光检测装置和电子设备

技术领域

本发明涉及光检测装置和电子设备。

背景技术

近年来，以长波的长光作为检测对象的装置(光检测装置)的使用越来越多。硅难以吸收长波长的光。因此，当长波长光入射到光检测装置的光电转换部上时，入射光穿过光电转换部并且出射至相邻的光电转换部，这会降低量子效率QE。当出射光被相邻的光电转换部检测到时，会发生光的混色(串扰)。

已经提出了一种技术(参考专利文献1)，其具有位于光电转换部之间的像素分隔部，以此作为在提高量子效率QE的同时抑制光的混色(串扰)的一种方式。专利文献1所述的技术涉及使像素分隔部反射穿过光电转换部之后照射在像素分隔部上的入射光，从而使得被反射的入射光返回光电转换部，从而提高量子效率QE并同时抑制光的混色(串扰)。

引用文献列表

专利文献

日本专利特开第2017-191950号公报

发明内容

[技术问题]

然而，在长波长光导致量子效率QE下降并导致光的混色时，起作用的主要因素是被配线层中的配线或被基板与配线层之间的界面边界反射的光分量。由此可见，在专利文献1中所述的技术(光电转换部)在提高量子效率QE或抑制光的混色方面是不够的。

本发明的目的是提供一种能够抑制光的混色并同时能够提高量子效率QE的光检测装置和电子设备。

[技术问题的解决方案]

根据本发明，提供了一种光检测装置，包括(a)基板，(b)多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部，(c)遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部，以及(d)像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中(e)所述多个像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或者在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，所述入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第二像素，(f)在垂直于所述基板的光接收面的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排布的所述遮光膜的多个截面的宽度方向中心之间的距离是恒定的第一距离，以及(g)在垂直于所述基板的光接收面的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离。

根据本发明，提供了一种具有光检测装置的电子设备，所述光检测装置包括(a)基板，(b)多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部，(c)遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部，以及(d)像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中(e)所述多个像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或者在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，所述入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第二像素，(f)在垂直于所述基板的光接收面的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排布的所述遮光膜的多个截面的宽度方向中心之间的距离是相同的第一距离，以及(g)在垂直于所述基板的光接收面的截面中，定位为夹持所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离。

附图说明

图1是作为本发明的第一实施方案的固态摄像装置的总体构造图。

图2是固态摄像装置的沿着图1中的线A-A截取的剖视图。

图3是固态摄像装置的沿着图2中的线B-B截取的剖视图。

图4是固态摄像装置的沿着图2中的线C-C截取的剖视图。

图5是固态摄像装置的沿着图2中的线D-D截取的剖视图。

图6是现有的固态摄像装置的剖视图。

图7是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线A-A截取的剖视图。

图8是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线A-A截取的剖视图。

图9是固态摄像装置的替代示例的沿着图8中的线E-E截取的剖视图。

图10是另一现有的固态摄像装置的剖视图。

图11是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线A-A截取的剖视图。

图12是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线D-D截取的剖视图。

图13是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线D-D截取的剖视图。

图14是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线B-B截取的剖视图。

图15是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线A-A截取的剖视图。

图16是固态摄像装置的替代示例的沿着图15中的线F-F截取的剖视图。

图17是固态摄像装置的替代示例的沿着图15中的线G-G截取的剖视图。

图18是作为本发明的第二实施方案的电子设备的示意性构造图。

具体实施方式

下面参照图1至图18说明的是作为本发明的优选实施方案的示例性光检测装置和示例性电子设备。将按以下顺序对本发明的实施方案进行说明。本发明不限于以下的示例。本说明书中记载的有益效果仅仅是示例，并且不限制本发明。可能存在源自本说明书而未被本说明书提及的额外的有益效果。

1.第一实施方案：固态摄像装置

1-1.固态摄像装置的总体构造

1-2.像素电路构造

1-3.主要部件的构造

1-4.替代示例

2.第二实施方案：作为应用实例的电子设备

<1.第一实施方案：固态摄像装置>

[1-1.固态摄像装置的总体构造]

