硅片对准装置及硅片对准方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅片对准装置及硅片对准方法。

背景技术

随着半导体行业摩尔定律的快速发展，其继续往下发展的成本和难度越来越大。与此同时，3D IC越来越多地得到应用，并被证明为半导体发展中作为摩尔定律的一种不可或缺的补充。在3D IC中，对准键合工艺具有高产率的优势，也越来越多地被应用。当前对准键合工艺的精度最高为0.5μm，其常见的结构主要由两个相对布置的装载模块、两套相对布置的对准测量模块和对准接触模块组成，两套相对布置的对准测量模块分别用于对应硅片的位置测量，并得到两个硅片的对准误差信息，经运动台补偿后，对准接触模块完成两个硅片的接触键合。

随着行业的发展，对准键合工艺的精度要求越来越高，甚至有可能要求到全片200nm及其以上的对准键合精度。但由于如下两个原因，使得200nm级别的对准键合精度非常难于实现。一是来料的两个硅片由于前道的工艺制程影响，往往会存在一定的倍率偏差；二是在对准键合时，两个硅片分别被吸附在上下两个装载模块上，其温度分布会有不同，以0.1℃的偏差计算，12寸的两个硅片在边缘就会存在40nm左右的偏差。因此为了实现更高精度的对准键合，在对准和键合之前务必要控制两个硅片的倍率差，使其控制在可接受的范围之内。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片对准装置及硅片对准方法，减小两个硅片之间的倍率差，以提高对准键合精度。

为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片对准装置，用于将两个硅片进行对准键合，包括：

两个相对设置的装载模块，分别具有一个用于装载所述硅片的装载面，两个所述装载面相对设置；

至少一个对准接触模块，设置于至少一个所述装载模块上，用于向所述硅片提供顶力；

至少一个真空吸附结构，设置于具有所述对准接触模块的装载模块的装载面上，每个所述真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域；

根据两个所述硅片的倍率值调整任一所述真空吸附结构的至少部分所述真空吸附区域的吸附力，以使两个所述硅片的倍率值的差值减小，两个所述装载模块相对运动，以使两个所述硅片进行对准键合。

可选的，在将所述硅片装载至所述装载模块之前获取所述硅片的倍率值。

可选的，两个所述装载模块分别为第一装载模块和第二装载模块，所述对准接触模块设置在所述第一装载模块上，且所述第一装载模块用于装载倍率值较小的硅片。

可选的，还包括至少两个对准测量模块，设置于两个所述装载模块上，用于获取所述硅片的倍率值。

可选的，两个所述装载模块上均设置有所述对准接触模块。

可选的，所述对准接触模块设置于任一所述装载模块上；所述硅片对准装置还包括温度控制模块，设置于任一所述装载模块上，用于调整所述装载模块的承载面的温度。

可选的，还包括运动台，用于驱动至少一个所述装载模块运动。

可选的，所述真空吸附区域包括第一真空吸附区域和至少一个第二真空吸附区域，所述第二真空吸附区域依次围绕所述第一真空吸附区域以构成同心环状。

一种利用如上所述的硅片对准装置的硅片对准方法，包括：

提供两个硅片，将两个所述硅片分别装载至两个承载面上，并获取两个所述硅片的倍率值；

根据两个所述硅片的倍率值调整任一真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个所述硅片的倍率值的差值减小；

两个装载模块相对运动，以使两个所述硅片进行对准键合。

可选的，两个所述装载模块分别为第一装载模块和第二装载模块，所述对准接触模块设置在所述第一装载模块上，且所述第一装载模块用于装载倍率值较小的硅片，在将所述硅片装载至所述装载模块之前获取所述硅片的倍率值；以及，

调整所述第一装载模块的装载面上的所述真空吸附结构。

可选的，还包括至少两个对准测量模块，设置于两个所述装载模块上，用于获取所述硅片的倍率值，两个所述装载模块上均设置有所述对准接触模块；以及，

调整装载倍率值较小的硅片的装载面上的所述真空吸附结构。

可选的，还包括至少两个对准测量模块，设置于两个所述装载模块上，用于获取所述硅片的倍率值，所述对准接触模块设置在任一所述装载模块上；以及，

当所述对准接触模块设置的装载模块装载了倍率值较小的硅片时，调整所述装载模块的装载面上的所述真空吸附结构；当所述对准接触模块设置的装载模块装载了倍率值较大的硅片时，调整任一所述硅片的温度以及调整所述装载模块的装载面上的所述真空吸附结构。

