酸或酯。可以提供羧酸官能团的多官能化合物的示例包括马来酸、马来酸酐、富马酸或柠檬酸中的至少一种。特别地，与马来酸酐加成的聚丁二烯可以用于热固性组合物中。合适的马来酸化的聚丁二烯聚合物可以例如以商品名RICON商购自Cray Valley或Sartomer。

可固化组合物可以包括颗粒电介质材料(填料组合物)，颗粒电介质材料可以被选择以调节介电常数、耗散因子或热膨胀系数中的至少一个。填料组合物可以包括至少一种电介质填料，例如以下中的至少一种：二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

填料组合物可以具有多峰粒度分布，其中，多峰粒度分布的第一模式的峰值是多峰粒度分布的第二模式的峰值的至少七倍。多峰粒度分布可以是例如双峰、三峰或四峰。当存在时，基于可固化组合物的总体积，完全固化的电介质材料可以占电介质填料的1至80体积百分比(vol％)，或10vol％至70vol％，或20vol％至60vol％，或40vol％至60vol％。

可选地，可以用偶联剂例如有机官能烷氧基硅烷偶联剂、锆酸酯偶联剂或钛酸酯偶联剂对电介质填料进行表面处理。这种偶联剂可以改善电介质填料在可固化组合物中的分散性，或者可以降低完全固化的组合物的吸水率。

可固化组合物还可以包括阻燃化合物或颗粒填料，例如阻燃含磷化合物、阻燃含溴化合物、氧化铝、氧化镁、氢氧化镁、含锑化合物等。

本文公开的高温聚合物通常是热分解温度为200℃或更高，优选地为220℃或更高，更优选地为250℃或更高的材料。不存在特别的上限，尽管实际上限是400℃。这样的聚合物通常具有芳族基团，例如液晶聚合物(LCP)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、芳族聚酰亚胺、芳族聚醚酰亚胺、聚苯硫醚(PPS)、聚芳基醚酮(PAEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚砜(PES)、聚苯砜(PPSU)、聚苯砜脲、自增强聚苯撑(SRP)等。可以使用不同聚合物的组合。在一方面中，高温聚合物是LCP。LCP可以是热塑性的，尽管它们也可以通过功能化或与热固性化合物(例如环氧树脂)混合用作热固性材料。商用LCP的示例包括以商品名VECTRA(来自肯塔基州佛罗伦萨的提科纳(Ticona))、XYDAR(来自阿莫科聚合物(Amoco Polymers))、ZENITE(来自德国威尔明顿陶氏杜邦)商购的LCP，以及从例如RTP Co.获得的LCP，例如RTP-3400系列LCP。

对于本文公开或指出的任何粘合剂、粘附或粘合剂层，粘合剂层可以基于期望的性能来选择，并且可以是例如具有低熔融温度的热固性聚合物或用于将两个电介质层或导电层结合至电介质层的其他组合物。粘附层可以包括聚(亚芳基醚)、羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，其包括丁二烯、异戊二烯或丁二烯和异戊二烯单元，以及零至小于或等于50wt％的可共固化单体单元。粘合剂层的粘合剂组合物可以与电介质组合物不同。粘合剂层可以以每平方米2至15克的量存在。聚(亚芳基醚)可以包括羧基官能化的聚(亚芳基醚)。聚(亚芳基醚)可以是聚(亚芳基醚)与环酸酐的反应产物，也可以是聚(亚芳基醚)与马来酸酐的反应产物。羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物可以是羧基官能化的丁二烯-苯乙烯共聚物。羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物可以是聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物与环酐的反应产物。羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物可以是马来酸化的聚丁二烯-苯乙烯或马来酸化的聚异戊二烯-苯乙烯共聚物。

粘合剂层可以包括电介质填料(例如陶瓷颗粒)以调节其介电常数。例如，可以调节粘合剂层的介电常数以改善或以其他方式改变电磁装置(例如，DRA装置)的性能。

尽管本文已经描述和示出了各个特征和/或处理的特定组合，但是应当理解，这些特征和/或处理的这些特定组合仅是出于说明的目的，并且根据实施方式，可以采用任何这样的各个特征和/或处理的任何组合，而不管是否明确示出了这种组合，并且其与本文的公开内容一致。本文考虑了本文公开的特征和/或处理的任何和所有这样的组合，当考虑整个申请时，它们被认为在本领域技术人员的理解范围内，并且以本领域技术人员将理解的方式被认为在所附权利要求的范围内。

尽管本文已经参考示例实施方式描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离权利要求的范围的情况下，可以进行各种改变并且可以用等同物代替其要素。在不脱离本发明的实质范围的情况下，可以做出许多修改以使特定情况或材料适应本发明的教导。因此，意图是本发明不限于作为实现本发明的最佳或唯一模式而在本文公开的一个或多个特定实施方式，而是本发明将包括落入所附权利要求书范围内的所有实施方式。在附图和说明书中，已经公开了示例实施方式，并且尽管可以采用特定的术语和/或尺寸，但是除非另有说明，否则它们仅在一般、示例性和/或描述性意义上使用，而不是出于限制的目的，因此，权利要求的范围不受此限制。当元素被称为在另一个元素“上”时，它可以直接在另一个元素上，或者也可以存在中间元素。相比之下，当元素被称为“直接在”另一个元件“上”时，则不存在中间元素。术语第一、第二等的使用不表示任何顺序或重要性，而是使用术语第一、第二等将一个元素与另一元素区分开。术语一、一个等的使用不表示数量限制，而是表示存在至少一个所引用的项目。如本文所使用的术语“包括”不排除可能包括一个或更多个附加特征。此外，提供本文提供的任何背景信息以揭示申请人认为与本文公开的发明可能相关的信息。不必意图也不应解释为，任何这样的背景信息构成了相对于本文公开的本发明的实施方式的现有技术。

鉴于所有前述内容，将理解，本文公开了结构的各个方面，这些方面根据但不限于至少以下方面和方面的组合。

方面1：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，包括：提供第一模具部分，第一模具部分包括被布置成阵列的第一多个凹部中的基本相同的凹部；用可固化第一Dk组合物填充第一多个凹部，可固化第一Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数；将衬底放置在填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部的顶部上并跨填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部，并且至少部分地固化可固化第一Dk组合物；以及从第一模具部分去除衬底以及至少部分固化的第一Dk组合物，使得得到包括衬底以及包含至少部分固化的第一Dk组合物的多个Dk模版的组件，多个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部中的对应凹部限定的三维3D形状。

