化学镀金浴

技术领域

本发明涉及一种化学镀金浴。

背景技术

金具有仅次于银、铜的高电导率，热压合的连接性等物理性质优异，并且耐氧化性、耐化学性等化学性质也优异。因此，在电子工业领域，用金进行的镀金被作为印刷线路板的电路、IC封装体的安装部分或端子部分等的最终表面处理法而广泛使用。近年来，伴随着电子部件的小型化、高密度化，较适宜使用不需要导线而功能性等优异的化学镀覆法。

作为该化学镀覆法，例如使用化学镀镍浸金法(Electroless Nickel ImmersionGold：ENIG)。通过使用该ENIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、置换镀金膜的镀膜。例如，还使用化学镀镍钯浸金法(Electroless Nickel Electroless Palladium ImmersionGold：ENEPIG)。通过使用该ENEPIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、化学镀钯膜以及置换镀金膜的镀膜。

作为在这些化学镀覆法中使用的还原置换型化学镀金浴，例如有人提出以下化学镀金浴。该化学镀金浴含有水溶性金化合物、络合剂和还原剂，作为稳定剂添加了聚乙烯醇和/或聚乙烯吡咯烷酮。并且，通过使用如此的构成，能够仅在金属部分形成良好的镀金膜，适合用于陶瓷IC或封装体等的镀金处理(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利公报专利第2927142号

发明内容

－发明要解决的技术问题－

此处，在上述现有化学镀金浴中，由于金难以在镀钯膜上析出，因此存在以下问题：在微小的端子部分等，镀金膜的形成不充分，难以形成均匀的镀金膜。

为了在镀镍膜上形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜，需要在对被镀覆物上形成置换镀金膜后，再使用上述化学镀金浴来形成化学镀金膜，因此存在需要两道工序的问题。

于是，鉴于上述问题，本发明的目的在于：提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

－用于解决技术问题的技术方案－

为达成上述目的，本发明所涉及的化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所构成的组中选择的至少一种。

－发明的效果－

根据本发明，能够提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

具体实施方式

以下，说明本发明的化学镀金浴。

＜化学镀金浴＞

本发明的化学镀金浴是一种含有金供给源即亚硫酸金盐、络合剂即硫代硫酸盐、还原剂即抗坏血酸类以及还原剂即肼类的化学镀金浴。

(亚硫酸金盐)

本发明的化学镀金浴为无氰浴(Non-Cyan Bath)，作为金供给源，使用不含有氰基的水溶性金化合物即亚硫酸金盐(例如，亚硫酸金钠)。

镀浴中的亚硫酸金盐的浓度以金基准计优选为0.5～2g/L。在小于0.5g/L的情况下，有时镀覆析出速度会降低，在大于2g/L的情况下，有时镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性会下降。

(络合剂)

络合剂是用于使金在化学镀金浴中的溶解性稳定化的物质，在本发明的化学镀金浴中，使用硫系化合物作为络合剂。作为该硫系化合物，使用硫代硫酸盐(硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵等)和亚硫酸盐(亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵等)。需要说明的是，这些络合剂既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。

镀浴中的硫代硫酸盐的浓度优选为0.5～10g/L。在小于0.5g/L的情况下，有时作为络合剂的效果不充分，在大于10g/L的情况下，对化学镀镍膜的局部腐蚀增加而会在化学镀镍膜的腐蚀部分与化学镀金膜之间产生间隙，因此有时镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。

从抑制镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性的下降并且抑制在化学镀镍膜或化学镀钯膜的表面发生腐蚀的观点来看，优选亚硫酸金盐中的金和硫代硫酸盐的质量比为金:硫代硫酸盐＝1:0.5～1:10。

(还原剂)

还原剂用于还原金供给源即亚硫酸金盐，使金析出，在本发明的化学镀金浴中，作为还原剂，同时使用肼类和抗坏血酸类。

肼类是用于促进在镍膜上和钯膜上形成镀金膜的物质，特别是用于促进在ENEPIG法中的镀钯膜上形成镀金膜的物质。

作为该肼类，能举例：己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼(Dodecanediohydrazide)、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼等。需要说明的是，这些肼类既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。

镀浴中的肼类的浓度优选为0.5～15g/L。这是因为在低于0.5g/L的情况下，有时镀覆速度不够快。一般而言，镀覆速度与还原剂的浓度成正比例地提升，但在大于15g/L的情况下，镀覆速度与浓度就不会再那么成正比地提升，因此有时镀浴的浴稳定性降低。

抗坏血酸类是用于提升镀金在借助上述肼类析出的镀金膜上的析出性、促进镀金膜的形成的物质，通过该抗坏血酸类能够形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜。

