半导体制造设备的控制方法、设备、控制系统及存储介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体制造设备的控制方法、设备、控制系统及存储介质。

背景技术

在半导体制造工艺中，经常会利用到化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，简称CVD)技术。化学气相沉积比如是将多种气态原材料通入至反应室内，经过一些列化学反应，沉积于晶片表面，使得晶片表面被膜层覆盖。

随着反应时间的增加，反应室的内壁会形成沉积反应物，沉积反应物会越来越多，可能会影响晶片表面的沉积效果。且若是沉积反应物过多，滴落至晶片表面，会形成晶片缺陷。因此，需要定期保养反应室。

但是，打开反应室时，反应室内常有异物掉落的风险，且反应室将曝于大气下，使其沉积反应物与大气气体分子产生化学反应，进而生成非预期合成物。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种半导体制造设备的控制方法、设备、控制系统及存储介质。

本公开的第一方面提供一种半导体制造设备的控制方法，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，所述进气管道和所述喷气管道用于连通形成第一气流通路，所述控制方法包括：

接收控制指令，所述控制指令用于指示断开所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以断开所述第一气流通路；或者，连通所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以连通所述第一气流通路；

基于所述控制指令，当指示断开所述第一气流通路时，驱动抽气管道的抽气端部与所述进气管道的出气端部连接，以使所述抽气管道和所述进气管道连通形成第二气流通路，并开启位于所述抽气端部的负压生成装置对所述进气管道进行抽气；或者，当指示连通所述第一气流通路时，驱动所述抽气端部与所述进气管道的出气端部断开，以使所述第二气流通路断开，并关闭所述负压生成装置停止抽气。

根据本公开的一些实施例，当所述驱动抽气管道的抽气端部与所述进气管道的出气端部连接，所述控制方法还包括：

确定所述进气管道的预设气压值；

获取所述进气管道内的当前气压值；

根据所述当前气压值和所述预设气压值，确定气压差值；

基于所述气压差值，确定所述负压生成装置的控制参数信息。

根据本公开的一些实施例，所述基于所述气压差值，确定所述负压生成装置的控制参数信息，包括：

获取配置信息，所述配置信息用于表征所述气压差值与气流参数的对应关系，所述气流参数包括气流量和气流持续时长；

基于所述气压差值和所述配置信息，确定目标气流参数。

根据本公开的一些实施例，所述控制方法还包括：

获取所述进气管道内的当前气压值；

基于所述当前气压值，显示提示信息于所述负压生成装置。

根据本公开的一些实施例，若所述当前气压值落入第一预设区间内，则显示第一提示信息；

若所述当前气压值落入第二预设区间内，则显示第二提示信息。

本公开的第二方面提供一种半导体制造设备的控制装置，用于实现如上所述的半导体制造设备的控制方法，所述半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，所述进气管道和所述喷气管道用于连通形成第一气流通路，其特征在于，所述控制装置包括：

接收模块，被设置为接收控制指令，所述控制指令用于指示断开所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以断开所述第一气流通路，或者，连通所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以连通所述第一气流通路；

控制模块，被设置为基于所述控制指令，启动负压生成装置并与所述进气管道的出气端部连通，或者，停止所述负压生成装置并与所述进气管道的出气端部断开；

其中，所述负压生成装置具有抽气管道，当断开所述第一气流通路时，启动所述负压生成装置并与所述进气管道的出气端部连接，以使所述抽气管道和所述进气管道连通形成第二气流通路。

本公开的第三方面提供一种半导体制造设备，所述半导体制造设备包括：

设备部；

进气管道，所述进气管道设置于所述设备部；

喷气管道，所述喷气管道设置于所述设备部；所述进气管道和所述喷气管道用于连通形成第一气流通路；

负压生成装置，所述负压生成装置与所述设备部可拆卸连接；

抽气管道，所述抽气管道的抽气端部与所述负压生成装置连接，当断开所述第一气流通路时，所述负压生成装置通过所述抽气管道与所述进气管道的出气端部连接，以使所述抽气管道和所述进气管道连通形成第二气流通路；

