一株硒螺旋藻突变株及应用
文献发布时间:2023-06-19 19:28:50
技术领域
本发明涉及富硒螺旋藻的选育与筛选,尤其是一株硒螺旋藻突变株及应用。
背景技术
螺旋藻的最佳生长温度是35-37℃,具有较好的耐热性。最佳生长pH范围为8.3-11.0,当pH大于11.0时将不利于生长。在营养和温度正常的情况下,光照就成为影响螺旋藻生长的一个重要因素,在室外培养,光源主要是太阳,大池培养过程中的管理是稳产高产的重要保证,管理的主要内容是定时测定记录气温、水温、pH、OD值,清除杂物,定时开关搅拌器。藻种池和大池一般培养事注意控制pH在10左右,方法一般是增加NaHCO
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,提供一种耐盐能力强、有机硒含量高的硒螺旋藻突变株及应用。本发明通过紫外诱变的方法筛选到1株高富硒的螺旋藻,能高效的将无机硒转化成有机硒,耐Na
为达到本发明上述一个目的,本发明采用的技术方案如下:
一株硒螺旋藻突变株,分类号为:Spirulina maxima,保藏号:CCTCC NO:M20221180,菌株名称:FACHB-Se1500,保藏地点:中国典型培养物保藏中心湖北省武汉市武昌区八一路珞珈山。
而且,所述突变株的培养条件为:温度为20℃,pH=9.5,光照强度为40μE·M
而且,所述硒螺旋藻突变株的高麦角硒因产量为22-33μg/g。
而且,硒螺旋藻突变株耐Na
本发明的有益效果如下:
麦角硒因(Selenoneine)是具有抗氧化功能的含硒小分子,本发明通过紫外诱变的条件下使螺旋藻发生突变,得到麦角硒因含量高的螺旋藻突变株,含量可提高64.8%。以此为材料,进一步筛选到耐硒能力高的螺旋藻突变株,其中耐受800mg/LNa
本发明通过耐盐筛选获得了耐盐比较高的菌株,申请人在比对过程中发现,耐盐和高Na
附图说明
图1为本发明实施例1螺旋藻的显微镜照片。
具体实施方式
下面结合实施案例和附图对本发明作进一步详细说明。本实施案例在以本发明技术为前提下进行实施,现给出详细的实施方式和具体的操作过程来说明本发明具有创造性,但本发明的保护范围不限于以下的实施案例。
实施例1
申请人通过对发酵螺旋藻产物分析,在产物中检测到麦角硒因。为了获得含高浓度麦角硒因的转化藻株,采用紫外诱变获得突变体的方法,获得突变螺旋藻藻株,具体方法如下:
原始菌株钝顶螺旋藻Spirulina maxima(FACHB-882,来自中科院淡水藻种库),步骤如下。
1、诱变:利用超声破碎法将螺旋藻破碎成单细胞,将盛有藻液的培养皿放入紫外诱变仪中,紫外照射时间为40s,采用20W的紫外灯管。
2、筛选:紫外诱变后,将藻株置于黑暗环境中过夜恢复。转移至正常Zarrouk培养基生长一周,用微细吸管法分离192根螺旋藻“单种”,扩大培养。在含有100mg/L Na
3、共筛选到3株麦角硒因含量提高15%以上的螺旋藻藻株,分别为SEN-16#,SEN-73#,SEN-136#。
Zarrouk培养基配方(1L)*
*CaCl
A5培养基配方(1L)
为了获得含高硒含量的转化菌株,以SEN-136#藻株为亲本,采用紫外突变法进行筛选,获得高硒螺旋藻藻株,具体方法如下:
1、诱变:将获得螺旋藻破碎成单细胞,将盛有藻液的培养皿放入紫外诱变仪中,紫外照射时间为40s,采用20W的紫外灯管,置于黑暗条件下过夜恢复。
2、筛选:采用不同Na
培养条件:25-30℃,pH=9.5,光照强度为40μE·M
将上述5轮筛选获得的藻株分别检测硒含量
根据现在螺旋藻养殖环境的改变,土地盐碱化越来越严重,藻株的耐盐性变得日益重要,申请人从耐盐性考虑,对上述菌株进行耐盐性选择,步骤如下:
将上述5轮筛选的菌株进行耐盐特性筛选,采用不同NaCl浓度梯度的Zarrouk培养基进行筛选,梯度范围分别为:400mmol/L、600mmol/L、800mmol/L、1000mmol/L、1200mmol/L。
培养条件:25-30℃,pH=9.5,光照强度为40μE·M
基于耐盐性和富硒特点的综合考虑,本申请将上述FACHB-Se1500藻珠作为本发明后续生产用菌株,并将其进行保藏,保藏号:CCTCC NO:M 20221180,菌株名称:FACHB-Se1500,保藏地点:中国典型培养物保藏中心(CCTCC)湖北省武汉市武昌区八一路珞珈山。
应用实施例1
菌株培养条件:25-30℃,pH=9.5,1000mmol/L的NaCl,800mg/L Na
蛋白纯化方法:称破壁后的藻粉溶于200mL的0.1M NaOH溶液中;80转/分,搅拌2h;6000rpm,15min,10℃离心,得到沉淀和上清;
取上清,加入醋酸调节pH至5,静至1h使蛋白充分沉淀;6000rpm,15min,10℃离心,得到蛋白沉淀和上清;蛋白沉淀即为硒蛋白。
通过检测,所提硒蛋白中部分硒化合物含量如下
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。