作为该抗坏血酸类，能举例：抗坏血酸、抗坏血酸磷酸钠等碱金属盐、抗坏血酸磷酸镁等碱土金属盐、以及抗坏血酸2－葡萄糖苷等酯类等。需要说明的是，这些抗坏血酸类既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。

镀浴中的抗坏血酸类的浓度优选为1～20g/L。这是因为，在小于1g/L的情况下，有时镀覆速度不够快，在大于20g/L的情况下，有时镀覆速度与浓度便不再那么成正比例地提升，镀浴的浴稳定性降低。

在本发明的化学镀金浴中，作为还原剂，同时使用促进在镍膜上和钯膜上形成镀金膜的肼类、以及提升镀金在借助肼类而析出的镀金膜上的析出性、促进镀金膜的形成的抗坏血酸类，因此，在ENIG法及ENEPIG法的任一方法中，都能够用一道工序来形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的均匀(即，没有外观不均匀、析出性优异)的镀金膜。

(胺系络合剂)

胺系络合剂是用于提升镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性的物质，在本发明的化学镀金浴中，作为胺系络合剂使用亚乙基胺类。

作为该亚乙基胺类，能举例：乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺等。需要说明的是，这些聚亚乙基胺类既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。

镀浴中的胺系络合剂的浓度优选为0.5～10g/L。

(其它)

本发明的镀浴能够视需求进一步含有公知的各种添加剂于化学镀金浴中。作为添加剂，能举例防腐蚀剂、传导盐等。

更具体而言，防腐蚀剂是用于防止在镀镍膜和镀钯膜的表面发生腐蚀的物质。在本发明的化学镀金浴中，防腐蚀剂并无特别限定，例如能够使用：1，2，3－苯并三唑、1，2，4－三唑、3－氨－1，2，4－三唑、3－巯－1，2，4－三唑、3－甲酰胺－1，2，4－三唑、3－氨吡咯啶、3－氨基吡唑等。

镀浴中的防腐蚀剂的浓度优选为0.1～2g/L。

作为传导盐，例如能够使用琥珀酸钠、柠檬酸三钠、苹果酸钠、丙二酸二钠、草酸钠、戊二酸二钠、酒石酸钠等。

镀浴中的传导盐的浓度优选为5～100g/L。

如果在镀镍膜和镀钯膜的表面形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜，则有时镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降并且在化学镀镍膜和化学镀钯膜的表面会发生腐蚀。因此，从抑制镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性的下降并且抑制在化学镀镍膜和化学镀钯膜下的化学镀镍膜的表面发生腐蚀的观点来看，防腐蚀剂与胺系络合剂的质量比优选为防腐蚀剂:胺系络合剂＝1:0.5～1:10。

(pH值)

本发明的化学镀金浴的pH值优选为6～9。这是因为，在pH值小于6的情况下，有时镀覆速度不够快，在pH值大于9的情况下，有时镀浴不稳定。

需要说明的是，镀浴的pH值能使用下列pH调节剂来调节：氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化四甲基铵、硫酸、盐酸、硼酸、磷酸、单羧酸、二羧酸等。

(镀浴的温度)

作为镀浴的温度，并无特别限定，优选为50～80℃。当镀浴的温度低于50℃时，析出速度会减慢，镀覆处理时间会增长，故不理想。而当浴温超过80℃时，析出速度变得过快，因此镀膜会变得粗糙，并且基材会因镀覆后的镀膜热收缩而发生翘曲，故不理想。

(被镀覆物)

供使用本发明的化学镀金浴的被镀覆物的种类无特别限定，能够将现有的化学镀金的处理对象物(例如，印刷线路板、陶瓷基板、半导体基板以及IC封装体等电子部件的布线电路或端子部分等)作为被镀覆物。

＜化学镀金处理＞

本发明的化学镀金浴例如能够应用于上述的ENIG工艺或ENEPIG工艺中的化学镀金处理。例如，通过使用本发明的化学镀金浴，使镀钯膜与化学镀金浴接触，能够对镀钯膜的表面进行化学镀金处理，在镀钯膜上形成化学镀金膜。需要说明的是，化学镀金处理时的温度为控制于上述化学镀金浴的浴温。

化学镀金处理的处理时间无特别限定，只要适当地设定成能达到所需要的膜厚即可。更具体而言，化学镀金处理的处理时间例如能为30秒～15小时左右。

【实施例】

以下，将基于实施例和比较例更具体地说明本申请所涉及的发明，但本发明并不限定于以下实施例。

首先，为了确认本发明的化学镀金浴发挥了有用的作用，对通过使用本发明的化学镀金浴的镀覆处理而形成的镀金的析出性进行了评价。

＜对镀金在化学镀镍－磷膜(膜中的磷浓度…6～8％)上的析出性的评价＞

(镀浴的制备)