设备控制部，所述设备控制部与所述负压生成装置电连接。

根据本公开的一些实施例，所述负压生成装置包括：

装置本体，所述装置本体内设置有连接管道，所述连接管道的进气端部与所述进气管道的出气端部连通；所述抽气管道与所述连接管道的出气端部连通；

驱动部，所述驱动部设置于所述装置本体，所述驱动部用于驱动所述连接管道内的气流向所述抽气管道内流动。

根据本公开的一些实施例，所述负压生成装置包括：

负压控制部，所述负压控制部设置于所述装置本体，所述负压控制部分别与所述设备控制部和所述驱动部电连接；

侦测部，所述侦测部设置于所述装置本体，所述侦测部与所述负压控制部电连接。

根据本公开的一些实施例，所述侦测部包括：

侦测器，所述侦测器与所述负压控制部电连接；

显示器，所述显示器与所述负压控制部电连接。

根据本公开的一些实施例，所述负压生成装置还包括平衡部，所述平衡部设置于所述装置本体。

根据本公开的一些实施例，所述设备部包括：

承载体，所述承载体内设置有承载空间，所述进气管道设置于所述承载体内，所述承载空间用于容置半导体；

盖体，所述盖体与所述承载体连接，所述喷气管道设置于所述盖体内，所述进气管道通过所述喷气管道与所述承载空间连通；

其中，所述盖体能够相对所述承载体运动，以开启或者关闭承载空间；

当开启所述承载空间时，断开所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以断开所述第一气流通路；

当关闭所述承载空间时，连通所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以连通所述第一气流通路。

根据本公开的一些实施例，所述设备部还包括密封结构，所述密封结构设置于所述盖体和所述承载体之间。

根据本公开的一些实施例，所述半导体制造设备还包括调节部，所述调节部设置于所述进气管道的远离所述负压生成装置的一侧。

本公开的第四方面提供一种半导体制造设备的控制系统，所述控制系统包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行：

接收控制指令，所述控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路，或者，连通所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以连通所述第一气流通路；

基于所述控制指令，驱动负压生成装置启动并与所述进气管道的出气端部连通，或者，驱动所述负压生成装置停止并与所述进气管道的出气端部断开；

其中，所述负压生成装置具有抽气管道，当断开所述第一气流通路时，所述负压生成装置启动并与所述进气管道的出气端部连接，以使所述抽气管道和所述进气管道连通形成第二气流通路。

本公开的第五方面提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由半导体制造设备的控制系统的处理器执行时，使得半导体制造设备的控制系统能够执行：

接收控制指令，所述控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路，或者，连通所述进气管道的出气端部和所述喷气管道的进气端部，以连通所述第一气流通路；

基于所述控制指令，驱动负压生成装置启动并与所述进气管道的出气端部连通，或者，驱动所述负压生成装置停止并与所述进气管道的出气端部断开；

其中，所述负压生成装置具有抽气管道，当断开所述第一气流通路时，所述负压生成装置启动并与所述进气管道的出气端部连接，以使所述抽气管道和所述进气管道连通形成第二气流通路。

本公开实施例所提供的半导体制造设备的控制方法、设备、控制系统及存储介质中，半导体制造设备的控制方法中，基于控制指令，并执行于该控制指令，完成第一气流通路的通断，实现了半导体制造设备的自动化。通过控制抽气管道与进气管道的出气端部连接，有效阻隔大体内的水分子和气体分子，避免进气管道内的沉积反应物与大气内的分子发生反应，进而生成非预期合成物。同时，控制负压生成装置将进气管道内的残余气态原材料和微粒灰尘等抽出，防止异物掉落至进气管道内，影响进气管道内的洁净度。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的控制方法的流程图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的控制方法的流程图。

图3是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的控制方法的流程图。

图4是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的控制方法的流程图。

图5是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的控制装置的框图。

图6是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的结构示意图。

图7是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的设备部的结构示意图。

图8是根据一示例性实施例示出的一种半导体制造设备的负压生成装置的结构示意图。

图9是本公开一个示例性实施例示出的计算机设备的框图。

附图标记：

1、设备部；11、承载体；111、承载空间；12、盖体；13、密封结构；131、第一密封部；132、第二密封部；

2、进气管道；21、调节部；3、喷气管道；

4、负压生成装置；41、装置本体；411、容置空间；412、连接管道；

42、驱动部；43、负压控制部；44、侦测部；441、侦测器；442、显示器；45、平衡部；

5、抽气管道；6、半导体；7、支架；8、集尘箱；

9、计算机设备；91、处理器；92、存储器。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

本公开示例性的实施例中提供一种半导体制造设备的控制方法，如图1-图4所示，图1-图4示出了根据本公开一示例性的实施例提供的半导体制造设备的控制方法的流程图，下面结合图1-图4对半导体制造设备的控制方法进行介绍。