下面说明作为本发明的第一实施方案的固态摄像装置1(广义上的“光检测装置”)。图1是作为第一实施方案的固态摄像装置1的总体构造图。

图1的固态摄像装置1是背面照射式CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。如图18所示，固态摄像装置1(1002)经由透镜组1001接收来自被摄体的图像光(入射光)，将入射在摄像平面上的光的光量以像素为单位转换为电信号，并且将该电信号作为像素信号输出。

如图1所示，固态摄像装置1包括基板2、像素区域3、垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6、输出电路7和控制电路8。

像素区域3具有在基板2上以二维阵列图案(二维图案)规则排列的多个像素9。各像素9具有多个像素晶体管和图2所示的光电转换部21。可以采用诸如传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管的四种类型的晶体管作为多个晶体管。或者，可以采用除了选择晶体管之外的三种类型的晶体管。

此外，如图2和图3所示，像素9包括白色像素9w(广义上的“第一像素”)和彩色像素9c(广义上“第二像素”)。白色像素9w具有使得全光谱光透过的滤色器29。彩色像素9c具有使得特定颜色的波长区域中的光透过的滤色器29。即，白色像素9w可以认为是入射光28中的全光谱光入射到其上的像素。

彩色像素9c可以认为是入射光28中的在低于预定波长的波长区域(例如，780nm的红外光波长区域的下限)中具有峰值波长的光入射在其上的像素。如图3所示，白色像素9w和彩色像素9c为如下的排列图案：白色像素9w和彩色像素9c的各者以彼此不重叠的方式在它们的行方向和列方向上隔开间隔交错地布置有多个。

例如，垂直驱动电路4包括移位寄存器。垂直驱动电路4选择所需的像素驱动线10，并且将脉冲信号提供到所选择的像素驱动线10上以驱动像素9，从而以行为单位驱动像素9。即，垂直驱动电路4在垂直方向上以行为单位依次对像素区域3中的像素9进行选择扫描，并且经由垂直信号线11将基于各像素9中的光电转换部件21根据由光电转换部21接收到的光量而产生的信号电荷的像素信号供给至列信号处理电路5。

例如，针对像素9的各列设置列信号处理电路5。针对来自一行像素9的信号，列信号处理电路5对各像素列执行诸如噪声去除等信号处理。例如，列信号处理电路5执行诸如CDS(相关双采样)和AD(模数)转换等信号处理，以去除像素特有的固定模式噪声。

例如，水平驱动电路6包括移位寄存器。水平驱动电路6将水平扫描脉冲依次地输出至列信号处理电路5以逐个地选择它们，使得各列信号处理电路5将经过信号处理的像素信号输出至水平信号线12。

输出电路7对经由水平信号线12从各个列信号处理电路5依次供给的像素信号执行信号处理，然后输出经处理的像素信号。例如，信号处理可以包括缓冲、黑电平调整、列差异修正和各种数字信号处理。

控制电路8基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟信号生成用作垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6的操作的基准的控制信号和时钟信号。控制电路8将由此生成的时钟信号和控制信号输出至垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6。

[1-3.主要部件的构造]

接下来详细说明图1中的固态摄像装置1的结构。图2是沿着图1中的线A-A截取的固态摄像装置1的剖视图。图3是沿着图2中的线B-B截取的固态摄像装置1的平面结构图。图4是沿着图2中的线C-C截取的固态摄像装置1的剖视图。图5是沿着图2中的线D-D截取的固态摄像装置1的剖视图。

如图2所示，固态摄像装置1含有光接收层16，并且光接收层16是基板2、绝缘膜13、遮光膜14和平坦化膜15依次堆叠而成的。光接收层16的平坦化膜15一侧的表面(以下也称为“背面S1”)设置有光收集层19，光收集层19具有依次堆叠的滤色器层17和微透镜层18。此外，光接收层16的基板2一侧的表面(以下也称为“正面S2”)堆叠有配线层20。即，可以说配线层20布置为与基板2的背面S3(光接收面)相对。

