驱动背板和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动背板和显示面板。

背景技术

随着显示技术与面板行业的不断发展，MLED(Micro/Mini Light-EmittingDiode，微/迷你发光二极管)显示技术出现在大众的视野。相较于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术，MLED显示技术可以在成本、对比度、高亮度以及外形美观上表现出更佳性能。

在MLED显示技术中，顶栅型薄膜晶体管可以在更小的空间获得更大的电容，得到广泛应用，但是制程中的光罩数量较多。对此，GSD(Gate/Source/Drain one Layer，栅极、主源极、主漏极位于同一层)型的薄膜晶体管相较于现有的顶栅型薄膜晶体管节省了一道光罩，降低了成本。但是，GSD型的薄膜晶体管较难实现窄沟道和高迁移率。

发明内容

本申请提供一种驱动背板和显示面板，能够实现窄沟道，提高沟道部的迁移率。

本申请提供一种驱动背板，其包括：

基板；

第一导电层，设置在所述基板上，所述第一导电层包括子源极和子漏极；

有源层，设置在所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述有源层包括源接触部、漏接触部以及连接所述源接触部和所述漏接触部的沟道部，所述源接触部覆盖部分所述子源极、所述漏接触部覆盖部分所述子漏极，所述沟道部覆盖所述子源极和所述子漏极之间的空隙；

绝缘层，设置在所述第一导电层远离所述基板的一侧，并覆盖所述第一导电层和所述有源层；以及

第二导电层，设置在所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二导电层包括主漏极和栅极，所述主漏极与所述子漏极连接，所述栅极在所述基板上的正投影至少覆盖所述沟道部在所述基板上的正投影。

可选的，在本申请一些实施例中所述第一导电层的材料和所述第二导电层的材料不同，所述第一导电层的线宽小于所述第二导电层的线宽。

可选的，在本申请一些实施例中，所述栅极在所述基板上的正投影与所述子源极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述栅极在所述基板上的正投影与所述子漏极在所述基板上的正投影至少部分重叠。

可选的，在本申请一些实施例中，所述栅极在所述基板上的正投影与所述沟道部在所述基板上的正投影重叠，所述源接触部具有第一掺杂区，所述漏接触部具有第二掺杂区。

可选的，在本申请一些实施例中，所述驱动背板还包括第三导电层，所述第三导电层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧，所述第三导电层包括连接电极，所述连接电极与所述主源极连接，所述连接电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基板上的正投影。

可选的，在本申请一些实施例中，所述第二导电层还包括主源极，所述栅极位于所述主源极和所述主漏极之间，所述主源极与所述子源极连接，所述连接电极与所述主源极连接。

可选的，在本申请一些实施例中，所述连接电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述有源层在所述基板上的正投影，并覆盖至少部分所述主漏极在所述基板上的正投影，沿垂直于所述基板的方向，所述连接电极与所述主漏极的重叠部分的长度为2微米至5微米。

可选的，在本申请一些实施例中，所述驱动背板还包括第三导电层，所述第三导电层位于所述第二导电层远离所述基板的一侧，所述第三导电层包括连接电极和保护电极；

其中，所述连接电极与所述主源极连接，所述保护电极在所述基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基板上的正投影。

可选的，在本申请一些实施例中，所述第三导电层包括减反射层和导电金属层，所述减反射层设置在所述导电金属层远离所述基板的一侧。

可选的，在本申请一些实施例中，所述驱动背板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述第一导电层靠近所述基板的一侧，所述遮光层包括遮光件，所述遮光件在所述基板上的正投影覆盖所述有源层在所述基板上的正投影；

所述绝缘层具有第三过孔，所述第三过孔贯穿所述绝缘层，并延伸至所述遮光件，所述第三过孔暴露出所述遮光件远离所述基板的一侧表面，所述遮光件通过所述第三过孔与所述主漏极连接。

可选的，在本申请一些实施例中，所述驱动背板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层设置在所述第一导电层靠近所述基板的一侧，所述缓冲层设置在所述第一导电层和所述遮光层之间；

所述遮光层包括遮光件，所述遮光件在所述基板上的正投影覆盖所述有源层在所述基板上的正投影；所述缓冲层具有接触孔，所述接触孔延伸至所述遮光件，并暴露出所述遮光件远离所述基板的一侧表面，所述遮光件通过所述接触孔与所述子漏极连接。

