装饰薄膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及镀膜领域，特别是涉及一种装饰薄膜及其制备方法。

背景技术

通常，在智能手机、智能穿戴等消费电子设备的表面沉积金属薄膜，以起到保护和装饰的作用。然而，金属薄膜为导电材料，会屏蔽5G通讯信号，并且不能实现设备的无线充电，为此，越来越多消费电子设备要求表面的保护和装饰性薄膜具有绝缘性，比如电阻在40MΩ以上。

在磁控溅射技术中，Cr、W、Ti等金属是制备浅色装饰性薄膜的常用材料。但上述材料在反应气氛较少的情况下，即所谓的金属溅射模式，其镀膜是导电的，只有将反应气氛加大到接近靶中毒的状态，其才会有比较好的绝缘效果，即所谓的化合物溅射模式。上述材料与C

发明内容

基于此，有必要提供一种装饰薄膜及其制备方法，以解决传统技术难以获得浅色的绝缘性镀膜的问题。

一种装饰薄膜，包括：

金属打底层；

第一过渡层，设置在所述金属打底层上，所述第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；以及

颜色层，设置在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧，所述颜色层的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。

在其中一个实施例中，所述金属打底层的材料为Cr、Ti中的一种或两种。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层中，金属元素为Cr、Ti、W中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层中，金属原子的摩尔含量为85％～97％。

在其中一个实施例中，所述颜色层的氧含量自靠近所述第一过渡层的一侧至所述第一过渡层的一侧逐渐降低。

在其中一个实施例中，所述装饰膜层还包括第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述第一过渡层和所述颜色层之间，所述第二过渡层的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第二过渡层中，硅原子的摩尔含量为15％～30％，碳原子和氮原子的摩尔含量之和为2％～10％，氧原子的摩尔含量为15％～30％。

在其中一个实施例中，所述金属打底层的厚度为0.1μm～0.5μm。进一步地，所述金属打底层的厚度为0.2μm。

在其中一个实施例中，所述第一过渡层的厚度为0.5μm～2.0μm。进一步地，所述第一过渡层的厚度为1.0μm。

在其中一个实施例中，所述第二过渡层的厚度为0.1μm～0.5μm。进一步地，所述第二过渡层的厚度为0.3μm。

在其中一个实施例中，所述颜色层的厚度为0.2μm～1.0μm。进一步地，所述颜色层的厚度为0.3μm。

在其中一个实施例中，所述装饰膜层的颜色参数包括：L值为48～60，a值为+2～-2，b值为+1～-5。

在其中一个实施例中，所述装饰膜层的电阻在40MΩ以上。

一种装饰薄膜的制备方法，包括以下步骤：

在基材上形成金属打底层；

在所述金属打底层上形成第一过渡层，所述第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；

在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧上形成颜色层，所述颜色层的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。

在其中一个实施例中，在形成所述颜色层之前，所述制备方法还包括以下步骤：

在所述第一过渡层远离所述金属打底层的一侧上形成第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述第一过渡层和所述颜色层之间，所述第二过渡层的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种；

所述颜色层形成在所述第二过渡层远离所述第一过渡层的一侧上。

在其中一个实施例中，所述金属打底层、所述第一过渡层、所述第二过渡层以及所述颜色层中的至少一层通过磁控溅射工艺制作形成。

在其中一个实施例中，所述颜色层通过磁控溅射工艺制作形成，采用Si靶，并采用流量逐渐减少的给气方式通入O

与现有方案相比，上述装饰薄膜及其制备方法具有以下有益效果：

上述装饰薄膜包括金属打底层、第一过渡层以及颜色层。其中，金属打底层赋予装饰薄膜良好的光泽度和金属质感及薄膜与基底结合力，第一过渡层相较于金属打底层还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜整体的电阻，颜色层的材料为硅氧化物，通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％，装饰薄膜的颜色L值在48～60之间，a、b值靠近中性灰色区域，并且电阻大于40MΩ，无需将颜色做得很深即可达到绝缘的效果，而传统的装饰薄膜需要将L值做到30左右才能满足该电阻要求。

