芯片的封装结构

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片的封装结构。

背景技术

随着科技的发展，半导体应用要求半导体产品集成度越来越高、功率密度越来越大、可靠性越来越高，为此除了在芯片设计方面不断提升其功率密度外，封装方面也在不断的进行多器件集成，以提高器件集成度、增加功率密度、提高可靠性。在分立器件封装上，通常采用双芯片或者多芯片集成封装，但因为载片区尺寸有限，且各芯片间也需要隔有一定间距(通常要求两芯片间距0.4-0.6mm)以保证器件可靠性，以防止芯片焊接过程中，焊料溢出致使其相邻芯片边缘焊料加厚，漫延至芯片正面，或者芯片背面空洞超标，导致器件失效。

然而0.4-0.6mm空间会限制多芯片集成的数量以及所需要封装的芯片尺寸，尤其是在多个小芯片集成封装时，该空间浪费占比会更加严重。

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供了一种芯片的封装结构，该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35-0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。

本发明采用的技术方案如下：

本发明提出了一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：载片台，所述载片台用于承托所述多个芯片；防水槽，所述防水槽设置在所述载片台的周边；防溢槽，所述防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且所述防溢槽的长度大于所述芯片在防溢槽方向的最短边的长度，所述防溢槽的宽度在0.05-0.1mm之间，所述防溢槽的深度为所述载片台厚度的1/10-1/5之间。

本发明上述提出的芯片的封装结构还具有如下附加技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述芯片包括两个，所述防溢槽设置在两个芯片的中间，或者，所述防溢槽设置在两个芯片之间，且与其中一个芯片的距离大于与另一个芯片的距离。

根据本发明的一个实施例，所述防溢槽的长度小于或等于相邻的两个芯片的最长边长度，且大于或等于相邻的两个芯片的最短边长度根据本发明的一个实施例，所述载片台为铜板。

根据本发明的一个实施例，所述防溢槽为直线设计或者曲线设计。

根据本发明的一个实施例，所述防水槽和所述防溢槽采用机械冲压方式、机床铣或者激光雕刻或者任意可以形成槽刻的方式形成。

本发明的有益效果：

本发明通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35-0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。

附图说明

图1是根据本发明第一个实施例的芯片的封装结构的示意图；

图2是根据本发明第二个实施例的芯片的封装结构的示意图；

图3是根据本发明第三个实施例的芯片的封装结构的示意图；

图4是根据本发明第一个实施例的芯片的防溢槽的形状示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1-3所示，芯片4为多个，芯片的封装结构包括：载片台1、防水槽2、防溢槽3，其中，载片台1用于承托多个芯片4；防水槽2设置在载片台1的周边；防溢槽3设置在相邻的两个芯片4之间，且防溢槽3的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽3的宽度在0.05-0.1mm之间，防溢槽3的深度为载片台1厚度的1/10-1/5之间。

进一步地，根据本发明的一个实施例，芯片4可以包括两个，防溢槽3可以设置在两个芯片的中间(如图1所示)，或者，防溢槽3设置在两个芯片之间且与其中一个芯片4的距离大于与另一个芯片4的距离。防溢槽3的长度小于或等于相邻的两个芯片的最长边长度，且大于或等于相邻的两个芯片的最短边长度。具体地，本发明主要针对2个芯片及2个以上芯片封装，通过在相邻芯片4之间增加防溢槽，如图1-3所示，从而缩小相邻芯片之间间距，仅需要相隔一个防溢槽宽度(0.05-0.1mm)，较原设计需要间距0.4-0.6mm宽度而言，芯片之间间距将大大减小，节约出空间可封装更大尺寸/更多数量的芯片,且该防溢槽设计，可以根据封装芯片尺寸、摆放位置进行设计，设计自由度高。

另外，该防溢槽设计可以分为通用型

防溢槽3的宽度、深度及长度尺寸设计，遵循原则主要为：宽度设计主要为0.05-0.1mm，太窄工艺要求较高，太宽则失去了节省底板有效载片面积的作用；长度设计至少应为两侧芯片最短边长度相同，保险设计最好与最长边相同，保证最长边芯片焊料溢出可以进入防溢槽中，而非临测芯片上；深度设计通常为金属底板(载片台1)厚度的1/10-1/5，具体厚度应考虑各封装中焊料溢出量，在保证焊料溢出量的前提下，越浅越好，太深会影响整体金属底板结构。

在本发明的实施例中，载片台1可以为铜板。

在本发明的实施例中，防溢槽3的设计，不局限于直线型设计，其他曲线形状包含但不限于图4所示，该设计也可实现本发明的目的，且曲线形状相对直线型设计，更能增加防溢槽路径长度，增加焊锡溢锡容量，从而减小防溢槽深度或宽度。

在本发明的实施例中，防水槽2和所述防溢槽3可以采用机械冲压方式、机床铣或者激光雕刻等任意可以形成槽刻的方式形成。

具体地，防溢槽3可以与防水槽2同时形成该方式的优点为，无需增加额外工艺，制作方便。防溢槽3也可在防水槽2制作前或制作后形成，该方式优点为，可以通过调节冲压参数控制防溢槽深度。

综上所述，根据本发明实施例的芯片的封装结构，防水槽设置载在载片台的周边，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05-0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10-1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35-0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。

在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。