本公开一示例性的实施例提供的一种半导体制造设备的控制方法，本实施例中的半导体制造设备的控制方法应用在半导体制造设备上，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路。其中，半导体制造设备还包括设备控制部、驱动部和负压生成装置，设备控制部能够对驱动部和负压生成装置进行控制。

如图1所示，半导体制造设备的控制方法包括如下的步骤：

步骤S100：接收控制指令，控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路；或者，连通进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以连通第一气流通路。

在该步骤中，半导体制造设备的设备控制部接收作用于半导体制造设备的控制指令。

控制指令比如是指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部的指令，以断开第一气流通路，阻断气态原材料的通路。

控制指令还可以比如是指示连通进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部的指令，以连通第一气流通路，连通气态原材料的通路，以便于继续执行化学气相沉积反应工作。

其中，触发控制指令的方式比如可以采用触控的方式。半导体制造设备上比如设置有物理按键，当需要断开或者连通半导体制造设备的第一气流通路时，通过按压半导体制造设备上的物理按键，以触发控制信号，半导体制造设备的设备控制部接收到该控制信号，基于该控制信号，分析出对应的控制指令。

或者，触发控制指令的方式比如还可以是采用音频信息的方式。半导体制造设备接收到特定的音频信息时，并将该音频信息传输给半导体制造设备的设备控制部，设备控制部对其分析，以确定对应的控制指令。音频信息比如可以是“断开第一气流通路”、“连通第一气流通路”等带有指示内容的信息。

当然，可以理解的是，触发控制指令的方式不限于上述举例方式，上述方式仅用于解释本实施例，触发控制指令的方式比如也可以通过虚拟按键，多个虚拟按键内置于具有交互界面的显示屏内，通过触击对应的虚拟按键，以触发对应的控制指令，完成对半导体制造设备的功能的选择。

还需说明的是，音频信息的执行范围也是示例性说明，并不对本申请构成限制。音频信息也可以是采用识别语音信息的方式，调出对应的功能选项，并能够根据语音信息，确定对应的功能选择。

步骤S110：基于控制指令，当指示断开第一气流通路时，驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，以使抽气管道和进气管道连通形成第二气流通路，并开启位于抽气端部的负压生成装置对进气管道进行抽气；或者，当指示连通第一气流通路时，驱动抽气端部与进气管道的出气端部断开，以使第二气流通路断开，并关闭负压生成装置停止抽气。

在步骤S100中，半导体制造设备的设备控制部接收到该控制指令，对其分析，控制半导体制造设备执行于该控制指令。

当半导体制造设备的设备控制部接收到指示断开第一气流通路时，控制驱动部驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，以使抽气管道和进气管道连通形成第二气流通路，并开启位于抽气端部的负压生成装置对进气管道进行抽气，抽走进气管道内的残余气态原材料，进一步降低残余气态原材料与大气内的气体产生反应的风险。

当半导体制造设备的设备控制部接收到指示连通第一气流通路时，控制驱动部驱动抽气端部与进气管道的出气端部断开，以使第二气流通路断开，并关闭负压生成装置停止抽气。

本实施例中的控制方法，基于控制指令，并执行于该控制指令，完成第一气流通路的通断，实现了半导体制造设备的自动化。通过控制抽气管道与进气管道的出气端部连接，有效阻隔大体内的水分子和气体分子，避免进气管道内的沉积反应物与大气内的分子发生反应，进而生成非预期合成物。同时，控制负压生成装置将进气管道内的残余气态原材料和微粒灰尘等抽出，防止异物掉落至进气管道内，影响进气管道内的洁净度。

本公开一示例性的实施例提供的一种半导体制造设备的控制方法，本实施例中的半导体制造设备的控制方法应用在半导体制造设备上，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路。其中，半导体制造设备还包括设备控制部、驱动部、侦测器和负压生成装置，设备控制部分别与驱动部、侦测器和负压生成装置电连接，且设备控制部能够对驱动部和负压生成装置进行控制。

如图1所示，半导体制造设备的控制方法包括如下的步骤：

步骤S200：接收控制指令，控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路。

步骤S200的实现方式与上述实施例中的步骤S100的实现方式相同，在此不再赘述。

步骤S210：基于控制指令，当驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，确定进气管道的预设气压值。

