泵送衬垫及其制造与使用方法

技术领域

本公开内容涉及电子装置制造，并且更具体地涉及用于电子装置制造设备的泵送衬垫及其制造和使用方法的一个或多个具体实施方式。

背景技术

电子装置制造设备通常包括一个或多个处理腔室，处理腔室具有基板支撑件，在处理过程中基板位于基板支撑件上。在一些处理中，加压气体被引入基板上方并径向向下流出到基板上以沉积膜。泵送衬垫可用于将气流引导到基板的表面上。习知的泵送衬垫设计有统一的孔尺寸，挡板用于凭经验调整基板上沉积的均匀性。与另一位置的孔相比，挡板提供流动障碍以减少或防止穿过一个位置的孔的显著压力变化。这种习知的泵送衬垫难以优化，因为存在许多自由度(例如，挡板的数量、挡板与泵送孔之间的距离、挡板的角度尺寸等)。由于调整过程是经验性的，每次优化构造时，都会测试一个新部件。这个调整过程非常耗时，而且空间限制通常会限制挡板的使用。因此，泵送衬垫不可避免地具有比其他区域向基板输送更多气体的一些区域，导致向处理过的基板输送不均匀的气体。

发明内容

本文公开一种用于处理腔室的泵送衬垫的各种具体实施方式，泵送衬垫包含：主体，主体被构造为围绕处理腔室的基板支撑件，主体包含：多个开口，多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及气体出口，气体出口被构造为从泵送衬垫抽空经由多个开口接收的未反应处理气体或反应处理气体副产物中的至少一种。

本文进一步公开根据各种具体实施方式的一种半导体处理腔室，半导体处理腔室包括：基板支撑件，基板支撑件用于支撑基板；面板，面板用于将处理气体输送到基板；以及泵送衬垫，泵送衬垫布置在基板支撑件周围，泵送衬垫包括：多个开口，多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及气体出口，气体出口被构造为从泵送衬垫抽空经由多个开口接收的未反应处理气体或反应处理气体副产物中的至少一种。

在更进一步的具体实施方式中，本文公开一种制造可变尺寸开口泵送衬垫的方法，方法包括以下步骤：形成泵送衬垫的主体；以及在主体中形成多个开口，其中多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及气体出口，气体出口被构造为从泵送衬垫抽空经由多个开口接收的未反应处理气体或反应处理气体副产物中的至少一种。

附图说明

下文描述的附图仅用于说明目的，不一定按比例绘制。附图无意以任何方式限制本案的范围。

图1A示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的具有可变尺寸开口泵送衬垫的电子装置制造设备。

图1B示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的电子装置制造设备中的可变尺寸开口泵送衬垫。

图1C是根据本文公开的一个或多个具体实施方式的电子装置制造设备中的可变尺寸开口泵送衬垫的剖视图。

图2图示了根据本文公开的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫内的流动域。

图3是显示根据本文公开的一个或多个具体实施方式的流过可变尺寸开口泵送衬垫的开口的气体的示例性质量流动速率分布(即，质量流动速率作为开口数的函数)的图表。

图4是示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的示例性开口尺寸(例如，以密耳(mil)为单位的直径)作为可变尺寸开口泵送衬垫的开口数的函数的图表。

图5是示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫的示例性孔尺寸分布(与已知最佳方法(BKM)的偏差作为孔编号的函数)的图表。

图6是显示根据本文公开的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫的示例性孔尺寸分布(与BKM的孔直径偏差作为孔编号的函数)的图表。

图7示出根据本文的一个或多个具体实施方式的制造可变尺寸开口泵送衬垫的方法。

具体实施方式

现在将详细参照本公开内容的示例具体实施方式，这些具体实施方式的示例被图示说明于附加图式中。在图式中尽可能使用相同的附图标记以指代相同或类似的部件。除非另外特别指出，否则本文描述的各种具体实施方式的特征可以彼此组合。

根据本文的一个或多个具体实施方式，泵送衬垫是被构造为设置在基板支撑件周围的衬垫。泵送衬垫用于在处理过程中将气流分布在位于基板支撑件上的基板表面上。在本文所述的具体实施方式中，泵送衬垫包括多个不同尺寸的开口，这减少或消除了挡板的使用。通过改变整个泵送衬垫的气体入口开口尺寸，即使在没有挡板的情况下，也可以在处理过程中保持基板上方气体的均匀径向流动分布。与习知泵送衬垫相比，本文具体实施方式中描述的泵送衬垫提供改进的气体流动速率均匀性。此外，减少或消除挡板相应地减少泵送衬垫的尺寸或占地面积，这可最终减少处理腔室的总体尺寸。