方面2：根据方面1的方法，在将衬底放置在填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部的顶部上并跨填充有第一Dk组合物的第一多个凹部中的多个凹部之后，并且在从第一模具部分去除衬底以及至少部分固化的第一Dk组合物之前，还包括：将第二模具部分放置在衬底的顶部上；将第二模具部分朝向第一模具部分按压，并且至少部分地固化可固化第一Dk组合物；以及相对于第一模具部分分离第二模具部分。

方面3：根据方面1至2中任一项所述的方法，其中：衬底包括：Dk层；金属层；Dk层与金属层的组合；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与多个填充的凹部中的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。

方面4：根据方面1至2中任一项所述的方法，还包括：在提供第一模具部分之前，提供第一预模具部分，第一预模具部分包括被布置成阵列的第二多个凹部中的基本相同的凹部，第二多个凹部中的每个凹部大于第一多个凹部中的对应凹部；用可固化第二Dk组合物填充第二多个凹部，可固化第二Dk组合物完全固化后具有小于第一平均介电常数并且大于空气的介电常数的第二平均介电常数；将第二预模具部分放置在第一预模具部分的顶部上，第二预模具部分具有被布置成阵列并且与第二多个凹部中的每个凹部一一对应的多个开口；将第三预模具部分放置在第二预模具部分的顶部上，第三预模具部分具有被布置成阵列的多个基本相同的突起，基本相同的突起插入到第二预模具部分的开口中的对应开口中并且插入到第二多个凹部中的对应凹部中，从而使第二多个凹部中的每个凹部中的第二Dk材料移位与给定突起的体积相等的体积；将第三预模具部分朝向第二预模具部分按压，并且至少部分地固化可固化第二Dk组合物；以及相对于第二预模具部分分离第三预模具部分，以产生其中具有至少部分固化的第二Dk组合物的模具模板，该模具模板用于提供第一模具部分并且建立提供包括被布置成阵列的第一多个凹部中的基本相同的凹部的第一模具部分的步骤；其中，去除的步骤包括从第一模具部分去除衬底以及至少部分固化的第一Dk组合物和至少部分固化的第二Dk组合物，使得得到包括衬底以及包含至少部分固化的第一Dk组合物的阵列和至少部分固化的第二Dk组合物的对应阵列的多个Dk模版的组件，多个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部和第二多个凹部中的对应凹部限定的3D形状。

方面5：根据方面1至2中任一项所述的方法，其中：多个Dk模版包括设置在衬底上的多个电介质谐振器天线DRA。

方面6：根据方面4的方法，其中：多个Dk模版包括：多个电介质谐振器天线DRA，其包括设置在衬底上的第一Dk组合物；以及多个电介质透镜或电介质波导，其包括被设置成与多个DRA一一对应的第二Dk组合物。

方面7：根据方面1所述的方法，其中：第一模具部分包括将第一多个凹部中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道，多个相对薄的连接通道在用具有第一平均介电常数的可固化第一Dk组合物填充第一多个凹部的步骤期间被填充，从而得到包括衬底和多个Dk模版以及将多个Dk模版中的相邻模版互连的相对薄的连接结构的组件，相对薄的连接结构包括至少部分固化的第一Dk组合物，相对薄的连接结构和填充的第一多个凹部形成单个单片。

方面8：根据方面4的方法，其中：第二预模具部分包括将第二多个凹部中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道，多个相对薄的连接通道在将第二多个凹部中的每个凹部中的第二Dk材料移位与给定突起的体积相等的体积的步骤期间被填充，从而得到包括衬底和多个Dk模版以及将多个Dk模版中的相邻Dk模版互连的多个相对薄的连接结构的组件，相对薄的连接结构包括至少部分固化的第二Dk组合物，相对薄的连接结构和填充的第二多个凹部形成单个单片。

方面9：根据方面1至8中任一项所述的方法，其中，填充第一多个凹部、填充第二多个凹部或者填充第一多个凹部和第二多个凹部两者的步骤还包括：将可流动形式的相应的可固化Dk组合物浇注并刮刷到对应的凹部中。

方面10：根据方面1至8中任一项所述的方法，其中，填充第一多个凹部、填充第二多个凹部或者填充第一多个凹部和第二多个凹部两者的步骤还包括：将相应的可固化Dk组合物的可流动电介质膜压印到对应的凹部中。

方面11：根据方面1至10中任一项所述的方法，其中，至少部分地固化可固化第一Dk组合物、至少部分地固化可固化第二Dk组合物、或者至少部分地固化可固化第一Dk组合物和可固化第二Dk组合物两者的步骤包括：将相应的可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面12：根据方面1至11中任一项所述的方法，其中：第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

方面13：根据方面1至12中任一项所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面14：根据方面13所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面15：根据方面1至14中任一项所述的方法，其中：3D形状具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面16：根据方面1至2中任一项所述的方法，还包括：在提供第一模具部分之前，提供第一预模具部分，第一预模具部分包括被布置成阵列的第二多个凹部中的基本相同的凹部，第二多个凹部中的每个凹部大于第一多个凹部中的对应凹部；用可固化第二Dk组合物填充第二多个凹部，第二Dk组合物完全固化后具有小于第一平均介电常数并且大于空气的介电常数的第二平均介电常数；将第二预模具部分放置在第一预模具部分的顶部上，第二预模具部分具有被布置成阵列并且与第二多个凹部中的每个凹部一一对应的多个开口；将包括衬底以及包括至少部分固化的第一Dk组合物的多个Dk模版的组件放置在第二预模具部分的顶部上，组件具有插入到第二预模具部分的开口中的对应开口中并且插入到第二多个凹部中的对应凹部中的多个Dk模版，从而使第二多个凹部中的每个凹部中的第二Dk材料移位与给定Dk模版的体积相等的体积；将组件朝向第二预模具部分按压，并且至少部分地固化可固化第二Dk组合物；从第一模具部分分离并去除衬底以及至少部分固化的第一Dk组合物和至少部分固化的第二Dk组合物，使得得到包括衬底以及包含至少部分固化的第一Dk组合物的阵列和至少部分固化的第二Dk组合物的对应阵列的多个Dk模版的组件，多个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部和第二多个凹部中的对应凹部限定的3D形状。