在该步骤中，半导体制造设备的设备控制部接收到控制指令，驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，以分隔开进气管道和外部，通过半导体制造设备的设备控制部确定进气管道内的预设气压值。

其中，预设气压值比如可以是预存在半导体制造设备内的目标气压值，提前录入半导体制造设备内，便于设备控制部随时调取，实现了半导体制造设备的自动化模式。

或者，预设气压值也可以是实时输入至半导体制造设备内的目标气压值，以便于根据需要实时调整，使进气管道内处于最佳气压状态，满足气压需求，提升半导体制造设备的实用性。

预设气压值比如可以是具体数值，例如5torr等，或者，预设气压值也可以是区间值，例如1torr-5torr等。

步骤S220：获取进气管道内的当前气压值。

在该步骤中，半导体制造设备的侦测器侦测进气管道内的当前气压值，半导体制造设备的设备控制部获取该侦测结果。

其中，侦测器比如可以是传感器等，传感器对进气管道内的气压值实时侦测并监控。

步骤S230：根据当前气压值和预设气压值，确定气压差值。

在步骤S220中，半导体制造设备的设备控制部根据进气管道内的当前气压值和进气管道的预设气压值，经过计算和分析，以确定二者之间的气压差值。

步骤S240：基于气压差值，确定负压生成装置的控制参数信息。

在步骤S230中，半导体制造设备的设备控制部基于二者之间的差值，确定负压生成装置的控制参数信息。

当负压生成装置对进气管道进行抽气时，抽气管道内的气压会产生实时变化，设备控制部根据不同的气压值，确定不同的气压差值，进而得出负压生成装置的控制参数信息。根据控制参数信息，发出对应的控制指令至负压生成装置，以便于负压生成装置对进气管道随时调整抽气状态。

本实施例中的方法，利用侦测器实时侦测进气管道内的当前气压值，以便于半导体制造设备的设备控制部根据进气管道内的当前气压值和进气管道的预设气压值，确定二者之间的气压差值，并根据气压差值，实时调整负压生成装置的控制参数信息，避免负压生成装置的抽力过大，损坏进气管道，提升进气管道的安全性。

本公开一示例性的实施例提供的一种半导体制造设备的控制方法，本实施例中的半导体制造设备的控制方法应用在半导体制造设备上，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路。其中，半导体制造设备还包括设备控制部、驱动部、侦测器和负压生成装置，设备控制部分别与驱动部、侦测器和负压生成装置电连接，且设备控制部能够对驱动部和负压生成装置进行控制。

如图1所示，半导体制造设备的控制方法包括如下的步骤：

步骤S300：接收控制指令，控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路。

步骤S310：基于控制指令，当驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，确定进气管道的预设气压值。

步骤S320：获取进气管道内的当前气压值。

步骤S330：根据当前气压值和预设气压值，确定气压差值。

步骤S300-S330的实现方式与上述实施例中的步骤S200-步骤S230的实现方式相同，在此不再赘述。

步骤S340：获取配置信息。

在该步骤中，配置信息用于表征气压差值与气流参数的对应关系，气流参数包括气流量和气流持续时长。

气压差值是进气管内的当前气压值与进气管道内的预设气压值之间的差值，配置信息可以预先存储气压差值与负压生成装置的抽气时的气流参数的对应关系。

一个示例中，气流参数可以是气流流速。比如，当气压差值为小于10torr时，则对应低速的控制参数信息；当气压差值为大于10torr时，则对应高速的控制参数信息。

另一个示例中，气流参数可以是气流流量。比如，当气压差值为小于10torr时，负压生成装置以0.1m

步骤S350：基于气压差值和配置信息，确定目标气流参数。

在该步骤中，半导体制造设备的设备控制部接收到进气管道内的当前气压值，并根据当前气压值和预设气压值，最终确定二者之间的气压差值，可以可以采用搜索或遍历的方式在配置信息中查找与当前气压差值对应的控制参数信息。

一个示例中，配置信息中可以设定不同的固定抽气速率值，不同的固定抽气速率值包括0至100内的所有整数，每个固定抽气速率值对应一个控制参数信息。比如，当抽气速率值为0时，则对应的是气压差值的0torr；当抽气速率值为100时，则对应的是气压差值的100torr。