根据本文的一个或多个具体实施方式的泵送衬垫可具有通用设计，其构造成满足各种不同设备(例如处理腔室)内的空间限制。或者，可以为特定应用和/或处理腔室构造泵送衬垫。与通常使用挡板的习知泵送衬垫相比，如本文所述的泵送衬垫还以更少的设计迭代来制造和调整，并且它们可以在不需要挡板的情况下被优化。

具体实施方式中的泵送衬垫可具有优化的开口尺寸分布。在一些具体实施方式中，泵送衬垫的开口成组聚集。每组中的开口可以与组中的其他开口具有相同的尺寸。使用具有共同开口尺寸的组可以通过基于不同钻头尺寸设置开口尺寸来增加可制造性。可以选择每组中的开口数量和/或组的数量以满足流动均匀性和制造性的规范。

图1A至1C示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的具有可变尺寸开口泵送衬垫102的电子装置制造设备100。合适的电子装置制造设备包括但不限于物理气相沉积(PVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室等。如图1A所示的设备，包括上盖104和下盖108，上盖104和下盖108被构造成将腔室106的内部与外部环境密封和开封。在一些制造过程中，腔室106的内部例如通过真空泵被抽空，以实现诸如超高真空条件的真空条件。上盖104和下盖108可以提供腔室106内部的气密密封以保持真空条件。

设备100进一步包括基板支撑组件109。基板支撑组件109在处理期间保持基板(未示出)。在一个具体实施方式中，基板支撑组件包括附接到基板支撑件112的轴或底座110。在一个具体实施方式中，基板支撑件是或包括卡盘，例如静电卡盘、真空卡盘或其他类型的卡盘。卡盘可包括一个或多个加热组件。在一个具体实施方式中，基板支撑件112是加热器。在一个具体实施方式中，基板支撑组件109包括隔离器(例如陶瓷隔离器)116，隔离器116定位在轴110周围并位于基板支撑件112下方。如图1A所示，泵送衬垫102可以布置在基板支撑件112和陶瓷隔离器116周围并且在面板103下方。基板可位于基板支撑件112上以进行处理。基板支撑件112(例如加热器或具有加热组件的卡盘)可被构造为在处理期间控制基板的温度。

面板103可以由具有锥形、圆锥形或顶部狭窄部分扩展到底部宽阔部分的其他类似形状的孔构成。如图所示，面板103可额外地是平坦的并且可以包括用于分配处理气体的多个孔。面板103可将处理气体输送到基板上。在一些具体实施方式中，等离子体生成气体和/或等离子体激发物质可以穿过面板103中的孔以均匀输送到基板上方的空间。面板103还允许等离子体产生的自由基在清洁腔室时通过面板103。

电子装置制造设备100可包括气体面板(未示出)以通过气体分配组件(未示出)向腔室106提供处理和/或清洁气体。处理气体的示例可用于在处理腔室中进行处理，包括含卤素气体，例如C

当气体从可变尺寸开口泵送衬垫102引入腔室106并引入到基板上时，基板可位于基板支撑件112上。可变尺寸开口泵送衬垫102可包括具有气体入口、多个开口、可选的一个或多个挡板、和气体出口的气室。

如图1A和1B所示，气体经由气体入口流入泵送衬垫102，并且从泵送衬垫102通过泵送衬垫102的开口118流入腔室106。在具体实施方式中，气体径向流过基板的表面朝向其中心并经由气室通过出口离开(参见图2)。根据一个或多个具体实施方式，开口118的尺寸围绕泵送衬垫102和基板支撑件112的周边变化，以便提供通过开口118的均匀质量流动速率的气体(例如处理气体)。每个开口118的尺寸被设计成提供通过每个开口的大致相同或实质相同的目标质量流动速率。气室的气体出口附近的气体流动速率通常较高。因此，为了增加不靠近气体出口的开口的气体流动速率，此类开口的尺寸可随着距气体出口的距离而增大。在一个示例中，多个开口的开口中具有最小气体流动速率的第一开口的质量流动速率，在多个开口的开口中具有最大气体流动速率的第二开口的质量流动速率的大约±5％、大约±4％、大约±3％、大约±2％、大约±1％、大约±0.5％。在一些具体实施方式中，通过每个开口的质量流动速率实质均匀或在彼此的约±5％、约±4％、约±3％、约±2％、约±1％、约±0.5％之内。在一些具体实施方式中，每个开口具有的质量流动速率在目标气体流动速率的约±5％、约±4％、约±3％、约±2％、约±1％、约±0.5％内。这样的气体流动速率均匀性可以通过使用在气室的内径上具有不均匀尺寸的开口(例如，孔)来实现。