方面17：根据方面16所述的方法，其中：衬底包括：Dk层；金属层；Dk层与金属层的组合；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与多个填充的凹部中的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。

方面18：根据方面16至17中任一项所述的方法，其中：多个Dk模版包括设置在衬底上的多个电介质谐振器天线DRA。

方面19：根据方面16至17中任一项所述的方法，其中：多个Dk模版包括：多个电介质谐振器天线DRA，其包括设置在衬底上的第一Dk组合物；以及多个电介质透镜或电介质波导，其包括被设置成与多个DRA一一对应的第二Dk组合物。

方面20：根据方面16至19中任一项所述的方法，其中：第二预模具部分包括将第二多个凹部中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道，多个相对薄的连接通道在将第二多个凹部中的每个凹部中的第二Dk材料移位与给定Dk模版的体积相等的体积的步骤期间被填充，从而得到包括衬底和多个Dk模版以及将多个Dk模版中的相邻Dk模版互连的多个相对薄的连接结构的组件，相对薄的连接结构包括至少部分固化的第二Dk组合物，相对薄的连接结构和填充的第二多个凹部形成单个单片。

方面101：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该电介质Dk电磁EM结构具有一个或更多个第一电介质部分1DP，该方法包括：提供第一模具部分，第一模具部分包括被布置成阵列的第一多个凹部中的基本相同的凹部并且被配置成形成多个1DP，第一模具部分还包括将多个凹部中的相邻凹部互连的多个相对薄的连接通道；用可固化Dk组合物填充第一多个凹部和相对薄的连接通道，可固化Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的平均介电常数；将第二模具部分放置在第一模具部分的顶部上，其中，可固化Dk组合物设置在第一模具部分与第二模具部分之间；将第二模具部分朝向第一模具部分按压，并且至少部分地固化可固化Dk组合物；相对于第一模具部分分离第二模具部分；以及从第一模具部分去除至少部分固化的Dk组合物，使得得到包括至少部分固化的Dk组合物的至少一个Dk模版，至少一个Dk模版中的每一个具有由第一多个凹部和互连的多个相对薄的连接通道限定的三维3D形状，由第一多个凹部限定的3D形状在EM结构中提供多个1DP。

方面102：根据方面101的方法，其中，第二模具部分包括至少一个凹部，至少一个凹部被设置用于向至少一个Dk模版提供对准特征，其中，将第二模具部分朝向第一模具部分按压的步骤还包括：将可固化Dk组合物的一部分移位到至少一个凹部中。

方面103：根据方面101所述的方法，其中，第一模具部分还包括至少一个第一突起，至少一个第一突起被设置用于向至少一个Dk模版提供对准特征，其中，将第二模具部分朝向第一模具部分按压的步骤还包括：使可固化Dk组合物的一部分围绕至少一个第一突起移位。

方面104：根据方面101至103中任一项所述的方法，其中，第一模具部分和第二模具部分中的至少一个包括围绕多个凹部的子集的分割突起，以用于提供呈阵列形式的分割的面板集，其中，将第二模具部分朝向第一模具部分按压的步骤还包括：将可固化Dk组合物的一部分移位远离第一模具部分与第二模具部分之间的靠近分割突起的面对面接触。

方面105：根据方面101至104中任一项所述的方法，其中：第一模具部分还包括第二多个凹部，第二多个凹部中的每个凹部被设置成与第一多个凹部中的一个凹部一一对应并且基本上围绕第一多个凹部中的对应凹部，以用于针对至少一个Dk模版的给定1DP提供Dk隔离部。

方面106：根据方面105所述的方法，其中：第一模具部分还包括多个第二突起，多个第二突起被设置成与第二多个凹部中的凹部一一对应，每个第二突起居中地设置在第二多个凹部中的对应凹部内并且基本上围绕第一多个凹部中的对应凹部，以用于针对至少一个Dk模版的给定1DP提供增强的Dk隔离部。

方面107：根据反面105所述的方法，第二模具部分还包括多个第三突起，多个第三突起被设置成与第一模具部分的第二多个凹部中的凹部一一对应，每个第三突起居中地设置在第一模具部分的第二多个凹部的对应凹部内并且基本上围绕第一模具部分的第一多个凹部的对应凹部，以用于针对至少一个Dk模版的给定1DP提供增强的Dk隔离部。

方面108：根据方面101至107中任一项所述的方法，其中，至少部分地固化可固化第一Dk组合物的步骤包括：将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下加热持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面109：根据方面101至108中任一项所述的方法，还包括：完全固化至少一个Dk模版，并且将粘合剂施加至至少一个Dk模版的背部。

方面110：根据方面101至109中任一项所述的方法，其中：平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

方面111：根据方面101至110中任一项所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面112：根据方面111所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面113：根据方面101至112中任一项所述的方法，其中：多个1DP中的每个1DP具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面114：根据方面102至113中任一项所述的方法，还包括：提供衬底，并且将至少一个Dk模版放置到衬底上。

方面115.根据方面114的方法，其中：衬底包括：Dk层；金属层；Dk层与金属层的组合；具有多个槽的金属层，多个槽中的每个槽被设置成与多个填充的凹部中的填充凹部一一对应；印刷电路板；柔性电路板；或衬底集成波导SIW；或EM信号馈送网络。

方面116：根据方面114至115中任一项所述的方法，其中，将至少一个Dk模版放置到衬底上还包括：将对准特征与衬底上的对应接收特征对准，并且将至少一个Dk模版粘附至衬底。

方面201：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，包括：提供Dk材料片材；在片材中形成被布置成阵列的多个凹部中的基本相同的凹部，其中片材的非凹部部分形成多个凹部中的各个凹部之间的连接结构；用可固化Dk组合物填充多个凹部，可固化Dk组合物完全固化后具有大于空气的介电常数的第一平均介电常数，其中，Dk材料片材具有与第一平均介电常数不同的第二平均介电常数；以及至少部分地固化可固化Dk组合物。

