显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月6日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0132686号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开的实施方式的各方面涉及显示装置。

背景技术

近来，显示装置已用于各种目的。随着显示装置变得更薄和更轻，应用的范围已经增加，并且随着显示装置已经在各种领域中使用，对提供高品质图像的显示装置的需求已经增加。

各种显示装置之中的有机发光显示装置为自发光的。与液晶显示装置不同，有机发光显示装置不需要单独的光源，并且因此可减小其厚度和重量。而且，有机发光显示装置具有诸如低功耗、高亮度和快速响应时间的高品质特性。

然而，传统的显示装置可能因外部光的反射而遭受降低的可视性。

发明内容

本公开的一个或多个实施方式包括展现出提高的可视性的显示装置。根据一些实施方式，显示装置包括发光器件上的低反射层和反射控制层以提高可视性。然而，本文中描述的该实施方式和其它实施方式为实例并且不限制本公开的范围。

额外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的实施方式而习得。

根据实施方式，显示装置包括衬底、第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件、低反射层、滤色器层和反射控制层，第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件在衬底上并且具有各自的发射区域，第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件配置成发射具有彼此不同的波长的光，低反射层在第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件上，低反射层包含无机材料，滤色器层在低反射层上并且配置成透射与第二发光器件对应的第一波长区中的光，反射控制层在滤色器层上并且包含染料、颜料或其组合。

滤色器层可具有与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件之中的第一发光器件和第三发光器件分别对应的第一开口和第三开口。

反射控制层可具有与第二发光器件对应的第二开口。

第二开口的尺寸可小于第一开口和第三开口中的每个的尺寸。

反射控制层可填充第一开口和第三开口。

滤色器层与反射控制层可彼此不重叠以对应于第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件。

滤色器层和反射控制层之中仅滤色器层可排列成对应于第二发光器件。

滤色器层和反射控制层之中仅反射控制层可排列成对应于第一发光器件和第三发光器件。

非发射区域可在发射区域之间，并且非发射区域可具有遮光区域，在遮光区域处滤色器层与反射控制层彼此重叠。

与非发射区域对应的遮光区域的光学密度可等于或大于1.3。

第一波长区可为从500nm至580nm的范围。

低反射层可包括金属和金属氧化物中的至少一种。

低反射层可包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或其组合。

低反射层可包括SiO

低反射层的折射率可等于或大于1。

低反射层的吸收系数可等于或小于4.0。

第一发光器件可包括第一像素电极，第二发光器件可包括第二像素电极，并且第三发光器件可包括第三像素电极。显示装置还可包括像素限定膜，像素限定膜覆盖第一像素电极的边缘、第二像素电极的边缘和第三像素电极的边缘，像素限定膜可具有第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每个的中心部分通过其暴露的开口部分。像素限定膜可包含遮光材料。

显示装置还可包括薄膜封装层和触摸感测层，薄膜封装层在低反射层上，触摸感测层在薄膜封装层上并且包括与发射区域之间的非发射区域对应的导电层。滤色器层可在触摸感测层上。

与导电层重叠的滤色器层和反射控制层中的每个的宽度可大于导电层的宽度。

显示装置还可包括覆盖层，覆盖层在第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件上。覆盖层可包含有机材料，并且低反射层可直接在覆盖层上。

本公开的其它方面和特征将从附图、权利要求书和详细描述中变得更加明确。

附图说明

通过结合附图而作出的以下描述，本公开的实施方式的上述和其它的方面和特征将更加明确，在附图中：

图1是示出根据实施方式的显示装置的透视图；

图2是示出根据实施方式的设置在显示装置的一个像素中的显示元件和连接到显示元件的像素电路的图；

图3是沿图1的线A-A'截取的剖面图；

图4A和图4B是示出可包括在显示区域中的像素排列的一部分的平面图；

图5A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图；

图5B是沿图5A的线B1-B1'截取的剖面图；

图5C是沿图5A的线B2-B2'截取的剖面图；

图6A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图；

图6B是沿图6A的线C1-C1'截取的剖面图；

图6C是沿图6A的线C2-C2'截取的剖面图；

图7A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图；

图7B是沿图7A的线D1-D1'截取的剖面图；

图7C是沿图7A的线D2-D2'截取的剖面图；

图8是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图；

图9是示出根据实施方式和比较例的防反射层的遮光区域的光学密度的表；

图10是示出根据实施方式的滤色器层的针对每个波长的透射率的曲线图；

图11是示出根据实施方式的反射控制层的针对每个波长的透射率的曲线图；

图12是示出图11和比较例中的防反射层的遮光区域的针对每个波长的透射率的曲线图；以及

图13和图14是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图。

具体实施方式

现在将详细参照实施方式，实施方式的实例在附图中示出。相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅对实施方式进行描述以解释本公开的各方面和特征。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。

