负极片及激光器封装方法

技术领域

本发明涉及激光器制备技术领域，尤其是涉及一种负极片及激光器封装方法。

背景技术

激光器包括热沉200、芯片100、负极片400和绝缘片300，其中，芯片100和绝缘片300间隔的设置在热沉200上，负极片400包括依次连接的第一板部410、第二板部420和第三板部430，其中，第一板部410与绝缘片300的上表面连接，第三板部430与芯片100的上表面连接。

如图1所示，封装芯片时，芯片100与热沉200、负极片400之间进行焊接。负极片400在焊接前已成型，而由于芯片100、绝缘片300等原料的尺寸发生变化，存在尺寸公差，导致在焊接时负极片400的第三板部的下表面与芯片100的上表面之间存在间隙。

如图2所示，因为第一板部410预先已经与绝缘片300进行了连接，因此，第三板部430在被自上而下运动的重力块600下压时，第三板部430将出现倾斜的情况，造成焊接时负极片400的受力点偏移，从而导致第三板部430远离第一板部410的一边沿先与芯片100的上表面接触，而该边被压住且第一板部410已经与绝缘片300连接牢固的情况下，第三板部430的下表面很难与芯片100的上表面贴合，重量块700的力无法均匀施加于芯片100，从而影响芯片100正常焊接。

发明内容

本发明的目的在于提供一种负极片及激光器封装方法，以缓解现有的激光器加工过程中，芯片与负极片因为存在尺寸公差所造成的负极片的第三板部倾斜地压在芯片上，导致重力块的力无法均匀施加在芯片上的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供的一种负极片，所述负极片用于连接热沉上间隔的芯片和绝缘片，所述负极片包括依次连接的第一板部、第二板部和第三板部，所述第一板部用于与绝缘片连接，所述第三板部的下表面用于与芯片的上表面连接；

所述第三板部包括与第二板部连接的第一边沿，以及与第一边沿相对的第二边沿；在所述第一边沿和第二边沿之间，所述第三板部具有向下凸出的凸出段，且沿所述第一边沿向第二边沿方向，所述凸出段的下表面与芯片的上表面之间的距离先减小后增大，且所述第三板部的最低位置为所述凸出段的最低位置。

进一步的，所述凸出段呈弧形弯曲状。

进一步的，所述凸出段的曲率K=0.04-0.1；所述凸出段的弧长C=2.51-2.53mm。

进一步的，所述凸出段呈“V”型弯折状。

进一步的，所述凸出段包括下降部分和上升部分，所述下降部分和上升部分分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分靠近所述第二板部，所述上升部分远离所述第二板部；

所述凸出段的最低点的位置相比于第二边沿更靠近第一边沿，以使所述上升部分长于下降部分。

进一步的，所述下降部分的最高点与所述凸出段的最低位置之间的高度差大于所述上升部分的最高点与所述凸出段的最低位置之间的高度差。

进一步的，所述上升部分经过热处理，以使上升部分的相对于下降部分更容易弯曲。

进一步的，所述第三板部上密布有贯穿上下表面的网孔结构。

第二方面，本发明实施例提供的一种激光器封装方法，包括步骤：

提供芯片、热沉、绝缘片和上述的负极片，其中，芯片和绝缘片间隔的连接在热沉的上表面；

将所述第一板部与绝缘片固定连接；

所述第三板部的凸出段位于所述芯片的上方；所述凸出段包括下降部分和上升部分，所述下降部分和上升部分分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分靠近所述第二板部，所述上升部分远离所述第二板部；