可选的，在本申请一些实施例中，所述有源层的厚度为300埃至500埃，所述沟道部的长度为3微米至5微米。

相应的，本申请还提供一种背光板，其包括驱动背板和设置于所述驱动背板上的发光单元，所述驱动背板为上述任一项所述的驱动背板。

本申请公开一种驱动背板和显示面板。所述驱动背板包括基板、第一导电层、有源层、绝缘层以及第二导电层。第一导电层设置在基板上，有源层包括源接触部、漏接触部以及连接源接触部和漏接触部的沟道部，源接触部覆盖部分子源极、漏接触部覆盖部分子漏极，沟道部覆盖子源极和子漏极之间的空隙；绝缘层设置在第一导电层远离基板的一侧，并覆盖第一导电层和有源层；第二导电层设置在绝缘层远离基板的一侧，第二导电层包括主漏极和栅极，主漏极与子漏极连接，栅极在基板上的正投影至少覆盖沟道部在基板上的正投影。本申请中，由于沟道部位于子源极和子漏极之间，通过控制子源极和子漏极之间的距离可以调控沟道部的长度，从而实现窄沟道，提高沟道部的迁移率，提高驱动背板的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是本申请提供的驱动背板的第一结构示意图；

图2是本申请提供的驱动背板的第二结构示意图；

图3是本申请提供的驱动背板的第三结构示意图；

图4是本申请提供的驱动背板的第四结构示意图；

图5是本申请提供的驱动背板的第五结构示意图；

图6A-图6F是在本申请提供的驱动背板的一种制作方法中各步骤获得的结构示意图；

图7是本申请提供的显示面板的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。此外，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本申请提供一种驱动背板和显示面板，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。

请参阅图1，图1是本申请提供的驱动背板的第一结构示意图。在本申请实施例中，驱动背板100包括基板11、第一导电层14、有源层15、绝缘层16以及第二导电层17。

其中，第一导电层14设置在基板11上。第一导电层14包括子源极141和子漏极142。有源层15设置在第一导电层14远离基板11的一侧。有源层15包括源接触部151、漏接触部152以及连接源接触部151和漏接触部152的沟道部153。源接触部151覆盖部分子源极141。漏接触部152覆盖部分子漏极142。沟道部153覆盖子源极141和子漏极142之间的空隙。其中，绝缘层16设置在第一导电层14远离基板11的一侧，并覆盖第一导电层14和有源层15。第二导电层17设置在绝缘层16远离基板11的一侧。第二导电层17包括主漏极172和栅极173。主漏极172与子漏极142连接。栅极173在基板11上的正投影至少覆盖沟道部153在基板11上的正投影。

其中，有源层15、子源极141、子漏极142、主源极171、主漏极172以及栅极173构成一薄膜晶体管T。薄膜晶体管T为顶栅型薄膜晶体管。子源极141作为薄膜晶体管T的源极。主漏极172和子漏极142连接，构成薄膜晶体管T的漏极。

本申请实施例将主源极171、主漏极172以及栅极173同层设置，可以采用同一光罩进行同层导电层的图形化，节省光罩数量，降低生产成本。但是，蚀刻易导致导电层的线宽损失(CD loss)过大，而过大的CD loss则导致导电层的线宽必须设置过大，从而较难以通过控制栅极173的线宽的方式实现窄沟道。

对此，本申请实施例通过设置子源极141和子漏极142，且设置有源层15覆盖部分子源极141、部分子漏极142以及子源极141和子漏极142之间的空隙，使得沟道部153位于子源极141和子漏极142之间。则通过控制子源极141和子漏极142之间的距离可以调控沟道部153的长度d，比相关技术中通过等离子体等导体化方式更易实现窄沟道。由于迁移率随着沟道部153的长度d的减小而增大，因此可以提高薄膜晶体管T的迁移率。

此外，由于有源层15设置在第一导电层14远离基板11的一侧，在对第一导电层14进行蚀刻形成子源极141和子漏极142时，可以避免刻蚀液对有源层15的刻蚀影响，从而提高驱动背板100的稳定性。

