一种芯片载体的表面镀膜工艺
文献发布时间：2023-06-19 19:30:30
技术领域
本发明属于镀膜领域，尤其是涉及一种芯片载体的表面镀膜工艺。
背景技术
芯片载体是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
电弧离子镀膜由于其较高的离化率及沉积速率常用于高端装饰性、刀具和各种工模具镀膜领域。传统的双极板镀膜工艺采用磁控溅射镀膜方式，表面膜层沉积过程中离子离化率不高，大约在20-30％之间，并且电弧沉积过程中局部温度过高，产生大颗粒溅射，导致涂层表面粗糙、孔隙率增加，使得膜层性能下降，产品表面耐腐蚀性较差。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在克服现有技术中的缺陷，提出一种芯片载体的表面镀膜工艺。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种芯片载体的表面镀膜工艺，包括如下步骤：
(1)对芯片载体的表面进行预处理，
(2)采用电弧离子镀膜方法对芯片载体进行表面镀膜。
进一步，所述的步骤(1)的具体步骤为：先清除芯片载体表面的灰尘和杂质，然后使用预处理液对芯片载体进行超声清洗1-5遍即成。
进一步，所述的预处理液包括质量比为20-50:1-10:0.1-1:0.1-1的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸。
进一步，所述的预处理液包括质量比为20-30:1-10:0.1-5:0.5-1的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸。
进一步，所述的预处理液包括质量比为30:2:0.5:0.8的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸。
进一步，所述的预处理液还包括葡萄糖酸钠，所述的葡萄糖酸钠与硫酸的质量比为1:1-30。
进一步，所述的预处理液由包括如下步骤的方法制成：将硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸混合均匀，并在温度为1-10℃的条件下存储。
进一步，所述的超声步骤的时间为1-5小时。
进一步，所述的步骤(2)中的镀膜步骤的真空度为2-3Pa，电压为800-1000V。
相对于现有技术，本发明具有以下优势：
本发明所述的芯片载体的表面镀膜工艺使用特殊的预处理液对芯片载体进行清洗，提高芯片载体表面的清洁度，同时，预处理液处理后的表面与得到的镀膜的结合更加稳定，不易脱落，提高了产品的质量。
具体实施方式
除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本发明所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
下面结合实施例来详细说明本发明。
实施例1
一种芯片载体的表面镀膜工艺，包括如下步骤：
(1)预处理液包括质量比为30:2:0.5:0.8的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸，将硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸混合均匀，并在温度为1-10℃的条件下存储得到预处理液；
(2)清除芯片载体表面的灰尘和杂质，然后使用预处理液对芯片载体进行超声清洗3遍，每次3小时；
(3)采用电弧离子镀膜方法对芯片载体进行表面镀膜，真空度为2-3Pa，电压为800-1000V。
实施例2
一种芯片载体的表面镀膜工艺，包括如下步骤：
(1)预处理液包括质量比为20:2:0.5:0.5的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸，将硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸混合均匀，并在温度为1-10℃的条件下存储得到预处理液；
(2)清除芯片载体表面的灰尘和杂质，然后使用预处理液对芯片载体进行超声清洗3遍，每次3小时；
(3)采用电弧离子镀膜方法对芯片载体进行表面镀膜，真空度为2-3Pa，电压为800-1000V。
实施例3
一种芯片载体的表面镀膜工艺，包括如下步骤：
(1)预处理液包括质量比为30:2:0.2:0.5的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸，将硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸混合均匀，并在温度为1-10℃的条件下存储得到预处理液；
(2)清除芯片载体表面的灰尘和杂质，然后使用预处理液对芯片载体进行超声清洗3遍，每次3小时；
(3)采用电弧离子镀膜方法对芯片载体进行表面镀膜，真空度为2-3Pa，电压为800-1000V。
实施例4
一种芯片载体的表面镀膜工艺，包括如下步骤：
(1)预处理液包括质量比为30:5:0.5:0.8的硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸，将硫酸、盐酸、硝酸与氢氟酸混合均匀，并在温度为1-10℃的条件下存储得到预处理液；
(2)清除芯片载体表面的灰尘和杂质，然后使用预处理液对芯片载体进行超声清洗3遍，每次3小时；
(3)采用电弧离子镀膜方法对芯片载体进行表面镀膜，真空度为2-3Pa，电压为800-1000V。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。