例如，基板2包括包含硅(Si)的半导体基板，以构成像素区域3。像素区域3具有以二维图案排列的多个像素9，各像素9包括光电转换部21和四个像素晶体管(未图示)。光电转换部21包括形成在基板2的正面S2上的p型半导体区域和形成在基板2的背面S3上的n型半导体区域，p型半导体区域和n型半导体区域间的pn结构成光电二极管。在该构造中，各光电转换部21根据入射在光电转换部21上的入射光28的光量生成信号电荷，并且将生成的信号电荷累积在n型半导体区域(电荷存储区域)中。

绝缘膜13连续地覆盖基板2的背面S3和沟槽部27的内部。

如图4所示，布置在绝缘膜13的背面S4上的遮光膜14形成为针对各像素9(即，针对各光电转换部21)具有相同形状的开口部22的栅格状图案。如图4所示，遮光膜14的栅格具有在行方向(图4的横向方向)上延伸并且在列方向(图4的垂直方向)上以规则间隔排列的多个直线状的部分，以及在列方向上延伸并且在行方向上以规则间隔排列的多个直线状的部分。直线状的部分分别具有相同的宽度。这使得开口部22的形状为正方形。在以下说明中，将沿着各直线状的部分的宽度方向中心的线称为“像素边界23”。在这种构造中，如图2所示，在垂直于基板2的背面S3的截面之中，与基板2的背侧S3平行的遮光膜14的多个截面14a、14b、14c和14d的宽度方向中心24a、24b、24c和24d之间的距离(以下也称为“第一距离W

平坦化膜15连续地覆盖绝缘膜13的包括遮光膜14在内的整个背面S4。这使得光接收层16的背面S1变为没有凹凸的平面。

像素分隔部25布置在相邻的光电转换部21之间。如图5所示，在从微透镜层18侧察看的情况下，像素分隔部25形成包围像素9(光电转换部21)的栅格状图案。构成像素分隔部25的栅格的直线状的部分分别具有相同的宽度。此外，在从微透镜层18一侧察看的情况下，像素分隔部25的栅格单元(包围光电转换部21)的开口部26的形状根据所包围的像素9(白色像素9w或彩色像素9c)的类型而不同。

具体地，在像素分隔部25中，白色像素9w的光电转换部21(以下也称为“光电转换部21w”)与彩色像素9c的光电转换部21(以下也称为“光电转换部21c”)之间的部分被形成为比像素边界23更靠近光电转换部21c。这使得包围彩色像素9c的光电转换部21c的部分(开口部26)为正方形并且尺寸小于遮光膜14的开口部22(参照图4)。此外，在像素分隔部25中，在倾斜方向上排布的白色像素9w的光电转换部21w之间的部分被形成为在垂直于该倾斜方向的方向上直线状地延伸。这样的形成使得包围白色像素9w的光电转换部21w的部分(开口部26)为八边形形状并且尺寸大于遮光膜14的开口部22。在这种构造中，如图2所示，在垂直于基板2的背面S3的截面中，被定位为将白色像素9w的光电转换部21w夹持在中间的像素分隔部25的两个截面25a和25b的宽度方向中心之间的距离(以下也称为“第二距离W

像素分隔部25具有从基板2的背面S3朝向正面S2(相反面)延伸的沟槽部27。即，沟槽部27不穿透基板2，使其底部形成在基板2中。在基板2未被沟槽部27穿透的情况下，在像素分隔部25的底部和配线层20之间可以布置各种元件和接触(contact)。沟槽部27形成为栅格状图案，使得其内表面和底部构成像素分隔部25的外部形状。覆盖基板2的背面S3的绝缘膜13嵌入在沟槽部27内部。例如，用于构成绝缘膜13的材料可以是折射率与基板2的材料(Si：折射率3.9)的折射率不同的材料。例如，这种材料可以包括氧化硅(SiO

