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一种用于LED制程的去蜡液

文献发布时间:2023-06-19 16:09:34



技术领域

本发明属于半导体制造领域,具体涉及一种用于LED制程的去蜡液。

背景技术

随着半导体行业的发展, 晶片尺寸逐步向大尺寸方向发展。键合蜡抛光逐步成为大直径晶片的主要抛光方式。为了增加LED 芯片的亮度, 对于厚度较薄的晶片而言, 由于键合蜡抛光是将晶片完全固定在基板上, 具有在抛光过程中不易碎片的特点, 因此也成为厚度较薄晶片的主要抛光方式。由于采用有蜡抛光的方式对晶片进行抛光, 去除晶片背表面的蜡, 防止多余的蜡对晶片正表面形成沾污造成不良, 就必须增加晶片去蜡的工艺过程。

传统方法, 采用有机溶剂进行去蜡,多个去蜡槽放入不同的有机溶剂,按顺序超声浸泡除蜡,目前常用的有机溶剂为甲苯/四氯化碳/三氯乙烯等进行去蜡。该方案清洗效果优异,但缺点是其产生的有机废液对环境不友好,且难溶于水。随着人们环保意识的增强,开发应用一种水溶性的去蜡液,能够和水以一定比例互溶,可以有效的适用于现用工艺条件,去蜡效果高效干净对环境友好,具有极大的市场需求。同时,由于减薄后的晶片,如果晶片翘曲度大,在高温的除蜡过程中,由于热胀冷缩现象或会引起破裂,因此如能降低去蜡液的工作温度,也会降低增加良率。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种LED制程使用的去蜡液,该去蜡液为水溶性混合物,通过特定的表面活性剂和助剂优化组合,可以较低的加热温度取得较好的去蜡效果,满足现有工艺条件,使用寿命长久,对环境友好。

本发明解决其技术问题所采用的方案为:

一种用于LED制程的去蜡液,以质量百分含量计,其组成如下:

无机碱 1%-5%;

阴离子表面活性剂 5%-10%;

助溶剂 2%-5%;

有机溶剂 20%-40%;

潜溶剂 1%-5%;

缓蚀剂 1%-5%

去离子水 余量;

总质量分数之和为100%。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述无机碱是选自氢氧化钾、氢氧化钠中的一种,其中优选氢氧化钾。碱性对有机物的除去有较好的效果,适当的pH下能够提高去蜡液的洗净能力。氢氧化钾、氢氧化钠易于采购,使用量小成本低。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述阴离子表面活性为C

上述用于LED制程的去蜡液中,所述助溶剂为异丙苯磺酸钠,能提高表面活性剂的表面活性,起到降低成本、提高清洗效率;同时异丙苯磺酸钠有较短的烷基碳链,水溶性强,在去蜡液中会增溶其它通常不溶性的分子,有助于其他杂质类污染物的溶解。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述有机溶剂为异丙醇。异丙醇对键合蜡有显著的溶解作用,增强去蜡液体系对键合蜡的溶解度,异丙醇和水能以氢键结合,能够降低体系的挥发性。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述潜溶剂为2,6-二羟甲基吡啶。2,6-二羟甲基吡啶能够加大键合蜡的溶解性,增强去蜡液的使用寿命。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述缓蚀剂二水合柠檬酸钠。能有效稳定pH,保证长时间去蜡液使用的均一性。

上述用于LED制程的去蜡液中,所述去离子水为电子级去离子水,在25℃时,其电阻率不低于18MΩ。

本发明的显著优点在于:无机碱提供的碱性环境能有效提高清洗效率,高效去蜡,同时对产品中油脂类的污染物有较好的清除效果,且后续工段易清洗;特定的阴离子表面活性剂C

具体实施方式

下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整的描述,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为本发明的限定。