在一些具体实施方式中，泵送衬垫102可包括约10个开口至约100个开口，或以上范围内的任何单独值或子范围(例如，约20个开口、30个开口、40个开口、50个开口、60个开口、70个开口、80个开口、90个开口、120个开口、依此类推)。开口118可以是任何合适的图样以提供实质上均匀的质量流动速率。在一些具体实施方式中，泵送衬垫118是对称的，并且在泵送衬垫的一半上的开口尺寸和形状在泵送衬垫的另一半上镜像映射。在一个或多个具体实施方式中，开口尺寸是分组排列的，并且共享一组的每个开口具有相同的开口尺寸。例如，开口1至3可以构成第一组并且都具有相同的尺寸，开口4至6可以构成第二组并且都具有比第一组的开口1至3的尺寸大的相同尺寸，开口7至9可以构成第三组并且都具有比第二组的开口4至6的尺寸更大的相同尺寸，以此类推。开口118可以是圆形、矩形、方形、三角形等。

在一些具体实施方式中，开口之间的间距可以是均匀的。在其他具体实施方式中，开口之间的间距可以是不均匀的。根据一个或多个具体实施方式，泵送衬垫102可以在出口或接入点附近具有较少的开口，并且在远离这些组件的位置处逐渐具有更多的开口，尽管应该优化间距以避免过程中的停滞区(例如，开口之间)，其中处理气体聚和/或穿过基板的气流减少。这种停滞区可能导致材料过度沉积和堆积，最终会腐蚀或移动，从而导致基板上出现缺陷(例如，颗粒缺陷)。在一些具体实施方式中，可变开口尺寸图样在现有开口(例如均匀开口)的顶部上与现有开口垂直间隔开，以添加平行开口而增加流动速率，而不是具有单个开口，该单个开口具有较大直径。

在一些具体实施方式中，开口尺寸和图样被构造用于特定应用。例如，具有第一开口图样的第一泵送衬垫可构造用于第一应用(例如，在升高的温度下稀土氧化物的沉积)，而具有第二开口图样的第二泵送衬垫可构造用于第二应用(例如，在低温下沉积氧化铝)。

除了满足质量流动速率规格之外，优化每个开口118的考虑可以包括流过一个或多个开口的流体的压降和/或抽空过程中处理气体的传导率。随着开口尺寸(例如，直径)减小，流过开口的流体的压降增加。因此，除了以质量流动速率为目标之外，在决定开口尺寸(例如，孔径)时也可以考虑适用于特定过程的最小允许压降。设计开口的另一个考虑因素是使泵能够在处理完成后从腔室中快速排出处理气体。如果开口太小，则传导率会降低，导致腔室排气的时间更长，这会降低电子装置制造设备的生产量。在一些具体实施方式中，为了平衡目标质量流动速率、压降和传导率的上述考虑，可以为特定过程指定开口的平均尺寸。在一些具体实施方式中，泵送衬垫的平均开口尺寸为约100密耳至约500密耳、约150密耳至约300密耳或约180密耳至约240密耳，或这些范围内的任何单独值或子范围。

在具体实施方式中，多个开口118的开口尺寸是基于距气体出口的距离。开口尺寸可能会随着与气体出口的距离而增加。这是因为靠近气体出口的开口的质量流动速率通常更高。例如，对于两个相同尺寸的开口，其中第一开口靠近气体出口而第二开口远离气体出口，第二开口将具有比第一开口低的质量流动速率。此外，在一些具体实施方式中，泵送衬垫102可包括一个或多个挡板，挡板被构造成用作流动障碍物。挡板(未示出)可以限制泵送衬套102的内径上的压力变化。挡板可定位在泵送衬垫102的一侧上的开口和气体出口之间。

