半导体封装

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年10月5日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0131968的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体封装，并且更具体地，涉及一种包括激光标记的半导体封装。

背景技术

指示产品信息的激光标记可以被标记在包括半导体芯片的半导体封装的表面上。随着半导体封装变得越来越薄，可能难以在不损坏半导体封装的情况下形成激光标记。例如，在在半导体封装上用激光形成激光标记期间，会产生热量，并可能损坏半导体封装。此外，激光标记需要具有良好的可见性以便被用户容易地识别。然而，在许多情况下，用于形成激光标记的激光可能在半导体封装的表面处被反射，或者直接透过半导体封装，并且因此，形成激光标记可能是困难的，并且所形成的激光标记的可见性可能相对较低。

发明内容

本发明构思提供一种半导体封装，其中所述半导体封装包括具有可见性的激光标记而不会损坏封装。

根据本发明构思的实施例，提供了一种半导体封装，包括：包封层，密封至少一个半导体芯片；重分布级层，布置在包封层上；激光标记金属层，布置在重分布级层上；以及激光标记，布置在激光标记金属层内。

根据本发明构思的实施例，提供了一种半导体封装，包括：扇入区和扇出区，其中，半导体芯片位于该扇入区中，且该扇出区围绕该扇入区并包括封装元件，其中封装元件包括内布线层；封装主体级层，包括包封层，包封层密封扇入区中的半导体芯片以及扇出区中的内布线层；第一重分布级层，布置在封装主体级层的下表面上，并包括第一重分布层和第一重分布绝缘层，其中，该第一重分布层从扇入区延伸到扇出区，并且该第一重分布绝缘层使第一重分布层绝缘；第二重分布级层，布置在封装主体级层的上表面上，并包括第二重分布层和第二重分布绝缘层，其中，该第二重分布层从扇入区延伸到扇出区，并且该第二重分布绝缘层使第二重分布层绝缘；激光标记金属层，布置在第二重分布级层上；以及激光标记，布置在激光标记金属层内。

根据本发明构思的实施例，提供了一种半导体封装，包括：扇入区和扇出区，其中，半导体芯片位于该扇入区中，且该扇出区围绕该扇入区并包括内布线层；封装主体级层，包括包封层，包封层密封扇入区中的半导体芯片以及扇出区中的内布线层；第一重分布级层，布置在封装主体级层的下表面上，并包括第一重分布层和第一重分布绝缘层，其中，该第一重分布层从扇入区延伸到扇出区，并且该第一重分布绝缘层使第一重分布层绝缘；第二重分布级层，布置在封装主体级层的上表面上，并包括第二重分布层和第二重分布绝缘层，其中，该第二重分布层从扇入区延伸到扇出区，并且该第二重分布绝缘层使第二重分布层绝缘；激光标记金属层，在扇入区中布置在第二重分布级层上，并被配置为具有多个子金属层；以及激光标记，布置在激光标记金属层内。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图；

图2是图1的半导体封装的俯视图；

图3A是用于描述在图1和图2的半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图；

图3B是用于描述图3A的激光标记的平面图；

图4A和图4B是用于描述图3A和图3B的激光标记的各种布置示例的平面图；

图5A和图5B是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图；

图6A和图6B是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图；

图7是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图；

图8是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图；

图9至图15是用于描述根据本发明构思的实施例的制造半导体封装的方法的截面图；

图16是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图；

图17是示出了根据本发明构思的实施例的具有半导体封装的存储器系统的示例的示意性框图；以及

图18是示出了根据本发明构思的实施例的具有半导体封装的信息处理系统的示例的示意性框图。

由于图1至图18中的附图旨在说明目的，因此附图中的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚起见，可以放大或夸大一些元件。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施例。本发明构思的实施例可以实现为其中之一，并且以下描述的实施例可以通过组合这些实施例中的至少两个来实现。因此，本发明构思不应被解释为将本发明构思限制为单个实施例。

如本文所使用的，单数形式“一”，“一个”和“所述”意在包括复数形式，除非上下文明确地另外指示。

图1是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图。

详细地，示出了半导体封装PK1的图1可以是XZ方向(例如，XZ平面，即X方向和Z方向)的截面图。半导体封装PK1可以是扇出半导体封装。例如，半导体封装PK1可以是扇出晶片级封装(FOWLP)类型，它是标准晶片级封装(WLP)解决方案的增强。

半导体封装PK1可以包括半导体芯片22所在的扇入区FI、以及位于该扇入区FI两侧的扇出区FO。扇出区FO可以在平面上围绕扇入区FI。虽然在图1中半导体芯片22被描述为单个芯片，但本发明构思不限于此。例如，在本发明构思的实施例中，半导体芯片22可以包括多个堆叠芯片。

半导体芯片22可以包括例如逻辑芯片、电源管理集成电路(PMIC)芯片或存储器芯片。在本发明构思的实施例中，逻辑芯片可以包括例如存储控制器芯片、中央处理单元(CPU)芯片、图形处理单元(GPU)芯片、现场可编程门阵列(FPGA)芯片、数字信号处理器(DSP)芯片、专用集成电路(ASIC)芯片或应用处理器(AP)芯片。

在本发明构思的实施例中，存储器芯片可以包括例如动态随机存取存储器(DRAM)芯片、静态随机存取存储器(SRAM)芯片、闪存芯片、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)芯片、相变随机存取存储器(PRAM)芯片、磁随机存取存储器(MRAM)芯片、铁电随机存取存储器(FeRAM)芯片或电阻式随机存取存储器(RRAM)芯片。

半导体芯片22可以包括前表面22a以及与该前表面22a相对定位的后表面22b。前表面22a可以是有源表面，而后表面22b可以是非有源表面。芯片焊球24布置在前表面22a上，并且可以包括芯片连接球或芯片连接凸块。例如，芯片焊球24可以包括焊料材料，例如锡(Sn)、银(Ag)、锌(Zn)、铅(Pb)及其任何合金中的一种或多种。