可选的，调整任一所述硅片的温度包括降低倍率值较大的硅片的温度或升高倍率值较小的硅片的温度。

在本发明提供的硅片对准装置及硅片对准方法中，对准接触模块设置于至少一个装载模块上，在具有对准接触模块的装载模块的装载面上设有真空吸附结构，真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值调整任一真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力，结合对准接触模块向硅片提供顶力，以实现调整硅片的倍率值，从而减小两个硅片之间的倍率值的差值，即减小两个硅片之间的倍率差，在进行对准键合时，提高了对准键合精度。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的硅片对准装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的硅片对准装置中真空吸附结构的示意图；

图3及图4为本发明一实施例提供的硅片对准装置进行硅片倍率值测量时的位置示意图；

图5为本发明一实施例提供的硅片对准方法的流程图；

图6为本发明一实施例提供的硅片对准方法进行硅片倍率值调整时的示意图；

其中，附图标记为：

101、201-硅片；111、112、211、212-对准标记；102、202-装载模块；103、203-对准测量模块；104-对准接触模块；204-运动台。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的硅片对准装置的结构示意图，图2为本实施例提供的硅片对准装置中真空吸附结构的示意图。请参考图1及图2，本实施例提供了一种硅片对准装置，用于将两个硅片101、201进行对准键合，包括两个相对设置的装载模块102、202、至少一个对准接触模块104及至少一个真空吸附结构。

两个装载模块102、202在垂向上相对上下排列，且分别具有一个用于装载硅片的装载面，两个装载面相对设置。在两个硅片101、201上均设有至少两个对准标记，两个硅片101、201上的所有对准标记的位置均相同。在图1中每张硅片只示出了两个对准标记，即硅片101上设有两个对准标记111、112，硅片201上设有两个对准标记211、212，且硅片101上的两个对准标记111、112的位置与硅片201上的两个对准标记211、212的位置相同，即满足硅片101上的两个对准标记111、112之间的距离与硅片201上的两个对准标记211、212之间的距离相同。

至少一个装载模块上设有对准接触模块，用于向设置于装载模块上的硅片提供顶力。在图1中示出了装载模块102上设有对准接触模块104，用于向硅片101提供向下的顶力，也可以在装载模块202上也设有对准接触模块。

具有对准接触模块的装载模块的装载面上设有真空吸附结构，真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域，通过真空吸附结构将任一硅片装载在具有对准接触模块的装载模块的装载面上；不具有对准接触模块的装载模块的装载面上不设有真空吸附结构，通过常规吸附方式将另一硅片装载在另一装载模块的装载面上。在图1中对准接触模块104的装载模块102的装载面上设有真空吸附结构，通过真空吸附结构将硅片101装载在装载模块102上。

在本实施例中，真空吸附区域包括第一真空吸附区域和至少一个第二真空吸附区域第二真空吸附区域依次围绕第一真空吸附区域以构成同心环状，至少两个独立的真空吸附区域呈同心环状，能够均衡针对硅片的不同区域进行倍率调整。在图2中示出了装载模块102的装载面上的真空吸附结构具有的三个独立的真空吸附区域102a、102b、102c，三个真空吸附区域102a、102b、102c的真空度根据实际情况可设定为相同或不同，真空吸附区域102a为第一真空吸附区域，两个真空吸附区域102b、102c均为第二真空吸附区域，真空吸附区域102a呈圆形，两个真空吸附区域102b、102c呈环形依次围绕真空吸附区域102a以构成同心环状。