由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此某些实施方式将在附图中示出并且在详细描述中进行描述。本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法将参照在下面参照附图而详细描述的实施方式来描述。然而，本公开不限于下面的实施方式，并且可以各种形式实施。

在说明书中，虽然如“第一”、“第二”等的这种术语可用于描述各种部件，但是这种部件不应受上述术语的限制。上述术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。

除非上下文另有明确指示，否则如本文中使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。

在说明书中，应理解，术语“包含(including)”、“具有(having)”和“包括(comprising)”旨在指示说明书中所描述的特征或部件的存在，而不旨在排除一个或多个其它特征或部件可被添加的可能性。

在说明书中，还应理解，当层、区或部件被称为在另一层、区或部件“上”时，其可直接在另一层、区或部件上，或者可隔着居间层、区或部件间接地在另一层、区或部件上。

在说明书中，将理解，当层、区域或元件被称为“连接”到另一层、区域或元件时，其可“直接连接”到另一层、区域或元件，和/或可隔着其它层、区域或元件“间接连接”到另一层、区域或元件。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”时，其可直接电连接，和/或可隔着居间层、区域或元件间接地电连接。

“A和/或B”在本文中用于选择仅A、选择仅B、或者选择A和B两者。“A和B中的至少一个”用于选择仅A、选择仅B、或者选择A和B两者。

在说明书中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。

在说明书中，当特定实施方式可以不同地实现时，具体工艺顺序可与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可实质上同时执行，或者可以与所描述的顺序相反的顺序执行。

为了解释的便利，附图中的层、部件等的尺寸可被放大或缩小。例如，由于为了解释的便利，附图中的层或元件的尺寸和厚度可被任何地示出，因此本公开不限于此。

图1是示出根据实施方式的显示装置的透视图。

参照图1，根据实施方式的显示装置1可包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。虽然图1中所示的显示区域DA具有大致矩形形状，但是本公开不限于此。显示区域DA可具有各种形状中的任一种，诸如圆形形状、椭圆形形状或其它多边形形状。

显示区域DA为显示图像的部分，并且多个像素P可位于显示区域DA中。本文中使用的术语“像素”可指“子像素”。每个像素P可包括发光器件，诸如有机发光二极管。每个像素P可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。

显示区域DA可通过由像素P发射的光来提供特定图像。本文中使用的术语“像素P”可被限定为发射如上所述的红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的发射区域。

非显示区域NDA为未定位有像素P的区域，并且可为不提供图像的区域。连接到驱动集成电路(IC)的焊盘单元或包括配置成驱动像素P的驱动电路和电源布线的印刷电路板可位于非显示区域NDA中。

在下文中，有机发光显示装置将被描述为根据实施方式的显示装置1的实例。然而，本公开的显示装置不限于此。也就是说，本公开的显示装置可为诸如无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)或量子点发光显示装置的显示装置。例如，包括在设置于显示装置中的发光器件中的发射层可包括有机材料或无机材料。量子点可位于由发射层发射的光的路径中。

图2是示出根据实施方式的设置在显示装置的一个像素中的显示元件和连接到显示元件的像素电路的图。

参照图2，作为显示元件的有机发光二极管OLED连接到像素电路PC。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如，有机发光二极管OLED可发射红色光、绿色光或蓝色光，或者可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。

作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压与供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。

作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可根据存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可因驱动电流而发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可接收第二电源电压ELVSS。

尽管图2中所示的像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是在其它实施方式中，薄膜晶体管的数量和/或存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计以各种方式修改。

图3是沿图1的线A-A'截取的显示装置的剖面图。

参照图3，根据实施方式的显示装置1可包括衬底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500和防反射层600。

衬底100可包括玻璃或聚合物树脂。例如，聚合物树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的衬底100可为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可具有多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层。

显示层200可包括有机发光二极管(即，发光器件)、电连接到有机发光二极管的薄膜晶体管和位于它们之间的绝缘层。

低反射层300可位于显示层200上，并且薄膜封装层400可位于低反射层300上。例如，显示层200和/或低反射层300可由薄膜封装层400密封。薄膜封装层400可包括至少一个无机层和至少一个有机层。

在另一实施方式中，可提供由玻璃材料形成的封装衬底来替代薄膜封装层400。封装衬底可位于显示层200上，并且显示层200可位于衬底100与封装衬底之间。封装衬底与显示层200之间可存在间隙，并且间隙可填充有填充物。

触摸感测层500可位于薄膜封装层400上。触摸感测层500可配置为感测外部输入，例如，诸如手指或触摸笔的物体的触摸，以使得显示装置1获得与触摸位置对应的坐标信息。触摸感测层500可包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。触摸感测层500可通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。