利用重力块下压所述上升部分，以使所述上升部分被压平在芯片的上表面。

进一步的，被压平的所述上升部分均位于所述芯片内，且被压平的上升部分的表面积与芯片总表面积的比大于二分之一。

本发明实施例提供的负极片用于连接热沉上间隔的芯片和绝缘片，所述负极片包括依次连接的第一板部、第二板部和第三板部，所述第一板部用于与绝缘片连接，所述第三板部的下表面用于与芯片的上表面连接；所述第三板部包括与第二板部连接的第一边沿，以及与第一边沿相对的第二边沿；在所述第一边沿和第二边沿之间，所述第三板部具有向下凸出的凸出段，且沿所述第一边沿向第二边沿方向，所述凸出段的下表面与芯片的上表面之间的距离先减小后增大，且所述第三板部的最低位置为所述凸出段的最低位置。在加工过程中，将所述第一板部与绝缘片固定连接，此时，所述第三板部的凸出段位于所述芯片的上方；所述凸出段包括下降部分和上升部分，所述下降部分和上升部分分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分靠近所述第二板部，所述上升部分远离所述第二板部；利用重力块下压所述上升部分，凸出段的最低点首先与芯片接触，然后上升部分以凸出段的最低点为支点，在重力块的下压下逐渐趋于水平，最终使上升部分被压平在芯片的上表面，被压平的上升部分可以与芯片充分接触，形成面与面的接触，增大的接触面积，消除了现有技术中芯片与负极片之间的尺寸公差，并且，重力块施加的压力可以均匀的作用在芯片上，从而确保焊接的正常进行。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中芯片与负极片存在公差的示意图；

图2为现有技术中重力块下压负极片的示意图；

图3为本发明实施例提供的芯片封装方法中重力块下压负极片前的示意图；

图4为本发明实施例提供的芯片封装方法中重力块下压负极片后的示意图。

图标：100-芯片；200-热沉；300-绝缘片；400-负极片；410-第一板部；420-第二板部；430-第三板部；510-下降部分；520-上升部分；600-重力块。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图3和图4所示，本发明实施例提供的负极片400用于连接热沉200上间隔的芯片100和绝缘片300。激光器的封装过程中，先提供一个热沉200，热沉200上表面间隔的固定有一个芯片100和一个绝缘片300，负极片400连接芯片100和绝缘片300。

所述负极片400包括依次连接的第一板部410、第二板部420和第三板部430，所述第一板部410用于与绝缘片300连接，所述第三板部430的下表面用于与芯片100的上表面连接，可以采用焊接的方式进行连接。第二板部420位于芯片100和绝缘片300之间，用于连接第一板部410和第三板部430。

所述第三板部430包括与第二板部420连接的第一边沿，以及与第一边沿相对的第二边沿；在所述第一边沿和第二边沿之间，所述第三板部430具有向下凸出的凸出段，且沿所述第一边沿向第二边沿方向，所述凸出段的下表面与芯片100的上表面之间的距离先减小后增大，且所述第三板部430的最低位置为所述凸出段的最低位置。其中，凸出段为第三板部430中某一部分或者整体向下弯曲或者弯折形成的，第三板部430的最低点位于第一边沿和第二边沿之间，也就是说，在重力块600作用与第三板部430时，凸出段的最低点先与芯片100接触。

在加工过程中，将所述第一板部410与绝缘片300固定连接，此时，所述第三板部430的凸出段位于所述芯片100的上方；所述凸出段包括下降部分510和上升部分520，所述下降部分510和上升部分520分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分510靠近所述第二板部420，所述上升部分520远离所述第二板部420；利用重力块600下压所述上升部分520，凸出段的最低点首先与芯片100接触，然后上升部分520以凸出段的最低点为支点，在重力块600的下压下逐渐趋于水平，最终使上升部分520被压平在芯片100的上表面，被压平的上升部分520可以与芯片100充分接触，形成面与面的接触，增大的接触面积，消除了现有技术中芯片100与负极片400之间的尺寸公差，并且，重力块600施加的压力可以均匀的作用在芯片100上，从而确保焊接的正常进行。

在一种可以实施的方式中，所述凸出段呈弧形弯曲状。所述凸出段的曲率K=0.04-0.1；所述凸出段的弧长C=2.51-2.53mm。本实施例中，以该种实施方式为例进行画图说明。