附图说明

图1为一实施例的装饰薄膜的结构示意图。

附图标记说明：

100、装饰薄膜；101、金属打底层；102、第一过渡层；103、第二过渡层；104、颜色层；200、基材。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参考图1所示，本发明一实施例的装饰薄膜100，包括金属打底层101、第一过渡层102以及颜色层104。

金属打底层101用于设置在基材200上。第一过渡层102设置在金属打底层101上。第一过渡层102的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种。颜色层104设置在第一过渡层102远离金属打底层101的一侧。颜色层104的材料为硅氧化物，所述硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。

上述装饰薄膜100包括金属打底层101、第一过渡层102以及颜色层104。其中，金属打底层101赋予装饰薄膜100良好的光泽度和金属质感，第一过渡层102相较于金属打底层101还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜100整体的电阻，颜色层104的材料为硅氧化物，通过控制颜色层104中Si原子和O原子的比例，能够调节颜色和电阻，通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％，能够控制装饰薄膜100的颜色L值在48～60之间，a、b值靠近中性灰色区域，并且电阻大于40MΩ，无需将颜色做得很深即可达到绝缘的效果，而传统的装饰薄膜需要将L值做到30左右才能满足该电阻要求。

在其中一些示例中，金属打底层101的材料为Cr、Ti中的一种或两种。选择上述材料，有利于获得较浅的薄膜颜色。

在其中一些示例中，金属打底层101采用磁控溅射工艺制作形成。靶材采用相应的金属靶材，如Cr靶材、Ti靶材中的一种或两种。

在其中一些示例中，金属打底层101的厚度为0.1μm～0.5μm。在一个具体的示例中，金属打底层101的厚度为0.2μm。

相较于金属打底层101，第一过渡层102还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜100整体的电阻。

在其中一些示例中，第一过渡层102中，金属元素为Cr、Ti、W的一种或多种。选择上述材料，有利于获得较浅的薄膜颜色。

在其中一些示例中，第一过渡层102中，金属原子的摩尔含量为85％～97％，具体如85％、87％、89％、91％、93％、95％、97％等。

在其中一些示例中，第一过渡层102的厚度为0.5μm～2.0μm。在一个具体的示例中，第一过渡层102的厚度为1.0μm。

在其中一些示例中，第一过渡层102采用磁控溅射工艺制作形成。靶材采用相应的金属靶材，如Cr靶材、Ti靶材、W靶材中的一种或多种。通过通入C

通过控制Si原子和O原子的比例，能够调节装饰薄膜100的颜色和电阻。随着颜色层104氧含量的增加，装饰薄膜100的颜色变深，电阻增大。

在其中一些示例中，颜色层104的氧含量自靠近第一过渡层102的一侧至第一过渡层102的一侧逐渐降低。随着颜色层104氧含量的增加，虽然装饰薄膜100的电阻增大，然而随之会出现发彩的问题，影响装饰效果。发明人发现，通过设置颜色层104的氧含量自靠近第一过渡层102的一侧至第一过渡层102的一侧逐渐降低，在维持装饰薄膜100较大的电阻的情况下，能够改善装饰薄膜100发彩的问题，并且改善膜层结合力。

在其中一些示例中，颜色层104的氧含量从一侧的35％～40％逐渐降低至另一侧的25％～30％。在一个具体的示例中，颜色层104的氧含量从一侧的35％逐渐降低至另一侧的25％。

在其中一些示例中，颜色层104的厚度为0.2μm～1.0μm。通过控制颜色层104的厚度为0.2μm～1.0μm，能够使颜色层104更好地与内层膜层配合，使装饰薄膜在具有较浅的颜色的同时具有较高的电阻。在一个具体的示例中，颜色层104的厚度为0.3μm。

在其中一些示例中，装饰膜层还包括第二过渡层103，第二过渡层103设置在第一过渡层102和颜色层104之间。第二过渡层103的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种。