在实施方式中，触摸感测层500可直接形成在薄膜封装层400上。在其它实施方式中，触摸感测层500可单独形成并且通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层粘合到薄膜封装层400。

防反射层600可位于触摸感测层500上。防反射层600可减少入射在显示装置1上的光(例如，外部光)的反射率。

图4A和图4B是示出可包括在显示区域中的像素排列的一部分的平面图。

参照图4A，显示装置可包括多个像素，并且多个像素可包括分别发射不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。例如，第一像素P1可发射红色光，第二像素P2可发射绿色光，并且第三像素P3可发射蓝色光。然而，本公开不限于此，并且可对其进行各种修改。例如，第一像素P1可发射蓝色光，第二像素P2可发射绿色光，并且第三像素P3可发射红色光。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个可具有多边形形状之中的四边形形状。多边形形状或四边形形状可具有圆形顶点。例如，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个可具有包含圆形顶点的四边形形状。在另一实施方式中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个可具有圆形形状或椭圆形形状。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可彼此不同。例如，第二像素P2的面积可小于第一像素P1和第三像素P3中的每个的面积，并且第一像素P1的面积可小于第三像素P3的面积。然而，本公开不限于此，并且可对其进行各种修改。例如，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可实质上相同。

在说明书中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个的尺寸可指每个像素的显示元件的发射区域EA的尺寸，并且发射区域EA可由像素限定膜209中的开口209OP(例如，参见图5A)限定。

位于显示层200上的防反射层600的一部分(或部)可设置为遮光区域LBA。根据实施方式，遮光区域LBA可为下面参照图8更详细描述的滤色器层610和反射控制层620彼此重叠的区域。遮光区域LBA可吸收外部光，从而提高显示装置1的可视性。

遮光区域LBA可具有与每个像素对应的开口部分(例如，开口)600OP。开口部分600OP为通过去除滤色器层610的一部分或去除反射控制层620的一部分而获得的区域，并且由显示元件发射的光可通过开口部分600OP发射到外部。

在平面图中，遮光区域LBA中的开口部分600OP可定位成对应于第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个。在实施方式中，遮光区域LBA中的开口部分600OP可设置成具有圆形拐角的四边形形状。遮光区域LBA中的与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个对应的每个开口部分600OP的面积可大于第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个的面积。然而，本公开不限于此。遮光区域LBA中的每个开口部分600OP的面积可与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个的面积实质上相同。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可排列成菱形结构(或排列)(例如，

第一像素P1可与第二像素P2间隔开，并且其中心点可位于虚拟四边形VS的第二顶点Q2处。可提供多个第一像素P1，并且多个第一像素P1可隔着第二像素P2彼此间隔开。

第三像素P3可与第一像素P1和第二像素P2间隔开，并且其中心点可位于虚拟四边形VS的与第二顶点Q2相邻的第一顶点Q1处。可提供多个第三像素P3，并且多个第三像素P3可隔着第一像素P1彼此间隔开。

多个第一像素P1和多个第三像素P3可在x方向和与x方向交叉(例如，相交)的y方向上交替地排列。第一像素P1可被多个第二像素P2和多个第三像素P3围绕(例如，在平面图中被多个第二像素P2和多个第三像素P3围绕)。

虽然在图4A中第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3排列成

例如，如在图4B中所示，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可排列成条状结构(或排列)。例如，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可在x方向上顺序排列。在另一实施方式中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可排列成各种像素排列结构中的任一种，诸如马赛克结构或三角形结构。根据所示实施方式的显示装置可包括发射不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3，并且遮光区域LBA可具有与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个对应的开口部分600OP。

在下文中，将根据在例如图5A中所示的堆叠顺序详细描述根据实施方式的显示装置。

图5A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图，图5B是沿图5A的线B1-B1'截取的剖面图，并且图5C是沿图5A的线B2-B2'截取的剖面图。而且，图6A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图，图6B是沿图6A的线C1-C1'截取的剖面图，并且图6C是沿图6A的线C2-C2'截取的剖面图。而且，图7A是示出根据实施方式的显示装置的一部分的平面图，图7B是沿图7A的线D1-D1'截取的剖面图，并且图7C是沿图7A的线D2-D2'截取的剖面图。

图5A至图5C和图6A至图6C示出了根据实施方式的制造显示装置的工艺的一部分。例如，图5A至图5C示出了其中显示层200、低反射层300、薄膜封装层400和触摸感测层500顺序地堆叠在衬底100上的结构。接着，图6A至图6C示出了其中滤色器层610位于图5A至图5C中所示的结构上的结构。接着，图7A至图7C示出了其中反射控制层620位于图6A至图6C中所示的结构上的结构。