本申请实施例中，有源层15的材料可以为单晶硅、低温多晶硅或者氧化物半导体材料。氧化物半导体材料可以为IGZO(铟镓锌氧化物)、IGZTO(铟镓锌锡氧化物)、IZO、IGO(镓铟氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、ITO、ATZO(锌铝锡氧化物)、AIZO(锌铝铟氧化物)等。

本申请实施例中，有源层15的厚度为300埃至500埃。沟道部153的长度d为3微米至5微米。有源层15的厚度可以指沿垂直于基板11的方向，沟道部153的厚度。

比如，有源层15的厚度可以为300埃、350埃、400埃、450埃、500埃等。沟道部153的长度d可以为3微米、3.5微米、4微米、4.5微米、5微米等。

本申请实施例的有源层15厚度较薄，从而减小了有源层15的电阻，提升了薄膜晶体管T的性能。本申请实施例的沟道部153的长度d较小，实现了窄沟道，提高了薄膜晶体管T的迁移率。

本申请实施例中，第一导电层14的材料可以是Mo(钼)、Mo/Al(铝)、Mo/Cu(铜)、MoTi(钛)/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO(铟锌氧化物)、IZO/Cu/IZO、Mo/Cu/ITO(铟锡氧化物)等，本申请对此不作具体限定。

本申请实施例中，第二导电层17的材料可以是Mo、Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO、IZO/Cu/IZO、Mo/Cu/ITO等，本申请对此不作具体限定。

具体的，在本申请一些实施例中，第一导电层14的材料和第二导电层17的材料不相同。第一导电层14的线宽小于第二导电层17的线宽。

其中，第一导电层14的材料主要为刻蚀关键尺寸变化较小且电阻率较低的金属氧化物，如ITO、IZO、ANCL等的金属或电阻率低的金属氧化物。ANCL指的是AL、Ni(镍)、Cu、La(镧)的混合物，其性能相对稳定。

第一导电层14的刻蚀关键尺寸变化较小，通过刻蚀可以得到具有较小线宽的子源极141和子漏极142，使得子源极141和子漏极142之间的距离更加可控，更易于实现窄沟道。同时可实现子源极141和子漏极142的线宽均一性，实现稳定的晶体管电学特性。

进一步的，第一导电层14的电阻率大于第二导电层17的电阻率。比如，第二导电层17可以是单层金属铜、底层钼上层铜、底层钼钛合金上层铜等结构。可以理解的是，通常线宽偏差小的金属的导电率较差。因此，本申请实施例设置第二导电层17的电阻率小于第一导电层14的电阻率，可以降低主源极171和主漏极172的阻抗。由于主源极171与子源极141连接，以及主漏极172与子漏极142连接，从而可以降低源极和漏极的电阻，提高薄膜晶体管T的性能，降低驱动背板100的负载。

本申请实施例中，绝缘层16的材料可以选自SiOx(氧化硅)、SiNx(氮化硅)、Al

其中，绝缘层16具有第一过孔16a和第二过孔16b。第一过孔16a延伸至子源极141，并暴露出子源极141远离基板11的一侧表面。第二过孔16b延伸至子漏极142，并暴露出子漏极142远离基板11的一侧表面。主源极171通过第一过孔16a与子源极141连接。主漏极172通过第二过孔16b与子漏极142连接。

本申请实施例中，栅极173在基板11上的正投影与子源极141在基板11上的正投影部分重叠。栅极173在基板11上的正投影与子漏极142在基板11上的正投影部分重叠。

可以理解的是，由于源接触部151覆盖部分子源极141，漏接触部152覆盖部分子漏极142；因此，在垂直于基板11的方向上，栅极173、源接触部151以及子源极141部分重叠，栅极173、漏接触部152以及子漏极142部分重叠。由此，源接触部151可以被其上下两侧的栅极173和子源极141之间的电场所控制，而无需导体化。同理，漏接触部152可以被其上下两侧的栅极173和子源极141之间的电场所控制，而无需导体化。由此，在制成驱动背板100的过程中，可以省略掉导体化源接触部151和漏接触部152的步骤，简化工艺制程。

具体的，栅极173在基板11上的正投影可以与有源层15在基板11上的正投影重叠。由此，栅极173在基板11上的正投影与子源极141在基板11上的正投影完全重叠。栅极173在基板11上的正投影与子漏极142在基板11上的正投影完全重叠。进一步提高子源极141和子漏极142与有源层15的接触良率。