方面202：根据方面201所述的方法，其中：第二平均介电常数小于第一平均介电常数。

方面203：根据方面201至202中任一项所述的方法，还包括：在至少部分地固化可固化Dk组合物的步骤之后，将片材切割成单独的片块，每个片块包括具有至少部分固化的Dk组合物的多个凹部的子集的阵列，其中连接结构的一部分设置在具有至少部分固化的Dk组合物的多个凹部的子集的阵列之间。

方面204：根据方面201至203中任一项所述的方法，其中，形成的步骤包括：以自上向下的方式冲压或压印多个凹部。

方面205：根据方面201至203中任一项所述的方法，其中，形成的步骤包括：以自下而上的方式压纹得到多个凹部。

方面206：根据方面201至205中任一项所述的方法，其中，填充的步骤包括：将可流动形式的可固化Dk组合物浇注并刮刷到多个凹部中。

方面207：根据方面201至206中任一项所述的方法，其中：形成的步骤还包括从片材的第一侧在片材中形成多个凹部中的基本相同的凹部，多个凹部中的每一个具有深度H5，并且形成的步骤还包括：从片材的第二相对侧，形成与多个凹部一一对应的多个凹陷，多个凹陷中的每一个具有深度H6，其中，H6等于或小于H5。

方面208：根据方面207所述的方法，其中：多个凹陷中的每一个在多个凹部中的每个对应凹部中形成具有围绕侧壁的盲袋。

方面209：根据方面207至2087中任一项所述的方法，其中：相对于多个凹部中的对应凹部居中地设置多个凹陷中的每一个。

方面210：根据方面201至209中任一项所述的方法，其中，至少部分地固化可固化Dk组合物的步骤包括：将Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面211：根据方面201至210中任一项所述的方法，其中：提供的步骤包括提供呈平坦形式的Dk材料片材；并且填充的步骤包括一次一个或多于一个凹部地填充平坦形式片材的多个凹部。

方面212：根据方面201至210中任一项所述的方法，其中：提供的步骤包括在辊上提供Dk材料片材，并且展开Dk材料片材以用于随后的形成的步骤。

方面213：根据方面212所述的方法，还包括：在Dk材料辊的下游提供图案辊和相对的压辊；在图案辊的下游提供Dk组合物的分配器单元；在分配器单元的下游提供固化单元；以及在固化单元的下游提供整理辊。

方面214：根据方面213所述的方法，还包括：在图案辊的下游和分配器单元的上游提供第一张紧辊；以及在第一张紧辊的下游和固化单元的上游提供第二张紧辊。

方面215：根据方面214所述的方法，还包括：提供刮刷单元，刮刷单元被设置成与第二张紧辊协作并且与第二张紧辊相对。

方面216：根据方面213至215中任一项所述的方法，还包括：从Dk材料辊上展开Dk材料片材；使展开的Dk材料片材在图案辊与相对的压辊之间通过，由此发生在片材中形成被布置成阵列的多个凹部中的基本相同的凹部以得到图案化片材的步骤；使图案化片材通过分配器单元附近，由此发生用可固化Dk组合物填充多个凹部以得到填充的图案化片材的步骤；使填充的图案化片材通过固化单元附近，由此发生至少部分地固化可固化Dk组合物以得到至少部分固化的片材的步骤；以及使至少部分固化的片材通过整理锟以进行后续处理。

方面217：根据方面216所述的方法，还包括：在使图案化片材通过分配器单元附近之前，使图案化片材与第一张紧辊接合；以及在使填充的图案化片材通过固化单元附近之前，使填充的图案化片材与第二张紧辊接合。

方面218：根据方面217所述的方法，还包括：在使填充的图案化片材通过固化单元附近之前，使填充的图案化片材与刮刷单元和相对的第二张紧辊接合，使得得到经填充且刮刷的图案化片材。

方面219：根据方面201至218中任一项所述的方法，其中：第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

方面220：根据方面201至219中任一项所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面221：根据方面220所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面222：根据方面201至221中任一项所述的方法，其中：多个凹部中的每个凹部具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状。

方面301：一种电介质Dk电磁EM结构，包括：至少一个Dk部件，其包括不同于空气的具有第一平均介电常数的Dk材料；以及不透水层、阻水层或防水层，其共形地设置在至少一个Dk部件的暴露表面的至少一部分上。

方面302：根据方面301所述的Dk EM结构，其中：不透水层、阻水层或防水层共形地设置在至少一个Dk部件的至少暴露的上侧表面和侧表面上。

方面303：根据方面301至302中任一项所述的Dk EM结构，其中：不透水层、阻水层或防水层共形地设置在至少一个Dk部件的所有暴露表面上。

方面304：根据方面301至303中任一项所述的Dk EM结构，其中：不透水层、阻水层或防水层等于或小于30微米，替选地等于或小于10微米，替选地等于或小于3微米，替选地等于或小于1微米。

方面305：根据方面301至304中任一项所述的Dk EM结构，其中：至少一个Dk部件包括被布置成形成Dk部件的阵列的x乘y布置的多个Dk部件。

方面306：根据方面305所述的Dk EM结构，其中：多个Dk部件中的每一个经由相对薄的连接结构物理地连接至多个Dk部件中的至少一个其他部件，与多个Dk部件中的一个Dk部件的总体外部尺寸相比，每个连接结构相对薄，每个连接结构具有小于相应的连接的Dk部件的总体高度的截面总体高度并且由Dk部件的Dk材料形成，每个相对薄的连接结构和多个Dk部件形成单个单片。

方面307：根据方面306所述的Dk EM结构，其中：相对薄的连接结构包括与单片整体地形成的至少一个对准特征。

方面308：根据方面307所述的Dk EM结构，其中：至少一个对准特征包括突起、凹部、孔或前述对准特征的任何组合。

方面309：根据方面305至308中任一项所述的Dk EM结构，其中：Dk部件的阵列包括多个Dk隔离部，多个Dk隔离部被布置成与多个Dk部件中的每个Dk部件一一对应；每个Dk隔离部被设置成基本上围绕多个Dk部件中的对应Dk部件。

