传感器装置、所属的制造方法和用于确定测量电流的方法

技术领域

本公开涉及传感器装置和用于制造这种传感器装置的方法。此外，本公开涉及用于确定测量电流的方法。

背景技术

传感器装置可以包括磁场传感器芯片，该磁场传感器芯片被设计成检测由流经电流导体的测量电流所感应的磁场。然后基于所检测的磁场可以确定测量电流的大小。在设计这种传感器装置时，同样应考虑多个技术问题。例如在特定环境中可能出现杂散磁场，这些杂散磁场可能以不期望的方式影响和歪曲传感器装置的测量。传感器装置的制造商和开发者不断地致力于改善其产品和所属的方法。尤其可能期望的是，提供传感器装置、所属的制造方法和用于确定测量电流的方法，尽管出现杂散磁场他们也可靠地并且精确地工作。

发明内容

各个方面涉及传感器装置。传感器装置包括具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其中第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第一传感器元件的位置处的第一磁场的第一分量。传感器装置还包括与第一磁场传感器芯片分离的、具有第二传感器元件的第二磁场传感器芯片，其中第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量。传感器装置还包括电流导体，所述电流导体被设计用于引导测量电流，其中，通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场。两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。

各个方面涉及一种用于制造传感器装置的方法。该方法包括布置具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其中第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在第一传感器元件的位置处的第一磁场的第一分量。该方法还包括布置具有第二传感器元件的、与第一磁场传感器芯片分离的第二磁场传感器芯片，其中第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量。所述方法还包括布置电流导体，所述电流导体被设计用于引导测量电流，其中，通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场。两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成所检测的两个第一分量的差或和时被补偿。

各个方面涉及一种确定测量电流的方法。该方法包括参考第一灵敏度方向检测在第一磁场传感器芯片的第一传感器元件位置处的第一磁场的第一分量。该方法还包括参考第一灵敏度方向检测在与第一磁场传感器芯片分离的第二磁场传感器芯片的第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量。所述方法还包括引导测量电流通过电流导体，其中通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场。所述方法还包括形成两个所检测的第一分量的差或和，其中两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。该方法还包括基于形成两个所检测的第一分量的差或和来确定通过测量电流感应的磁场。

附图说明

下面将参照附图更详细阐述根据本公开的装置和方法。附图中所示的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记可以表示相同的部件。

图1示出根据本公开的传感器装置100的横截面侧视图。

图2示出根据本公开的传感器装置200的横截面侧视图。

图3示出根据本公开的传感器装置300的横截面侧视图。

图4A和图4B分别示出根据本公开的传感器装置400的横截面侧视图或俯视图。

图5示出根据本公开的传感器装置500的横截面侧视图。

图6示出根据本公开的传感器装置600的横截面侧视图。

图7示出根据本公开的传感器装置700的横截面侧视图。

图8包括示出根据本公开的传感器装置800的横截面侧视图或俯视图的图8A和图8B。

图9示出根据本公开的传感器装置900的横截面侧视图。

图10包括示出根据本公开的传感器装置1000的横截面侧视图或俯视图的图10A和图10B。

图11示出根据本公开的传感器装置1100的横截面侧视图。

图12示出根据本公开的传感器装置1200的横截面侧视图。

图13示出根据本公开的传感器装置1300的横截面侧视图。

图14示出根据本公开的传感器装置1400的横截面侧视图。

图15示出根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。

图16示出根据本公开的用于确定测量电流的方法的流程图。

具体实施方式

图1的传感器装置100可以具有带有第一传感器元件4A的第一磁场传感器芯片2A和带有第二传感器元件4B的第二磁场传感器芯片2B。电流导体6能够布置在两个磁场传感器芯片2A和2B之间。电流导体6例如能够是汇流排。