在本实施例中，第一个示例可以在将两个硅片101、201分别装载至两个装载模块102、202之前获取两个硅片101、201的倍率值。两个装载模块102、202分别为第一装载模块和第二装载模块，对准接触模块设置在第一装载模块上，且第一装载模块用于装载倍率值较小的硅片。在图1中装载模块101为第一装载模块，装载模块102为第二装载模块，对准接触模块104设置在装载模块101上，且装载模块101用于装载倍率值较小的硅片101，根据两个硅片101、201的倍率值的差值调整装载硅片101的装载面上的真空吸附结构，具体是调整该真空吸附结构中至少部分真空吸附区域的吸附力，调整吸附力就是调整真空吸附区域的真空度，由于真空吸附结构中的真空吸附区域是相互独立的，可以单独调整某个真空吸附区域的真空度或者组合调整多个真空吸附区域的真空度以实现调整真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。调整硅片101对应的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力并结合对准接触模块104向硅片101提供顶力，吸附力和顶力的方向相反，将硅片101进行拉伸，以使硅片101的倍率值变大，从而减小两个硅片101、201之间的倍率值的差值，即减小两个硅片101、201之间的倍率差，提高对准键合精度。

在本实施例中，第二个示例可以包括至少两个对准测量模块103、203，分别设置于两个装载模块102、202上，用于获取两个硅片101、201的倍率值。即每个装载模块至少与一个对准测量模块连接，每个装载模块与多个对准测量模块连接时，多个对准测量模块能够同时对硅片进行分区测量。在图1中只示出了每个装载模块与一个对准测量模块连接，即装载模块102与对准测量模块103连接，装载模块202与对准测量模块203连接。

进一步地，两个装载模块102、202上均设置有对准接触模块(图1中只示出了一个对准接触模块104)，可以通过两个对准测量模块103、203测量得到两个硅片101、201的倍率值，根据两个硅片101、201的倍率值的差值调整倍率值小的硅片的装载面上的真空吸附结构，具体是调整该真空吸附结构中至少部分真空吸附区域的吸附力，调整吸附力就是调整真空吸附区域的真空度，由于真空吸附结构中的真空吸附区域是相互独立的，可以单独调整某个真空吸附区域的真空度或者组合调整多个真空吸附区域的真空度以实现调整真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。调整倍率值小的硅片对应的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力并结合倍率值小的硅片对应的对准接触模块向其提供顶力，吸附力和顶力的方向相反，将倍率值小的硅片进行拉伸，以使倍率值小的硅片的倍率值变大，从而减小两个硅片101、201之间的倍率值的差值，即减小两个硅片101、201之间的倍率差，提高对准键合精度。

在本实施例中，第三个示例可以包括至少两个对准测量模块103、203，分别设置于两个装载模块102、202上，用于获取两个硅片101、201的倍率值。即每个装载模块至少与一个对准测量模块连接，每个装载模块与多个对准测量模块连接时，多个对准测量模块能够同时对硅片进行分区测量。在图1中只示出了每个装载模块与一个对准测量模块连接，即装载模块102与对准测量模块103连接，装载模块202与对准测量模块203连接。

进一步地，对准接触模块设置于任一装载模块上。进而，硅片对准装置还包括温度控制模块，设置于任一装载模块上，用于调整装载模块的承载面的温度。在本实施例中，温度控制模块设置于任一装载模块上，当然温度控制模块也可以设置在每个装载模块上，根据实际情况而定。

具体是两个装载模块102、202分别为第一装载模块和第二装载模块，当对准接触模块设置于第一装载模块上时，可以在第二装载模块上设置温度控制模块，用于调整第二装载模块的承载面的温度，以使第二装载模块的承载面的硅片的温度升高，升高温度可以使第二装载模块的承载面的硅片的倍率值变大。例如图1中只有装载模块102上设置有对准接触模块104时，在装载模块202上设置温度控制模块，可以通过两个对准测量模块103、203测量得到两个硅片101、201的倍率值，当硅片101的倍率值大于硅片201的倍率值时，温度控制模块用于控制装载模块202的承载面的硅片201的温度，使硅片201的温度升高，热胀冷缩将硅片201的倍率值变大，以使硅片101的倍率值小于硅片201的倍率值。