在使用挡板的情况下，它们可能导致物理上靠近气体出口的一些开口到气体出口实际上具有比物理上离气体出口更远的其他开口更长的流动路径。在这样的具体实施方式中，开口尺寸可以基于开口和气体出口之间的气流路径的距离而变化。例如，如果泵送衬垫102具有两个挡板，两个挡板之间的间隙提供到气体出口的第一接入点，并且其中一个挡板的边缘处的空间提供到气体出口的第二接入点，则开口尺寸可以至少部分地基于与第一和第二接入点的距离。

在设计开口尺寸图样时的又一进一步考虑是基板支撑件112上的流动或压力分布。可变尺寸开口泵送衬垫102中的开口118的尺寸分布可构造成提供尽可能同心地围绕基板支撑件102的中心的压力。例如，导致靶心沉积或材料沉积偏向一侧或另一侧的泵送衬垫102并非是最佳的。泵送衬垫102中的各种开口118的尺寸应当被优化以提供材料在基板上的均匀沉积。优化开口尺寸图样以在基板上提供均匀的流动或压力分布可以导致材料更均匀地沉积到基板上。

根据一个或多个具体实施方式，泵送衬垫102可由优选对特定应用中使用的半导体处理气体惰性的任何合适材料构成。合适的泵送衬垫102材料包括但不限于铝、铝6061、不锈钢或其组合。在一些具体实施方式中，泵送衬垫102涂有抗侵蚀涂层，例如，通过等离子体增强沉积、化学气相沉积、原子层沉积、离子辅助沉积、阳极氧化或任何其他合适的沉积方法沉积的薄膜涂层。这种薄膜涂层可包括金属氧化物，例如氧化铝、氧化锆、稀土金属氧化物(例如钇、铒等)、钇铝石榴石(YAG)或其组合。在一些具体实施方式中，涂层是原子层沉积涂层，涂层在泵送衬垫的表面上和可选地在开口的壁上具有约1nm至约10μm的厚度。在一些具体实施方式中，泵送衬垫102由阳极氧化铝形成。

图2示出根据本文的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫(例如，诸如图1A-C的可变尺寸开口泵送衬垫102)的一部分中的流动域(例如，负容积)202。流动域由其中安装有泵送衬垫的处理腔室限定，使得由处理气体填充的空间在图2中示出。在一些具体实施方式中，加压净化气体(例如，氦气)222在底座和/或基板支撑件(未示出)与基板之间的空间中的基板(未示出)下方流动。根据至少一个具体实施方式，净化气体222在基板下方的空间中流动以减少和/或防止处理气体在基板支撑件下方扩散。如果处理气体在加热器下方扩散，它们可能会沉积在电子装置制造系统的部件上。在一些具体实施方式中，净化气体222连续流动以减少或避免加热器下方的回流或气体扩散。

在一个或多个具体实施方式中，处理腔室中的布置包括促进处理气体循环的气室224。处理气体的初始流230A可以从面板被引导到基板支撑件上方的区域226上(例如，到由基板支撑件支撑的基板上)。然后处理气体可以流动230B通过泵送开口218并进入气室224。气体可以流动230C通过气室224并且进一步流动230E到出口220。在一些具体实施方式中，气室224包括一个或多个挡板250A、250B(通过靠近气体出口220的间隙表示)以限制出口220附近的气流。在这样的具体实施方式中，气体可以流动230D通过设置在挡板250A-B之间和/或边缘处的接入点，然后流向230D出口220。

在处理过程中，基板(未示出)被构造为位于区域226中的基板支撑件(未示出)上，使得处理气体从区域226径向流动通过入口开口218然后通过气室224到达出口220。在一些具体实施方式中，净化气体222(例如，N

在一些具体实施方式中，最靠近出口220和/或通向气室出口220的接入点的开口，可比更远离出口和/或通向出口的接入点的开口具有相对较小的尺寸(即，以降低质量流动速率)。在一个或多个具体实施方式中，开口尺寸的样式可以基于泵送衬垫中出口的位置来构造。泵送衬垫出口的布置可能影响哪些开口小于或大于泵送衬垫的平均开口直径。在决定整个衬垫的开口尺寸图样时，泵送衬垫的形状和容积也可能是一个考虑因素。在一些具体实施方式中，第一半数开口可具有第一尺寸图样，而第二半数开口可具有第二尺寸图样。例如，第二半数开口图样可以为第一半数开口图样的镜像。