本申请实施例中，第二导电层17还可以包括主源极171。栅极173位于主源极171和主漏极172之间。主源极171与子源极141连接。

其中，有源层15、子源极141、子漏极142、主源极171、主漏极172以及栅极173构成一薄膜晶体管T。薄膜晶体管T为顶栅型薄膜晶体管。主源极171和子源极141连接，构成薄膜晶体管T的源极。主漏极172和子漏极142连接，构成薄膜晶体管T的漏极。

本申请实施例中，驱动背板100还包括钝化层18和第三导电层19。钝化层18位于第二导电层17远离基板11的一侧。第三导电层19位于钝化层18远离基板11的一侧。

其中，钝化层18的材料可以为SiOx、SiNx、SiNx/SiOx、SiNOx等。第三导电层19的材料可以为ITO、IZO、ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、Mo/Cu、MoTi/Cu/MoTi等。

其中，第三导电层19包括连接电极191。钝化层18具有连接过孔18a。连接过孔18a暴露出主源极171远离基板11的一侧表面。连接电极191通过连接过孔18a与主源极171连接。连接电极191在基板11上的正投影至少覆盖有源层15在基板11上的正投影。

可以理解的是，主源极171、主漏极172以及栅极173同层设置，在节省光罩数量的同时，也减少了隔开各导电层的非金属膜层。水氧隔绝能力比包括层间介质层和钝化层的顶栅结构相对较弱。同时，若驱动背板100应用于micro-LED背光板中，并无OLED中的像素定义层及平坦层，水氧对驱动背板100的影响更大。

对此，本申请实施例设置连接电极191在基板11上的正投影至少覆盖有源层15在基板11上的正投影，也即将连接电极191从与主源极171对应的位置向与主漏极172对应的位置延伸，并至少覆盖于有源层15的沟道部153的上方，从而阻挡环境中的水汽扩散至沟道部153，提升驱动背板100的可靠性。

进一步的，连接电极191在基板11上的正投影完全覆盖有源层15在基板11上的正投影，并覆盖至少部分主漏极172在基板11上的正投影。沿垂直于基板11的方向，连接电极191与主漏极172的重叠部分的长度L为2微米至5微米。由此，进一步提高对有源层15的遮挡面积，阻挡水氧的侵蚀。

具体的，连接电极191与主漏极172的重叠部分的长度L可以为2微米、3微米、4微米、5微米等。

在本申请一些实施例中，第三导电层19包括叠层设置的减反射层和导电金属层。减反射层设置在导电金属层远离基板11的一侧。

其中，减反射层的材料可以为铟锌氧化物、氧化钼或氮化钼。导电金属层的材料可以为铜和钼形成的复合金属层。

比如，减反射层的材料为铟锌氧化物，导电金属层的材料为铜和钼形成的复合金属层。铟锌氧化物作为低反射功能层。铜作为电极层。通过将钼设置在铟锌氧化物与铜之间，可以提高铟锌氧化物与铜的贴合性。

本申请实施例采用氧化锌、氧化钼或氮化钼涂布于导电金属层上，因为氧化锌、氧化钼或氮化钼具有较好的吸光特性,可以减少发光单元发出的光或者外部环境光进入沟道部153，进一步提高驱动背板100的稳定性。

本申请实施例中，驱动背板100还包括遮光层12和缓冲层13。遮光层12设置在第一导电层14靠近基板11的一侧。缓冲层13设置在第一导电层14和遮光层12之间。

其中，遮光层12的材料可以为导电性优、遮光性好的金属。比如，遮光层12的材料为Mo、Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO、IZO/Cu/IZO、Mo/Cu/ITO等。缓冲层13的材料可以为SiOx，SiOx或SiNx/SiOx叠层，起到绝缘保护的作用。

其中，遮光层12包括遮光件121。遮光件121在基板11上的正投影覆盖有源层15在基板11上的正投影。

可以理解的是，有源层15在受到来自基板11一侧的光照射后会使得光生载流子增加，造成薄膜晶体管T产生阈值电压漂移、漏电流增加等不良现象。遮光件121可以遮挡从基板11远离遮光件121的方向射入的光线，进而减弱外部光线对有源层15产生的干扰，从而提高驱动背板100的工作性能。