图5A的线B1-B1'、图6A的线C1-C1'和图7A的线D1-D1'可为相同的线，并且图5A的线B2-B2'、图6A的线C2-C2'和图7A的线D2-D2'可为相同的线。相应地，图5B、图6B和图7B示出了第二像素P2连续地(例如，重复地)排列，并且图5C、图6C和图7C示出了第一像素P1和第三像素P3连续地(例如，重复地)排列。

首先，参照图5A至图5C，根据实施方式的显示装置1可包括衬底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400和触摸感测层500。

显示层200可包括有机发光二极管OLED和薄膜晶体管TFT，并且可包括作为绝缘层的缓冲层201、栅极绝缘层203、层间绝缘层205、平坦化层207、像素限定膜209和间隔件211。在实施方式中，显示层200还可包括位于有机发光二极管OLED上的覆盖层230。

缓冲层201可位于衬底100上并且可减少或防止异物、湿气或外部空气从衬底100的底部的渗透并且可平坦化衬底100。缓冲层201可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机材料和无机材料的组合，并且可具有包含无机材料和有机材料的单层或多层结构。阻挡层可进一步设置在衬底100与缓冲层201之间以防止外部空气的渗透。缓冲层201可包括氧化硅(SiO

薄膜晶体管TFT可位于缓冲层201上。薄膜晶体管TFT可包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT可连接到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。

半导体层ACT可位于缓冲层201上并且可包括多晶硅。在其它实施方式中，半导体层ACT可包括非晶硅。在其它实施方式中，半导体层ACT可包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)构成的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层ACT可包括沟道区以及各自掺杂有杂质的源极区和漏极区。

栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可由各种导电材料形成。栅电极GE可包含钼、铝、铜和钛中的至少一种。例如，栅电极GE可具有包含钼的单层结构，或者可具有包括钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极SE和漏电极DE中的每个可包括选自由铜、钛和铝构成的组中的至少一种材料。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。

包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层203可位于半导体层ACT与栅电极GE之间以确保半导体层ACT与栅电极GE之间的绝缘。包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层205可位于栅电极GE上。源电极SE和漏电极DE可位于层间绝缘层205上。包含无机材料的这种绝缘膜可通过使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺来形成。这也可适用于以下实施方式。

平坦化层207可位于薄膜晶体管TFT上。在形成平坦化层207之后，可对平坦化层207的顶表面执行化学机械抛光以提供平坦的顶表面(例如，平坦的上表面)。平坦化层207可包含通用聚合物(例如，光敏聚酰亚胺、聚酰亚胺、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物。虽然在图5B和图5C中平坦化层207被示出为具有单层结构，但是平坦化层207可具有多层结构。

第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可位于平坦化层207上。第一有机发光二极管OLED1可包括：第一像素电极221、包含第一公共层222a、第一发射层222b和第二公共层222c的第一中间层222以及对电极223，第二有机发光二极管OLED2可包括：第一像素电极221'、包含第一公共层222a、第二发射层222b'和第二公共层222c的第二中间层222'以及对电极223，并且第三有机发光二极管OLED3可包括：第三像素电极221”、包含第一公共层222a、第三发射层222b”和第二公共层222c的第三中间层222”以及对电极223。

在下文中，将主要描述包括在第一像素P1中的第一有机发光二极管OLED1，并且第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个的堆叠结构与第一有机发光二极管OLED1的堆叠结构实质上相同，并且因此，将省略对其的重复描述。

第一有机发光二极管OLED1可包括第一像素电极221(在下文中称为像素电极221)、第一中间层222(在下文中称为中间层222)和对电极223。

像素电极221可位于平坦化层207上。像素电极221可针对每个像素定位(例如，可针对每个像素单独地设置)。分别与相邻像素对应的像素电极221可彼此间隔开。

像素电极221可为反射电极。在这种实施方式中，像素电极221可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明导电层。透明或半透明导电层可包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

像素限定膜209可位于像素电极221上。像素限定膜209可具有每个像素电极221的中心部分通过其暴露的开口209OP。像素限定膜209可覆盖像素电极221的边缘并且可增加像素电极221的边缘与对电极223之间的距离，从而防止在像素电极221的边缘处出现电弧等。

像素限定膜209可包括有机绝缘材料。在其它实施方式中，像素限定膜209可包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。在其它实施方式中，像素限定膜209可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施方式中，像素限定膜209可包括遮光材料并且可为黑色。遮光材料可包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或浆料、金属粒子(诸如镍、铝、钼或其合金)、金属氧化物粒子(例如，氧化铬)或金属氮化物粒子(例如，氮化铬)。当像素限定膜209包括遮光材料时，可减少因位于像素限定膜209之下的金属结构引起的外部光的反射。

间隔件211可位于像素限定膜209上。间隔件211可包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。在其它实施方式中，间隔件211可包括诸如氮化硅(SiN