相较于第一过渡层102，第二过渡层103还含有Si元素和O元素。如此，相较于第一过渡层102，第二过渡层103的成分更接近于颜色层104，有利于提高层间结合力。

在其中一些示例中，第二过渡层103中，硅原子的摩尔含量为15％～30％，具体如15％、17％、19％、21％、23％、25％、27％、29％等；碳原子和氮原子的摩尔含量之和为2％～10％，具体如2％、4％、6％、8％、10％等；氧原子的摩尔含量为15％～30％，具体如15％、17％、19％、21％、23％、25％、27％、29％等。

在其中一些示例中，第二过渡层103的厚度为0.1μm～0.5μm。通过控制第二过渡层103的厚度为0.1μm～0.5μm，使第二过渡层103能够更好地与颜色层104配合，使装饰薄膜在具有较浅的颜色的同时具有较高的电阻。在一个具体的示例中，第二过渡层103的厚度为0.3μm。

在其中一些示例中，装饰膜层的颜色参数包括：L值为48～60，a值为+2～-2，b值为+1～-5。

在其中一些示例中，装饰膜层的电阻在40MΩ以上。在其中一些示例中，装饰膜层的电阻50MΩ～300MΩ。

进一步地，本发明还提供一种上述任一示例的装饰薄膜100的制备方法，包括以下步骤：

在基材200上形成金属打底层101；

在金属打底层101上形成第一过渡层102，第一过渡层102的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种；

在第一过渡层102远离金属打底层101的一侧上形成颜色层104，颜色层104的材料为硅氧化物，硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％。

上述装饰薄膜100的制备方法依次形成金属打底层101、第一过渡层102以及颜色层104。其中，金属打底层101赋予装饰薄膜100良好的光泽度和金属质感，第一过渡层102相较于金属打底层101还含有C元素、N元素中的至少一种，能够增大装饰薄膜100整体的电阻，颜色层104的材料为硅氧化物，通过控制颜色层104中Si原子和O原子的比例，能够调节颜色和电阻，通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40％～55％，能够控制装饰薄膜100的颜色L值在48～60之间，a、b值靠近中性灰色区域，并且电阻大于40MΩ，无需将颜色做得很深即可达到绝缘的效果。

在其中一些示例中，在形成颜色层104之前，所述制备方法还包括以下步骤：

在第一过渡层102远离金属打底层101的一侧上形成第二过渡层103，第二过渡层103设置在第一过渡层102和颜色层104之间，第二过渡层103的材料为金属硅氧碳化物、金属硅氧氮化物及金属硅氧碳氮化物中的至少一种。

在本示例中，颜色层104形成在第二过渡层103远离第一过渡层102的一侧上。

在其中一些示例中，金属打底层101、第一过渡层102、第二过渡层103以及颜色层104中的至少一层通过磁控溅射工艺制作形成。在其中一些示例中，金属打底层101、第一过渡层102、第二过渡层103以及颜色层104均通过磁控溅射工艺制作形成。

装饰性薄膜对薄膜呈现的外观、机械和防腐性能等都有很高的要求。外观方面，不仅要求颜色均匀，还对表面光泽度、金属质感等有很高的要求；机械性能方面，要求薄膜具有较高的硬度、良好的耐磨和耐划伤性能；防腐性能方面，要求薄膜具有耐各种腐蚀介质腐蚀的能力。

虽然传统的不导电电镀(NCVM)技术虽然可以实现镀膜绝缘的目的，但其制备过程对环境不友好，同时其面层是采用涂漆的方式对金属质感层进行保护，耐磨和耐划伤性能较差，无法满足高端产品的要求。上述示例采用磁控溅射工艺，由于磁控溅射粒子尺寸小、能量高，沉积的薄膜具有光滑平整的外观，膜层致密，光泽度好，颜色均匀，同时还具有优异的薄膜性能，满足上述要求，而且整个沉积过程在真空中进行，环保无毒。

在其中一些示例中，金属打底层101通过磁控溅射工艺制作形成，工艺步骤包括：

相应金属靶材接中频磁控溅射电源，通入工作气体，如Ar，流量为200sccm～800sccm，施加50～400V、占空比为20％～80％的偏压，靶材功率为6kW～12kW。