当然，需要说明的是，上述关于参数的设定仅用于示例性说明，并不对本申请构成限制。

本实施例中的方法，预先设置配置信息，半导体制造设备的设备控制部可以根据气压差值和配置信息，快速调整抽气状态，提高了对负压生成装置的控制效率。

本公开一示例性的实施例提供的一种半导体制造设备的控制方法，本实施例中的半导体制造设备的控制方法应用在半导体制造设备上，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路。其中，半导体制造设备还包括设备控制部、驱动部、侦测部和负压生成装置，设备控制部能够对驱动部和负压生成装置进行控制，侦测部设置于负压生成装置，侦测部包括侦测器和显示器。

如图1所示，半导体制造设备的控制方法包括如下的步骤：

S400：获取进气管道内的当前气压值。

在该步骤中，通过侦测器侦测进气管道内的当前气压值，半导体制造设备的设备控制部获取该侦测结果。

其中，侦测器比如可以是传感器等，传感器对进气管道内的气压值实时侦测并监控。

S410：基于当前气压值，显示提示信息于负压生成装置。

在该步骤中，半导体制造设备的设备控制部获取到进气管道内的当前气压值时，将该当前气压值发送至显示器，显示器显示提示信息。其中，显示器比如可以是指示灯。

若当前气压值落入第一预设区间内，则显示第一提示信息，第一提示信息比如可以是显示绿色指示灯，以表征进气管道内的气压差值未达到目标气压差值，气压生成装置保持抽气状态。

若所述当前气压值落入第二预设区间内，则显示第二提示信息，第二提示信息比如可以是显示红色指示灯，以表征进气管道内的气压差值已达到目标气压差值，气压生成装置结束抽气状态。

其中，气压生成装置可以是手动结束抽气状态，也可以是自动结束抽气状态。显示器除却以颜色作为警示状态外，也可以利用音频信息辅助颜色，确保可以起到警示作用，避免作业人员未察觉。

本实施例中的方法，利用提示信息作为警示，提升气体生成装置的安全性，保证进气管道内的残余气体可以被清除，以及避免气体生成装置持续抽气，抽气管道负压过大，影响抽气管道的寿命。

本公开还提出了一种半导体制造设备的控制装置，用于实现如上述实施例的半导体制造设备的控制方法，半导体制造设备包括进气管道和喷气管道，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路。

本公开示例性的实施例中提供一种半导体制造设备的控制装置，如图5所示，图5示出了根据本公开一示例性的实施例提供的半导体制造设备的控制装置的框图，下面结合图5对半导体制造设备的控制装置进行介绍。

在一个示例性实施例中，如图5所示，本实施例中的控制装置包括：接收模块110和控制模块120，本实施例中的控制装置用于实现如图1所示的方法。

在实施过程中，接收模块110，被设置为接收控制指令，控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路，或者，连通进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以连通第一气流通路。控制模块120，被设置为基于控制指令，启动负压生成装置并与进气管道的出气端部连通，或者，停止负压生成装置并与进气管道的出气端部断开。其中，负压生成装置具有抽气管道，当断开第一气流通路时，启动负压生成装置并与进气管道的出气端部连接，以使抽气管道和进气管道连通形成第二气流通路。

在一个示例性实施例中，如图5所示，本实施例中的控制装置包括：接收模块110和控制模块120，本实施例中的控制装置用于实现如图2所示的方法。

在实施过程中，控制模块120，被设置为确定进气管道的预设气压值，获取进气管道内的当前气压值，根据当前气压值和预设气压值，确定气压差值，基于气压差值，确定负压生成装置的控制参数信息。

在一个示例性实施例中，如图5所示，本实施例中的控制装置包括：接收模块110和控制模块120，本实施例中的控制装置用于实现如图3所示的方法。

在实施过程中，控制模块120，被设置为获取配置信息，配置信息用于表征气压差值与气流参数的对应关系，气流参数包括气流量和气流持续时长，基于气压差值和配置信息，确定目标气流参数。