在实施方式中，间隔件211和像素限定膜209可包括相同的材料。在这种实施方式中，像素限定膜209和间隔件211可通过使用半色调掩模等在掩模工艺中一起形成。在其它实施方式中，间隔件211和像素限定膜209可包括不同的材料。

中间层222可位于像素电极221和像素限定膜209上。中间层222可包括第一公共层222a、第一发射层222b(在下文中称为发射层222b)和第二公共层222c。

发射层222b可位于像素限定膜209中的开口209OP中。发射层222b可包括包含配置成发射蓝色光、绿色光或红色光的荧光或磷光材料的有机材料。有机材料可包括低分子量有机材料或聚合物量有机材料。在其它实施方式中，发射层222b可由包含量子点的无机材料形成。例如，量子点可指半导体化合物的晶体并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射具有各种发射波长的光的任何材料。量子点可包括例如II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或其任何组合。

第一公共层222a和第二公共层222c可分别位于发射层222b之下和之上。第一公共层222a可包括例如空穴传输层(HTL)，或者可包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层222c可包括例如电子传输层(ETL)，或者可包括ETL和电子注入层(EIL)。在实施方式中，第二公共层222c可被省略。

发射层222b可针对每个像素定位(例如，可针对每个像素单独地设置)以对应于像素限定膜209中的开口209OP，并且第一公共层222a和第二公共层222c中的每个可一体地形成为完全覆盖衬底100。例如，第一公共层222a和第二公共层222c中的每个可一体地形成为完全覆盖衬底100的显示区域DA。

对电极223可为阴极，即，电子注入电极。对电极223可包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)或其合金的(半)透明层。例如，对电极223可由AgMg或AgYb形成。在其它实施方式中，对电极223还可包括在上述(半)透明层上由ITO、IZO、ZnO或In

在实施方式中，显示装置1还可包括位于有机发光二极管OLED上的覆盖层230。由于相长干涉，覆盖层230可提高有机发光二极管OLED的发光效率。覆盖层230可包括例如相对于具有约589nm的波长的光具有约1.6或更大的折射率的材料。

覆盖层230可包括包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层230可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物中的每个可选地可被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。

低反射层300可位于覆盖层230上。由于覆盖层230可位于有机发光二极管OLED上，因此低反射层300可位于有机发光二极管OLED上。低反射层300可包括具有低反射率的无机材料。在实施方式中，低反射层300可包括金属或金属氧化物。低反射层300可包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或其组合。另外，低反射层300可包括例如SiO

在实施方式中，包含在低反射层300中的无机材料的吸收系数k可等于或小于约4.0(0

低反射层300可通过在入射到显示装置1中的光与从低反射层300之下的金属反射的光之间引起相消干涉来降低外部光的反射率。相应地，可通过低反射层300降低外部光的反射率来提高显示装置1的显示品质和可视性。

尽管与如在例如图5B和图5C中所示的对电极223和覆盖层230相似，低反射层300完全位于衬底100之上，但是本公开不限于此。在另一实施方式中，低反射层300可针对每个像素而被图案化。

薄膜封装层400可位于低反射层300上。薄膜封装层400可包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，薄膜封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每个可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO

有机封装层420可减轻第一无机封装层410和/或第二无机封装层430的内部应力。有机封装层420可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任何组合。

有机封装层420可通过施涂包含单体的可流动材料并且然后通过使用热或光(诸如紫外光)使单体反应以使得单体键合以形成聚合物来形成。在其它实施方式中，有机封装层420可通过施涂聚合物材料来形成。

即使当薄膜封装层400中出现裂纹时，裂纹也由于多层结构而不会连接在第一无机封装层410与有机封装层420之间或有机封装层420与第二无机封装层430之间(例如，不会在第一无机封装层410与有机封装层420之间或有机封装层420与第二无机封装层430之间延伸)。相应地，可减少、最小化或防止通过其外部湿气或氧气渗透到显示区域DA中的路径的形成。

在实施方式中，当薄膜封装层400位于有机发光二极管OLED上时，衬底100可由聚合物树脂形成。然而，本公开不限于此。

触摸感测层500可位于薄膜封装层400上。触摸感测层500可包括第一导电层MTL1、第一触摸绝缘层510、第二导电层MTL2和第二触摸绝缘层520。

第一导电层MTL1可直接位于薄膜封装层400上。第一导电层MTL1可直接位于薄膜封装层400的第二无机封装层430上。然而，本公开不限于此。绝缘层可附加地设置在第二无机封装层430与第一导电层MTL1之间。在这种实施方式中，绝缘层可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO

