一种MOSFET近场电磁辐射测试方法

技术领域

本发明属于半导体分立器件测试领域，具体涉及了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法。

背景技术

功率MOSFET作为高速高压应用的开关具有巨大潜力，被广泛应用于高频电力电子器件领域，而提高开关频率一直是提高功率密度和促进开关器件小型化的重要要求，但更高的开关频率也带来了更强的电磁干扰(ElecrtoMegneticInterference，EMI)。电磁干扰的定义为“处在一定环境的设备或系统，在正常运行时候，不应该产生超过相应标准所要求的电磁能量”。EMI问题通常涉及到三个关键要素，即干扰源、耦合路径和敏感设备。

MOSFET的高速开关过程是EMI的主要干扰源之一。不同的开关频率、电压和电流变化率会带来不同的EMI，主要体现在EMI噪声的频谱分布和强度有所不同。总体上来看，MOSFET在开关过程中的EMI都受到开关时间所决定的开关频率影响，更高的开关频率会带来更强和更高频的EMI。MOSFET产生的EMI按照传播路径可以大致分为传导干扰和辐射干扰。其中，传导干扰主要集中于30MHz以下低频率段，而辐射干扰则主要集中于30MHz以上的高频率段，因此相比传导干扰，辐射干扰对高开关频率的MOSFET更加重要。此外由于辐射干扰能够通过空间耦合至多个敏感设备，因此也更加难以防护和测量。

辐射干扰根据距离的不同还可以分为近场辐射和远场辐射。相比远场辐射，从分析干扰源的角度，近场辐射可以保留更多的场源信息；从研究耦合路径的角度，器件级组件发射的电磁场通常在远场区域衰减较快，而近场区域场强较高；从保护敏感器件的角度，大量的敏感器件通常位于MOSFET的近场区域之内。目前针对MOSFET的电磁辐射测试均聚焦于远场电磁辐射测试，而对于针对其近场范围内的测试方法目前还缺乏相关的研究，无法给出使用者在使用时所应该注意的电磁环境，因此无法避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效，同时，由于没有近场电磁辐射的测试结果，无法使设计者们在PCB中添加合适电容值的滤波电容以降低板级电磁发射，从而无法满足整体的EMC规范。基于此，本发明提供了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法。

发明内容

为了解决现有技术中的上述问题，即目前针对MOSFET的电磁辐射测试均聚焦于远场电磁辐射测试，而对于针对其近场范围内的测试方法目前还缺乏相关的研究的问题，本发明提供了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法。

本发明提出了一种MOSFET近场电磁辐射测试方法，所述测试方法包括如下步骤：

步骤S1、将待测试MOSFET安装在MOSFET电磁辐射测试板上；

步骤S2、将外围器件安装在所述MOSFET电磁辐射测试板上，所述外围器件包括表面扫描仪、近场探头、前置放大器、接收机和上位机，所述上位机与所述表面扫描仪连接，所述表面扫描仪与所述近场探头连接，所述近场探头与所述前置放大器连接，所述前置放大器与所述接收机连接，所述接收机与所述上位机连接；

步骤S3、将所述近场探头初始化至零点；

步骤S4、将所述待测试MOSFET安装后不接通电源，测试当前环境噪声水平；

步骤S5、设定扫频区域和步进间隔；在所述上位机上将所述近场探头移动至指定扫描区域的起始点；

步骤S6、设定所述待测试MOSFET的开关频率，接通电源，使所述待测试MOSFET处于工作状态；

步骤S7、设置扫频频率范围并进行两次扫频，先通过宽频域扫频确定主要发射频段，在主要发射频段内，再通过细频域扫频进一步缩小发射区域和发射频率范围，确定最大发射场强、发射中心频率和频率带宽；