扇出区FO可以包括封装元件FE1，该封装元件FE1包括内布线层20。内布线层20可以包括金属柱层(metal post layer)，例如铜(Cu)柱层。在本发明构思的实施例中，内布线层20可以具有柱状形状，并且可以包括金属，例如铜(Cu)、铝(A1)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)及其任何合金中的一种或多种。内布线层20可以是金属通孔层。封装元件FE1还可以包括密封内布线层20的扇出包封层26b。扇出包封层26b可以包括环氧树脂模塑料(EMC)，但扇出包封层26b的材料不受特别限制。例如，任何其他合适的热固性树脂或热塑性树脂可以用作扇出包封层26b。

扇入区FI的半导体芯片22可以由扇入包封层26a密封。在本发明构思的实施例中，扇入包封层26a可以密封至少一个半导体芯片。例如，扇入包封层26a可以密封如图1所示的单个半导体芯片22，或者可以密封多个半导体芯片。扇入包封层26a可以与构成封装元件FE1的扇出包封层26b为一体。扇入包封层26a可以包括与构成封装元件FE1的扇出包封层26b的材料相同的材料。

扇入区FI中的半导体芯片22、密封扇入区FI中的半导体芯片22的扇入包封层26a、以及包括扇出区FO中的内布线层20和扇出包封层26b的封装元件FE1可以构成封装主体级层FBD1。

半导体封装PK1可以包括第一重分布级层RDL1和第二重分布级层RDL2。当第一重分布级层RDL1形成在半导体芯片22的前表面22a上时，第一重分布级层RDL1可以被称为前表面重分布级层。当第二重分布级层RDL2形成在半导体芯片22的后表面22b上时，第二重分布级层RDL2可以被称为后表面重分布级层。第二重分布级层RDL2可以不直接与半导体芯片22的后表面22b物理接触，但本发明构思不限于此。例如，第二重分布级层RDL2可以直接与扇出包封层26b的顶表面和半导体芯片22的后表面22b物理接触。

第一重分布级层RDL1可以布置在封装主体级层FBD1的下表面上，并且包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第一重分布层12、以及使该第一重分布层12绝缘的第一重分布绝缘层10。第一重分布层12可以由金属层形成，该金属层包括例如铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)或其合金。第一重分布层12可以由单层或多层的上述金属材料形成。

第一重分布绝缘层10可以包括介电层。第一重分布绝缘层10可以包括有机聚合物，该有机聚合物包括例如聚苯并恶唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)等。备选地，第一重分布绝缘层10中包括的有机聚合物可以包括光成像介电(PID)材料，例如光敏聚酰亚胺(PSPI)。第一重分布绝缘层10可以包括无机材料，例如氧化硅(SiO

第一重分布级层RDL1可以在其下侧包括与第一重分布层12电连接的第一重分布焊盘14。第一重分布焊盘14可以包括金属层，例如铜(Cu)层、镍(Ni)层或金(Au)层。

在图1中，为了方便起见，第一重分布焊盘14被示为包括在第一重分布级层RDL1中，但本发明构思不限于此。例如，第一重分布焊盘14也可以形成在第一重分布级层RDL1上。换言之，第一重分布焊盘14可以形成在第一重分布级层RDL1的底表面上，并且可以不位于第一重分布级层RDL1内。第一焊球16可以布置在第一重分布焊盘14上。第一焊球16可以是用于连接到外部设备的外部连接端子。例如，外部设备可以通过第一焊球16电连接到第一重分布级层RDL1，例如，通过第一焊球16电连接到第一重分布层12和第一重分布焊盘14。

第一重分布级层RDL1可以在其上侧包括与第一重分布层12电连接的芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19。芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19可以包括金属层，例如铜(Cu)层或铝(Al)层。

在本发明构思的实施例中，芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19可以形成在第一重分布级层RDL1的第一重分布绝缘层10上，并且因此被包括在封装主体级层FBD1中。在本发明构思的实施例中，芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19可以形成在第一重分布绝缘层10内，并且因此被包括在第一重分布级层RDL1中。芯片连接焊盘18可以与半导体芯片22的芯片焊球24电连接。例如，芯片连接焊盘18可以设置为将半导体芯片22电连接到其他组件，例如，电连接到外部电源。柱连接焊盘19可以电连接到内布线层20，即金属柱层。

第二重分布级层RDL2可以布置在封装主体级层FBD1的上表面上，并且包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第二重分布层30、以及使该第二重分布层30绝缘的第二重分布绝缘层28。第二重分布层30可以包括与第一重分布层12的材料相同的材料。第二重分布绝缘层28可以包括与第一重分布绝缘层10的材料相同的材料。

半导体封装PK1可以包括第二重分布焊盘32和激光标记金属层34。第二重分布焊盘32和激光标记金属层34可以同时形成在相同高度处。例如，第二重分布焊盘32和激光标记金属层34可以由相同的材料形成。第二重分布焊盘32可以在第二重分布级层RDL2上。第二重分布焊盘32和激光标记金属层34可以包括例如镍(Ni)、铝(Al)、铁(Fe)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)或其组合。

第二重分布焊盘32可以包括金属焊盘。第二重分布焊盘32可以包括与外半导体封装电耦接的接合焊盘。在本发明构思的实施例中，第二重分布焊盘32可以布置在扇入区FI和扇出区FO中。在本发明构思的实施例中，第二重分布焊盘32可以不布置在扇入区FI中，而是可以仅布置在扇出区FO中。

第二重分布焊盘32可以电连接到第二重分布层30。第二重分布焊盘32可以布置在第二重分布级层RDL2上并与激光标记金属层34间隔开。第二重分布焊盘32可以包括金属层，例如铜(Cu)层或铝(Al)层。焊球可以形成在第二重分布焊盘32上，并且外半导体封装可以安装在其上。将参考图16进行描述，第二半导体封装PK6可以通过第二焊球72安装在第二重分布焊盘32上。