在传感器装置100的运行期间，可以将测量电流I引导通过电流导体6。通过测量电流I可以感应出磁场H

电流导体6和两个磁场传感器芯片2A和2B可以相对于彼此布置，使得在传感器元件4A和4B的位置处，所感应的磁场H

除了感应磁场H

在图1的示例中，磁场传感器芯片2A和2B中的每个磁场传感器芯片可以是霍尔传感器，并且传感器元件4A和4B中的每个传感器元件可以被实施为霍尔传感器元件。第一磁场传感器芯片2A可以被设计成参考第一灵敏度方向检测在第一传感器元件4A的位置处的第一磁场H

H

以类似的方式，第二磁场传感器芯片2B可以被设计成检测第二磁场H

H

两个磁场传感器芯片2A和2B可以分别被设计用于检测磁场分量H

通过形成所检测的分量的差或者通过产生所述两个输出的信号的差信号，可以得出

H

因此所感应的磁场H

在这种情况下应当注意，在另外的示例中，公式(3)的差形成可以用和形成来代替。例如两个磁场传感器芯片2A和2B中的一个磁场传感器芯片可以被翻转，由此被其检测的磁场分量或输出信号的正负符号会变化。该正负符号变化可以通过形成两个所检测的分量的和(代替形成差)来考虑，其中，能够再次补偿均匀杂散磁场的影响。因此术语“形成……差”和“形成……和”在本文所描述的示例中可以被认为是可互换的。

由公式(3)可以得出以下比例关系

H

此外，可以适用测量电流I和通过其感应的磁场H

I～H

从关系式(4)和(5)可以得出

I～H

测量电流I因此同样可以基于通过传感器装置100形成两个所检测的磁场分量的差来确定。因此传感器装置100也可以被称为电流传感器。为此所需的比例关系因子例如可以在传感器装置100校准时求取。

在传感器装置100中，两个磁场传感器芯片2A和2B可以彼此分离，即对应于彼此分离的部件。尤其是，两个磁场传感器芯片2A和2B可以在空间上彼此分离。两个磁场传感器芯片2A和2B尤其可以是不同的半导体衬底。因此，传感器元件4A和4B可以并不集成在单个半导体结构元件中，而是集成在彼此分开的半导体结构元件中。与此相反，在常规传感器装置(未示出)中，传感器元件可以被集成到单个磁场传感器芯片中。

与传统的传感器装置相比，通过传感器装置100尤其可以提供以下技术效果。同样的内容也可以适用于根据本公开的在此描述的所有另外的传感器装置。

基于磁场传感器芯片2A和2B的彼此分离的实施方案，处于它们之间的电流导体6能够具有大横截面。电流导体6由于大横截面能够提供小电阻或高载流能力，使得高电流能够被传感器装置100测量。同时，在传感器元件4A和4B的位置中感应的磁场分量可以很大，使得能够实现所执行的电流测量的高分辨率。因此传感器装置100能够以高精度测量高电流。由此可以增大传感器装置100的电流测量范围。除所述内容外，传感器装置100的测量结果不会或者仅有限地由于均匀的杂散磁场而失真。

与传感器装置100相比，通过常规传感器装置不能提供这种高电流的精确测量。如果在这样的装置中选择具有大横截面的电流导体，则不能提供在两个集成在单个磁场传感器芯片中的传感器元件之间所感应的磁场的z分量的大变化。由此减小了测量精度。如果电流导体的在各个磁场传感器芯片的传感器元件附近延伸的区段是变细的，则可以在传统的传感器装置中实现所感应的磁场的z分量的对于精确测量所需的大变化。然而，由于电流导体的这种变细，在变细的情况下出现电流导体的高电阻，由此例如至少可能很难测量高电流。