步骤S8、跳转至步骤S6，同时改变所述待测试MOSFET的开关频率，直至完成全部开关频率的测试，对比不同开关频率下的辐射发射情况。

在一些优选的实施方式中，在步骤S4中，判断当前环境噪声水平是否至少低于所述待测试MOSFET电磁场场强6dB；

若是，则在当前环境继续测试；

若否，则在电磁兼容屏蔽室中进行测试。

在一些优选的实施方式中，步骤S5中设定扫频区域和步进间隔，其方法为：

所述扫频区域为至少距离待测试MOSFET上方1mm，且平行于所述电磁辐射测试板的平面，X、Y轴上的扫描点之间的间距为第一预设值，所述X、所述Y轴上扫描点之间的间距不小于所述近场探头的空间分辨率；

在保证步进间隔大于空间分辨率的前提下，所述X轴、所述Y轴的步进间隔为扫频区域对应的所述X轴、所述Y轴长度的1/3至1/10；

其中，所述X轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边垂直，所述Y轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边重合，所述水平边为所述MOSFET电磁辐射测试板上表面最下端对应的边。

在一些优选的实施方式中，步骤S5中设定扫频区域和步进间隔，其方法为：

所述扫频区域为距离待测试MOSFET上方1mm至10mm的立体空间，且平面和立体投影面的范围至少包含所述待测试MOSFET所在的局部区域，X、Y、Z轴上扫描点之间的间距为第二预设值，所述X轴、所述Y轴、所述Z轴上扫描点之间的间距不小于所述近场探头的空间分辨率；

在保证步进间隔大于空间分辨率的前提下，所述X轴、所述Y轴的步进间隔为扫频区域对应的所述X轴、所述Y轴长度的1/3至1/10，所述Z轴的步进间隔为扫频区域对应的Z轴长度的1/5；

其中，所述X轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边垂直，所述Y轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边重合，所述水平边为所述MOSFET电磁辐射测试板上表面最下端对应的边，所述Z轴为所述MOSFET电磁辐射测试板立方体区域的高度。

在一些优选的实施方式中，步骤S8中两次扫频和主要发射频段为：

两次扫频分为宽频域扫频和细频域扫频；

在宽频域扫频中，若扫频范围的频率上下限之差超过10dB，则将扫频范围按照10dB的区间分别扫频，且每个扫频区间的频率点选点不超过20个；

在主要发射频段时，主要发射频段频率带宽的上下限为耦合电压下降至峰值0.707倍的干扰信号频率。

在一些优选的实施方式中，所述MOSFET电磁辐射测试板至少由四层板结构组成，所述四层板结构包括TOP层、SIGNAL层、POWER层、BOTTOM层；

所述TOP层、所述SIGNAL层、所述POWER层和所述BOTTOM层在所述四层板结构中从上至下依次排列。

在一些优选的实施方式中，所述TOP层和所述BOTTOM层整体铺铜，所述TOP层上标识有至少一个测试初始位置的丝印，所述TOP层的正中心安装有所述待测试MOSFET，所述待测试MOSFET与其外围电路相隔至少第一预设距离，所述BOTTOM层上安装有外围器件，所述外围器件的外部布置有板通孔，所述板通孔开设在所述TOP层上；

所述TOP层和所述BOTTOM层边缘覆盖有宽度大于第二预设距离的镀锡层，所述TOP层和所述BOTTOM层的四角上均开设有与扫描仪匹配的定位孔。

在一些优选的实施方式中，所述TOP层不设置走线，所述BOTTOM层的走线长度不大于第三预设距离，所述MOSFET的引脚通过通孔引出至SIGNAL层、POWER层和BOTTOM层，所述通孔贯通开设在所述SIGNAL层、POWER层、BOTTOM层和TOP层上。

