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一种抗高温氧化、耐高温软化高强Cu合金及其制备方法

文献发布时间:2024-04-18 19:59:31


一种抗高温氧化、耐高温软化高强Cu合金及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种抗高温氧化、耐高温软化高强Cu基导电合金及其制备方法,属于耐高温铜合金技术领域。

背景技术

铜合金具有优良的综合力学性能和导电导热性能,广泛应用于电力、化工、冶金、航空航天等研究领域。随着高技术发展,Cu合金越来越多地被要求在高温、高重载等严苛的条件下使役。比如,大型高速涡轮发电机转子的槽楔合金、火箭发动机燃烧室及推力室的内衬材料及铝电解惰性阳极等。这些实际工况对Cu合金强度、电导率、抗高温软化性能及抗高温氧化性能提出了更高的要求。

目前为止,高强度热稳定铜合金主要以铝青铜为主,但是耐高温性能及服役温度均存在局限性。即使是耐高温性能最优异Cu

发明内容

为解决现有技术中的不足,本发明提出一种基于团簇式方法设计的抗高温氧化、耐高温软化高强Cu合金及其制备方法。为保证Cu-Ni-Al合金抗软化性能、强度及电导率的基础上提升其抗氧化性能,选择Cr及Zr协同添加。通过合金化元素的固溶提升L1

本发明采用的技术方案是:一种基于团簇式方法设计的抗高温氧化、耐高温软化高强Cu基导电合金,所述Cu基导电合金成分的原子百分比为Cu:49.00~72.00at.%,Ni:8.33~33.33at.%,Al:4.17~16.67at.%,Cr:0.30~0.65at.%,Zr:0.04~0.08at.%;

导电合金的原子团簇式为:m(Cu

该合金相组成随Cu含量的增加而变化,当Cu含量:49.00at.%≤Cu at.%≤62.00at.%,原子团簇式中:0.5≤m≤1时,合金组织由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的L1

合金的性能指标为:电导率4.88-12.5%IACS,硬度195-280HV,极限抗拉强度620-870MPa,200小时内850℃的氧化速率为0.1-0.4mg/cm

一种抗高温氧化、耐高温软化高强Cu基导电合金的制备方法:根据Cu基导电合金换算重量百分比,并配制Cu、Ni、Al、Cr以及Zr原料;

采用非自耗真空电弧熔炼,通入高纯氩气保护,对配制好的纯度为4N以上的Cu、Ni、Al、Cr以及Zr原料进行反复熔炼,得到成分均匀的合金锭;

利用热重分析仪获得熔炼合金的熔点,并在比熔点低100℃的温度下固溶,保温6小时后空冷;随后,进行900℃高温时效4h随炉冷却;最后,进行450℃低温时效4h。

通过分析Cu-Ni-Al合金中强化相L1

该合金相组成随Cu含量的增加而变化,合金组织由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的L1

所述的一种基于团簇式方法设计的抗高温氧化、耐高温软化高强Cu合金的制备方法:

(1)采用非自耗真空电弧熔炼,通入高纯氩气保护,对配制好的纯度为4N以上的Cu、Ni及Al原料进行反复熔炼,得到成分均匀的合金锭;

(2)利用热重分析仪获得熔炼合金的熔点;并在比熔点低100℃的温度下固溶,保温6小时后空冷;随后,进行900℃高温时效4h随炉冷却;最后,进行450℃低温时效4h。

本发明的有益效果是:

1、通过分析Cu-Ni-Al-Cr-Zr合金焓交互作用,通过分析Cu-Ni-Al合金中强化相L1

2、Cr元素为抗氧化元素,同时在Cu中固溶度很小,提升L1

当Cu含量:49.00at.%≤Cu at.%≤62.00at.%,原子团簇式中:0.5≤m≤1时,合金组织由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的L1

当Cu含量:62.00at.%<Cu at.%≤72.00at.%,原子团簇式中:1<m≤2时,合金中相组成为FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的纳米级单质Cr相、晶内析出的共格析出的L1

Cr、Zr协同作用保证了合金的力学性能、电学性能、耐高温软化及抗高温氧化性能。

附图说明

图1是时效处理后Cu

图2是时效处理后Cu

图3是时效处理后Cu

具体实施方式

下面结合技术方案详细叙述本发明的具体实施例。

实施例1:Cu

步骤一:合金制备及显微组织表征

将成分为Cu

步骤二:合金结构和性能表征

采用德国布鲁克D8 FOCUS X射线衍射仪对热处理后样品进行X射线衍射分析,该合金由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的L1

实施例2:Cu

步骤一:合金制备及显微组织表征

将成分为Cu

步骤二:合金结构和性能表征

采用德国布鲁克D8 FOCUS X射线衍射仪对热处理后样品进行X射线衍射分析,该合金由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的L1

实施例3:Cu

步骤一:合金制备及显微组织表征

将成分为Cu

步骤二:合金结构和性能表征

采用德国布鲁克D8 FOCUS X射线衍射仪对热处理后样品进行X射线衍射分析,该合金由FCC结构Cu基固溶体、晶内析出的纳米级单质Cr相、晶内析出的共格析出的L1

技术分类

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