其中，绝缘层16还具有第三过孔16c。第三过孔16c贯穿绝缘层16，并延伸至遮光件121。第三过孔16c暴露出遮光件121远离基板11的一侧表面。遮光件121通过第三过孔16c与主漏极172连接。由于主漏极172与子漏极142连接，实现了遮光件121与子漏极142的连接。

通过将遮光件121与主漏极172连接形成等电位，可以避免遮光件121上的电压变化影响有源层15的电性能。且遮光件121、主漏极172以及子漏极142连接在一起，进一步减小了降低驱动背板100的负载。

请参阅图2，图2是本申请提供的驱动背板的第二结构示意图。与图1所示的驱动背板100的不同之处在于，在本申请实施例中，第三导电层19包括连接电极191和保护电极192。其中，连接电极191通过连接过孔18a与主源极171连接。保护电极192在基板11上的正投影至少覆盖有源层15在基板11上的正投影。

具体的，保护电极192在基板11上的正投影完全覆盖有源层15在基板11上的正投影，并覆盖至少部分主漏极172在基板11上的正投影。沿垂直于基板11的方向，保护电极192与主漏极172的重叠部分的长度L为2微米至5微米。由此，进一步提高对有源层15的遮挡面积，阻挡水氧的侵蚀。

具体的，保护电极192与主漏极172的重叠部分的长度L可以为2微米、3微米、4微米、5微米等。

本申请实施例将连接电极191和保护电极192分开设置，可以避免保护电极影响连接电极191的功能。

请参阅图3，图3是本申请提供的驱动背板的第三结构示意图。与图1所示的驱动背板100的不同之处在于，在本申请实施例中，缓冲层13具有接触孔13a。接触孔13a延伸至遮光件121，并暴露出遮光件121远离基板11的一侧表面。遮光件121通过接触孔13a与子漏极142连接。由于主漏极172与子漏极142连接，实现了遮光件121与主漏极172的连接。

本申请实施例通过在缓冲层13中设置接触孔13a，实现了遮光件121、子漏极142以及主漏极172的连接，减少了绝缘层16中的过孔的数量，从而提高绝缘层16阻水隔氧的能力。

请参阅图4，图4是本申请提供的驱动背板的第四结构示意图。与图1所示的驱动背板100的不同之处在于，在本申请实施例中，栅极173在基板11上的正投影与沟道部153在基板11上的正投影重叠。源接触部151具有第一掺杂区1510。漏接触部152具有第二掺杂区1520。

可以理解的是，当栅极173仅与沟道部153对应设置时，源接触部151无法在栅极173和子源极141之间的电场下导体化。同理，漏接触部152无法在栅极173和子源极141之间的电场下导体化。为了提高子源极141与源接触部151之间的连接良率以及子漏极142与漏接触部152之间的连接良率，需要对源接触部151和漏接触部152进行离子掺杂，形成第一掺杂区1510和第二掺杂区1520。

其中，第一掺杂区1510是源接触部151的一部分，第二掺杂区1520是漏接触部152的一部分，从而避免导体化下掺杂离子的扩散作用影响沟道部153。

请参阅图5，图5是本申请提供的驱动背板的第四结构示意图。与图1所示的驱动背板100的不同之处在于，在本申请实施例中，连接电极191通过连接过孔18a直接与子源极141连接。

具体的，连接过孔18a贯穿钝化层18，并延伸至子源极141。连接过孔18a暴露出子源极141远离基板11的一侧表面。由此，连接电极191通过连接过孔18a直接与子源极141连接，提高接触良率。

请同时参阅图1和图6A-图6F，图6A-图6F是在本申请提供的驱动背板的一种制作方法中各步骤获得的结构示意图。本申请实施例以图1所示的驱动背板100为例进行说明，但不能理解为对本申请的限定。本申请实施例提供的驱动背板100的制作方法具体包括以下步骤：

101、提供基板11，在基板11上形成遮光层12，如图6A所示。

其中，基板11可以是双层PI(Polyimide，聚酰亚胺)层，也可以是玻璃基板。基板11还可以包括阻隔层，起到阻水隔氧的作用。

具体的，通过化学气相沉积在基板11上涂布遮光材料，然后通过图案化处理形成遮光层12。遮光层12包括遮光件121。

102、在遮光层12远离基板11的一侧形成缓冲层13，并在缓冲层13远离基板11的一侧形成第一导电层14，如图6B所示。

其中，第一导电层14包括间隔设设置的子源极141和子漏极142。第一导电层14的材料主要为刻蚀关键尺寸变化较小且电阻率较低的金属氧化物，如ITO、IZO、ANCL等的金属或电阻率低的金属氧化物。第一导电层14的线宽较小，使得子源极141和子漏极142之间的距离更加可控，更易于实现窄沟道。