将亚硫酸金盐(亚硫酸金钠)、传导盐即琥珀酸钠、络合剂即硫代硫酸钠和亚硫酸二钠、防腐蚀剂即1，2，3－苯并三唑、胺系络合剂即乙二胺、还原剂即抗坏血酸和己二酸二酰肼，按照表1所示的浓度混合搅拌，制备了实施例1的化学镀金浴。需要说明的是，将镀浴的温度(镀覆处理的温度)设定为70℃，将pH值设定为7.5。

【表1】

(前处理)

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了以下所示的前处理工序1～5。

工序1：使用脱脂清洗液(上村工业公司制，商品名称：：EPITHAS MCL－16)，对基体(TEG晶圆)进行了脱脂清洗处理(50℃、300秒)。

工序2：接着，使用30质量％的硝酸溶液进行酸洗处理(21℃、30秒)，在基体表面形成了氧化膜。

工序3：接着，使用锌置换浴(上村工业公司制，商品名称：EPITHAS MCL－51)，对基体进行了一次浸锌处理(21℃、20秒)。

工序4：接着，通过使用30质量％的硝酸溶液进行酸洗处理(21℃、60秒)，而将Zn置换膜剥离，在基体表面形成了氧化膜。

工序5：接着，使用锌置换浴(上村工业公司制，商品名称：EPITHAS MCL－51)，对基体进行了二次浸锌处理(21℃、40秒)。

(镀覆处理)

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(膜中的磷浓度为6～8％的镀镍膜，厚度：3μm)。

接着，将形成有镀镍膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

(镀覆析出性)

针对已经过了化学镀金处理的基体，目视观察金的析出所引起的基体外观色调的变化，对通过上述镀覆处理而形成的镀金的析出性进行评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀镍－磷膜(膜中的磷浓度…2～4％)上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NLL－1)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(膜中的磷浓度为2～4％的镀镍膜，厚度：3μm)。

接着，将形成有镀镍膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀镍－铋合金膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－铋浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS KSB－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，将形成有镀镍膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀钯膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，使用镀钯浴(上村工业公司制，商品名称：EPITUS TFP－25)进行化学镀覆处理(56℃、15分钟)，在镀镍膜上形成了镀钯膜(厚度：0.3μm)。

接着，将形成有镀钯膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀钯－磷膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，使用镀钯－磷浴(上村工业公司制，商品名称：EPITUS TFP－30)进行化学镀覆处理(50℃、15分钟)，在镀镍膜上形成了镀钯膜(厚度：0.15μm)。

接着，将形成有镀钯膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀铂膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，使用镀铂浴(上村工业公司制，商品名称：EPITUS TAE－30)进行化学镀覆处理(78℃、7分钟)，在镀镍膜上形成了镀铂膜(厚度：0.2μm)。

接着，将形成有镀铂膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀钴－钨－磷膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀钴－钨－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS HWP－5)进行化学镀覆处理(75℃、60分钟)，在基体上形成了镀钴合金膜(厚度：0.3μm)。

接着，将形成有镀钴合金膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

＜对镀金在化学镀钴－钨－硼膜上的析出性的评价＞

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀钴－钨－硼浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS HWB－31)进行化学镀覆处理(75℃、60分钟)，在基体上形成了镀钴合金膜(厚度：0.5μm)。

接着，将形成有镀钴合金膜的基体浸渍在上述已制备出的镀浴中15分钟，在被镀覆物上形成了化学镀金膜。

然后，对上述的镀覆析出性进行了评价，其结果，确认到了基体的表面的颜色变为黄色，有金析出。

由以上可知，通过使用本发明的化学镀金浴，在基底镀膜为化学镀镍－磷膜、化学镀镍－铋合金膜、化学镀钯膜、化学镀钯－磷膜、化学镀铂膜以及化学镀钴合金膜中的任一种情况下均析出金，确认到了本发明的化学镀金浴发挥了作用。

＜ENIG法和ENEPIG法中的化学镀金膜的形成＞

接着，在ENIG法和ENEPIG法中，对通过使用化学镀金浴的镀覆处理而形成的镀金膜的特性进行了评价。

(实施例1～48、比较例1～9)

(镀浴的制备)

将亚硫酸金盐(亚硫酸金钠)、传导盐即琥珀酸钠、络合剂即硫代硫酸钠和亚硫酸二钠、防腐蚀剂即1，2，3－苯并三唑、胺系络合剂、还原剂即抗坏血酸类和肼类，按照表2～表6所示的浓度混合搅拌，制备出了实施例1～48、以及比较例1～9的化学镀金浴。需要说明的是，将镀浴的温度(镀覆处理的温度)设定为50～80℃，将pH值设定为6～9。

(ENIG法中的化学镀金膜的形成)