在实施方式中，第一触摸绝缘层510可位于第一导电层MTL1上。第一触摸绝缘层510可包含无机材料或有机材料。当第一触摸绝缘层510包含无机材料时，第一触摸绝缘层510可包含选自由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅构成的组中的至少一种材料。当第一触摸绝缘层510包含有机材料时，第一触摸绝缘层510可包含选自由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂和苝基树脂构成的组中的至少一种材料。

在实施方式中，第二导电层MTL2可位于第一触摸绝缘层510上。第二导电层MTL2可用作用于感测用户的触摸输入的传感器。第一导电层MTL1可用作用于在一个方向上连接图案化的第二导电层MTL2的连接器。在实施方式中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2二者可用作传感器。在这种实施方式中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可通过接触开口(例如，接触孔)CH彼此电连接。由于第一导电层MTL1和第二导电层MTL2二者用作传感器，因此可降低触摸电极的电阻，并且可快速感测用户触摸输入。

在实施方式中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2中的每个可具有如在例如图5A中所示的网状结构，以使得从有机发光二极管OLED发射的光穿过第一导电层MTL1和第二导电层MTL2。在这种情况下，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可排列成不与有机发光二极管OLED的发射区域EA重叠。

第一导电层MTL1和第二导电层MTL2中的每个可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)。另外，透明导电层可包括导电聚合物，诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯。

在实施方式中，第二触摸绝缘层520可位于第二导电层MTL2上。第二触摸绝缘层520可包含无机材料或有机材料。当第二触摸绝缘层520包含无机材料时，第二触摸绝缘层520可包含选自由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅构成的组中的至少一种材料。当第二触摸绝缘层520包含有机材料时，第二触摸绝缘层520可包含选自由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂和苝基树脂构成的组中的至少一种材料。

接着，参照图6A至图6C，滤色器层610可位于触摸感测层500上。滤色器层610可透射特定波长区中的光。例如，滤色器层610可仅透射由第二有机发光二极管OLED2发射的第一波长区中的光。例如，第一波长区中的光可为绿色光，并且滤色器层610可包括绿色成分。绿色成分可包括绿色颜料、绿色染料等。在实施方式中，滤色器层610可透射从第二有机发光二极管OLED2发射的绿色光并且可吸收具有除绿色光的波长以外的波长的光，从而提高绿色光的纯度。而且，由于由第二有机发光二极管OLED2发射的绿色光穿过滤色器层610，因此可减小发射波长的带宽。例如，可通过滤色器层610发射具有高色纯度的绿色光。

如在例如图6A中所示，滤色器层610可完全位于触摸感测层500上，并且可具有第一开口610OP1和第三开口610OP3。如在图6A和图6C中所示，第一开口610OP1可对应于第一有机发光二极管OLED1，并且第三开口610OP3可对应于第三有机发光二极管OLED3。如在图6A中所示，在与衬底100垂直的方向上观察的由第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3发射的光可通过分别穿过第一开口610OP1和第三开610OP3发射到外部。相应地，由于第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3不与滤色器层610重叠，因此由第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3发射的光可在不穿过滤色器层610的情况下发射到外部。位于滤色器层610下的第二触摸绝缘层520的一部分可通过第一开口610OP1和第三开口610OP3暴露。

在实施方式中，第一开口610OP1和第三开口610OP3中的每个的宽度(例如，尺寸)可等于或大于第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3中的每个的发射区域EA的宽度(例如，尺寸)。例如，由于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个的发射区域EA通过像素限定膜209的开口209OP限定，因此第一开口610OP1和第三开口610OP3中的每个可等于或大于像素限定膜209中的开口209OP。相应地，第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3中的每个的发射区域EA可不被第一开口610OP1和第三开口610OP3中的每个减小(例如，可在尺寸上不减小)。

如在图6A和图6B中所示，滤色器层610可与第二有机发光二极管OLED2重叠。例如，滤色器层610可不具有与第二有机发光二极管OLED2对应的开口。相应地，由第二有机发光二极管OLED2发射的光可通过穿过滤色器层610发射到外部。

接着，参照图7A至图7C，可形成包括滤色器层610和反射控制层620的防反射层600。反射控制层620可位于滤色器层610上。

反射控制层620可吸收约480nm至约600nm的波长区中的光，以在该波长区中具有约60％或更小的透光率，以及在约530nm至约600nm的波长区中具有10％或更小的透光率。反射控制层620的透光率示出为图11中的曲线图。反射控制层620可吸收具有超出有机发光二极管OLED的红色光、绿色光或蓝色光波长范围的波长的光。相应地，反射控制层620可吸收具有不属于红色光、绿色光或蓝色光波长范围(除了红色光、绿色光或蓝色光波长范围以外)的波长的光，从而减少或防止显示装置1的亮度的降低，减少或防止显示装置1的发光效率的降低并且提高可视性。