在其中一些示例中，第一过渡层102通过磁控溅射工艺制作形成，工艺步骤包括：

相应金属靶材接中频磁控溅射电源，通入工作气体，如Ar，流量为200sccm～800sccm，通入反应气体C

在其中一些示例中，第二过渡层103通过磁控溅射工艺制作形成，工艺步骤包括：

采用Cr靶和Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体，如Ar，流量为200sccm～800sccm，通入反应气体为C

在其中一些示例中，颜色层104通过磁控溅射工艺制作形成，工艺步骤包括：

采用Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体，如Ar，流量为200sccm～800sccm，通入反应气体O

在其中一些示例中，反应气体O

在其中一些示例中，沉积颜色层104时，反应气体O

在其中一些示例中，沉积颜色层104时，反应气体O

在其中一些示例中，在形成金属打底层101之前，所述制备方法还包括以下步骤：

对基材200进行清洗处理。

进一步地，在其中一些示例中，所述制备方法还包括以下步骤：

对基材200进行活化处理。

在其中一些示例中，活化处理的步骤包括：

将基材200放置到真空室内，抽真空及预热，本底真空压力不高于8.0×10

对基材200进行弧靶轰击，通入工作气体，流量为200sccm～800sccm，并对基材200施加200V～500V、占空比为20％～80％的偏压，弧电流40A～100A，时间3min～10min。

通过上述活化处理，能够活化基材200表面，提高基材200与金属打底层101的结合力，同时可以更进一步清除基材200表面的残留异物。

以下结合具体实施例和对比例进行进一步说明，但本发明并不局限于下述具体实施例。

实施例1

本实施例提供一种装饰薄膜及其制备方法。

该装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为Cr，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为CrC，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的第二过渡层，该层在第一过渡层的基础上加入Si、O元素，厚度为0.2μm；

沉积于第二过渡层上的颜色层，材料为SiO，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1，对基材进行清洗处理，清除基材表面的灰尘、油渍以及其它残留异物。

步骤S2，将经检验清洗合格的基材放置于真空室内，抽真空至本底真空压力不高于8.0×10

步骤S3，对基材进行弧靶轰击处理。通入工作气体Ar，流量为500sccm，并对基材施加500V、占空比为50％的偏压，弧电流为40～100A，时间为3～10min，以活化基材表面，同时可以更进一步清除基材表面的残留异物。

步骤S4，采用中频磁控溅射工艺在上述基材上沉积金属打底层。采用Cr靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，施加200V、占空比为50％的偏压，Cr靶功率为10kW。

步骤S5，采用中频磁控溅射工艺在上述金属打底层上沉积中频第一过渡层，采用Cr靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体C

步骤S6，采用中频磁控溅射工艺在上述第一过渡层上沉积第二过渡层。采用Cr靶和Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体为C

步骤S7，采用中频磁控溅射工艺在上述第二过渡层上沉积颜色层。采用Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体O

本实施例所制备的装饰薄膜结合力好，具有很高的电阻，典型颜色值为L：53.5，a：0.53，b：-2.5，货件无发彩的问题。电阻值为250～260MΩ，测量样品不同位置电阻会有轻微的波动。

实施例2

本实施例提供一种装饰薄膜及其制备方法。

该装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为Ti，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为TiC，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的第二过渡层，该层在第一过渡层的基础上加入Si、O元素，厚度为0.2μm；

沉积于第二过渡层上的颜色层，材料为SiO，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1～S3，同实施例1。

步骤S4，采用中频磁控溅射工艺在上述基材上沉积金属打底层。采用Ti靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，施加200V、占空比为50％的偏压，Ti靶功率为10kW。

步骤S5，采用中频磁控溅射工艺在上述金属打底层上沉积中频第一过渡层，采用Ti靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体C

步骤S6，采用中频磁控溅射工艺在上述第一过渡层上沉积第二过渡层。采用Ti靶和Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体为C

步骤S7，同实施例1。

本实施例所制备的装饰薄膜结合力好，具有很高的电阻，典型颜色值为L：53.5，a：0.53，b：-2.5，电阻值为250～260MΩ。

本实施例与实施例1相比，将金属元素由Cr更换为Ti之后，以上改变对薄膜的颜色和电阻几乎没有影响，获得的装饰薄膜结合力好，具有很高的电阻，典型颜色值为L：53.2，a：0.51，b：-2.65，货件无发彩的问题。电阻值为210～220MΩ，测量样品不同位置电阻会有轻微的波动。