图3是显示根据本文公开的一个或多个具体实施方式相较于习知泵送衬垫的流过可变尺寸开口泵送衬垫的开口的气体的示例性质量流动速率分布(即，质量流动速率作为开口数的函数)的图表。表示为BKM302的线是质量流动速率作为通过具有相同尺寸开口的习知泵送衬垫的开口的开口数的函数。将BKM衬垫的质量流动速率分布与另一个具有均匀开口(直径180密耳)的习知泵送衬垫304比较，可变尺寸开口泵送衬垫的第一次迭代(Itr1)306和可变尺寸开口泵送衬垫的第二次迭代(Itr2)308。图3中所示的泵送衬垫的目标质量流动速率大约是2.4e

图4是示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的示例性开口直径(密耳(mil))作为可变尺寸开口泵送衬垫的开口数的函数的图表。对比BKM泵送衬垫的开口尺寸恒定在约238.2密耳。根据本文的具体实施方式，迭代1(Itr1)、迭代2(Itr2)和迭代3(Itr3)的可变尺寸开口泵送衬垫的开口尺寸从大约245密耳变化到大约231密耳。Itr1和Itr2分别对应于图3的Itr1和Itr2。可变尺寸开口泵送衬垫Itr1、Ir2、Itr3的出口最靠近开口17，开口17直径最小。开口2离出口较远，开口直径最大。开口40处的最小开口直径表明在此开口附近有一个接入点。开口30和开口60处开口直径的进一步峰值，表明这些开口更远离出口和/或接入点。通过改变整个泵送衬垫中的开口直径，可以优化通过每个开口的质量流动速率以满足目标质量流动速率。通过每个开口提供一致的质量流动速率导致处理气体更均匀地分布到基板上并因此导致更均匀的沉积(或蚀刻)。

图5是示出根据本文公开的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫的示例性孔尺寸分布(作为孔编号的函数与BKM偏差)的图表。如针对图4所讨论的，所提供示例中BKM比对泵送衬垫的均匀孔尺寸约为238.2密耳。图5显示了与根据本文的具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫的每个孔相比，习知BKM泵送衬垫的每个孔之间的正差或负差。孔尺寸相差多达6或7密耳，或者换句话说，一些孔的尺寸减小了多达7密耳，而其他孔的尺寸增加了多达6密耳。

图6是显示根据本文公开的一个或多个具体实施方式的可变尺寸开口泵送衬垫的示例性孔尺寸分布(与BKM的孔直径偏差作为孔编号的函数)的图表。可变尺寸开口泵送衬垫DD-G5、DD-G3和DD-G0均采用不同的孔尺寸图样构造。泵送衬垫DD-G0形成有连续变化的孔尺寸图样，使得每个孔的尺寸相对于相邻的孔逐渐增大或减小，从而导致图6中所示的平滑线。在一些具体实施方式中，构建具有这种连续变化的孔尺寸图样的泵送衬垫可能是不切实际的。例如，钻头或冲头的数量和/或钻头或冲头的尺寸可能会增加制造的成本和复杂性。根据一个或多个具体实施方式，泵送衬垫的孔尺寸图样可以成组地增加或减少，导致形成孔的钻头或冲头更少。例如，泵送衬垫DD-G3的孔尺寸图样以三(3)组变化，使得与对比BKM泵送衬垫的平均孔尺寸偏差接近泵送衬垫DD-G0的过渡孔尺寸图样。泵送衬垫DD-G5的孔尺寸图样以五(5)组变化，使得与对比BKM泵送衬垫的平均孔尺寸偏差接近泵送衬垫DD-G0的过渡孔尺寸图样。在一个或多个具体实施方式中，与具有连续孔尺寸图样的泵送衬垫相比，泵送衬垫DD-G3和DD-G5可具有改进的可制造性和更低的成本。使用开口组可以根据可用的钻头尺寸设计孔尺寸。

图7示出根据本文的一个或多个具体实施方式的制造可变尺寸开口泵送衬垫的方法700。在702，方法包括形成适用于特定应用和/或制造设备的泵送衬垫的主体。可以通过机械加工、金属加工、金属铸造、锻造、3D打印、注射成型、包覆成型或其组合来执行形成泵送衬垫702。泵送衬垫主体可由铝、铝6061、不锈钢、它们的组合或任何其他合适的抗侵蚀金属、聚合物或复合材料形成。