激光标记金属层34可以在第二重分布级层RDL2上。例如，激光标记金属层34可以布置在第二重分布级层RDL2的整个表面(例如，顶表面)的一部分区域(即，一部分)上。激光标记金属层34可以布置在扇入区FI的第二重分布级层RDL2上与第二重分布焊盘32间隔开。例如，激光标记金属层34可以布置在扇入区FI的第二重分布级层RDL2的整个表面(例如，顶表面)的一部分上。激光标记金属层34可以在半导体芯片22上，例如，在半导体芯片22的中心部分上。例如，激光标记金属层34可以在Z方向上与半导体芯片22的中心部分交叠。

激光标记金属层34可以布置在未形成第二重分布焊盘32的区域中。激光标记金属层34可以包括未电连接到第二重分布焊盘32的虚设金属层。

在激光标记金属层34内，可以布置如下所述的由激光形成的激光标记(图3A的36)。激光标记(图3A的36)可以包括字母、数字、图形、符号和识别码，其指示半导体封装PK1的各种信息以便用于跟踪半导体封装PK1。

由于激光标记(图3A的36)在第二重分布级层RDL2上形成在激光标记金属层34内，因此可以减少对第二重分布级层RDL2的损坏。例如，在用入射在第二重分布级层RDL2上的激光形成激光标记期间，会产生热量，并可能损坏第二重分布级层RDL2。此外，在第二重分布级层RDL2上形成激光标记可能是困难的，这是因为激光透过其中，或者激光的反射率高且激光标记的可见性相对较低。然而，在根据本发明构思的半导体封装PK1中，激光标记(图3A中的36)可以容易地形成在激光标记金属层34内，并且还可以增强激光标记的可见性。另外，由于激光标记(图3A中的36)形成在激光标记金属层34内，因此可以防止激光到达第二重分布绝缘层28以造成对第二重分布级层RDL2的损坏。下面更详细地描述激光标记金属层34以及形成在激光标记金属层34内的激光标记。

图2是图1的半导体封装的俯视图。

图2中的与图1的附图标记相似的附图标记可以表示相似的元件。示出了半导体封装PK1的图2可以是XY方向(例如，XY平面，即X方向和Y方向)上的平面图。半导体封装PK1可以分别在X方向和Y方向上具有长度LX1和LY1。在本发明构思的实施例中，长度LX1和LY1可以在约10mm与约60mm之间。图2示出了长度LX1大于长度LY1，但本发明构思不限于此。例如，长度LX1和LY1可以相同，或者长度LX1可以小于长度LY1。如本文所用，考虑所讨论的测量和与特定量测量相关的误差(即，测量系统的限制)，术语“约”包括所述值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、20％、10％、5％内。

半导体封装PK1可以包括半导体芯片22。半导体芯片22可以分别在X方向和Y方向上具有长度LX2和LY2。在本发明构思的实施例中，长度LX2和LY2可以在约2mm与约55mm之间。在本发明构思的实施例中，半导体芯片22的平面面积(例如，在XY平面上)可以是半导体封装PK1的平面面积的约4％至约84％。

半导体封装PK1可以包括激光标记金属层34。激光标记金属层34可以在半导体封装PK1的中心区域中。激光标记金属层34可以在半导体芯片22的中心区域中。激光标记金属层34可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28的中心区域上。

第二重分布焊盘32可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28的外围区域中。换言之，激光标记金属层34可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28的一个区域上，其中第二重分布焊盘32未形成在上述区域上。例如，第二重分布焊盘32可以布置在第二重分布级层(图1的RDL2)上，并且可以在与激光标记金属层34相同的高度上与激光标记金属层34间隔开。

激光标记金属层34可以分别在X方向和Y方向上具有长度LX3和LY3。在本发明构思的实施例中，长度LX3和LY3可以在约1mm与约50mm之间。在本发明构思的实施例中，激光标记金属层34的平面面积可以是半导体封装PK1的平面面积的约1％至约69％。例如，激光标记金属层34可以布置在第二重分布级层(图1的RDL2)的整个表面(例如，顶表面)的约1％至约69％的一部分中。

激光标记36可以在半导体封装PK1内位于激光标记金属层34中。下面更详细地描述激光标记36。

图3A是用于描述在图1和图2的半导体封装PK1的激光标记金属层34中形成的激光标记36的放大截面图，而图3B是用于描述图3A的激光标记36的平面图。激光标记36可以是由激光形成的气隙或空气空间。然而，本发明构思不限于此。例如，激光标记36可以是由激光形成的气隙或空气空间，然后被填充有合适的材料以具有良好的可视性以便被用户容易地识别。

在半导体封装PK1中，激光标记金属层34可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28上。如上所述，激光标记金属层34可以选自例如镍(Ni)、铝(A1)、铁(Fe)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)及其合金。第二重分布绝缘层28可以具有第一厚度T1。第一厚度T1可以是若干微米(μm)。第一厚度T1可以是约1μm至约7μm。

激光标记金属层34可以在截面中包括多个子金属层34a、34b和34c。激光标记金属层34可以包括依次堆叠在第二重分布绝缘层28上的第一子金属层34a、第二子金属层34b和第三子金属层34c。在本发明构思的实施例中，第一子金属层34a、第二子金属层34b和第三子金属层34c可以分别是铜(Cu)层、镍(Ni)层和金(Au)层。然而，本发明构思不限于此。

第一子金属层34a可以具有第二厚度T2。第二厚度T2可以是约1μm至约5μm。第二子金属层34b可以具有第三厚度T3。第二子金属层34b的第三厚度T3可以小于第一子金属层34a的第二厚度T2。第三厚度T3可以是约1μm至约5μm。