在另一种可以实施的方案中，所述凸出段还可以呈“V”型弯折状。凸出段的具体形状并不受限制，其它满足要求的形状也可以。

所述凸出段包括下降部分510和上升部分520，所述下降部分510和上升部分520分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分510靠近所述第二板部420，所述上升部分520远离所述第二板部420；所述凸出段的最低点的位置相比于第二边沿更靠近第一边沿，以使所述上升部分520长于下降部分510。

为了使负极片400与芯片100之间的接触面积增加，可以将凸出段设置成相对于最低点的非对称结构，上升部分520设置的更长一些，凸出段的最低点更靠近芯片100的右侧边沿，而下降部分510设置的稍微短一些。

所述下降部分510的最高点与所述凸出段的最低位置之间的高度差大于所述上升部分520的最高点与所述凸出段的最低位置之间的高度差。将上升部分520的倾斜程度设置的较小，上升部分520更趋于水平，更方便重力块600下压后与芯片100的上表面接触。

所述上升部分520可以预先经过热处理，减小该部分的应力，以使上升部分520相对于下降部分510更容易弯曲。

所述第三板部430上密布有贯穿上下表面的网孔结构，提高负极片400与芯片100焊接的牢固性，避免虚焊。

本发明实施例提供的激光器封装方法包括步骤：

提供芯片100、热沉200、绝缘片300和上述的负极片400，其中，芯片100和绝缘片300间隔的连接在热沉200的上表面；将所述第一板部410与绝缘片300固定连接；所述第三板部430的凸出段位于所述芯片100的上方；所述凸出段包括下降部分510和上升部分520，所述下降部分510和上升部分520分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分510靠近所述第二板部420，所述上升部分520远离所述第二板部420；利用重力块600下压所述上升部分520，以使所述上升部分520被压平在芯片100的上表面。

在加工过程中，将所述第一板部410与绝缘片300固定连接，此时，所述第三板部430的凸出段位于所述芯片100的上方；所述凸出段包括下降部分510和上升部分520，所述下降部分510和上升部分520分别位于凸出段的最低位置的两侧，且所述下降部分510靠近所述第二板部420，所述上升部分520远离所述第二板部420；利用重力块600下压所述上升部分520，凸出段的最低点首先与芯片100接触，然后上升部分520以凸出段的最低点为支点，在重力块600的下压下逐渐趋于水平，最终使上升部分520被压平在芯片100的上表面，被压平的上升部分520可以与芯片100充分接触，形成面与面的接触，增大的接触面积，消除了现有技术中芯片100与负极片400之间的尺寸公差，并且，重力块600施加的压力可以均匀的作用在芯片100上，从而确保焊接的正常进行。

为了增加接触面积，被压平的所述上升部分520均位于所述芯片100内，且被压平的上升部分520的表面积与芯片100总表面积的比大于二分之一，可以提高导电性能。

以芯片100腔长为2.5mm为例，呈弧形的凸出段的曲率K=0.04-0.1；所述凸出段的弧长C=2.51-2.53mm。保证受重力块600压力的负极片400可以与芯片100接触，避免负极的弧长不够与芯片100不能焊接的情况。

带有弧度的负极片400在没有压力的情况下左端是不能凸出芯片100左端的，负极片400最左端相比于芯片100最左端缩进的范围a1可以为0.01-0.04mm，下压后避免负极片400超过芯片100，影响封装。

在没有压力的情况下，负极片400的凸出段的最低点M与芯片100的垂直距离h的范围大致在0.095mm- 0.15mm。

第三板部430的最高点与最低点之间的高度差范围可以为0.02-0.03mm。

上升部分520被压平后，上升部分520的最左端与芯片100的最左端之间的距离a2为20-50um；第三板部430的最低点M与芯片100最右端的范围a3为 1.2-1.3mm。

在未受到重力块600的压力前，最低点M向下的投影可以位于芯片100腔长的中间位置，或者位于芯片100中心位置向前或者向后移动1/4腔长的范围内，即当芯片的腔长为2.5mm时，最低点M向下的投影可以在芯片中间位置前后移动1.25mm的范围内，保证受重力块600压力的负极片400可以与芯片100接触，避免负极的最低点超出芯片100范围。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。