或者，当对准接触模块设置于第一装载模块上时，可以在第一装载模块上设置温度控制模块，用于调整第一装载模块的承载面的温度，以使第一装载模块的承载面的硅片的温度降低，降低温度可以使第一装载模块的承载面的硅片的倍率值变小。例如图1中只有装载模块102上设置有对准接触模块104时，在装载模块102上设置温度控制模块，可以通过两个对准测量模块103、203测量得到两个硅片101、201的倍率值，当硅片101的倍率值大于硅片201的倍率值时，温度控制模块用于控制装载模块102的承载面的硅片101的温度，使硅片101的温度降低，热胀冷缩将硅片101的倍率值变小，以使硅片101的倍率值小于硅片201的倍率值。

进一步地，当硅片101的倍率值小于硅片201的倍率值后，根据两个硅片101、201的倍率值的差值调整硅片101的装载面上的真空吸附结构，具体是调整该真空吸附结构中至少部分真空吸附区域的吸附力，调整吸附力就是调整真空吸附区域的真空度，由于真空吸附结构中的真空吸附区域是相互独立的，可以单独调整某个真空吸附区域的真空度或者组合调整多个真空吸附区域的真空度以实现调整真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。调整硅片101对应的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力并结合硅片101对应的对准接触模块104向其提供顶力，吸附力和顶力的方向相反，将硅片101进行拉伸，以使硅片101的倍率值变大，从而减小两个硅片101、201之间的倍率值的差值，即减小两个硅片101、201之间的倍率差，提高对准键合精度。通过真空吸附区域及对准接触模块配合减小两个硅片101、201之间的倍率差比只通过温度控制模块两个硅片101、201之间的倍率差更加准确。

进一步地，硅片对准装置还包括运动台，用于驱动至少一个所述装载模块运动，在运动台和对准接触模块的驱动下，使两个装载模块相对运动，以使两个硅片进行对准键合。当运动台上设置有对准接触模块时，对准接触模块位于运动台和装载模块之间。在图1中对准接触模块104用于驱动硅片101向硅片201靠近，以使硅片101和硅片201进行对准键合。运动台204用于驱动装载模块202及对准测量模块203运动，以使对准测量模块103、203获得所有对准标记的位置信息及硅片101和硅片201进行对准键合。

图3及图4为本实施例提供的硅片对准装置进行硅片倍率值测量时的位置示意图。请参考图3，运动台204驱动装载模块202及对准测量模块203运动，以使对准测量模块103分别与两个对准标记211、212对准，并且获得两个对准标记211、212的位置信息；请参考图4，运动台204驱动装载模块202及对准测量模块203运动，以使对准测量模块203分别与两个对准标记111、112对准，并且获得两个对准标记111、112的位置信息，其中两个对准标记211、212的距离值为硅片201的倍率值，两个对准标记111、112的距离值为硅片101的倍率值。

图5为本实施例提供的硅片对准方法的流程图。请参考图5，本实施例还提供了一种利用如上所述的硅片对准装置的硅片对准方法，硅片对准方法包括：

步骤S1：提供两个硅片，将两个硅片分别装载至两个承载面上，并获取两个硅片的倍率值；

步骤S2：根据两个硅片的倍率值调整任一真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小；

步骤S3：两个装载模块相对运动，以使两个硅片进行对准键合。

下面对本实施例提供的硅片对准方法进行详细说明。

执行步骤S1：提供两个硅片，两个硅片上均设有至少两个对准标记，两个硅片上的所有对准标记的位置均相同，以使两个硅片上的每两个对准标记的距离相同。硅片上的任意两个对准标记的距离值为硅片的倍率值，若硅片上的任意两个对准标记的距离实际中出现偏差，表明两个硅片出现了倍率差，倍率差可能是前道工艺影响导致的，也可能是两个装载模块的温度不同导致出现了偏差，因此需要对此倍率差进行补偿，以减小两个硅片的倍率差。

在本实施例中，第一个示例可以在将两个硅片分别装载至两个装载模块之前获取两个硅片的倍率值，用户可以根据之前工艺要求指定两个硅片的倍率值，例如之前测试过两个硅片的倍率值，就根据保存的倍率值进行指定。并且两个装载模块分别为第一装载模块和第二装载模块，对准接触模块设置在第一装载模块上，且第一装载模块用于装载倍率值较小的硅片。