在实施方式中，反射控制层620可包括包含染料、颜料或其组合的有机材料层。反射控制层620可包括四氮杂卟啉基化合物(即TAP基化合物)、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸基化合物、三芳基甲烷基化合物、聚甲炔基化合物、蒽醌基化合物、酞菁基化合物、偶氮基化合物、苝基化合物、呫吨基化合物、二铵基化合物、二吡咯亚甲基化合物、花青基化合物或其组合。

例如，反射控制层620可包括由化学式1至化学式4中的一个表示的化合物。化学式1至化学式4可为与上述化合物中的一些对应的发色团结构。化学式1至化学式4仅为实例，并且本公开不限于此。

化学式1：

化学式2：

化学式3：

化学式4：

其中，在化学式1至化学式4中：

M可为金属，

X

R可彼此相等或不同，并且可各自包括：

氢、氘(-D)、-F、-CL、-BR、-I、羟基、氰基或硝基；各自未取代或用氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C

各自未取代或用氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C

Q

在实施方案中，X

例如，X

在实施方式中，在反射控制层620的表面上以包含镜面反射分量(SCI)模式测量的反射率可等于或小于约10％。例如，反射控制层620可吸收显示装置的外部光的反射，从而提高可视性。

根据本公开的实施方式的显示装置采用低反射层300和反射控制层620而不使用偏振膜，以减少外部光的反射。

当使用偏振膜来减少外部光的反射时，由有机发光二极管OLED发射的光的透射率可能因偏振膜而大幅减小。当使用与每个像素的颜色对应的滤色器来减少外部光的反射时，可能根据依据像素的不同光反射率而产生反射色带，从而增加工艺步骤和工艺成本。

由于根据本公开的实施方式的显示装置采用低反射层300和反射控制层620，因此可增加透光率并且可减少外部光的反射。

如在例如图7B中所示，反射控制层620可位于滤色器层610上并且可具有与第二有机发光二极管OLED2对应的第二开口620OP。反射控制层620下的滤色器层610的一部分可通过第二开口620OP暴露。如在图7B中所示，在与衬底100垂直的方向上观察的由第二有机发光二极管OLED2发射的光可通过第二开口620OP发射到外部。相应地，由于第二有机发光二极管OLED2与滤色器层610重叠但不与反射控制层620重叠，因此由第二有机发光二极管OLED2发射的光可通过穿过滤色器层610而不穿过反射控制层620来发射到外部。例如，由第二有机发光二极管OLED2发射的光可穿过滤色器层610并且可通过反射控制层620中的第二开口620OP发射到外部。

在实施方式中，第二开口620OP的宽度(例如，尺寸)可等于或大于第二有机发光二极管OLED2的发射区域EA的宽度(例如，尺寸)。例如，由于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个的发射区域EA由像素限定膜209中的开口209OP限定，因此第二开口620OP可等于或大于像素限定膜209中的开口209OP以防止第二有机发光二极管OLED2的发射区域EA被第二开口620OP减小(例如，在尺寸上减小)。

如在图7A和图7C中所示，反射控制层620可位于滤色器层610上并且可填充第一开口610OP1和第三开口610OP3。反射控制层620的一部分可通过第一开口610OP1和第三开口610OP3与第二触摸绝缘层520接触。当反射控制层620填充第一开口610OP1和第三开口610OP3时，反射控制层620可与第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3重叠。例如，反射控制层620可不具有与第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3对应的开口。

如在图7C中所示，在与衬底100垂直的方向上观察的由第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3发射的光可通过滤色器层610中的第一开口610OP1和第三开口610OP3发射到外部。相应地，由于第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3与滤色器层610重叠但不与反射控制层620重叠，因此由第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3发射的光可通过穿过反射控制层620而不穿过滤色器层610来发射到外部。例如，由第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3发射的光可穿过滤色器层610中的第一开口610OP1和第三开口610OP3，并且可通过穿过反射控制层620发射到外部。

图8是根据实施方式的沿图7A的线E-E'截取的剖面图。

图8是示出第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的剖面图。

参照图8，如上所述，反射控制层620可定位成对应于第一有机发光二极管OLED1和第三有机发光二极管OLED3，并且滤色器层610可定位成对应于第二有机发光二极管OLED2。

参照图8，由第一有机发光二极管OLED1发射的第一颜色光L1(例如，红色光)可穿过滤色器层610中的第一开口610OP1并且可通过穿过反射控制层620发射到外部。由第二有机发光二极管OLED2发射的第二颜色光L2(例如，绿色光)可穿过滤色器层610并且可通过穿过反射控制层620中的第二开口620OP发射到外部。以及由第三有机发光二极管OLED3发射的第三颜色光L3(例如，蓝色光)可穿过滤色器层610中的第三开口610OP3并且可通过穿过反射控制层620发射到外部。