方面310：根据方面309所述的Dk EM结构，其中：多个Dk隔离部中的每一个具有等于或小于多个Dk部件的高度H1的高度H2。

方面311：根据方面309至310中任一项所述的Dk EM结构，其中：Dk隔离部中的每一个包括中空内部部分。

方面312：根据方面311所述的Dk EM结构，其中：中空内部在顶部处开口，或者在底部处开口。

方面313：根据方面309至312中任一项所述的Dk EM结构，其中：多个Dk隔离部与多个Dk部件整体地形成，以形成单片。

方面314：根据方面305至313中任一项所述的Dk EM结构，其中，至少一个Dk部件中的每个Dk部件包括第一电介质部分1DP，并且还包括：多个第二电介质部分2DP，多个2DP中的每个2DP包括不同于空气的具有第二平均介电常数的Dk材料；其中，每个1DP具有近端和远端；其中，每个2DP具有近端和远端，给定2DP的近端被设置成靠近对应1DP的远端，给定2DP的远端被设置成远离对应1DP的远端限定距离；以及其中，第二平均介电常数小于第一平均介电常数。

方面315：根据方面314所述的Dk EM结构，其中：每个2DP与2DP中的相邻2DP整体形成，以形成2DP的单片。

方面316：根据方面301至315中任一项所述的Dk EM结构，其中：第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

方面317：根据方面305所述的Dk EM结构，其中，至少一个Dk部件中的每一个包括具有高度H1的第一电介质部分1DP，并且还包括：具有高度H3的第二电介质部分2DP，包括不同于空气的具有第二平均介电常数的Dk材料；其中，2DP包括多个凹部，多个凹部中的每个凹部填充有1DP中的对应1DP；其中，2DP基本上围绕1DP中的每一个；并且其中，第二平均介电常数小于第一平均介电常数。

方面318：根据方面317所述的Dk EM结构，其中：H1等于H3。

方面319：根据方面317所述的Dk EM结构，另外地其中：2DP包括从属于1DP中的每一个的相对薄的连接结构，其中，2DP和相对薄的连接结构形成单片，并且其中，H1小于H3。

方面320：根据方面305至319中任一项所述的Dk EM结构，其中：不透水层、阻水层或防水层共形地设置在阵列的所有暴露表面上。

方面321：根据方面301至320中任一项所述的Dk EM结构，其中：第一平均介电常数等于或大于5，替选地等于或大于9，进一步替选地等于或大于18，并且等于或小于100。

方面322：根据方面301至321中任一项所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物包括1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面323：根据方面322所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面324：根据方面301至323中任一项所述的Dk结构，其中：至少一个Dk部件中的每个Dk部件具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面325：根据方面301至324中任一项所述的Dk结构，其中：至少一个Dk部件中的每个Dk部件是电介质谐振器天线DRA。

方面326：根据方面314至325中任一项所述的Dk结构，其中：多个2DP中的每个2DP是电介质透镜或波导。

方面401：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，电介质Dk电磁EM结构具有多个第一电介质部分1DP以及被设置成与多个1DP中的给定1DP一一对应的多个第二电介质部分2DP，多个1DP中的每个1DP具有近端和远端，给定1DP的远端具有比给定1DP的近端如在x-y平面截面中观察到的截面小的截面，该方法包括：提供支承模版；提供被布置成至少一个阵列的2DP的多个整体成形的2DP并且将多个2DP放置在支承模版上，多个2DP被至少部分地固化，多个2DP中的每个2DP包括近端和远端，给定2DP的每个近端包括具有盲端的居中设置的凹陷，其中，多个2DP中的每个凹陷被配置成形成多个1DP中的对应1DP；将可流动形式的可固化Dk组合物填充到多个2DP的凹陷中，Dk组合物在完全固化时具有第一平均介电常数，第一平均介电常数大于多个2DP在完全固化时的第二平均介电常数；在支承模版和多个2DP的近端刮刷以去除任何过量的可固化Dk组合物，使Dk组合物至少与多个2DP中的每个2DP的近端齐平；至少部分地固化可固化Dk组合物以形成多个lDP的至少一个阵列；从支承模版去除所得的组件，所得的组件包括其中形成有1DP的至少一个阵列的2DP的至少一个阵列。

方面402：根据方面401所述的方法，其中，支承模版包括围绕多个2DP的至少一个阵列中的给定阵列的凸起壁，并且其中，填充和刮刷还包括：将可流动形式的可固化Dk组合物填充到多个2DP的凹陷中并且直到支承模版的凸起壁的边缘，使得多个2DP的凹陷被填充，并且相关联的多个2DP的近端被Dk组合物覆盖至特定厚度H6；以及在支承模版的凸起壁上刮刷以去除任何过量的Dk组合物，使Dk组合物与凸起壁的边缘齐平，其中厚度为H6的Dk组合物提供与多个lDP整体形成的连接结构。

方面403：根据方面401至402中任一项所述的方法，其中：多个整体形成的2DP的至少一个阵列是放置在支承模版上的整体形成的2DP的多个阵列中的一个；多个2DP包括热塑性聚合物；多个lDP包括热固性Dk材料；至少部分地固化包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面404：根据方面403所述的方法，其中：热塑性聚合物是高温聚合物；Dk材料包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛。

方面405：根据方面402至404中任一项所述的方法，其中：H6为约0.002英寸。

方面406：根据方面401至405中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个和多个2DP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面501：一种用于制造电介质Dk电磁EM结构的模具，电介质Dk电磁EM结构包括具有第一平均介电常数的第一区域、在第一区域外侧的具有第二平均介电常数的第二区域、在第二区域外侧的具有第三平均介电常数的第三区域、以及在第三区域外侧的具有第二平均介电常数的第四区域，模具包括：多个彼此整体形成或接合的单位单元，每个单位单元包括：第一部分，其被配置成形成EM结构的第一区域；第二部分，其被配置成形成EM结构的第二区域；第三部分，其被配置成形成EM结构的第三区域；第四部分，其被配置成形成EM结构的第四区域；第五部分，其被配置成形成并限定单位单元的外边界；其中，第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分全部由单一材料彼此整体地形成以提供单片单位单元；其中，第一部分和第五部分包括单片单位单元的单一材料，第二部分和第四部分不存在单片单位单元的单一材料，并且第三部分具有不存在和存在单片单位单元的单一材料的组合；以及其中，第二部分和第四部分以及第三部分的仅一部分被配置成接收可流动形式的可固化Dk组合物。