第三子金属层34c可以具有第四厚度T4。第三子金属层34c的第四厚度T4可以小于第一子金属层34a的第二厚度T2和第二子金属层34b的第三厚度T3。第四厚度T4可以是约0.1μm至约1μm。

包括第一子金属层34a、第二子金属层34b和第三子金属层34c的激光标记金属层34可以具有第五厚度T5。第五厚度T5可以是若干微米(μm)。第五厚度T5可以是约3μm至约10μm。

激光标记36可以设置在激光标记金属层34内。激光标记36可以在截面内包括圆形激光图案38(在截面图中)，该圆形激光图案38通过将激光施加到激光标记金属层34而产生的烧蚀形成。换言之，激光标记36可以在截面内是圆形激光图案38，其中圆形激光图案38是由于通过施加到激光标记金属层34的激光对激光标记金属层34的一部分进行熔化和蒸发而获得的。例如，在激光标记金属层34的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成具有圆形激光图案38作为激光标记36的空气空间。

构成激光标记36的截面中的圆形激光图案38可以具有深度D1。截面中的圆形激光图案38的底部可以位于第一子金属层34a内。例如，截面中的圆形激光图案38的底部可以位于第一子金属层34a的顶表面与底表面之间。截面中的圆形激光图案38的深度D1可以是若干微米(μm)。换言之，激光标记36可以在截面中具有进入激光标记金属层34的若干微米的深度D1(μm)。例如，圆形激光图案38在截面中的深度D1可以是约0.1μm至约5μm。

在图3A中，在截面中仅示出了形成在激光标记金属层34内的一个圆形激光图案38，但本发明构思不限于此。例如，在截面中还可以在激光标记金属层34中形成多个圆形激光图案以，形成激光标记36。由于构成激光标记36的圆形激光图案38的深度D1是若干微米(μm)，因此激光标记36可以通过由稍后描述的激光标记形成装置(图14中的50)使用低能量(例如，若干瓦特)来容易地形成。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36的圆形激光图案38的深度D1。

如图3B所示，激光标记36可以包括字母、数字、图形、符号、和识别码，其指示半导体封装PK1的各种信息。这些字母可以包括例如用于识别产品的产品徽标或序列号。识别码可以包括二维(2D)条形码和快速响应(QR)码。

图4A和图4B是用于描述图3A和图3B的激光标记的各种布置示例的平面图。

如图4A所示，多个例如第一激光标记至第三激光标记36a、36b和36c可以在半导体封装PK1中形成在激光标记金属层34中。第一激光标记至第三激光标记36a、36b和36c可以分别形成在第一激光标记形成区域至第三激光标记形成区域36r1、36r2和36r3中。

第一激光标记形成区域至第三激光标记形成区域36r1、36r2和36r3可以被称为激光图案形成区域。第一激光标记形成区域至第三激光标记形成区域36r1、36r2和36r3彼此间隔开并且可以在X方向和Y方向上具有各种尺寸。

在第一激光标记形成区域36r1和第二激光标记形成区域36r2中，可以形成字母或数字，并且在第三激光标记形成区域36r3中，可以形成识别码，例如，2D条形码和QR码。QR码也可以是2D条形码，或者可以是三维(3D)条形码。分别形成在第一激光标记形成区域至第三激光标记形成区域36r1、36r2和36r3中的第一激光标记至第三激光标记36a、36b和36c所包括的字母、数字、2D条形码和QR码的示例可以在图3B中找到或者参考图3B，如在XY方向(例如，XY平面)上的平面图中所观察的。

如图4B所示，在半导体封装PK1中，多个激光标记，例如第四激光标记至第六激光标记36d、36e和36f，可以形成在激光标记金属层34中。第四激光标记至第六激光标记36d、36e和36f可以分别形成在第四激光标记形成区域至第六激光标记形成区域36r4、36r5和36r6中。第四激光标记形成区域至第六激光标记形成区域36r4、36r5和36r6可以被称为激光图案形成区域。

第四激光标记形成区域36r4可以包括彼此间隔开的多个子激光标记形成区域，例如第一子激光标记形成区域至第五子激光标记形成区域36r4a、36r4b、36r4c、36r4d和36r4e。第五激光标记形成区域36r5可以包括彼此间隔开的多个例如第六子激光标记形成区域至第八子激光标记形成区域36r5a、36r5b和36r5c。字母或数字可以形成在第四激光标记形成区域36r4和第五激光标记形成区域36r5中。在一些情况下，符号或图形也可以形成在第四激光标记形成区域36r4和第五激光标记形成区域36r5中。

第六激光标记形成区域36r6可以包括彼此间隔开的多个子激光标记形成区域，例如第九子激光标记形成区域36r6a和第十子激光标记形成区域36r6b。在第六激光标记形成区域36r6中，可以形成识别码，例如条形码和QR码。分别形成在第四激光标记形成区域至第六激光标记形成区域36r4、36r5和36r6中的第四激光标记至第六激光标记36d、36e和36f所包括的字母、数字、条形码和QR码的示例可以在图3B中找到或者参考图3B，如在XY方向(例如，XY平面)上的平面图中所观察的。如上所述，在半导体封装PK1中，各种形状的多个激光标记36a至36f可以形成在激光标记金属层34中。此外，除了图4A和图4B所示的激光标记36a至36f之外，具有各种形状的各种激光标记也可以在半导体封装PK1的激光标记金属层34中形成在激光图案形成区域中。

图5A和图5B是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图。

除了激光标记36-1和36-2之外，图5A和图5B的半导体封装PK2a和PK2b分别可以与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1相同。

除了截面中的分别构成激光标记36-1和36-2的圆形激光图案38-1和38-2的深度D2和D3的差异之外，图5A和图5B的半导体封装PK2a和PK2b可以与图3A的半导体封装PK1相同。