在一些优选的实施方式中，所述POWER层上绘制有源极引出线、漏极引出线和电源线，所述源极引出线、漏极引出线和电源线的宽度在第一预设范围内；

所述SIGNAL层上绘制有栅极引出线与其它走线，所述栅极引出线和所述其他走线的宽度在第二预设范围内；

其中，所述其他走线为外围电路中的信号控制线路。

在一些优选的实施方式，对所述TOP层和所述BOTTOM层整体铺铜用于对TOP层至BOTTOM层的信号线和电源线屏蔽和保护。

本发明的有益效果：

(1)、MOSFET近场电磁辐射的测试结果为MOSFET器件的重新设计、技术改进或封装修改提供第一手技术资料。

(2)、有了具体的MOSFET近场电磁辐射的测试结果，设计者们可以在PCB中添加合适电容值的滤波电容以降低板级电磁发射，从而满足整体的EMC规范。

(3)、MOSFET器件近场电磁辐射的测试结果为使用者挑选低发射性能的MOSFET器件提供了直接的参考资料。

(4)、MOSFET器件近场电磁辐射的测试结果给出了使用者在使用时所应该注意的电磁环境，避免MOSFET器件过强的电磁辐射发射所导致的其它元器件失效。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明一种MOSFET近场电磁辐射测试方法流程图；

图2为本发明一种MOSFET近场电磁辐射测试方法中测试装置的俯视图；

图3为本发明一种MOSFET近场电磁辐射测试方法中测试装置的正视图；

图4为本发明一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的系统示意图；

图5为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的表面扫描仪示意图；

图6为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的电场探头的测试原理图；

图7为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的电场探头的结构图；

图8为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的磁场探头的测试原理图；

图9为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的磁场探头的结构图；

图10为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的MOSFET电磁兼容测试板使用例设计图；

图11为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的MOSFET近场电磁辐射测试系统使用例实际连接图；

图12为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的宽频域扫频结果；

图13为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的细频域扫频结果；

图14为一种MOSFET近场电磁辐射测试结果；

图15为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的MOSFET电磁辐射测试板参数要求表；

图16为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的MOSFET电磁辐射测试板使用例参数表；

图17为一种MOSFET近场电磁辐射测试方法的使用例近场探头参数表。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

本发明提供一种MOSFET近场电磁辐射测试方法，所述测试方法包括如下步骤：

步骤S1、将待测试MOSFET安装在MOSFET电磁辐射测试板上；

步骤S2、将外围器件安装在所述MOSFET电磁辐射测试板上，所述外围器件包括表面扫描仪、近场探头、前置放大器、接收机和上位机，所述上位机与所述表面扫描仪连接，所述表面扫描仪与所述近场探头连接，所述近场探头与所述前置放大器连接，所述前置放大器与所述接收机连接，所述接收机与所述上位机连接；

步骤S3、将所述近场探头初始化至零点；

步骤S4、将所述待测试MOSFET安装后不接通电源，测试当前环境噪声水平；

步骤S5、设定扫频区域和步进间隔；在所述上位机上将所述近场探头移动至指定扫描区域的起始点；

步骤S6、设定所述待测试MOSFET的开关频率，接通电源，使所述待测试MOSFET处于工作状态；

步骤S7、设置扫频频率范围并进行两次扫频，先通过宽频域扫频确定主要发射频段，在主要发射频段内，再通过细频域扫频进一步缩小发射区域和发射频率范围，确定最大发射场强、发射中心频率和频率带宽；

步骤S8、跳转至步骤S6，同时改变所述待测试MOSFET的开关频率，直至完成全部开关频率的测试，对比不同开关频率下的辐射发射情况。

为了更清晰地对本发明一种MOSFET近场电磁辐射测试方法进行说明，下面结合图1-图17对本发明实施例中各步骤展开详述：

步骤S1、将待测试MOSFET安装在MOSFET电磁辐射测试板上。

其中，步骤S1的目的在于以屏蔽外围器件对辐射测试的干扰。

其中，参见图2、图3、图15，所述MOSFET电磁辐射测试板至少由四层板结构组成，所述四层板结构包括TOP层、SIGNAL层、POWER层、BOTTOM层；

所述TOP层、所述SIGNAL层、所述POWER层和所述BOTTOM层在所述四层板结构中从上至下依次排列。

其中，在本实施例中电磁兼容测试板采用四层板设计如图16所示，TOP层与BOTTOM层作为接地层，SIGNAL层作为信号层，POWER层作为电源层，测试板的整体布局如图10所示。