形成在平坦化膜15的背面S1上的滤色器层17具有与光电转换部21相对应地布置的多个滤色器29。如图3所示，多个滤色器29包括使得入射光28中的全光谱光透过的滤色器29w和使得入射光28中的在低于预定波长(例如，红外光波长区域的下限780nm)的波长区域中具有峰值波长的光(例如，红光、绿光和蓝光)透过的滤光器29c。因此，取决于滤色器类型，多个滤色器29中的各者使得具有特定波长的光透过，并且使透射的光入射在相应的光电转换部21上。在从微透镜层18侧察看的情况下，各个滤色器29是正方形形状的，形状与像素边界23相同。

微透镜层18形成在滤色器层17的背面S5上，并且具有与光电转换部21相对应地布置的多个微透镜30。在该布置中，各个微透镜30收集来自被摄体的图像光(入射光28)，并且使收集的入射光28经由相应的滤色器29有效地进入相应的光电转换部21。在从微透镜层18侧察看的情况下，各个微透镜30具有与像素边界23和滤色器29的形状相同的形状(正方形)。

形成在基板2的正面S2侧的配线层20包括层间绝缘膜和层叠的多层配线32，在多层配线32层之间插入有层间绝缘膜31。配线层20使多层配线32驱动构成各个像素9的像素晶体管。

在如上所述构造的固态摄像装置1中，光从基板2的背面S3(从光接收层16的背面S1)照射。照射的光透射通过微透镜30和滤色器29。由此透射的光经过光电转换部2的光电转换，生成信号电荷。经由形成在基板2的正面S2侧的像素晶体管，从由配线层20中的配线32形成的垂直信号线11输出所生成的信号电荷作为像素信号。

硅(Si)不能很好地吸收长波长的光。因此，当入射光28中的包括红外光的光入射到固态摄像装置1的光电转换部21上时，入射的长波长的光(红外光)透过光电转换部21a并且被基板2和配线层20之间的界面边界反射。这里，例如，如图6所示，关注的是固态摄像装置1的白色像素9w(以下也称为“特定像素9a”)，其中第一距离W

相比之下，在第一实施方案中，如图2所示，白色像素9w中的第一距离W

[1-4.可替代的示例]

(1)尽管已经使用其中白色像素9w是第一像素的示例说明了第一实施方案，但是可替代地，可以采用其他构造。例如，如图7所示，白色像素9w可以用具有使入射光28中的红外光波长区域(780nm至1mm)中的光透过的滤色器29的IR(红外辐射)像素9

(2)尽管已经使用使第二距离W

这里，如图10所示，关注的是固态摄像装置1的白色像素9w(以下也称为“特定像素9b”)，其中第一距离W

相比之下，在本替代示例中，如图8所示，在白色像素9w中，使第一距离W

(3)尽管已经使用其中将嵌入有绝缘膜13的沟槽部27用作像素分隔部25的示例说明了第一实施方案，但是可替代地，可以采用其他构造。例如，如图11所示，替代构造可以使用导电类型(p型)与光电转换部21的电荷存储区域(n型半导体区域)的导电类型相反的半导体区域33和形成在半导体区域33中的沟槽部27作为像素分隔部25。即，相反的导电型半导体区域33形成在沟槽部27和光电转换部21之间以及在沟槽部27的底部和配线层20之间。这种构造能够加强光电转换部21和像素分隔部25之间的界面边界处的钉扎，从而抑制暗电流的产生。与第一实施方案的沟槽部27的情况一样，绝缘膜13嵌入在沟槽部27中。在设置有相反的导电类型半导体区域33的情况下，第二距离W

(4)如图5所示，已经使用其中在彩色像素9c的光电转换部21c周围的部分(开口部26)的正方形形状和在白色像素9w的光电转换部21w周围的部分(开口部26)的八边形形状构成像素分隔部25的栅格图案的示例说明了第一实施方案。可替代地，可以采用其他构造。任何网格图案都可以用于像素分隔部25，只要使第一距离W