103、通过半导体镀膜工艺，在第一导电层14远离基板11的一侧形成有源层15，如图6C所示。

其中，有源层15包括源接触部151、漏接触部152以及连接源接触部151和漏接触部152的沟道部153。源接触部151覆盖部分子源极141。漏接触部152覆盖部分子漏极142。沟道部153覆盖子源极141和子漏极142之间的空隙。遮光层12在基板11上的正投影至少覆盖沟道部153在基板11上的正投影。

104、在有源层15远离基板11的一侧形成绝缘层16，如图6D所示。

具体的，对绝缘层16进行图案化处理，形成第一过孔16a、第二过孔16b以及第三过孔16c。第一过孔16a延伸至子源极141，并暴露出子源极141远离基板11的一侧表面。第二过孔16b延伸至子漏极142，并暴露出子漏极142远离基板11的一侧表面。第三过孔16c贯穿绝缘层16，并延伸至遮光件121。第三过孔16c暴露出遮光件121远离基板11的一侧表面。

105、在绝缘层16远离基板11的一侧形成第二导电层17，如图6E所示。

其中，第二导电层17包括主源极171、主漏极172以及栅极173。栅极173位于主源极171和主漏极172之间。栅极173在基板11上的正投影至少覆盖沟道部153在基板11上的正投影。主源极171通过第一过孔16a与子源极141连接。主漏极172通过第二过孔16b与子漏极142连接。遮光件121通过第三过孔16c与主漏极172连接。由于主漏极172与子漏极142连接，实现了遮光件121与子漏极142的连接。

106、在第二导电层17远离基板11的一侧形成钝化层18。

如图6F所示，钝化层18具有连接过孔18a。连接过孔18a暴露出主源极171远离基板11的一侧表面。

107、在钝化层18远离基板11的一侧形成第三导电层19，如图1所示。

其中，第三导电层19包括连接电极191。连接电极191通过连接过孔18a与主源极171连接。连接电极191在基板11上的正投影至少覆盖有源层15在基板11上的正投影。

比如，连接电极191在基板11上的正投影可以完全覆盖有源层15在基板11上的正投影，并覆盖至少部分主漏极172在基板11上的正投影。沿垂直于基板11的方向，连接电极191与主漏极172的重叠部分的长度L为2微米至5微米。由此，进一步提高对有源层15的遮挡面积，阻挡水氧的侵蚀。

具体的，连接电极191与主漏极172的重叠部分的长度L可以为2微米、3微米、4微米、5微米等。

需要说明的是，驱动背板100中各功能膜层的材料以及其它特性可以参阅上述实施例，在此不再赘述。

相应的，请参阅图7，图7是本申请提供的显示面板的一种结构示意图。显示面板1000包括驱动背板100和设置于驱动背板100上的发光单元200。驱动背板100为上述任一实施例所述的驱动背板100，具体可参阅上述内容，在此不再赘述。

在本申请实施例中，显示面板1000可以是OLED显示面板或MLED显示面板或者液晶显示面板。当显示面板1000为OLED显示面板时，发光单元200可以包括有机发光层(图中未示出)。当显示面板1000为MLED显示面板时，发光单元200可以是Micro-LED或者Mini-LED。当显示面板1000为MLED显示面板时，驱动背板100可以是显示面板1000的阵列基板。

本申请实施例提供的显示面板1000包括驱动背板100。在驱动背板100中设置子源极和子漏极，有源层覆盖部分子源极、部分子漏极以及子源极和子漏极之间的空隙，使得沟道部位于子源极和子漏极之间，则通过控制子源极和子漏极之间的距离可以调控沟道部的长度，比相关技术中通过等离子体等导体化方式更易实现窄沟道。由于迁移率随着沟道部的长度的减小而增大，因此可以提高薄膜晶体管的迁移率，提高驱动背板的可靠性。

以上对本申请实施例提供的驱动背板和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。