所述TOP层和所述BOTTOM层整体铺铜，所述TOP层上标识有至少一个测试初始位置的丝印，所述TOP层的正中心安装有所述待测试MOSFET，所述待测试MOSFET与其外围电路相隔至少第一预设距离，所述BOTTOM层上安装有外围器件，所述外围器件的外部布置有板通孔，所述板通孔开设在所述TOP层上；

其中，所述第一预设距离为20mm，这是由于外围电路发射的电磁场会与MOSFET本身的电磁场发生叠加，因此为了减轻该影响，所述待测试MOSFET与外围电路需要隔开一定的距离。

其中，所述TOP层的正中心安装有所述待测试MOSFET，所述BOTTOM层上安装有外围器件，的目的在于在MOSFET测试时，TOP层正对探头，因此将外围电路设置于BOTTOM层，TOP层和BOTTOM层之间的金属板层可以在一定程度上屏蔽外围电路信号发射的电磁波，而待测试MOSFET的电磁场则不会受到影响。

其中，在本实施例中，待测试MOSFET的信号通过焊盘上的0.2mm过孔传输。待测试MOSFET周围采用每隔一段距离设置0.8mm的过孔，以减小单个过孔承受的电流。

其中，在本实施例中，SIGNAL层进行长距离信号线走线，由于信号电流通常较小，因此设置线宽为0.2mm，为了避免信号线之间相互干扰，设置走线间距为1mm，所述POWER层进行长距离电源线走线，由于电源电流通常较大，因此设置线宽为1.2mm，为了避免信号线之间相互干扰，设置走线间距为1.2mm。

所述TOP层和所述BOTTOM层边缘覆盖有宽度大于第二预设距离的镀锡层，所述TOP层和所述BOTTOM层的四角上均开设有与扫描仪匹配的定位孔，以便于将所述待测试MOSFET较好地安装于测试位置。

其中，所述外围器件的外部布置有板通孔中，所述板通孔的直径为0.8mm，以避免测试板局部区域电流密度过大，从而减小外围电路大电流区域的辐射。

其中，所述第二预设距离为5mm。

所述TOP层不设置走线，所述BOTTOM层尽量避免进行走线，所述BOTTOM层的走线长度不大于第三预设距离，所述MOSFET的引脚通过通孔引出至SIGNAL层、POWER层和BOTTOM层，所述通孔贯通开设在所述SIGNAL层、POWER层、BOTTOM层、TOP层上。

其中，所述第三预设距离为2mm。

所述POWER层上绘制有源极引出线、漏极引出线和电源线，所述源极引出线、漏极引出线和电源线的宽度在第一预设范围内；

其中，所述第一预设范围为1.2mm-2.5mm。

所述SIGNAL层上绘制有栅极引出线与其它走线，例如外围电路中的信号控制线路，所述栅极引出线和所述其他走线的宽度在第二预设范围内。

其中，在本实施例中，BOTTOM层用于所有外围器件放置，外围器件布局时考虑将待测试MOSFET与其外围电路隔开一定的距离。BOTTOM层整体铺铜，且只进行短距离走线，对于距离较远的引脚连接，则通过短线连接至0.2mm的过孔，再通过所述SIGNAL层和所述POWER层进行连接，该连接方法可以保证该层整体的完整性。对于部分大电流的引脚进行铺铜，以减小电流密度。滤波电容设置在待测试MOSFET的背面，以提高滤波效果。外围器件之间的距离在满足器件间距的前提下尽量靠近，以减小回路面积。

其中，所述第二预设范围为0.2mm-0.3mm。

其中，射频信号线、普通信号线、电源线相互远离，设置靠近电源引脚的滤波电容。通过合理的走线可以有效减轻引线的电流密度；设置合适的线宽，可以避免线间发生传导干扰；设置靠近电源引脚的滤波电容，可以进一步减轻线间串扰产生的影响。通过有效的走线设置，从而提高检测准确性。