在图5A和图5B中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。在图5A和图5B中，为了方便起见，描述了截面中的构成激光标记36-1和36-2的圆形激光图案38-1和38-2，但本发明构思不限于此。例如，它们也可以形成为椭圆形激光图案。

在半导体封装PK2a和PK2b中，激光标记金属层34可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28上。激光标记金属层34可以包括多个子金属层34a、34b和34c。激光标记金属层34可以包括依次堆叠在第二重分布绝缘层28上的第一子金属层34a、第二子金属层34b和第三子金属层34c。

在图5A的半导体封装PK2a中，激光标记36-1可以设置在激光标记金属层34内。激光标记36-1可以在截面中是圆形激光图案38-1，该圆形激光图案38-1通过将激光施加到激光标记金属层34而产生的烧蚀形成。例如，在激光标记金属层34的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成在截面中具有圆形激光图案38-1作为激光标记36-1的空气空间。

构成激光标记36-1的截面中的圆形激光图案38可以具有深度D2。截面中的圆形激光图案38的底部可以位于第一子金属层34a的表面(例如，顶表面)上。由于激光标记36-1贯穿第三子金属层34c和第二子金属层34b并停在第一子金属层34a的顶表面处，因此可以防止激光到达第二重分布绝缘层28以造成对第二重分布级层RDL2的损坏。截面中的圆形激光图案38-1的深度D2可以是若干微米(μm)。例如，截面中的圆形激光图案38-1的深度D2可以是约0.1μm到约5μm。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36-1的圆形激光图案38-1的深度D2。

在图5B的半导体封装PK2b中，激光标记36-2可以设置在激光标记金属层34内。激光标记36-2可以在截面中是圆形激光图案38-2，该圆形激光图案38-2通过将激光施加到激光标记金属层34而产生的烧蚀形成。例如，在激光标记金属层34的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成在截面中具有圆形激光图案38-2作为激光标记36-2的空气空间。

构成激光标记36-2的截面中的圆形激光图案38-2可以具有深度D3。圆形激光图案38-2的底部可以位于第二子金属层34b的表面(例如，顶表面)上。由于激光标记36-2贯穿第三子金属层34c并停在第二子金属层34b的顶表面处，因此可以防止激光到达第二重分布绝缘层28以造成对第二重分布级层RDL2的损坏。截面中的圆形激光图案38-2的深度D3可以小于1微米(μm)。例如，截面中的圆形激光图案38-2的深度D3可以是约0.1μm到约3μm。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36-2的圆形激光图案38-2的深度D3。

图6A和图6B是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图。

除了激光标记36-3和36-4之外，图6A和图6B的半导体封装PK3a和PK3b分别可以与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1相同。

除了包括截面中的分别构成激光标记36-3和36-4的三角形激光图案38-3和四边形激光图案38-4之外，图6A和图6B的半导体封装PK3a和PK3b分别可以与图3A的半导体封装PK1相同。

在图6A和图6B中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。在图6A和图6B中，为方便起见，描述了在截面中并分别构成激光标记36-3和36-4的三角形激光图案38-3和四边形激光图案38-4，但本发明构思不限于此。例如，在截面中，除了三角形和四边形激光图案之外，它们还可以形成为多边形激光图案。

在半导体封装PK3a和PK3b中，激光标记金属层34可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28上。激光标记金属层34可以包括多个子金属层34a、34b和34c。激光标记金属层34可以包括依次堆叠在第二重分布绝缘层28上的第一子金属层34a、第二子金属层34b和第三子金属层34c。

在图6A的半导体封装PK3a中，激光标记36-3可以设置在激光标记金属层34内。激光标记36-3可以在截面中是三角形激光图案38-3，该三角形激光图案38-3通过将激光施加到激光标记金属层34而产生的烧蚀形成。例如，在激光标记金属层34的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成具有三角形激光图案38-3作为激光标记36-3的空气空间。

构成激光标记36-3的三角形激光图案38-3可以具有深度D4。三角形激光图案38-3的底部可以位于第一子金属层34a内。例如，截面中的三角形激光图案38-3的底部可以位于第一子金属层34a的顶表面与底表面之间。三角形激光图案38-3的深度D4可以是若干微米(μm)。例如，三角形激光图案38-3的深度D4可以是约2μm至约5μm。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36-3的三角形激光图案38-3的深度D4。

在图6B的半导体封装PK3b中，激光标记36-4可以设置在激光标记金属层34内。激光标记36-4可以在截面中是四边形激光图案38-4，该四边形激光图案38-4通过将激光施加到激光标记金属层34而产生的烧蚀形成。例如，在激光标记金属层34的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成具有四边形激光图案38-4作为激光标记36-4的空气空间。

构成激光标记36-4的截面中的四边形激光图案38-4可以具有深度D5。截面中的四边形激光图案38-4的底部可以位于第一子金属层34a内。例如，截面中的四边形激光图案38-4的底部可以位于第一子金属层34a的顶表面与底表面之间。截面中的四边形激光图案38-4的深度D5可以是若干微米(μm)。例如，截面中的四边形激光图案38-4的深度D5可以是约2μm到约5μm。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36-4的四边形激光图案38-4的深度D5。

图7是用于描述根据本发明构思的实施例的在半导体封装的激光标记金属层中形成的激光标记的放大截面图。

除了激光标记金属层34-1和激光标记36-5之外，图7的半导体封装PK4可以与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1相同。例如，除了包括激光标记金属层34-1和激光标记36-5之外，图7的半导体封装PK4可以与图3A的半导体封装PK1相同。

在图7中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。虽然为了方便起见，参考图7描述了在截面中形成为圆形激光图案38-5的激光标记36-5，但本发明构思不限于此。例如，激光标记36-5也可以在截面中形成为椭圆形激光图案。

在半导体封装PK4中，激光标记金属层34-1可以在构成第二重分布级层(图1的RDL2)的第二重分布绝缘层28上。在本发明构思的实施例中，激光标记金属层34-1可以选自例如镍(Ni)、铝(Al)、铁(Fe)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)及其合金。