在一个示例性实施例中，如图5所示，本实施例中的控制装置包括：接收模块110和控制模块120，本实施例中的控制装置用于实现如图4所示的方法。

在实施过程中，控制模块120，被设置为获取进气管道内的当前气压值，基于当前气压值，显示提示信息于负压生成装置。

本公开还提出了一种半导体制造设备，其包括设备部、进气管道、喷气管道、负压生成装置、抽气管道和设备控制部。进气管道设置于设备部，喷气管道设置于设备部，进气管道和喷气管道用于连通形成第一气流通路，负压生成装置与设备部可拆卸连接，抽气管道的抽气端部与负压生成装置连接，当断开第一气流通路时，负压生成装置通过抽气管道与进气管道的出气端部连接，以使抽气管道和进气管道连通形成第二气流通路，设备控制部与负压生成装置电连接。本公开中的负压生成装置通过抽气管道与进气管道的出气端部连接，避免进气管道曝于大气下，有效阻隔大体内的水分子和气体分子，避免进气管道内的沉积反应物与大气内的分子发生反应，进而生成非预期合成物。且负压生成装置将进气管道内的残余气态原材料和微粒灰尘等抽出，防止异物掉落至进气管道内，影响进气管道内的洁净度。

本公开示例性的实施例中提供一种半导体制造设备，如图6-图8所示，图6-图8示出了根据本公开一示例性的实施例提供的半导体制造设备的结构示意图，下面结合图6-图8对半导体制造设备进行介绍。

在一个示例性实施例中，如图6、图7所示，一种半导体制造设备包括设备部1、进气管道2、喷气管道3、负压生成装置4、抽气管道5和设备控制部。其中，设备控制部(图中未示出)可以设置于远程操作台，以便于作业人员作用于设备控制部，操作半导体制造设备。设备控制部比如可以是设置于远程操作台的机台上，远程操作台的机台上设置有物理按钮，利用物理按钮，向设备控制部发送控制指令。远程操作台的机台上比如还可以设置有显示屏，显示屏内显示有虚拟按钮，利用虚拟按钮向设备控制部发送控制指令，设备控制部基于控制指令，控制负压生成装置4的移动。

在本实施例中，如图6、图7所示，进气管道2设置于设备部1，进气管道2的进气端部穿出设备部1，以便于进气管道2的进气端部与外部气流输送装置(图中未示出)连通，使得外部气流输送装置能够由进气管道2向设备部1内通入气态原材料。气态原材料比如可以是但不限于正硅酸乙酯(TEOS)、四次二甲基胺基钛(TDMAT)，气态原材料经过化学反应，形成膜层，膜层比如可以沉积于半导体6的表面。其中，半导体制造设备还包括调节部21，调节部21比如可以是调节阀门，调节部21设置于进气管道2的远离负压生成装置4的一侧，也就是外部气流输送装置与进气管道2之间，调节部21可以调节进气管道2的通过气态原材料时的流速，以及当进气管道2处于非通入状态下时，调节部21可以关闭其进气管道2的进气端部，阻止气态原材料继续进入至进气管道2内。

进气管道2的出气端部与喷气管道3连通，以形成第一气流通路，喷气管道3设置于设备部1内，第一气流通路贯穿设备部1，保证气态原材料的输送得以正常进行。

负压生成装置4与设备部1可拆卸连接，设备控制部与负压生成装置4电连接，以便于控制负压生成装置4。

当需要对设备部1进行保养，清理气态原材料所产生的沉积反应物时，设备控制部控制负压生成装置4移动至设备部1，并与设备部1连接，断开第一气流通路，负压生成装置4与抽气管道5的抽气端部连接，以便于向抽气管道5内施加负压，抽出进气管道2内的气态原材料和微粒异物等。

进气管道2和抽气管道5连通形成第二气流通路，负压生成装置4与第二气流通路连通，保证进气管道2内的气态原材料和微粒异物可以排出至外部。气态原材料和微粒异物可以直接排出至大气内，方便快捷。或者，气态原材料和微粒异物还可以集中收集至集尘箱8内，避免气态原材料和微粒异物排至大气内，保护大气环境。

其中，进气管道2与抽气管道5比如可以连接设置，进气管道2的出气端部与抽气管道5的第一端部连通，抽气管道5的第二端部与负压生成装置4连通，负压生成装置4与大气或者集尘箱8连通。负压生成装置4向抽气管道5内施加负压，使得抽气管道5内的压力值小于进气管道2内的压力值，进气管道2内的残余气态原材料和微粒异物进入至抽气管道5内，并经过负压生成装置4排至大气内或者集尘箱8内，有效阻隔进气管道2与大气，避免进气管道2受到污染。