(5)已经使用其中如图3所示的大量的白色像素9w和彩色像素9c以避免它们之间重叠的交错图案排列的示例说明了第一实施方案。可替代地，可以采用其他构造。任何阵列图案都可以用于白色像素9w和彩色像素9c。如图14所示，可替换的阵列图案可以包括由多个彩色像素9c包围一个白色像素9w的部分。此外，如图15、图16和图17所示，另一可替代的阵列图案可以包括具有彼此相邻排列的白色像素9w的部分。在图16和图17的示例中，2×2的白色像素9w彼此相邻地排列。

如图15所示，在存在具有彼此相邻排列的白色像素9w的部分的情况下，在该部分中，在垂直于基板2的背面S3的截面中，位于相邻的白色像素9w的光电转换部21w之间的像素分隔部25的截面25a的宽度方向中心34a与位于像素分隔部25的背面S3侧的遮光膜14的截面14b的宽度方向中心24b在从基板2的背面S3侧观察的情况下重叠。即，如图17所示，像素分隔部25在相邻的白色像素9w的光电转换部21w之间的部分形成在与像素边界23相同的位置。同样地，相邻的彩色像素9c的光电转换部21c之间的像素分隔部25的截面25c的宽度方向中心34b与位于像素分隔部25的背面S3侧的遮光膜14的截面14d的宽度方向中心24d在从基板2的背面S3侧观察的情况下重叠。即，如图17所示，像素分隔部25的位于相邻的彩色像素9c的光电转换部21c之间的部分形成在与像素边界23相同的位置处。

此外，如图17所示，在像素分隔部25构造为具有图11中的相反的导电型半导体区域33的情况下，位于相邻的彩色像素9c的光电转换部21c之间的像素分隔部25中的相反的导电型半导体区域33的宽度W

(6)除了上述用作图像传感器的固态摄像装置之外，该技术可以应用于包括被称为ToF(飞行时间)传感器的测距传感器的所有光检测装置。测距传感器向物体发射照射光，检测从物体表面返回的反射光，并且基于从发射照射光到接收到反射光的飞行时间来计算到物体的距离。可以采用上述像素9的结构作为这种类型的测距传感器的光接收像素的结构。

<2.第二实施方案：作为应用实例的电子设备>

本发明的技术(即，本技术)可以应用于各种电子设备。图18是用作应用了本发明的电子设备的摄像装置(摄像机、数码相机等)的示意性构造图。

如图18所示，摄像装置1000包括透镜组1001、固态摄像装置1002(即，第一实施方案的固态摄像装置1)、DSP(数字信号处理器)电路1003、帧存储器1004、监视器1005和存储器1006。DSP电路1003、帧存储器1004、监视器1005和存储器1006经由总线1007互连。

透镜组1001将来自被摄体的入射光(图像光)引导到固态摄像装置1002中，以在固态摄像装置的光接收面(像素区域)上形成图像。

固态摄像装置1002包括上述第一实施方案形式的CMOS图像传感器。固态摄像装置1002以像素为单位将由透镜组1001聚焦在光接收面上的入射光的光量转换为电信号，从而生成像素信号并且将它们供给至DSP电路1003。

DSP电路1003对从固态摄像装置1002提供的像素信号执行预定的信号处理。DSP电路1003以帧为单位将经过图像处理的像素信号供给至帧存储器1004，以临时存储在帧存储器1004中。

监视器1005包括诸如液晶显示面板或有机EL(电致发光)面板等面板型显示装置。监视器1005基于临时地存储在帧存储器1004中的像素信号以帧为单位显示被摄体的图像(视频)。

例如，存储器1006包括DVD或闪存。存储器1006取回以帧为单位临时地存储在帧存储器1004中的像素信号，并且记录取回的像素信号。

能够应用固态摄像装置1的电子设备不限于摄像装置1000。固态摄像装置1也可以用于其他电子设备中。

尽管固态摄像装置1002构造为第一实施方案的固态摄像装置1，但是可替代地，可以采用其他构造。例如，可以使用第一实施方案的固态摄像装置1或应用了本技术的一些其他光检测装置来构造固态摄像装置1002。