激光标记金属层34-1可以包括多个子金属层34d和34e。激光标记金属层34-1可以包括依次堆叠在第二重分布绝缘层28上的第一子金属层34d和第二子金属层34e。第一子金属层34d和第二子金属层34e可以分别是镍(Ni)层和金(Au)层。然而，本发明构思不限于此。

第一子金属层34d可以具有第二厚度T2-1。第二厚度T2-1可以是约1μm至约5μm。第二子金属层34e可以具有第三厚度T3-1。第二子金属层34e的第三厚度T3-1可以小于第一子金属层34d的第二厚度T2-1。第三厚度T3-1可以是约0.1μm至约3μm。

包括第一子金属层34d和第二子金属层34e的激光标记金属层34-1可以具有第五厚度T5-1。第五厚度T5-1可以是若干微米(μm)。第五厚度T5-1可以是约1μm至约7μm。

激光标记36-5可以布置在激光标记金属层34-1内。激光标记36-5可以在截面中是圆形激光图案38-5，该圆形激光图案38-5通过将激光施加到激光标记金属层34-1而产生的烧蚀形成。例如，在激光标记金属层34-1的被激光束照射的部分处，激光标记金属层34-1的材料可以被吸收的激光能量加热并且可以蒸发或升华以形成具有圆形激光图案38-5作为激光标记36-5的空气空间。

构成激光标记36-5的截面中的圆形激光图案38-5可以具有深度D6。截面中的圆形激光图案38-5的底部可以位于第一子金属层34d内。例如，截面中的四边形激光图案38-5的底部可以位于第一子金属层34d的顶表面与底表面之间。圆形激光图案38-5的深度D6可以是若干微米(μm)。例如，截面中的圆形激光图案38-5的深度D6可以是约0.1μm到约3μm。例如，通过使用要进行描述的激光标记形成装置(图14中的50)来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量，可以精确控制构成激光标记36-5的圆形激光图案38-5的深度D6。

图8是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图。

除了封装元件FE2的差异之外，图8的半导体封装PK5可以与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1相同。

除了封装元件FE2包括布线衬底2和内布线层4a、4b、6和8之外，图8的半导体封装PK5可以与图1的半导体封装PK1几乎相同。在图8中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。

半导体封装PK5可以是扇出半导体封装。半导体封装PK5可以是扇出面板级封装(FOPLP)类型。半导体封装PK5可以包括半导体芯片22所在的扇入区FI、以及位于该扇入区FI两侧的扇出区FO。

扇出区FO可以在平面上围绕扇入区FI。虽然在图8中半导体芯片22被描述为单个芯片，但本发明构思不限于此。例如，半导体芯片22可以包括多个堆叠芯片。半导体芯片22可以包括前表面22a以及与该前表面22a相对定位的后表面22b。前表面22a可以是有源表面，而后表面22b可以是非有源表面。芯片焊球24布置在前表面22a上，并且可以包括芯片连接球或芯片连接凸块。例如，芯片焊球24可以包括焊料材料，例如锡(Sn)、银(Ag)、锌(Zn)、铅(Pb)及其任何合金中的一种或多种。

扇出区FO可以包括封装元件FE2，该封装元件FE2包括布线衬底2和内布线层4a、4b、6和8。布线衬底2可以是绝缘衬底。例如，布线衬底2可以是印刷电路板。布线衬底2可以被称为框架衬底。贯通孔TH1可以在布线衬底2中。半导体芯片22可以在贯通孔TH1中。

内布线层4a、4b、6和8可以包括形成在布线衬底2中内金属层6、金属通孔层8、下金属焊盘层4a和上金属焊盘层4b。扇入区FI的半导体芯片22可以由扇入包封层26b-1密封。扇入包封层26b-1可以包括EMC，但扇入包封层26b-1的材料不受特别限制。例如，任何其他合适的热固性树脂或热塑性树脂可以用作扇入包封层26b。

扇入区FI中的半导体芯片22、密封扇入区FI中的半导体芯片22的扇入包封层26b-1、以及包括布线衬底2和位于扇出区FO中的内布线层4a、4b、6和8的封装元件FE2可以构成封装主体级层FBD2。

半导体封装PK5可以包括第一重分布级层RDL1和第二重分布级层RDL2。当第一重分布级层RDL1形成在半导体芯片22的前表面22a上时，第一重分布级层RDL1可以被称为前表面重分布级层。当第二重分布级层RDL2形成在半导体芯片22的后表面22b上时，第二重分布级层RDL2可以被称为后表面重分布级层。第二重分布级层RDL2可以不直接与半导体芯片22的后表面22b物理接触，但本发明构思不限于此。例如，第二重分布级层RDL2可以直接与布线衬底2的顶表面和半导体芯片22的后表面22b物理接触。

第一重分布级层RDL1和第二重分布级层RDL2在上面进行了描述，因此在这里进行简要地描述。第一重分布级层RDL1可以布置在封装主体级层FBD2的下表面上，并且包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第一重分布层12、以及使该第一重分布层12绝缘的第一重分布绝缘层10。

第一重分布级层RDL1可以在其下侧包括与第一重分布层12电连接的第一重分布焊盘14。第一焊球16可以布置在第一重分布焊盘14上。第一重分布级层RDL1可以在其上侧包括与第一重分布层12电连接的芯片连接焊盘18。芯片连接焊盘18可以与半导体芯片22的芯片焊球24电连接。

第二重分布级层RDL2可以布置在封装主体级层FBD2的上表面上，并且包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第二重分布层30、以及使该第二重分布层30绝缘的第二重分布绝缘层28。

半导体封装PK5可以包括第二重分布焊盘32和激光标记金属层34。第二重分布焊盘32和激光标记金属层34在上面进行了描述，因此在这里进行简要地描述。激光标记金属层34可以在第二重分布级层RDL2上。