或者，进气管道2与抽气管道5比如还可以分开设置，进气管道2的出气端部与负压生成装置4连通，抽气管道5的第一端部与负压生成装置4连通，抽气管道5的第二端部与大气或者集尘箱8连通。利用负压生成装置4连通进气管道2和抽气管道5，保证最大限度的排出进气管道2内的残余气态原材料和微粒异物，避免少许残余气态原材料和微粒异物滞留在抽气管道5内，当负压生成装置4停止抽气时，少许残余气态原材料和微粒异物回流至进气管道2内，影响进气管道2内的洁净度。

当对设备部1保养结束后，设备控制部控制负压生成装置4从设备部1移开，使得喷气管道3和抽气管道5连通，形成第一气流通路。

在一个示例性实施例中，如图6-图8所示，一种半导体制造设备包括设备部1、进气管道2、喷气管道3、负压生成装置4、抽气管道5和设备控制部。其中，上述部件的连接关系已在前述实施例中，详细阐述，在此，不再重复赘述。

在本实施例中，如图7、图8所示，负压生成装置4包括装置本体41和驱动部42。其中，装置本体41比如可以是负压生成装置4的罩壳体，其内部具有容置空间411，装置本体41内设置有连接管道412，连接管道412安装于容置空间411内，对连接管道42形成遮挡。连接管道412的进气端部与进气管道2的出气端部连通，连接管道412的出气端部与抽气管道5连通，保证第二气流通路的通畅。

驱动部42设置于装置本体41，安装于容置空间411内，避免驱动部42显露，对驱动部42形成保护。驱动部42比如是微型泵单元，微型泵包括泵体和驱动电机。驱动部42设置于连接管道412的通路上，驱动部42驱动连接管道412内的气流向抽气管道5内流动，使得连接管道412内的气压值小于进气管道2内的气压值，进气管道2内的残余气态原材料和微粒异物进入至连接管道412内，由连接管道412进入至抽气管道5内，并排出抽气管道5。

其中，驱动部42比如可以是与设备控制部通信连接，使得驱动部42能够接收到设备控制部的控制指令，完成第一气流通路的通断。

在本实施例中，如图7、图8所示，负压生成装置4比如还包括负压控制部43和侦测部44，负压控制部43和侦测部44均设置于装置本体41。其中，负压控制部43比如可以是集成芯片，负压控制部43安装于容置空间411内。负压控制部43分别与驱动部42和设备控制部通信连接，负压控制部43能够接收设备控制部的控制指令，并基于设备控制部的控制指令向驱动部42发出控制指令，使得驱动部42驱动连接管道412内的气流向抽气管道5内流动。

侦测部44与负压控制部43电连接，侦测部44用于侦测进气管道2内的状态，负压控制部43能够获取到该侦测结果，并基于侦测结果，调整驱动部42的驱动参数。

其中，侦测部44比如包括侦测器441和显示器442，侦测器441和显示器442分别和负压控制部43电连接。侦测器441比如可以是传感器，传感器的探测头设置于进气管道2的附近，以便于侦测进气管道2内的压力值。而显示器442比如可以是液晶显示屏，用于显示侦测器441的侦测结果，或者，用于显示驱动部42的驱动参数等，直观的展示给作业人员，以便于出现异常时，作业人员可以及时关闭负压生成装置4。

在本实施例中，如图7、图8所示，负压生成装置4还可以包括平衡部45，平衡部45设置于装置本体41的底部，平衡部45比如可以是重块，用于平衡负压生成装置4的重心，避免负压生成装置4工作时，因受力不均，出现装置本体41倾斜的现象，进而影响进气管道2与连接管道412的连接效果，使进气管道2与连接管道412之间出现漏气现象。

在一个示例性实施例中，如图6、图7所示，一种半导体制造设备包括设备部1、进气管道2、喷气管道3、负压生成装置4、抽气管道5和设备控制部。其中，上述部件的连接关系已在前述实施例中，详细阐述，在此，不再重复赘述。

在本实施例中，如图6、图7所示，设备部1包括承载体11和盖体12。承载体11内设置有承载空间111，承载空间111用于容置半导体6，半导体6比如可以是但不限于晶片，承载空间111内放置有支架7，半导体6放置在支架7上，使半导体6与承载空间111的内底壁之间具有预定距离。进气管道2设置于承载体11内，其贯穿承载体11，进气管道2的进气端部与外部气流输送装置连通，进气管道2的出气端部与喷气管道3连通。喷气管道3设置于盖体12内，盖体12与承载体11连接，密封承载空间111。进气管道2通过喷气管道3与承载空间111连通，形成第一气流通路，保证气态原材料可以顺利输送至承载空间111内。