图2的传感器装置200可以至少部分地类似于图1的传感器装置100并且具有相同的特征。与图1相反，在图2的示例中，杂散磁场H

除了已经结合图1描述的磁场H

在第一传感器元件4A中通过第一磁场传感器芯片2A检测的磁场H

以类似的方式，在第二传感器元件4B中通过第二磁场传感器芯片2B检测的磁场H

下面可以假设，不均匀的杂散磁场H

H

通过假设公式(9)，对于公式(8)的磁场H

矢量公式(7)和(10)的x分量相应于两个公式，从这两个公式可以如下计算出校正因子a

此外，矢量公式(7)和(10)的z分量对应于两个公式。借助于矢量公式(7)的z分量和公式(11)，可以消除矢量公式(10)的z分量中的校正因子a和杂散场分量H

通过进一步变形可以根据以下公式来表达感应磁场H

从公式(12)和公式(13)中的每个公式可以看出，在不均匀杂散磁场H

基于关系式(5)的比例关系，也可以由所检测的磁场分量确定测量电流I的大小。从公式(13)可以看出，传感器装置200在不均匀的杂散磁场的影响下可以被设计成基于对于均匀的杂散磁场的情况已知的差形成H

作为公式(11)的备选，校正因子a可以从由矢量公式(7)和(10)的y分量得到的两个公式中如下计算

与公式(12)和(13)类似地，可以通过矢量公式(7)和(10)的z分量和公式(14)来如下计算对于感应磁场H

以及

从公式(15)和公式(16)出发，在不均匀杂散磁场H

如果所检测的磁场分量H

图3的传感器装置300可以至少部分地类似于图2的传感器装置200并且具有相同的特征。类似于图2，在图3的示例中，杂散磁场H

在第一传感器元件4A中通过第一磁场传感器芯片2A检测的磁场H

以类似的方式，在第二传感器元件4B中通过第二磁场传感器芯片2B检测的磁场H

在图2的示例中，感应磁场H

将感应磁场这样(尤其是均匀地)划分到公式的两个空间分量上，这可以有助于将感应磁场的场分量移动到磁场传感器芯片2A和2B的合适的测量范围中。

与图2的示例类似，可以从公式(17)和(18)如下地计算校正因子a

并且感应磁场的分量H

基于比例关系

I～H

例如可以从所检测的磁场分量H

从公式(21)可以看出，在不均匀磁杂散磁场的影响下，传感器装置300可以被设计成：基于由磁场传感器芯片2A和2B检测的磁场H

在前述示例中，可以根据所讨论的公式从所检测的磁场分量中确定感应磁场和测量电流。在此，相应的计算可以由不同的部件来执行。在一个示例中，两个磁场传感器芯片2A和2B中的至少一个磁场传感器芯片可以被设计成执行这些计算中的一个或多个计算。为此，磁场传感器芯片2A和2B可以彼此电连接，以便能够彼此交换所检测的磁场分量。

在另外的示例中，逻辑芯片可以被设计成逻辑地处理由磁场传感器芯片2A和2B提供的测量信号并且计算期望的参量。逻辑芯片例如可以是ASIC(专用集成电路)。逻辑芯片可以被认为是传感器装置的一部分，并且可以例如与磁场传感器芯片2A和2B以及电流导体6一起被布置在共同的壳体中。在此，逻辑芯片和磁场传感器芯片2A和2B可以在壳体内彼此电连接。备选地，逻辑芯片可以是与传感器装置分离的部件，该部件可以例如被布置在与传感器装置相同的电路板(未示出)上。在此，逻辑芯片与传感器装置或磁场传感器芯片2A和2B之间的电连接可以通过电路板来提供。

图4A和图4B分别示出传感器装置400的横截面侧视图或俯视图。传感器装置400可以至少部分地类似于图1和图2的传感器装置100和200，并且具有相同的特征。传感器装置400是图1和图2的传感器装置100和200如何可以以传感器壳体(传感器封装)或半导体壳体(半导体封装)的形式实现的示例。

传感器装置400可以具有带有传感器元件4A和4B的两个磁场传感器芯片2A和2B以及电流导体6，其中，所述部件尤其可以根据图1和图2中的一个图相对彼此布置。在此，磁场传感器芯片2A和2B以及电流导体6的上主面可以被布置成基本平行。