在激光标记金属层34内，可以如上所述地定位由激光形成的激光标记。由于激光标记在第二重分布级层RDL2上形成在激光标记金属层34内，因此可以减少对第二重分布级层RDL2的损坏。例如，在用入射在第二重分布级层RDL2上的激光形成激光标记期间，会产生热量，并可能损坏第二重分布级层RDL2。此外，在第二重分布级层RDL2上形成激光标记可能是困难的，这是因为激光透过其中，或者激光的反射率高且激光标记的可见性相对较低。然而，在根据本发明构思的半导体封装PK5中，激光标记可以容易地形成在激光标记金属层34内，并且还可以增强激光标记的可见性。另外，由于激光标记(图3A中的36)形成在激光标记金属层34内，因此可以防止激光到达第二重分布绝缘层28以造成对第二重分布级层RDL2的损坏。

图9至图15是用于描述根据本发明构思的实施例的制造半导体封装的方法的截面图。

详细地，图9至图15是用于描述制造图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1的方法的图。具体地，图9至图15是用于描述图1的半导体封装PK1的图。在图9至图15中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。

参考图9，第一重分布级层RDL1形成在第一载体衬底42上，其中粘合层43介于其间。第一载体衬底42可以包括绝缘衬底或半导体衬底。在本发明构思的实施例中，第一载体衬底42可以包括玻璃衬底(或玻璃晶片)。在本发明构思的实施例中，第一载体衬底42可以包括硅(Si)衬底(或硅(Si)晶片)。

第一重分布级层RDL1可以包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第一重分布层12、以及使该第一重分布层12绝缘的第一重分布绝缘层10。第一重分布级层RDL1可以在其下侧包括与第一重分布层12电连接的第一重分布焊盘14。与第一重分布层12电连接的芯片连接焊盘18可以在扇入区FI中形成在第一重分布级层RDL1的上侧。

柱连接焊盘19在扇出区FO中形成在第一重分布级层RDL1上。芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19可以在相同工艺中形成。

参考图10，内布线层20形成在柱连接焊盘19上。在本发明构思的实施例中，通过在第一重分布级层RDL1上将金属材料层形成在柱连接焊盘19上并然后通过光刻工艺选择性地图案化该金属材料层来形成扇出区FO的内布线层20。在本发明构思的实施例中，柱连接焊盘19和内布线层20可以通过使用镶嵌工艺一次形成在第一重分布级层RDL1上。

内布线层20可以包括金属柱层(metal post layer)，例如铜(Cu)柱层。在本发明构思的实施例中，内布线层20可以具有柱状形状，并且可以包括金属，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)及其任何合金中的一种或多种。内布线层20可以是金属通孔层。内布线层20可以是扇出区FO的封装元件FE1。

参考图11，半导体芯片22安装在扇入区FI中。半导体芯片22的芯片焊球24在第一重分布级层RDL1上与芯片连接焊盘18电连接。

接下来，用于以足够厚度密封半导体芯片22和内布线层20的扇入包封层26a和扇出包封层26b形成在第一重分布级层RDL1上。当必要时，包封层26a和26b可以通过使用平坦化工艺而形成为与内布线层20具有相同的平面。例如，内布线层20、扇入包封层26a和扇出包封层26b的顶表面彼此共面。

包封层26a和26b可以包括在扇入区域FI中密封半导体芯片22的扇入包封层26a、以及在扇出区域FO中密封内布线层20的扇出包封层26b。密封内布线层20的扇出包封层26b可以是扇出区FO的封装元件FE1。

扇入区FT中的半导体芯片22、密封扇入区FT中的半导体芯片22的扇入包封层26a、以及包括扇出区FO中的内布线层20和扇出包封层26b的封装元件FE1可以形成封装主体级层FBD1。芯片连接焊盘18和柱连接焊盘19也可以被包括在封装主体级层FBD1中。

参考图12，第二重分布级层RDL2形成在扇入包封层26a和扇出包封层26b以及内布线层20上。第二重分布级层RDL2可以布置在封装主体级层FBD1的上表面上，并且包括从扇入区FI延伸到扇出区FO的第二重分布层30、以及使该第二重分布层30绝缘的第二重分布绝缘层28。

参考图13，第二重分布焊盘32和激光标记金属层34形成在第二重分布级层RDL2上。在在第二重分布级层RDL2上形成金属材料层之后，该金属材料层通过光刻工艺被图案化，以形成第二重分布焊盘32和激光标记金属层34。

激光标记金属层34可以布置在扇入区FI的第二重分布级层RDL2上，并与第二重分布焊盘32间隔开。第二重分布焊盘32可以包括与外半导体封装电耦接的接合焊盘。激光标记金属层34可以是未电连接到第二重分布焊盘32的虚设金属层。

参考图14，通过使用激光标记形成装置50，将激光标记(图3A中的36)形成在激光标记金属层34中。激光标记形成装置50包括控制单元52和激光源单元54。激光源单元54由控制单元52控制以产生激光56。控制单元52可以调整激光56的波长或能量。

在本发明构思的实施例中，激光56可以包括可见光激光。激光56可以是具有约495nm至约570nm波长的绿色激光。激光56可以是具有532nm波长的绿色激光。在本发明构思的实施例中，激光56可以是约100nm与约400nm之间(例，如355nm)的紫外激光。在本发明构思的实施例中，激光56可以具有若干瓦特的能量。

由激光源单元54产生的激光56在控制其波长或能量时被施加到激光标记金属层34，以形成激光标记(图3A中的36)。激光标记形成装置50可以在X方向和Y方向上移动，以在激光标记金属层34中设置的多个激光标记形成区域(图4A和图4B中的36r1至36r6)中形成激光标记(图3A中的36)。