其中，盖体12能够相对承载体11运动，以开启或者关闭承载空间111。当开启承载空间111时，断开进气管道2的出气端部和喷气管道3的进气端部，以断开第一气流通路。当关闭承载空间111时，连通进气管道2的出气端部和喷气管道3的进气端部，以连通第一气流通路。

一个示例中，盖体12可以采用磁吸的方式，与承载体11形成可拆卸连接，设备控制部利用机械手或者手动等抓取盖体12，使得盖体12与承载体11分离或者装配连接。

另一个示例中，盖体12也可以采用滑动连接的方式，与承载体11形成滑动连接。盖体12的下端面比如可以设置有滑块，承载体11的上端面设置有滑槽，滑块和滑槽滑动连接。

另一个示例中，盖体12也可以采用转动连接的方式，与承载体11形成转动连接。盖体12的边缘处设置有第一连接耳，承载体11的边缘处设置有第二连接耳，第一连接耳和第二连接耳错位安装，并利用轴杆依次贯穿第一连接耳和第二连接耳，使得第一连接耳通过轴杆与第二连接耳转动连接，实现盖体12的翻转。

在本实施例中，如图6、图7所示，设备部1还包括密封结构13，密封结构13设置于盖体12和承载体11之间，以密封盖体12与承载体11之间的间隙，提升承载空间111的密封性。

其中，密封结构13比如包括第一密封部131和第二密封部132。第一密封部131可以是弹性橡胶圈，弹性橡胶圈设置于承载体11的边缘处，当盖体12扣合至承载体11时，橡胶圈受到挤压，产生弹性形变，保证盖体12能够顺利安装至承载体11处。且盖体12安装完毕后，无外力作用，橡胶圈具有回弹性，恢复至初始状态，以填充盖体12与承载体11之间的间隙，保证承载空间111的密封效果。

第二密封部132可以是弹性橡胶圈，且设置于进气管道2的出气端部，沿进气管道2和喷气管道3的周向设置，用以密封进气管道2和喷气管道3的连接处，避免进气管道2和喷气管道3之间的缝隙产生漏气。同时，当负压生成装置4安装至承载体11时，负压生成装置4放置在第二密封部132上，不仅可以支撑负压生成装置4，且还可以提升负压生成装置4与进气管道2之间连接处的密封性。

本公开提出的半导体制造设备，利用作用于设备控制部的控制指令，控制负压生成装置的运动，使得第一气流通路连通或者断开。当断开第一气流通路时，利用负压生成装置连接进气管道，以隔绝进气管道和大气，避免进气管道内的残余气态原材料或者微粒异物与大气内的分子反应，生成非预期生成物，进而影响进气管道内的洁净度。

且利用负压生成装置将进气管道内的残余气态原材料或者微粒异物排出，可以进一步防止异物污染进气管道，避免异物掉落至进气管道。

图9是根据一示例性实施例示出的一种用于半导体制造设备的控制系统的计算机设备9的框图。例如，计算机设备9可以被提供为一半导体制造设备的控制系统。参照图9，计算机设备9包括处理器91，处理器的个数可以根据需要设置为一个或者多个。计算机设备9还包括存储器92，用于存储可由处理器91的执行的指令，例如应用程序。存储器的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器91被配置为执行指令，以执行上述方法。

本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器92，上述指令可由装置9的处理器91执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

一种非临时性计算机可读存储介质，当存储介质中的指令由半导体制造设备的控制系统的处理器执行时，使得半导体制造设备的控制系统能够执行：

接收控制指令，控制指令用于指示断开进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以断开第一气流通路，或者，连通进气管道的出气端部和喷气管道的进气端部，以连通第一气流通路；

基于控制指令，驱动负压生成装置启动并与进气管道的出气端部连通，或者，驱动负压生成装置停止并与进气管道的出气端部断开；

其中，负压生成装置具有抽气管道，当断开第一气流通路时，负压生成装置启动并与进气管道的出气端部连接，以使抽气管道和进气管道连通形成第二气流通路。

本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开的意图也包含这些改动和变型在内。

本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。

在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。

在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。