方面502：根据方面501所述的模具，其中，由模具的单位单元制成的单个Dk EM结构包括：由至少部分固化形式的Dk组合物制成的三维3D本体，其具有近端和远端；3D本体包括设置在3D本体的中心处的第一区域，第一区域延伸至3D本体的远端并且包括空气；3D本体包括由至少部分固化形式的Dk组合物制成的第二区域，其中第二平均介电常数大于第一平均介电常数，第二区域从3D本体的近端延伸至远端；3D本体包括部分地由至少部分固化形式的Dk组合物并且部分地由空气制成的第三区域，其中第三平均介电常数小于第二平均介电常数，第三区域从3D本体的近端延伸至远端；其中，第三区域包括由至少部分固化形式的Dk组合物制成的突起，突起相对于z轴从第二区域径向向外延伸并且与第二区域成整体和单片；其中，突起中的每个突起具有如在x-y平面截面中观察到的截面总长度L1和截面总宽度W1，其中L1和W1均小于λ，其中λ是当Dk EM结构被电磁激励时Dk EM结构的工作波长；并且其中，3D本体的至少第二区域的所有暴露表面经由模具的起模侧壁从3D本体的近端到远端向内起模。

方面503：根据方面502所述的模具，其中，由模具的单位单元制成的单个Dk EM结构还包括：3D本体的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域分别具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状以及如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状。

方面601：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，电介质Dk电磁EM结构具有多个第一电介质部分1DP，多个1DP中的每个1DP具有近端和远端，远端具有比近端如在x-y平面截面中观察到的截面积小的截面积，该方法包括：提供载体；将衬底放置在载体上；将第一制版掩模放置在衬底上，第一制版掩模包括被布置成至少一个阵列的多个开口，每个开口包括用于形成1DP中的对应1DP的形状；将第一可流动形式的可固化第一Dk组合物填充到第一制版掩模的开口中，第一Dk组合物在固化后具有第一平均介电常数；在第一制版掩模的上表面上刮刷以去除任何过量的第一Dk组合物，使第一Dk组合物与第一制版掩模的上表面齐平；至少部分地固化可固化第一Dk组合物，形成lDP的至少一个阵列；去除第一制版掩模；以及从载体去除所得组件，所得组件包括衬底以及附接到其的lDP的至少一个阵列。

方面602：根据方面601所述的方法，还包括：在去除第一制版掩模之后并且在去除衬底以及附接到其的1DP的至少一个阵列之前，将第二制版掩模放置在衬底上，第二制版掩模包括由分隔壁围绕的开口，分隔壁被配置和设置成围绕多个1DP的子集以形成1DP的多个阵列，其中1DP的每个阵列将被包封在第二电介质部分2DP中；将第二可流动形式的可固化第二Dk组合物填充到第二制版掩模的开口中，第二Dk组合物在固化后具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数；在第二制版掩模的上表面上刮刷以去除任何过量的第二Dk组合物，使第二Dk组合物与第二制版掩模的上表面齐平；至少部分地固化可固化第二Dk组合物，形成包封在2DP内的lDP的多个阵列；去除第二制版掩模；以及从载体去除所得组件，所得组件包括衬底以及附接至其的包封在对应的2DP中的lDP的多个阵列。

方面603：根据方面601所述的方法，还包括：在去除第一制版掩模之后并且在去除衬底以及附接至其的1DP的至少一个阵列之前，将第二制版掩模放置在衬底上，第二制版掩模包括：覆盖多个lDP中的各个lDP的覆盖部、围绕多个lDP中的各个lDP的开口、以及围绕多个lDP的子集以形成lDP的多个阵列的分隔壁，其中多个lDP中的每个1DP将被导电结构围绕；将可流动形式的可固化组合物填充到第二制版掩模的开口中，可固化组合物在完全固化时是导电的；在第二制版掩模的上表面上刮刷以去除任何过量的可固化组合物，使可固化组合物与第二制版掩模的上表面齐平；至少部分地固化可固化组合物，形成lDP的多个阵列，其中每个1DP被导电结构围绕；去除第二制版掩模；以及从载体去除所得组件，所得组件包括衬底以及附接至其的lDP的多个阵列，其中每个1DP被导电结构围绕。

方面604：根据方面601至603中任一项所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面605：根据方面604所述的方法，其中：可固化第一Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面606：根据方面601至605中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面607：根据方面603至606中任一项所述的方法，其中：其中，可固化组合物包括以下中的任一种：包括金属颗粒的聚合物；包括铜颗粒的聚合物；包括铝颗粒的聚合物；包括银颗粒的聚合物；导电墨；碳墨；或前述可固化组合物的组合。

方面608：根据方面603至607中任一项所述的方法，其中：导电结构具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状。

方面609：根据方面601至608中任一项所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

方面701：根据前述方法方面的任一项所述的方法，其中：包括1DP的至少一个阵列的Dk EM结构通过面板级处理的处理形成，其中1DP的至少一个阵列的多个阵列形成在单个面板上。

方面702：根据方面701所述的方法，其中：单个面板包括衬底或以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

方面801：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，电介质Dk电磁EM结构具有多个第一电介质部分1DP和多个第二电介质部分2DP，每个1DP具有近端和远端，该方法包括：提供支承模版；将聚合物片材设置在支承模版上；提供冲压模版并且向下然后向上冲压由支承模版支承的聚合物片材，冲压模版包括被布置成阵列的多个基本相同配置的突起，其中，冲压致使聚合物片材的材料移位，在聚合物片材中多个凹陷具有被布置成阵列的盲端，以及聚合物片材的多个凸起壁围绕多个凹陷中的每个凹陷，多个凸起壁形成多个2DP；将可流动形式的可固化Dk组合物填充到多个凹陷中，其中，多个凹陷中的每个凹陷形成具有第一平均介电常数的多个1DP中的对应1DP，其中，聚合物片材具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数，其中，每个1DP的远端靠近聚合物片材的多个凸起壁的上表面；可选地去除聚合物片材的多个凸起壁的上表面上方的任何过量Dk组合物，使Dk组合物与多个凸起壁的上表面齐平；至少部分地固化可固化Dk组合物以形成多个lDP的至少一个阵列；从支承模版去除所得组件，所得组件包括具有多个凸起壁、多个凹陷的冲压的聚合物材料片材以及形成在多个凹陷中的多个1DP的至少一个阵列。