传感器装置400还能够具有导体框架(引线框架)或者其他能够导电的芯片载体，由其能够构造电流导体6和多个连接导体8A和8B。例如，可以通过借助机械方面的拉锯、激光束、切割、冲压、铣削、蚀刻等构造金属片来制造导体框架。例如，导体框架可以由具有附加金属涂层的铜合金制成。在图4A、图4B的示例中，两个磁场传感器芯片2A和2B可以分别布置在连接导体8A和8B中的一个或多个连接导体上。传感器装置400能够被设计成经由连接导体8A和8B与另外的部件、尤其是电路板(未示出)电连接和机械连接。

传感器装置400可以进一步具有壳体10，传感器装置400的部件可以被封装在该壳体内。尤其，电流导体6和两个磁场传感器芯片2A和2B可以被布置在共同的壳体中。电流导体6因此尤其可以是壳体内部的电流导体。壳体10可以由模制化合物、环氧化物或环氧树脂、填充环氧化物、玻璃纤维填充的环氧化物、酰亚胺、热塑性塑料、热固性聚合物、聚合物混合物、层压体等中的至少一种制成。各种技术可以用于制造壳体10，例如压缩成型、注射成型、粉料成型、液体成型、模制阵列封装成型(Map Molding)、层压等中的至少一种。

在图4A、图4B中，磁场传感器芯片2A和2B可以例如通过键合线16与连接导体8A或8B电连接。在另外的示例中，这样的电连接可以通过任何其他连接元件来提供，例如夹持件或连接带。连接导体8A和8B能够至少部分地从壳体10中伸出，使得磁场传感器芯片2A和2B从壳体10外是可电接近的。以类似的方式，电流导体6能够至少部分地从壳体10中伸出，以便提供用于测量电流的输入和输出。

在图4A、图4B的示例中，两个磁场传感器芯片2A和2B不一定需要在壳体10内彼此电连接。在这种情况下，感应磁场和/或测量电流的计算可以由逻辑芯片来执行，该逻辑芯片可以与传感器装置400被布置在相同的电路板(未示出)上。

图5的传感器装置500可以至少部分地类似于图4A、图4B的传感器装置400并且具有相同的特征。与图4A、图4B不同，图5中的电流导体6可以相对于上主面或者磁场传感器芯片2A和2B的灵敏度方向倾斜。在这种情况下，关于图3的传感器装置300的实施方案和所属的公式也能够适用于图5的传感器装置500。在图5中，磁场传感器芯片2A和2B尤其可以布置在连接导体8A或8B的水平的平坦区段上。磁场传感器芯片2A和2B的这种布置可以借助于成本低廉的平面装备技术来实现。电流导体6相对于磁场传感器芯片2A和2B的倾斜例如可以通过使电流导体6相对于连接导体8A和8B弯曲来实现。

图6的传感器装置600可以至少部分地类似于图3的传感器装置300并且具有相同的特征。传感器装置600是图3的传感器装置300如何可以以半导体壳体(半导体封装)的形式实现的示例。在图6的示例中，构造所述电流导体6和连接导体8A、8B的导体框架能够嵌入到模制化合物12中。导体框架可以是预模制的导体框架。模制化合物12的上侧可以具有一个或多个水平的面以及一个或多个倾斜的面。磁场传感器芯片2A和2B相对于电流导体6的倾斜可以通过如下方式来实现，即磁场传感器芯片2A和2B布置在预模制的导体框架的倾斜的面上。

在图6中，传感器装置600的壳体10可以通过模制化合物12和布置在该模制化合物上方的封装材料14来构造。封装材料14可以对布置在预模制的导体框架上的磁场传感器芯片2A和2B进行封装。封装材料14可以由上面关于壳体10提及的材料中的一种材料制成。

图7的传感器装置700可以例如至少部分地类似于图4A、图4B的传感器装置400并且具有相同的特征。类似于图4A、图4B，两个磁场传感器芯片2A和2B可以布置在连接导体8A或8B上。与图4A、图4B相比，磁场传感器芯片2A和2B能够以倾斜角度相对于电流导体6倾斜。这两个倾斜角度能够通过使连接导体8A和8B相对于电流导体6弯曲来提供。