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，将形成有镀镍膜的基体浸渍在上述已制备出的实施例1～48以及比较例1～9各例的镀浴中15分钟，在镀镍膜上形成了化学镀金膜。

(ENEPIG法中的化学镀金膜的形成)

准备电极由铝基合金即铝－铜形成的TEG晶圆，在该电极上依次进行了上述的前处理工序1～5。

接着，使用镀镍－磷浴(上村产业公司制，商品名称：EPITHAS NPR－18)进行化学镀覆处理(80℃、15分钟)，在基体上形成了镀镍膜(厚度：3μm)。

接着，使用镀钯浴(上村工业公司制，商品名称：EPITUS TFP－25)进行化学镀覆处理(56℃、15分钟)，在镀镍膜上形成了镀钯膜(厚度：0.3μm)。

接着，将形成有镀镍膜的基体浸渍在上述已制备出的实施例1～48以及比较例1～9各例的镀浴中15分钟，在镀钯膜上形成了化学镀金膜。

(外观不均匀)

目视观察化学镀金膜的表面，将均匀地呈现金色的镀覆外观的评为良好，将变色为红色而不是金色的镀覆外观评为不良。以上结果示于表2～6。

(化学镀金膜的膜剥离)

准备2.5cm×2.5cm的样品，将宽度2cm左右的透明胶带粘贴在样品的化学镀金膜的表面上，用手剥离该胶带时，将化学镀金膜未与胶带一起剥离的样品评为良好，将化学镀金膜与胶带一起剥离的评为不良。以上结果示于表2～表6。

(析出性)

用扫描电子显微镜(SEM、日本电子公司制)观察化学镀金膜的表面，将镀金均匀地析出的情况评价为良好，将部分未析出、镀金析出得不均匀的情况评为不良。以上结果示于表2～表6。

(腐蚀性)

使用COPKIA RIP AU－1(上村工业公司制)剥离化学镀金膜，用FIB装置(聚焦离子束，Hitachi High Tech公司制)观察化学镀金膜的基底膜(在ENIG方法的情况下，用扫描电子显微镜(SEM)观察化学镀镍膜的表面，在ENEPIG方法的情况下，观察化学镀钯膜下的化学镀镍膜)的剖面，将在化学镀镍膜的表面和剖面上发现了腐蚀的膜(即，在化学镀镍膜的表面形成有孔、或者在为剖面的化学镀镍膜上有孔或污点扩展的状态的膜)评为不良，将基底膜上未发现该腐蚀的膜评为良好。以上结果示于表2～表6。

(化学镀金膜的厚度的测量)

接着，使用X射线荧光膜厚测量仪(Fischer公司制)测量了化学镀金膜的厚度。以上结果示于表2～表6。

【表2】

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【表3】

【表4】

【表5】

【表6】

如表2～表5所示，可知，在含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、特定的肼类的实施例1～48的化学镀金浴中，作为还原剂，同时使用促进在镍膜和钯膜上形成镀金膜的特定的肼类、以及提升镀金在通过肼类而析出的镀金膜上的析出性、促进镀金膜的形成的抗坏血酸类，因此，在ENIG法及ENEPIG法的任一方法中，都能够用一道工序来形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的均匀(即，没有外观不均匀、析出性优异)的镀金膜。

另一方面，如表6所示，在比较例1中，不含有肼类，由此可知，外观不均匀和析出性不良，镀金膜不均匀。

在比较例2中，不含有抗坏血酸类，由此可知，析出性不良，镀金膜不均匀。

在比较例3中，不含有硫代硫酸钠，由此可知，化学镀金浴中的金的溶解性不稳定，外观不均匀，析出性不良，镀金膜不均匀。

在比较例4中，亚硫酸金盐中的金与硫代硫酸钠的质量比在金:硫代硫酸钠＝1:0.5～1:10的范围外(1:15)，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降，并且在化学镀镍膜的表面发生了腐蚀。

在比较例5中，亚硫酸金盐中的金与硫代硫酸钠的质量比在金:硫代硫酸钠＝1:0.5～1:10的范围外(5:1)，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。

在比较例6中，不含有乙二胺，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。

在比较例7中，防腐蚀剂与胺系络合剂的质量比在防腐蚀剂:胺系络合剂＝1:0.5～1:10的范围外(1:15)，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降，并且在化学镀镍膜的表面发生了腐蚀。

在比较例8中，不含防腐蚀剂，因此对化学镀镍膜的局部腐蚀增加，在化学镀镍膜的腐蚀部分与化学镀金膜之间产生间隙，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。

在比较例9中，防腐蚀剂与胺系络合剂的质量比在防腐蚀剂:胺系络合剂＝1:0.5～1:10的范围外(3:1)，由此可知，镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。

产业实用性

本实施方式的化学镀金浴特别适合用于ENIG法和ENEPIG法中的化学镀金膜的形成。