方面802：根据方面801所述的方法，还包括：提供衬底，并且将组件放置在衬底上，其中冲压的聚合物片材设置在衬底上。

方面803：根据方面801所述的方法，还包括：提供衬底，并且将组件放置在衬底上，其中多个lDP的至少远端设置在衬底上。

方面804：根据衬底802至803中任一项所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络。

方面805：根据衬底801至804中任一项所述的方法，其中：可固化Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面806：根据方面805所述的方法，其中：可固化Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面807：根据衬底801至806中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面808：根据衬底801至807中任一项所述的方法，其中：对应2DP的每个凸起壁具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状。

方面809：根据衬底801至808中任一项所述的方法，其中：至少部分地固化包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下至少部分地固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面901：一种制造根据方面801至809中任一项所述的供其使用的冲压模版的方法，该方法包括：提供衬底，衬底的顶部上具有金属层，金属层覆盖衬底；将光致抗蚀剂设置在金属层的顶部上并覆盖金属层；将光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的开口，从而提供暴露的光致抗蚀剂；将至少暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；从金属层去除经受EM辐射曝光的暴露的光致抗蚀剂，使得在被布置成阵列的剩余光致抗蚀剂中得到多个基本相同配置的袋；将金属涂层施加到其中具有多个袋的剩余光致抗蚀剂的所有暴露表面；用适合冲压的金属填充多个袋并且覆盖剩余的金属涂覆的光致抗蚀剂至相对于金属层的顶表面的特定厚度H7；从金属层的底部去除衬底；去除金属层；以及去除剩余的光致抗蚀剂，得到冲压模版。

方面902：根据方面901所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：金属；电绝缘材料；晶片；硅衬底或晶片；二氧化硅衬底或晶片；氧化铝衬底或晶片；蓝宝石衬底或晶片；锗衬底或晶片；砷化镓衬底或晶片；硅和锗的合金衬底或晶片；或磷化铟衬底或晶片；光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；EM辐射是X射线或UV辐射；经由金属沉积施加金属涂层；适合冲压的金属包括镍；经由蚀刻或研磨去除衬底；经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除金属层；以及经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂和剩余的光致抗蚀剂。

方面1001：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该电介质Dk电磁EM结构具有多个第一电介质部分1DP和多个第二电介质部分2DP，该方法包括：提供支承模版；将光致抗蚀剂的层设置在支承模版的顶部上；将光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的开口，从而提供暴露的光致抗蚀剂；将至少暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；从支承模版去除经受EM辐射曝光的暴露的光致抗蚀剂，使得得到被布置成阵列的剩余的光致抗蚀剂的多个基本相同配置的开口；将可流动形式的可固化Dk组合物填充到剩余的光致抗蚀剂中的多个开口中，其中，多个经填充的开口提供具有第一平均介电常数的多个lDP中的对应lDP，其中，剩余的光致抗蚀剂提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP；可选地去除多个2DP的上表面上的任何过量的Dk组合物，使Dk组合物与多个2DP的上表面齐平；至少部分地固化可固化Dk组合物以形成多个lDP的至少一个阵列；以及从支承模版去除所得组件，所得组件包括多个2DP和形成在其中的多个lDP的至少一个阵列。

方面1002：根据方面1001的方法，还包括：提供衬底并且将所得组件粘附至衬底；其中，衬底包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；其中，EM辐射是X射线或UV辐射；其中，经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂和剩余的光致抗蚀剂；其中，至少部分地固化包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面1003：根据方面1001至1002中任一项所述的方法，其中：可固化Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面1004：根据方面1003所述的方法，其中：可固化Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面1005：根据方面1001至1004中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面1006：根据方面1001至1005中任一项所述的方法，其中：多个2DP中的对应2DP的每个开口具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的内截面形状。

方面1101：一种制造电介质Dk电磁EM结构的方法，该电介质Dk电磁EM结构具有多个第一电介质部分1DP和多个第二电介质部分2DP，该方法包括：提供衬底；将光致抗蚀剂的层设置在衬底的顶部上；将光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的不透明覆盖部，从而在由不透明覆盖部覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂并且在未由不透明覆盖部覆盖的区域中提供暴露的光致抗蚀剂；将至少暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；从衬底去除未暴露的光致抗蚀剂，使得得到被布置成阵列的剩余的光致抗蚀剂的多个基本相同配置的部分，剩余的光致抗蚀剂的多个基本相同配置的部分形成具有第一平均介电常数的多个1DP中的对应1DP；可选地经由冲压模版将多个lDP中的每个1DP成形为具有凸形远端的圆顶结构；将可流动形式的可固化Dk组合物填充到多个1DP之间的空间中，其中，所填充的空间提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP中的对应2DP；可选地去除多个lDP的上表面上方的任何过量的Dk组合物，使Dk组合物与多个lDP的上表面齐平；至少部分地固化可固化Dk组合物，使得得到被多个2DP围绕的多个lDP的至少一个阵列。

方面1102：根据方面1101所述的方法，其中：可选地成形的步骤包括在引起回流但不固化光致抗蚀剂的温度下通过将冲压模版施加到多个lDP来成形，随后至少部分地固化成形的多个lDP以保持圆顶形状。

方面1103：根据方面1101至1102中任一项所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；EM辐射是X射线或UV辐射；经由蚀刻去除未暴露的光致抗蚀剂；至少部分地固化包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面1104：根据方面1101至1103中任一项所述的方法，其中：可固化Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面1105：根据方面1104所述的方法，其中：可固化Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面1106：根据方面1101至1105中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面1107：根据方面1101至1106中任一项所述的方法，其中：每个不透明覆盖部具有如在x-y平面图中观察到的为圆形的外形状。