如上所述，由于构成激光标记36的圆形激光图案(图3A中的38)的深度是若干微米(μm)，因此激光标记36可以通过使用激光标记形成装置50并使用少量能量(例如，若干瓦特)来容易地形成。例如，通过使用包括控制单元52和激光源单元54的激光标记形成装置50来调整入射到激光标记金属层34上的激光束的施加能量(例如，由控制单元52调整激光56的波长和/或能量)，可以精确控制构成激光标记36的圆形激光图案(图3A中的38)的深度(图3A中的D1)。

如上所述，激光标记(图3A中的36)可以包括字母、数字、图形、符号、识别码等，其指示半导体封装(图1中的PK1)的各种信息。由于图3A的激光标记36在第二重分布级层RDL2上形成在激光标记金属层34内，因此可以减少对第二重分布级层RDL2的损坏。

在第二重分布级层RDL2上形成激光标记可能是困难的，这是因为激光透过其中，或者激光的反射率高且激光标记的可见性相对较低。然而，在根据本发明构思的半导体封装PK1(图1)中，激光标记(图3A中的36)可以容易地形成在激光标记金属层34内，并且还可以增强激光标记的可见性。由于激光标记(图3A中的36)形成在激光标记金属层34内，因此可以防止激光到达第二重分布绝缘层28以造成对第二重分布级层RDL2的损坏。

参考图15，在去除第一载体衬底42之后，通过在其间包括粘合层46，将第二载体衬底44附接到第二重分布级层RDL2。在本发明构思的实施例中，第二载体衬底44可以包括玻璃衬底(或玻璃晶片)。在本发明构思的实施例中，第二载体衬底44可以包括硅(Si)衬底(或硅(Si)晶片)。

接下来，第一焊球16在第一重分布级层RDL1的下部中形成在第一重分布焊盘14上。第一焊球16可以包括用于连接到外部设备的外部连接端子。此外，在去除粘合层46和第二载体衬底44之后，可以通过切割工艺制造各个半导体封装。

图16是根据本发明构思的实施例的半导体封装的截面图。

除了第二半导体封装PK6还堆叠在其中之外，图16的半导体封装PK7可以与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的半导体封装PK1相同。在图16中，与图1、图2、图3A、图3B、图4A和图4B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件。

半导体封装PK7包括半导体封装PK1(也可以被称为第一半导体封装)、以及堆叠在该半导体封装PK1上的第二半导体封装PK6。半导体封装PK7可以包括其中封装彼此堆叠的封装上封装(POP)型封装。以上描述了半导体封装PK1，因此在这里进行简要地描述或省略。

如上所述，在半导体封装PK1中，第二重分布焊盘32和激光标记金属层34形成在第二重分布级层RDL2上。在激光标记金属层34内，形成具有半导体封装PK1的信息的激光标记(图3A中的36)。当制造POP型封装时，可以容易地从各种封装中选择具有某种信息的半导体封装。

第二半导体封装PK6堆叠在半导体封装PK1的第二重分布焊盘32上。第二半导体封装PK6可以包括：形成在第二布线衬底70下方的第二焊球72、形成在第二布线衬底70上的第二半导体芯片74、将该第二半导体芯片74连接到第二布线衬底70的接合线76、以及密封第二布线衬底70上的第二半导体芯片74的第二包封层78。

第二布线衬底70可以包括印刷电路板。第二半导体芯片74可以与上述半导体芯片22相同。例如，第二半导体芯片74可以包括例如逻辑芯片、PMIC芯片或存储器芯片。

第二半导体封装PK6的第二焊球72可以电连接到第二重分布焊盘32。激光标记金属层34未电连接到第二半导体封装PK6。

图17是示出了根据本发明构思的实施例的具有半导体封装的存储器系统的示例的示意性框图。

参考图17，存储器系统100可以应用于例如个人数字助理(PDA)、便携式计算机、web平板电脑、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、存储卡、或能够在无线环境中发送和/或接收信息的任何设备。

存储器系统100包括控制器111；诸如例如键区、键盘或显示器的输入/输出设备112；存储器件(或存储器芯片)113、接口114和总线115。存储器件113和接口114经由总线115彼此进行通信。

控制器111包括至少一个微处理器、数字信号处理器、微控制器或与其类似的其他处理设备。存储器件113可以用于存储由控制器111执行的命令。输入/输出设备112可以从存储器系统100的外部接收数据或信号，或者可以将数据或信号输出到存储器系统100的外部。例如，输入/输出(I/O)设备112可以包括例如键盘、键区或显示设备。

存储器件113和控制器111可以包括根据本发明构思的实施例的半导体封装PK1至PK7。存储器件113还可以包括其他类型的存储器、可以随时被访问的易失性存储器、以及其他各种类型的存储器。接口114具有向通信网络发送数据或从通信网络接收数据的功能。

图18是示出了根据本发明构思的实施例的具有半导体封装的信息处理系统的示例的示意性框图。

参考图18，信息处理系统200可以用在例如移动设备或台式计算机中。信息处理系统200可以包括存储器系统231，该存储器系统231包括存储控制器231a和存储器件231b。

信息处理系统200包括存储器系统231、调制解调器232(调制器和解调器：MODEM)、CPU 233、RAM 234、电连接到系统总线236的用户接口235。由CPU 233处理的数据或从外部输入的数据被存储在存储器系统231中。

包括存储控制器231a和存储器件231b的存储器系统231、调制解调器232、中央处理单元233和RAM 234可以包括根据本发明构思的实施例的半导体封装PK1至PK7。

存储器系统231可以被配置为固态驱动器，并且在这种情况下，信息处理系统200可以在存储器系统231中稳定地存储大量数据。此外，随着存储器系统231的可靠性增加，存储器系统231可以减少纠错所需的资源，从而向信息处理系统200提供高速数据交换功能。

信息处理系统200还可以包括应用芯片组、相机图像信号处理器(ISP)、输入/输出设备等。

尽管已经参考本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是将理解，在不脱离所附权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的多种改变。