在本实施例中，第二个示例可以还包括至少两个对准测量模块，设置于两个装载模块上，用于获取两个硅片的倍率值，具体是利用对准测量模块获得两个硅片上所有对准标记的位置信息，并计算得到硅片上任意两个对准标记的距离值作为硅片的倍率值。并且两个装载模块上均设置有对准接触模块，将两个硅片分别装载至两个装载模块上。

在本实施例中，第三个示例可以还包括至少两个对准测量模块，设置于两个装载模块上，用于获取两个硅片的倍率值，具体是利用对准测量模块获得两个硅片上所有对准标记的位置信息，并计算得到硅片上任意两个对准标记的距离值作为硅片的倍率值。并且对准接触模块设置在任一装载模块上，将两个硅片分别装载至两个装载模块上。

执行步骤S2：根据两个硅片的倍率值的差值调整装载倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。由于两个硅片的倍率值难以调整到完全相同，可以设定一个阈值，若两个硅片的倍率值的差值大于阈值，即需要根据两个硅片的倍率值的差值调整装载倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。

在本实施例中，第一个示例根据两个硅片的倍率值的差值调整第一装载模块的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。利用对准接触模块给第一装载模块的装载面上的硅片施加顶力，而第一装载模块的装载面上具有吸附力吸附硅片，吸附力与顶力的方向相反；从硅片上对准标记的位置能够得知对准标记对应哪一真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值的差值对第一装载模块的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域进行真空度调节，可以调整对准标记的位置对应的真空吸附区域的真空度，以改变至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。

在本实施例中，第二个示例根据两个硅片的倍率值的差值调整装载倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。利用对准接触模块给倍率值较小的硅片的装载面上的硅片施加顶力，而倍率值较小的硅片的装载面上具有吸附力吸附硅片，吸附力与顶力的方向相反；从硅片上对准标记的位置能够得知对准标记对应哪一真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值的差值对倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域进行真空度调节，可以调整对准标记的位置对应的真空吸附区域的真空度，以改变至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。

在本实施例中，第三个示例根据两个硅片的倍率值的差值调整装载倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力。当对准接触模块设置的装载模块装载了倍率值较小的硅片时，利用对准接触模块给倍率值较小的硅片的装载面上的硅片施加顶力，而倍率值较小的硅片的装载面上具有吸附力吸附硅片，吸附力与顶力的方向相反；从硅片上对准标记的位置能够得知对准标记对应哪一真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值的差值对倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附结构的至少部分真空吸附区域进行真空度调节，可以调整对准标记的位置对应的真空吸附区域的真空度，以改变至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。

当对准接触模块设置的装载模块装载了倍率值较大的硅片时，可以降低倍率值较大的硅片的温度，产生热胀冷缩，使此硅片的倍率值减小，以使对准接触模块设置的装载模块装载的硅片的倍率值小于未设置有对准接触模块的装载模块装载的硅片的倍率值。进而，利用对准接触模块给倍率值较小的硅片的装载面上的硅片施加顶力，而倍率值较小的硅片的装载面上具有吸附力吸附硅片，吸附力与顶力的方向相反；由于倍率值较小的硅片装载面上的真空吸附区域具有至少两个真空吸附区域，而利用这些真空吸附区域取吸附硅片，可知硅片由不同的真空吸附区域吸附控制，从硅片上对准标记的位置能够得知对准标记对应哪一真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值的差值对倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附区域的至少部分真空吸附区域进行真空度调节，可以调整对准标记的位置对应的真空吸附区域的真空度，以改变至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。

或者，当对准接触模块设置的装载模块装载了倍率值较大的硅片时，可以升高未设置有对准接触模块的装载模块装载的硅片的温度，产生热胀冷缩，此硅片的倍率值增大，以使对准接触模块设置的装载模块装载的硅片的倍率值小于未设置有对准接触模块的装载模块装载的硅片的倍率值。进而，利用对准接触模块给倍率值较小的硅片的装载面上的硅片施加顶力，而倍率值较小的硅片的装载面上具有吸附力吸附硅片，吸附力与顶力的方向相反；由于倍率值较小的硅片装载面上的真空吸附区域具有至少两个真空吸附区域，而利用这些真空吸附区域取吸附硅片，可知硅片由不同的真空吸附区域吸附控制，从硅片上对准标记的位置能够得知对准标记对应哪一真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值的差值对倍率值较小的硅片的装载面上的真空吸附区域的至少部分真空吸附区域进行真空度调节，可以调整对准标记的位置对应的真空吸附区域的真空度，以改变至少部分真空吸附区域的吸附力，以使两个硅片的倍率值的差值减小。在本实施例中，优选先调整任一硅片的温度，然后调整真空吸附结构以使两个硅片的倍率值的差值减小，但不限于此调整顺序，也可先调整真空吸附结构，再调整任一硅片的温度，最后再调整真空吸附结构，最终使两个硅片的倍率值的差值减小即可，具体示实际情况而定。