本技术还可以采用以下构造。

(1)

基板；

多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部；

遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部；以及

像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中

在垂直于所述基板的光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排列的所述遮光膜的多个截面中的、定位为夹持着各所述开口部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是第一距离，所述第一距离是恒定的，

多个所述像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至第二像素，并且

在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离。

(2)

根据前述(1)记载的光检测装置，其中所述预定波长为780nm。

(3)

根据前述(2)记载的光检测装置，其中所述第一像素是白色像素或IR像素。

(4)

根据前述(1)至(3)中任一项记载的光检测装置，其中所述第二距离比所述第一距离长。

(5)

根据前述(1)至(3)中任一项记载的光检测装置，其中，所述第二距离比所述第一距离短。

(6)

根据前述(1)至(5)中任一项记载的光检测装置，其中所述第二距离是这样的距离：在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述沟槽部的两个截面的宽度方向中心之间的距离。

(7)

根据前述(1)至(5)中任一项记载的光检测装置，其中

所述像素分隔部形成于所述基板上的所述光电转换部之间，包括具有与所述光电转换部的电荷存储区域的导电类型相反的导电类型的半导体区域，并且具有形成在所述半导体区域中的所述沟槽部，以及

所述第二距离是这样的距离：在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述相反的导电类型的半导体区域的两个截面的宽度方向中心之间的距离。

(8)

根据前述(1)至(7)中任一项记载的光检测装置，其中

在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，相邻的第一像素的所述光电转换部之间的所述像素分隔部的截面的宽度方向中心与位于所述像素分隔部的所述光接收面一侧的所述遮光膜的截面的宽度方向中心在从所述基板的所述光接收面一侧察看的情况下重叠，并且

在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，相邻的第二像素的所述光电转换部之间的所述像素分隔部的截面的宽度方向中心与位于所述像素分隔部的所述光接收面一侧的所述遮光膜的截面的宽度方向中心在从所述基板的所述光接收面一侧察看的情况下重叠。

(9)

根据前述(8)记载的光检测装置，其中

所述像素分隔部形成于所述基板上的所述光电转换部之间，包括具有与所述光电转换部的电荷存储区域的导电类型相反的导电类型的半导体区域，并且具有形成在所述半导体区域中的所述沟槽部，并且

相邻的所述第二像素的所述光电转换部之间的所述像素分隔部中的所述相反的导电类型的半导体区域的宽度与相邻的所述第一像素和所述第二像素的所述光电转换部之间的所述像素分隔部中的所述相反的导电类型的半导体区域的宽度不同，以此使各所述第二像素的所述光电转换部的所述电荷存储区域的体积相同。

(10)

一种电子设备，包括光检测装置，

所述光检测装置包括：基板；多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部；遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部；以及像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中

所述多个像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至第二像素，

在垂直于所述基板的光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排列的所述遮光膜的多个截面中的、定位为夹持着各所述开口部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是第一距离，所述第一距离是恒定的，并且在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离。

附图标记列表

1:固态摄像装置

2:基板

3:像素区域

4:垂直驱动电路

5:列信号处理电路

6:水平驱动电路

7:输出电路

8:控制电路

9:像素

9

9a:特定像素

9b:特定相素

9c:彩色像素

9w:白色像素

10:像素驱动线

11:垂直信号线

12:水平信号线

13:绝缘膜

14:遮光膜

14a-14d:截面

15:平坦化膜

16:光接收层

17:滤色器层

18:微透镜层

19:光收集层

20:配线层

21:光电转换部

21c:彩色像素的光电转换部

21w:白色像素的光电转换部

22:开口部

23:像素边界

24a-24d:宽度方向中心

25:像素分隔部

25a-25c:截面

26:开口部

27:沟槽部

28:入射光

28a,28b:光束

29:滤色器

29c:彩色像素的滤色器

29w:白色像素的滤色器

30:微透镜

31:层间绝缘膜

32:配线

33:半导体区域

33a,33b:截面

34a,34b:宽度方向中心