在704，方法700包括在泵送衬垫主体中形成多个开口。多个开口具有可变尺寸。在一些具体实施方式中，可以使用多个开口形成工具(例如钻头、冲头等)来形成具有优化的可变尺寸图样的多个开口。在一些具体实施方式中，相邻的开口可以用不同尺寸的开口形成工具形成。在又一些具体实施方式中，一组相邻的开口可以由相同尺寸的开口形成工具形成。在一些具体实施方式中，可变尺寸的开口将在泵送衬套中围绕基板将被安置的位置同心地形成。可以使用任何合适的图样，例如一条或多条直线、交错线、蜂窝等。

在一些具体实施方式中，在泵送衬垫中形成多个开口是通过自动化过程执行的。例如，可以使用机器人或组装设备在预定位置处形成开口。机械臂可构造为基于算法旋转或以其他方式改变钻头或冲孔尺寸，以便创建所需的开口尺寸图样，例如通过计算机数控(CNC)机器根据数字文件钻孔有关在何处形成孔以及每个孔的孔尺寸的说明。

在框706，泵送衬垫可选地可以涂有抗侵蚀涂层。例如，可以使用等离子体增强沉积、化学气相沉积、原子层沉积、阳极氧化或其组合将薄膜涂层沉积到泵送衬垫的表面上。在一些具体实施方式中，抗侵蚀涂层由金属氧化物组成。合适的金属氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、稀土金属氧化物(例如，氧化钇、氧化铒等)或其组合。抗侵蚀涂层可具有约1nm至约10μm的厚度。

由制造过程700产生的泵送衬垫可以安装在合适的电子装置制造设备中。习知的均匀孔泵送衬垫提供约19％的质量流动速率变化。术语“变化”被理解为表示相对于平均值通过每个开口的最大质量流动速率和最小质量流动速率。使用上述过程700制造并具有连续孔尺寸图样的可变尺寸开口泵送衬垫提供约1.6％的质量流动速率变化。使用上述过程700制造并具有步进变化孔尺寸图样(即，3、4、5等的组)的可变尺寸开口泵送衬垫提供约4.7％(例如，对于三个孔)到大约7.7％(例如，五个孔)的质量流动速率变化。因此，根据本文的具体实施方式的可变孔尺寸泵送衬垫提供比传统泵送衬垫高达10倍、或1.5倍至10倍、或这些范围内的任何单独值或子范围的改进。

本说明书中对于“在一个具体实施方式中”、“在一些具体实施方式中”、“在一个或多个具体实施方式中”或“在一具体实施方式中”等的参照，表示所说明的相关联于此具体实施方式的特定特征、结构、材料或特性，是被包含在本公开内容的至少一个具体实施方式中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一个或多个具体实施方式中”、“在一些具体实施方式中”、“在一个具体实施方式中”或“在一具体实施方式中”等，不一定是指本公开内容的相同具体实施方式。此外，特定特征、结构、材料或特性可以在一个或多个具体实施方式中以任何合适的方式组合。

本文所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”以及“该(the)”，包含多个的指代，除非背景内容清楚表示并非如此。因此，例如，对“机械臂”的参照包括单个机械臂以及不止一个的机械臂。

本文所述与测量量值相关的用词“约”，是指本领域一般技术人员在与测量目的与测量设备精度相称的一定仔细程度进行测量下，所能预期的测量量值的正常变化。在某些具体实施方式中，用词“约”包括所引用的数字±10％，使得“约10”将包括9至11。

与测量量值相关的用词“至少约”，是指本领域一般技术人员在与测量目的与测量设备精度相称的一定仔细程度进行测量下，所能预期的测量量值的正常变化，以及高于此量值的任何量值。在某些具体实施方式中，用词“至少约”包括所列举的数字减去10％以及更高的任何量值，使得“至少约10”将包括9与大于9的任何量值。此用词也可以表示为“约10个或更多”。类似地，用词“小于约”通常包括所列举的数字加上10％以及任何较低的数量，以使“小于约10”包括11和小于11的任何数字。此用词也可以表示为“约10个或更少”。

除非另有说明，所有份数和百分数均以重量计。在没有另外说明下，重量百分比(wt％)是基于不含任何挥发物的整个组成物(即基于干固体含量)。

前述描述公开了本案的示例具体实施方式。对于本领域一般技术人员来说，落入本公开范围内的上述组件、系统和方法的修改将是显而易见的。因此，尽管已经结合示例具体实施方式公开了本公开内容，但是应当理解，其他具体实施方式也可以落入由权利要求限定的本公开内容的范围内。