对所述TOP层和所述BOTTOM层整体铺铜用于对TOP层至BOTTOM层的信号线和电源线屏蔽和保护。

步骤S2、如图4所示，将外围器件安装在所述MOSFET电磁辐射测试板上，所述外围器件包括表面扫描仪、近场探头、前置放大器、接收机和上位机，所述上位机与所述表面扫描仪连接，所述表面扫描仪与所述近场探头连接，所述近场探头与所述前置放大器连接，所述前置放大器与所述接收机连接，所述接收机与所述上位机连接；

其中，所述表面扫描仪用于移动探头和定位测试点，其示意图如图4、图5所示，其包含一个四轴可移动支架，通过上位机程序，可以控制近场探头在X轴、Y轴、Z轴和XY平面旋转轴上的位置。

其中，在本实施例中，选用Langer公司的FLS106PCB型扫描仪，该型号扫描仪的位移精度为0.1mm，角度精度1°，能够有效匹配电场探头的扫描精度。其能够通过USB与上位机进行连接，支持坐标自动定位功能，且配置有摄像头，可以观察和控制探头相对待测试MOSFET的位置。

其中，所述近场探头按照测量类型可以分为电场探头和磁场探头，按照传感器形状可以分为锥形探头、环形探头等，锥形探头主要用于测量电场，环形探头主要用于测量磁场。电场探头测试的原理如图6所示，MOSFET干扰源的开关过程产生电压和电流的快速变化，电场的变化在电场探头上引起电压的变化，电场探头中的传感元件通过电场感应得到电流IE，其结构示意图如图7所示。磁场探头测试的原理如图8所示，MOSFET干扰源的开关过程产生电压和电流的快速变化，发射的磁场在磁场探头上的回路区域产生磁通量变化，磁场探头中的回路通过感应磁场的磁通量变化感应得到电流IM。其结构示意图如图9所示。

其中，在本实施例中，选用近场探头组的探头类型和具体参数见图17。

其中，所述前置放大器主要用于放大近场探头采集的信号。信号功率放大后，与线缆噪声、接收机底噪声混合传输至接收机后，再将混合信号功率衰减，从而抑制噪声干扰。

其中，在本实施例中，选用PA601型前置放大器，其信号功率增益为30dB，输入信号频率范围为DC-6GHz。

其中，所述接收机的主要功能是将获得的电压信号由时域转换为频域信号。

其中，在本实施例中，选用Rohde&Schwarz公司的ESR-26型号接收机，其工作频率为DC-26.5GHz，其能够通过LAN接口将频谱数据实时传输至上位机。

测试设备连接实物见图11。

其中，所述上位机用于对所述表面扫描仪进行控制，以及对接收机数据进行进一步分析。

其中，测试系统的工作原理是，所述上位机控制所述表面扫描仪，将所述近场探头移动至待测试MOSFET上方的扫描点，并测量电场或磁场感应电流，结合阻抗转换为电压信号；探头将电压信号通过前置放大器放大后再衰减传入接收机，从而消除信号线缆中的传导噪声；接收机将时域信号转化为电压频谱，并将结果回上位机，上位机通过计算将电压信号转换回电场或磁场强度，完成该位置点的电磁场测量。通过在上位机中设定测试区域，控制近场探头扫描器件上方的数百个扫描点，以此建立近场电磁辐射的空间分布图。

步骤S3、将所述近场探头初始化至零点。

步骤S4、将所述待测试MOSFET安装后不接通电源，测试当前环境噪声水平。

其中，在步骤S4中判断当前环境噪声水平是否至少低于所述待测试MOSFET电磁场场强6dB；

若是，则在当前环境继续测试；

若否，则在电磁兼容屏蔽室中进行测试。

步骤S5、设定扫频区域和步进间隔；在所述上位机上将所述近场探头移动至指定扫描区域的起始点。

其中，所述扫频区域为至少距离待测试MOSFET上方1mm，且平行于所述电磁辐射测试板的平面，所述X、所述Y轴上的扫描点之间的间距为第一预设值，所述X、所述Y轴上扫描点之间的间距不小于所述近场探头的空间分辨率；