图8的传感器装置800可以至少部分地类似于图4A、图4B的传感器装置400并且具有相同的特征。磁场传感器芯片2A和2B可以经由一个或多个电连接元件18彼此电连接。在图8中，这种壳体内部的芯片到芯片连接可以示例性地通过键合线和/或连接带来提供。经由该连接，由磁场传感器芯片2A和2B检测的磁场分量可以彼此交换。然后，例如可以由磁场传感器芯片2A和2B中的一个或两个磁场传感器芯片来执行感应磁场或测量电流的计算。

图9的传感器装置900可以至少部分地类似于图8的传感器装置800并且具有相同的特征。与图8相比，传感器装置900中的电连接元件18可以由一个或多个夹持件来实施。

图10的传感器装置1000可以至少部分地类似于图8的传感器装置800并且具有相同的特征。与图8相反，电连接元件18可以通过导体框架的一个或多个区段被构造在传感器装置1000中。在图10中，壳体内部的芯片到芯片连接可以尤其经由在电流导体6下方延伸的导体框架的区段来提供。

图11的传感器装置1100可以例如至少部分地类似于图2的传感器装置200并且具有相同的特征。与图2相比，在传感器装置1100中，两个磁场传感器芯片2A和2B可以在电流导体6的相同侧布置在电流导体6旁边。两个磁场传感器芯片2A和2B的灵敏度方向可以分别垂直于相应的磁场传感器芯片主面，并且在相反的z方向上延伸。因此，下部第二磁场传感器芯片2B可以相对于上部第一磁场传感器芯片2A被翻转。磁场传感器芯片2A和2B的主面可以在所示出的示例中基本平行于电流导体6来布置。

在第一传感器元件4A中通过第一磁场传感器芯片2A检测的磁场H

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以类似的方式，在第二传感器元件4B中通过第二磁场传感器芯片2B检测的磁场H

从公式(24)和(25)出发，可以如下确定感应磁场H

基于公式(26)，传感器装置1100可以被设计成基于由磁场传感器芯片2A和2B检测的磁场H

图12的传感器装置1200可以至少部分地类似于图11的传感器装置1100并且具有相同的特征。传感器装置1200是图11的传感器装置1100如何可以以半导体壳体(半导体封装)的形式实现的示例。两个磁场传感器芯片2A和2B例如能够布置在连接导体8A或8B上。在图12的侧视图中，前部的连接导体能够遮盖处于其后的连接导体。

在图11和图12的示例中，磁场传感器芯片2A和2B的主面可以被定向成基本平行于电流导体6。在另外的示例中，磁场传感器芯片2A和2B可以相对于电流导体6倾斜，如例如结合图3的示例所描述的。这种相对倾斜例如能够通过连接导体8A、8B的倾斜/弯曲和/或通过电流导体6的倾斜/弯曲来提供。如果这些部件之间存在相对倾斜，则可以基于结合图3讨论的公式来执行感应磁场和测量电流的计算。

图13的传感器装置1300可以至少部分地类似于根据本公开的之前的传感器装置并且具有相同的特征。在前述的示例中，传感器元件4A和4B中的每个传感器元件尤其可以相应于霍尔传感器元件。相反，传感器装置1300的传感器元件4A和4B可以分别对应于磁阻传感器元件或垂直霍尔传感器元件或磁通门传感器元件。传感器元件4A和4B例如可以是磁阻xMR传感器元件，尤其是AMR传感器元件、GMR传感器元件或者TMR传感器元件。因为所述传感器元件尤其可以参考“面内”磁场分量是敏感的，所以传感器元件4A和4B可以与电流导体6对齐。换句话说，传感器元件4A和4B可以直接布置在电流导体6上方并且因此直接布置在测量电流的走向上方。也就是说，沿垂直方向观察，电流导体6和传感器元件4A和4B能够分别(尤其完全地)重叠。