在本实施例中，为了使倍率值小的硅片倍率值变大，减小两个硅片的倍率值的差值。因此需要将倍率值小的硅片进行拉伸，使倍率值变大，根据两个硅片的倍率值的差值减小任一真空吸附区域的真空度，任一真空吸附区域为对准标记位置对应的真空吸附区域，减小任一真空吸附区域的真空度，使该真空吸附区域的吸附力降低，硅片上对应此真空吸附区域的位置处受到的吸附力降低，而其它真空吸附区域的吸附力大于被调整的真空吸附区域的吸附力，硅片上对应其它真空吸附区域的位置处受到的吸附力也大于硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处受到的吸附力，硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处受到对准接触模块给予的顶力，而硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处的边缘会受到硅片上对应其它真空吸附区域的位置处的吸附力，此顶力与硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处的边缘的吸附力方向相反，使硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处被拉伸，以增加倍率值小的硅片的倍率值，减小两个硅片的倍率值的差值，在进行对准键合时，能够提高对准键合精度。

在本实施例中，根据两个硅片的倍率值的差值减小任一真空吸附区域的真空度，任一真空吸附区域为对准标记位置对应的真空吸附区域，也可以减小对准标记位置对应的真空吸附区域的真空度的同时，增加其它真空吸附区域的真空度，以增加硅片上对应被调整的真空吸附区域的位置处的边缘的吸附力，使提高硅片的拉伸作用，具体如何调整至少部分真空吸附区域的吸附力根据实际情况而定。

图6为本实施例提供的硅片对准方法进行硅片倍率值调整时的示意图。请参考图6，其中吸附硅片101的装载模块的真空吸附结构上具有三个真空吸附区域，三个真空吸附区域吸附硅片101，可将硅片101分为对应的三个吸附区域101a、101b、101c(与图2的三个真空吸附区域102a、102b、102c对应)。若需要增加硅片101的倍率值，例如可以将吸附区域101a处的吸附力降低，即将吸附区域101a对应的真空吸附区域的真空度降低，对准接触模块会给予吸附区域101a向下的顶力F1，而吸附区域101b处的吸附力大于吸附区域101a处的吸附力，吸附区域101a边缘处也会受到吸附区域101b向上的吸附力F2，向下的顶力F1和向上的吸附力F2决定了吸附区域101a的拉伸程度，可以通过调节吸附区域101a对应的真空吸附区域的真空度去决定拉伸程度，拉伸程度与不同真空吸附区域的真空度的关系可通过离线标定获得，就可以直接根据需拉伸程度去得知该调节的真空度的大小，而拉伸程度决定了两个硅片101、201倍率差，因此增加硅片101的倍率值，减小了两个硅片101、201之间的倍率差。

执行步骤S3：硅片对准装置中还包括运动台，用于驱动至少一个所述装载模块运动，在运动台和对准接触模块的驱动下，使两个装载模块相对运动，以使两个硅片进行对准键合。

综上，在本发明提供的硅片对准装置及硅片对准方法中，对准接触模块设置于至少一个装载模块上，在具有对准接触模块的装载模块的装载面上设有真空吸附结构，真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域，根据两个硅片的倍率值调整任一真空吸附结构的至少部分真空吸附区域的吸附力，结合对准接触模块向硅片提供顶力，以实现调整硅片的倍率值，从而减小两个硅片之间的倍率值的差值，即减小两个硅片之间的倍率差，在进行对准键合时，提高了对准键合精度。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。