实施例中所使用的实验方法如无特殊说明,均为常规方法。

实施例中所用的材料、试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径得到。

实施例和比较例:一种用于LED制程的去蜡液。

根据下表1所示的组成和质量百分含量分别制备了实施例和比较例的去蜡液。其配制方法为:常温下先将去离子水加入搅拌釜,在60r/min的转速下依次加入其他各组分,每种材料投入后搅拌至体系澄清后再添加下一种材料;全部添加完毕后,继续搅拌30分钟。然后再依次通过5μm和0.5μm的两道滤芯进行过滤,最终获得所述去蜡液。

AOS--C

DHMP--2,6-二羟甲基吡啶;SCDH--二水合柠檬酸钠;

MOA-9P--脂肪醇醚磷酸酯;SAS--仲烷基磺酸钠;SB--苯甲酸钠;

Glu--葡萄糖;ST--酒石酸钠。

实验例:去蜡液性能的测定实验

为了评价上述实施例1-6和对比例1-9的数种去蜡液组合物的性能,通过下述试验进行测试。

1、低工作温度(55℃)去蜡性能评定

通常为保证键合蜡的除去,提升去蜡液的工作温度(一般是80℃),使键合蜡更容易融化会获得更好的去蜡效果。但是较高的工作温度会使有轻微翘曲的晶片在下来的清洗中因为热胀冷缩的原因易于破裂。本实验用于测试在低工作条件下,去蜡液的去蜡效果。

将去蜡液加入超声清洗槽内,加热至55℃。调节超声频率为850kHz。将同一批次的含蜡晶片放入载具中,使晶片垂直放入超声清洗槽。浸泡5分钟后,用去离子水漂洗2道,高纯氮气吹干。通过光学显微镜观察键合蜡的清洗情况。

评价效果如下:

○:晶片表面无键合蜡的残留;

△:晶片表面有少量键合蜡残留;

×:晶片表面有十分明显的键合蜡残留。

2、去蜡液易漂洗性测试。

准备4个500mL烧杯,标注1、2、3、4、5号烧杯,分别添加250mL去离子水,20℃时,用电导率仪测得去离子水电导率并记下数值。将同一批次去蜡清洗并经过氮气吹干后的晶片,先投入1号烧杯,浸泡15s后取出放入2号烧杯,同样浸泡15s后取出放入3号烧杯,以此类推到5号烧杯后取出样片。按烧杯序号测量清洗后杯内去离子水的电导率,当烧杯内洗后的去离子水和未使用的去离子水电导率一致时,烧杯序号越小,表面去蜡液越易漂洗。

评价效果如下:

○:≤3号

△:4、5号

×:>5号

3、挥发度测试(使用寿命)

将去蜡液放置于统一直径的烧杯中,15分钟加热到80℃,并维持3小时。测定其挥发度。

挥发度(%)= (%)=[(实验开始时,去烧杯+蜡液质量)-(3小时后,烧杯+去蜡液质量)/ 实验开始时,去烧杯+蜡液质量]×100

评价效果如下:

○:<1%

△:1%-5%

×:>5%

4、键合蜡溶解度测试(使用寿命)

取100g去蜡液于250mL烧杯中,磁力搅拌下加热至60℃(低温工作温度)并维持恒定,将键合蜡碾成粉末,逐克添加至去蜡液中,观察溶解现象评判去蜡液对键合蜡的溶解度。

评价效果如下:

○:>5g

△:2g-5g

×:<1g

测试结果示于表2中

通过表1表2的实验结果可以看出:符合配比要求的各个实施例,均有较好的低工温去蜡效果,同时易于漂洗,可以长时间使用;比较例1没有添加阴离子表面活性剂,所以去蜡的清洗效果很差;对比例2选用的是非离子表面活性剂,在清洗、漂洗方面都有加大差距;对比例3选用仲烷基磺酸钠为类似于C

综上,本发明的积极进步结果在于:碱性的去蜡清洗剂,通过特定的阴离子表面活性剂C

上述实施例对本发明进行了详细描述,但其只是作为范例,并非因此限制本发明的专利范围。凡是利用本发明说明书对本发明进行的等同任何修改和替代也都在本发明的范畴之中,均包括在本发明的专利保护范围内。

技术分类

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