非发射区域NEA可设置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的发射区域EA之间。在实施方式中，防反射层600可定位成对应于非发射区域NEA。与非发射区域NEA对应的防反射层600可包括滤色器层610和反射控制层620二者。例如，滤色器层610和反射控制层620可在非发射区域NEA中彼此重叠。非发射区域NEA的滤色器层610和反射控制层620在其处彼此重叠的一部分可被限定为遮光区域LBA。

由于遮光区域LBA包括设置在其中的两个层(即，滤色器层610和反射控制层620)并且每个层分别阻挡与特定波长对应的光，所以可减少由例如位于遮光区域LBA下的金属结构对外部光的反射。在实施方式中，遮光区域LBA的宽度可大于第一导电层MTL1和/或第二导电层MTL2的宽度w。

图9是示出根据实施方式和比较例的防反射层的遮光区域的光学密度的表。图10是示出根据实施方式的滤色器层的针对每个波长的透射率的曲线图。图11是示出根据实施方式的反射控制层的针对每个波长的透射率的曲线图。图12是示出图11和比较例的防反射层的遮光区域的针对每个波长的透射率的曲线图。

参照图9，行“A”对应于比较例并且示出了黑色矩阵的光学密度(OD)，并且行“B”对应于本公开的实施方式并且示出了防反射层600的遮光区域LBA的OD。随着OD增加，透光率减少。

首先，黑色矩阵可包括遮光材料并且可为实质上黑色的。由于根据实施方式的显示装置包括包含滤色器层610和反射控制层620的两层结构，而不包括黑色矩阵，以形成遮光区域LBA，因此可减少工艺中的掩模的数量并且可简化制造工艺。

可考虑显示面板的特性和材料加工性来选择黑色矩阵，并且黑色矩阵的OD可在每1μm厚度从约0.8至约2.5的范围内。根据工艺需要，黑色矩阵的厚度可在从约1μm至2μm的范围内，并且在这种情况下，黑色矩阵的OD可在从0.8至4.5的范围内。

防反射层600的遮光区域LBA的OD可等于或大于约1.3。通过调节防反射层600的滤色器层610和反射控制层620的厚度，可将遮光区域LBA的OD控制到黑色矩阵的OD水平。相应地，遮光区域LBA具有与黑色矩阵的遮光率实质上相似的遮光率(例如，OD)。

图10至图12分别示出了滤色器层610、反射控制层620和遮光区域LBA的透射率。

参照图10，根据实施方式的滤色器层610可透射从约480nm至约600nm(诸如约500nm至约580nm)的波长区中的光，并且可吸收其它区中的光。参照图11，根据实施方式的反射控制层620可透射从约380nm至约480nm和约600nm至约780nm的波长区中的光，并且可吸收从约480nm至约600nm的波长区中的光。由此，由于滤色器层610和反射控制层620可吸收不同波长区中的光，因此滤色器层610与反射控制层620在其处彼此重叠的遮光区域LBA可用作遮光层。

参照图12，与在图9中一样，“A”对应于比较例并且示出了黑色矩阵(BM)的透射率，并且“B”对应于本公开的实施方式并且示出了防反射层600的遮光区域LBA的透射率。如在图9中所示，黑色矩阵的OD与防反射层600的遮光区域LBA的OD彼此相似，图12中所示的防反射层600的遮光区域LBA的透射率在从380nm至780nm的范围内与黑色矩阵的透射率相似。

图13和图14是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图。

图13与图8的实施方式等相似，但是不同之处在于不提供第二触摸绝缘层520。其它元件与图8等中的元件相同，并且因此，以下将聚焦于它们之间的差异。

参照图13，防反射层600可直接位于第二导电层MTL2上。在实施方式中，由于滤色器层610直接位于第二导电层MTL2上，因此第二导电层MTL2可直接被滤色器层610覆盖。由于在图13中所示的实施方式中省略了第二触摸绝缘层520，因此第一触摸绝缘层510的一部分可通过滤色器层610中的第一开口610OP1和第三开口610OP3暴露。

根据图13中所示的实施方式，由于滤色器层610直接位于第二导电层MTL2上，而不是如在图8中所示的实施方式一样形成第二触摸绝缘层620，因此可简化工艺，并且可减少触摸感测层500的厚度。

图14与图8等相似，但是不同之处在于像素限定膜209。其它元件与图8等中的元件相同，并且因此，以下将聚焦于它们之间的差异。

参照图14，像素限定膜209可不包括遮光材料。在这种实施方式中，像素限定膜209可包括与平坦化层207的材料相同或相似的材料。

根据一个或多个实施方式，可通过减少外部光的反射来提供展现出提高的可视性的显示装置。然而，本公开的范围不受该特征限制。

应理解，本文中描述的实施方式应在描述性意义上考虑，而不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附的权利要求书及其等同物限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。