方面1201：一种制造根据方面1101至1107中任一项所述的供其使用的冲压模版的方法，该方法包括：提供衬底，衬底的顶部上具有金属层，金属层覆盖衬底；将光致抗蚀剂的层设置在金属层的顶部上并覆盖金属层；将光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的不透明覆盖部，从而在由不透明覆盖部覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂并且在未由不透明覆盖部覆盖的区域中提供暴露的光致抗蚀剂；将至少暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；从金属层去除经受EM辐射曝光的暴露的光致抗蚀剂，使得得到被布置成阵列的剩余的光致抗蚀剂的多个基本相同配置的部分；在引起回流但不固化光致抗蚀剂的温度下通过将成形模版施加到剩余的光致抗蚀剂的多个基本相同配置部分的每一个来成形以形成成形的光致抗蚀剂，随后至少部分地固化剩余的光致抗蚀剂的经成形的多个基本相同配置的部分以维持多个基本相同形成的形状；将金属涂层施加到具有基本相同形成的形状的剩余光致抗蚀剂的所有暴露表面；用适合冲压的金属填充基本相同形成的形状之间的空间并且覆盖剩余的金属涂覆的光致抗蚀剂至相对于金属层的顶表面的特定厚度H7；从金属层的底部去除衬底；去除金属层；以及去除剩余的光致抗蚀剂，得到冲压模版。

方面1202：根据方面1201所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：金属；电绝缘材料；晶片；硅衬底或晶片；二氧化硅衬底或晶片；氧化铝衬底或晶片；蓝宝石衬底或晶片；锗衬底或晶片；砷化镓衬底或晶片；硅和锗的合金衬底或晶片；或磷化铟衬底或晶片；光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；EM辐射是X射线或UV辐射；经由金属沉积施加金属涂层；适合冲压的金属包括镍；经由蚀刻或研磨去除衬底；经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除金属层；以及经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂和剩余的光致抗蚀剂。

方面1301：一种制造具有多个第一电介质部分1DP和多个第二电介质部分2DP的电介质Dk电磁EM结构的方法，该方法包括：提供衬底；将光致抗蚀剂的层设置在衬底的顶部上；将灰度光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，灰度光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的覆盖部，灰度光掩模的覆盖部包括过渡到部分半透明外区域的不透明中心区域，从而在由不透明区域覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂、在由部分半透明区域覆盖的区域中提供部分暴露的光致抗蚀剂并且在未由覆盖部覆盖的区域中提供完全暴露的光致抗蚀剂；将灰度光掩模和完全暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；去除经受EM辐射曝光的部分暴露和完全暴露的光致抗蚀剂，使得得到被布置成阵列的多个基本相同形状模版的剩余的光致抗蚀剂，剩余的光致抗蚀剂形成具有第一平均介电常数的多个1DP；将可流动形式的可固化Dk组合物填充到多个1DP之间的空间中，其中，所填充的空间提供具有小于第一平均介电常数的第二平均介电常数的多个2DP中的对应2DP；可选地去除多个lDP的上表面上方的任何过量的Dk组合物，使Dk组合物与多个lDP的上表面齐平；至少部分地固化可固化Dk组合物，使得得到包括衬底和设置在衬底上的具有由多个2DP围绕的基本相同形状的模版的多个lDP的至少一个阵列的组件。

方面1302：根据方面1301所述的方法，其中：衬底包括以下中的任一种：电介质面板；金属面板；电介质面板与金属面板的组合；印刷电路板；柔性电路板；衬底集成波导SIW；包括被设置成与多个lDP中的给定lDP一一对应的多个开槽孔的金属面板；或EM信号馈送网络；光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；EM辐射是X射线或UV辐射；经由蚀刻去除部分暴露和完全暴露的光致抗蚀剂；至少部分地固化包括将可固化Dk组合物在等于或大于约170摄氏度的温度下固化持续等于或大于约1小时的持续时间。

方面1303：根据方面1301至1302中任一项所述的方法，其中：可固化Dk组合物包括：1,2-丁二烯、2,3-丁二烯、异戊二烯、或其均聚物或共聚物、环氧树脂、烯丙基化聚苯醚、氰酸酯、可选地共固化交联剂以及可选地固化剂。

方面1304：根据方面1303所述的方法，其中：可固化Dk组合物还包括无机颗粒材料，优选地其中，无机颗粒材料包括二氧化钛(金红石和锐钛矿)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、Ba

方面1305：根据方面1301至1304中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面1306：根据方面1301至1305中任一项所述的方法，其中：多个lDP中的每一个具有以下中的任一个：圆顶形状；圆锥形状；截头圆锥形状；圆柱形状；环形状；或矩形形状。

方面1401：一种制造根据方面1101至1107中任一项所述的供其使用的冲压模版的方法，该方法包括：提供衬底，衬底的顶部上具有金属层，金属层覆盖衬底；将光致抗蚀剂的层设置在金属层的顶部上并覆盖金属层；将灰度光掩模设置在光致抗蚀剂的顶部上，灰度光掩模包括被布置成阵列的多个基本相同配置的覆盖部，灰度光掩模的覆盖部包括过渡到部分半透明外区域的不透明中心区域，从而在由不透明区域覆盖的区域中提供未暴露的光致抗蚀剂、在由部分半透明区域覆盖的区域中提供部分暴露的光致抗蚀剂并且在未由覆盖部覆盖的区域中提供完全暴露的光致抗蚀剂；将灰度光掩模和完全暴露的光致抗蚀剂暴露于EM辐射；去除经受EM辐射曝光的部分暴露和完全暴露的光致抗蚀剂，使得得到被布置成阵列的多个基本相同形状的模版的剩余的光致抗蚀剂；将金属涂层施加到具有基本相同形状的模版的剩余的光致抗蚀剂的所有暴露表面；用适合冲压的金属填充金属涂覆的基本相同形状的模版之间的空间并且覆盖金属涂覆的基本相同形状的模版至相对于金属层的顶表面的特定厚度H7；从金属层的底部去除衬底；去除金属层；以及去除剩余的光致抗蚀剂，得到冲压模版。

方面1402：根据方面1401所述的方法，其中：光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂；EM辐射是X射线或UV辐射；经由金属沉积施加金属涂层；适合冲压的金属包括镍；经由蚀刻或研磨去除衬底；经由抛光、蚀刻或抛光与蚀刻的组合去除金属层；以及经由蚀刻去除暴露的光致抗蚀剂和剩余的光致抗蚀剂。

方面1403：根据方面1401至1402中任一项所述的方法，其中：多个基本相同形状的模版中的每一个具有如在x-y平面截面中观察到的为圆形的外截面形状。

方面1404：根据方面1401至1403中任一项所述的方法，其中：多个基本相同形状的模版中的每一个具有以下中的任一个：圆顶形状；圆锥形状；截头圆锥形状；圆柱形状；环形状；或矩形形状。