在保证步进间隔大于空间分辨率的前提下，所述X轴、所述Y轴的步进间隔为扫频区域对应的所述X轴、所述Y轴长度的1/3至1/10；

其中，所述X轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边垂直，所述Y轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边重合，所述水平边为所述MOSFET电磁辐射测试板上表面最下端对应的边。

其中，所述第一预设值根据扫描区域的大小和单次扫描的时间调整，在本实施例中，优选为20min。

其中，步骤S5中设定扫频区域和步进间隔，本发明的另一种变形为：

所述扫频区域为距离待测试MOSFET上方1mm至10mm的立体空间，且平面和立体投影面的范围至少包含所述待测试MOSFET所在的局部区域，所X轴、Y轴、Z轴上扫描点之间的间距为第二预设值，所述X轴、所述Y轴、所述Z轴上扫描点之间的间距不小于所述近场探头的空间分辨率；

在保证步进间隔大于空间分辨率的前提下，所述X轴、所述Y轴的步进间隔为扫频区域对应的所述X轴、所述Y轴长度的1/3至1/10，所述Z轴的步进间隔为扫频区域对应的所述Z轴长度的1/5；

其中，所述第二预设值能够根据扫描区域的大小和单次扫描的时间调整，在本实施例中，优选为20min。

其中，所述X轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边垂直，所述Y轴与所述MOSFET电磁辐射测试板的水平边重合，所述水平边为所述MOSFET电磁辐射测试板上表面最下端对应的边，所述Z轴为所述MOSFET电磁辐射测试板立方体区域的高度。

其中，在本实施例中，输入坐标将探头移动至扫描区域的原点。由于待测试MOSFET尺寸较大，出于节省扫描时间的考虑，扫频区域仅包含了待测试MOSFET和外围器件所在的30mm×30mm区域，而未包含整块测试板。扫描点间距为3mm，约为测试区域边长的10％，扫描路径无重复有规律地经过了所有测试点。

步骤S6、设定所述待测试MOSFET的开关频率，接通电源，使所述待测试MOSFET处于工作状态。

其中，在本实施例中，所述待测试MOSFET的开关频率设置为10KHz，上电以使得器件处于工作状态。

步骤S7、设置扫频频率范围并进行两次扫频，先通过宽频域扫频确定主要发射频段，在主要发射频段内，再通过细频域扫频进一步缩小发射区域和发射频率范围，确定最大发射场强、发射中心频率和频率带宽。

其中，在本实施例中，设定的宽频域扫频频率范围为30MHz至3GHz，在30MHz至300MHz及300MHz至3GHz分别取20个频率点进行测试，驻留时间设定为2s。以电场测试结果为例，宽频域扫频结果见图12。根据测试结果进行的细频域扫频频率范围设置为2.3GHz至2.4GHz，细频域扫频结果见图13。

其中，如果扫频范围的频率上下限之差超过10dB，则应考虑将扫频范围按照10dB的区间分别扫频，且每个扫频区间的频率点选点不宜超过20个，因为过密的频率点选点会极大地增加测试时间，但测试精度却不会增加太多。在确定主要发射频段时，主要发射频段频率带宽的上下限应为耦合电压下降至峰值0.707倍的干扰信号频率。在主要发射频段内，通过细频域扫频进一步缩小发射区域和发射频率范围，确定最大发射场强、发射中心频率和频率带宽。

步骤S8、跳转至步骤S6，同时改变所述待测试MOSFET的开关频率，直至完成全部开关频率的测试，对比不同开关频率下的辐射发射情况。

其中，在本实施中调整器件开关频率，加至100KHz，重复步骤6。取各个开关频率下电磁场发射的最大值，MOSFET的近场电磁辐射测试结果见图14。

术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不是用于描述或表示特定的顺序或先后次序。

术语“包括”或者任何其它类似用语旨在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备/装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者还包括这些过程、方法、物品或者设备/装置所固有的要素。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。