在第一传感器元件4A中通过第一磁场传感器芯片2A检测的磁场H

以类似的方式，在第二传感器元件4B中通过第二磁场传感器芯片2B检测的磁场H

从公式(27)和(28)出发，可以如下确定感应磁场H

与前面的示例类似地，传感器装置1300因此也可以被设计用于补偿不均匀的杂散磁场的影响。在均匀的杂散磁场的情况下，也就是说对于条件a＝0可以适用

图14的传感器装置1400可以至少部分地类似于图13的传感器装置1300并且具有相同的特征。传感器装置1400是图13的传感器装置1300如何可以以半导体壳体(半导体封装)的形式实现的示例。两个磁场传感器芯片2A和2B例如可以被布置在电流导体6的对置的主面上。在此，磁场传感器芯片2A和2B可以通过隔离材料20A或20B与电流导体6电隔离。

图15示出根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。该方法可以例如用于制造根据本公开的本文描述的任何传感器装置。图15的方法可以结合任何前面的图来阅读。

在22处可以布置具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片。所述第一磁场传感器芯片可以被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第一传感器元件位置处的第一磁场的第一分量。在24处可以布置具有第二传感器元件的与第一磁场传感器芯片分离的第二磁场传感器芯片。所述第二磁场传感器芯片可以被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件位置处的第二磁场的第一分量。在26处可以布置有被设计成引导测量电流的电流导体，其中，通过测量电流在两个传感器元件位置处感应出磁场。两个磁场传感器芯片和电流导体可以相对于彼此布置，使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。

图16示出根据本公开的用于确定测量电流的方法的流程图。例如该方法可以由根据本公开的本文描述的任何传感器装置来执行。图16的方法可以结合任何前面的图来阅读。

在28处可以参考第一灵敏度方向检测在第一磁场传感器芯片的第一传感器元件位置处的第一磁场的第一分量。在30处可以参考第一灵敏度方向检测在与第一磁场传感器芯片分离的第二磁场传感器芯片的第二传感器元件位置处的第二磁场的第一分量。在32处可以通过电流导体来引导测量电流，其中，通过测量电流在两个传感器元件位置处感应出磁场。在34处可以形成两个所检测的第一分量的差或和。两个磁场传感器芯片和电流导体可以相对于彼此布置，使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。在36处可以基于形成两个所检测的第一分量的差或和来确定由测量电流感应的磁场。

示例

下面借助示例来阐述传感器装置、用于制造传感器装置的方法以及用于确定测量电流的方法。

示例1是一种传感器装置，包括：具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其中，所述第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第一传感器元件的位置处的第一磁场的第一分量；与第一磁场传感器芯片分离的、具有第二传感器元件的第二磁场传感器芯片，其中，所述第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量；以及电流导体，所述电流导体被设计用于引导测量电流，其中，通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场，其中，两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置，使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。

示例2是根据示例1所述的传感器装置，其中，所述传感器装置在所述均匀的杂散磁场的影响下被设计成，基于形成所述两个所检测的第一分量的差或和来确定通过所述测量电流感应的磁场。

示例3是根据示例1或2所述的传感器装置，其中：所述第一磁场传感器芯片被设计成参考第二灵敏度方向检测在所述第一传感器元件的位置处的所述第一磁场的第二分量，并且所述第二磁场传感器芯片被设计成参考所述第二灵敏度方向检测在所述第二传感器元件的位置处的所述第二磁场的第二分量。

示例4是根据示例3所述的传感器装置，其中，所述传感器装置在不均匀的杂散磁场的影响下被设计成基于所述第一磁场和第二磁场的所检测的第一分量和第二分量来确定感应磁场。

示例5是根据示例4所述的传感器装置，其中，所述传感器装置在所述不均匀的杂散磁场的影响下被设计成，基于形成所述两个所检测的第一分量的差或和并且基于校正项来确定感应磁场，其中，所述校正项基于所述第一磁场和所述第二磁场的检测的第一分量和第二分量。