实施例3

本实施例提供一种装饰薄膜及其制备方法。

该装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为TiCr，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为TiCrCN，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的第二过渡层，该层在第一过渡层的基础上加入Si、O元素，厚度为0.2μm；

沉积于第二过渡层上的颜色层，材料为SiO，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1～S3，同实施例1。

步骤S4，采用中频磁控溅射工艺在上述基材上沉积金属打底层。采用Ti靶和Cr靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，施加200V、占空比为50％的偏压，Ti靶功率为7kW，Cr靶功率为9kW。

步骤S5，采用中频磁控溅射工艺在上述金属打底层上沉积中频第一过渡层，采用Ti靶和Cr靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体C

步骤S6，采用中频磁控溅射工艺在上述第一过渡层上沉积第二过渡层。采用Ti靶、Cr靶和Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体为C

步骤S7，同实施例1。

本实施例与实施例1相比，将金属元素由Cr更换为Ti和Cr混合，将反应元素由C更换为C和N混合，以上改变对薄膜的颜色和电阻影响很小，获得的装饰薄膜结合力好，具有很高的电阻，典型颜色值为L：52.8，a：0.48，b：-3.0，货件无发彩的问题。电阻值为220～230MΩ，测量样品不同位置电阻会有轻微的波动。

实施例4

本实施例提供一种装饰薄膜及其制备方法。

该装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为Cr，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为CrC，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的第二过渡层，该层在第一过渡层的基础上加入Si、O元素，厚度为0.2μm；

沉积于第二过渡层上的颜色层，材料为SiO，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1～S6，同实施例1。

步骤S7，采用中频磁控溅射工艺在上述第二过渡层上沉积颜色层。采用Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体O

在该实施例中，获得的薄膜电阻值大于100MΩ，但样品经过90°弯折之后膜层出现剥落崩裂，膜层结合力较差。而且货件存在发彩的问题，不仅是不同位置的货件颜色不一致，甚至同一个货件的正侧面、夹角、孔洞等位置也发彩。

实施例5

本实施例提供一种装饰薄膜及其制备方法。

该装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为Cr，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为CrC，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的颜色层，材料为SiO，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1～S5，同实施例1。

步骤S6，采用中频磁控溅射工艺在第一过渡层上沉积颜色层。采用Si靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体O

在该实施例中，获得的薄膜电阻值大于100MΩ，货件无发彩的问题。但样品经过90°弯折之后膜层出现剥落崩裂，膜层结合力较差。

对比例1

本对比例的装饰薄膜包括：

基材；

沉积于基材上的金属打底层，材料为Cr，厚度为0.2μm；

沉积于金属打底层上的第一过渡层，材料为CrC，厚度为1.0μm；

沉积于第一过渡层上的第二过渡层，该层在第一过渡层的基础上加入Si、O元素，厚度为0.2μm；

沉积于第二过渡层上的颜色层，材料为CrC，厚度为0.6μm。

本实施例的装饰薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤S1～S6，同实施例1。

步骤S7，采用中频磁控溅射工艺在上述第二过渡层上沉积颜色层。采用Cr靶，接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为500sccm，通入反应气体C

在该对比例中，虽然可以获得的电阻值大于100MΩ的薄膜，但是本实施例的颜色值为L：31.2，a：-0.15，b：-1.8，颜色值很深，L值接近30。

以上实施例1～4和对比例1中采用的颜色测量仪器为CM-3700A-U分光测色计，光源角度为F2/10°。电阻测量为标准型号万用表，测量方式为将阴极探头放置于样品表面，将阳极探头放置于阴极探头10mm位置测量得出的电阻。结合力测试方法为样品弯折90°后观察膜层是否出现剥落崩裂，若无剥落崩裂则膜层结合力良好，若出现剥落崩裂则说明膜层结合力较差。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书可以用于解释权利要求的内容。