示例6是根据示例3至5中任一项所述的传感器装置，其中：所述第一磁场传感器芯片被设计成参考第三灵敏度方向检测在所述第一传感器元件的位置处的所述第一磁场的第三分量，所述第二磁场传感器芯片被设计成参考所述第三灵敏度方向检测在所述第二传感器元件的位置处的所述第二磁场的第三分量，并且所述传感器装置在不均匀的杂散磁场的影响下被设计成基于所述第一磁场和第二磁场的所检测的第一分量和第三分量来确定感应磁场。

示例7是根据示例6所述的传感器装置，其中，所述传感器装置被设计成基于所述第一磁场的所检测的第二分量和所述第一磁场的所检测的第三分量来决定：是否基于所述第一磁场和所述第二磁场的所检测的第一分量和第二分量、或者基于所述第一磁场和所述第二磁场的所检测的第一分量和第三分量，来确定所述感应磁场。

示例8是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述电流导体布置在所述两个磁场传感器芯片之间。

示例9是根据示例1至7中任一项所述的传感器装置，其中所述两个磁场传感器芯片在所述电流导体的相同侧邻近所述电流导体布置。

示例10是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中：所述第一灵敏度方向基本垂直于所述第一磁场传感器芯片的第一主面并且基本垂直于所述第二磁场传感器芯片的第二主面延伸，并且所述第一主面、所述第二主面和所述电流导体被布置成基本彼此平行。

示例11是根据示例1至9中任一项所述的传感器装置，其中：所述第一灵敏度方向基本垂直于所述第一磁场传感器芯片的第一主面并且基本垂直于所述第二磁场传感器芯片的第二主面延伸，所述第一主面和所述电流导体相对于彼此倾斜第一倾斜角度，并且所述第二主面和所述电流导体相对于彼此倾斜第二倾斜角度。

示例12是根据示例11所述的传感器装置，其中，这两个倾斜角度分别具有大约45度的值。

示例13是根据示例11或12所述的传感器装置，其中：所述两个磁场传感器芯片被布置在导体框架的连接导体上，并且所述两个倾斜角度通过所述电流导体相对于所述连接导体的弯曲来提供。

示例14是根据示例11或12所述的传感器装置，其中：所述两个磁场传感器芯片被布置在导体框架的连接导体上，并且所述两个倾斜角度通过所述连接导体相对于所述电流导体的弯曲来提供。

示例15是根据示例11或12所述的传感器装置，其中通过预模制的导体框架的倾斜面提供两个倾斜角度，所述磁场传感器芯片布置在所述倾斜面上。

示例16是根据示例1至12中任一项所述的传感器装置，其中所述两个磁场传感器芯片布置在所述电流导体的对置的主面上。

示例17是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述电流导体和所述两个磁场传感器芯片布置在共同的壳体中。

示例18是根据示例17所述的传感器装置，其中，所述两个磁场传感器芯片在所述共同的壳体内互相电连接。

示例19是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件中的每个传感器元件是霍尔传感器元件。

示例20是一种用于制造传感器装置的方法，其中，所述方法包括：布置具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其中，所述第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第一传感器元件的位置处的第一磁场的第一分量；布置与第一磁场传感器芯片分离的、具有第二传感器元件的第二磁场传感器芯片，其中，所述第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量；以及布置被设计成引导测量电流的电流导体，其中，通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场，其中，两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿。

示例21是一种用于确定测量电流的方法，其中，所述方法包括：参考第一灵敏度方向检测在第一磁场传感器芯片的第一传感器元件的位置处的第一磁场的第一分量；参考第一灵敏度方向检测在与第一磁场传感器芯片分离的第二磁场传感器芯片的第二传感器元件的位置处的第二磁场的第一分量；通过电流导体引导测量电流，其中，通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场；形成两个所检测的第一分量的差或和，其中，两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在形成两个所检测的第一分量的差或和时被补偿；以及基于形成两个所检测的第一分量的差或和来确定通过所述测量电流感应的磁场。

虽然本文已经示出和描述了具体实施方式，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的范围的情况下，各种替代和/或等同实施方式可以替代所示出和描述的具体实施方式。本申请旨在覆盖本文所讨论的具体实施方式的任何适配或变化。因此意图是本公开仅由权利要求和其等同方案限制。