一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置

技术领域

本发明涉及了一种反应室进气装置，具体涉及一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置。

背景技术

硅外延工艺是指采用化学气相沉积方法在原有硅片衬底材料上生长出一层与衬底材料晶格完全一致的薄膜，还要对外延层进行掺杂，形成P型或N型掺杂，以此来调控电阻率。外延工艺常常是在高温下进行，外延生长出的薄膜厚度均匀性决定着后续器件制作的良品率，而外延层厚度和掺杂均匀性主要受工艺气体均匀性的影响。

一般的硅外延反应室包括进气装置、石英腔、石墨基座、加热装置、排气装置等。工作时，通过加热装置对石墨基座进行加热，从而将热量传导到硅片衬底上，待衬底表面温度达到外延生长的合适值时，向进气装置通入载气、反应源气体、掺杂气体等，工艺气体经进气装置输运至达硅片衬底表面上进行沉积生长，未反应完的工艺气体及反应的副产物通过排气装置排出，依次外延生长出指定厚度的外延层。

由于硅片衬底置于不断旋转的石墨基座上，因此衬底表面的厚度情况总体呈现出径向平均的规律，但是由于实际进行外延生长时，衬底表面各径向区域的气体浓度分布不均匀，又难以调节，深刻影响了外延生长层的厚度及电阻率均匀性。

发明内容

为了解决背景技术中存在的问题，本发明所提供一种气流混合均匀、衬底表面不同径向位置气体流量可调节的垂直式环形进气装置。

本发明采用的技术方案是：

本发明硅外延反应室进气装置包括进气结构、支撑环、环形分流腔结构和流量调节机构；进气结构和支撑环安装在流量调节机构中间，流量调节机构安装在环形分流腔结构的上端面；进气结构、环形分流腔结构和流量调节机构依次连通。

流量调节机构包括转动座和调节板层，转动座、进气结构、调节板层和环形分流腔结构自上而下依次同轴连接；进气结构和调节板层之间通过支撑环连接。

所述的流量调节机构的转动座包括自上而下依次同轴层叠布置的转动板II、转动板I和转动基座。

转动板II在旋转时可绕自身轴线在转动板I的上端面转动；转动板I在旋转时可绕自身轴线在转动基座的上端面转动。

转动板II的外周底边上的相对两侧沿轴向均设有转动板II旋转滑块，两个转动板II旋转滑块均沿转动板II的径向方向开设有转动板II锁紧孔；转动板I的上端面的对称两侧开设有两个扇环形的转动板I旋转槽，两个转动板I旋转槽下方的转动板I的外周侧面分别开设有扇环形的转动板I锁紧槽；每个转动板I锁紧槽分别与对应的一个转动板I旋转槽连通；每个转动板II旋转滑块分别朝下滑动安装在一个转动板I旋转槽中，转动板II旋转滑块的转动板II锁紧孔正对转动板I锁紧槽，转动板II旋转滑块仅能在转动板I旋转槽内沿周向转动。

当转动板II旋转滑块转动至指定位置时，转动板II锁紧孔通过穿过转动板I锁紧槽的紧定螺钉限位在转动板I锁紧槽内的指定位置处。

转动板I的外周底边上的相对两侧沿轴向均设有转动板I旋转滑块，两个转动板I旋转滑块均沿转动板I的径向方向开设有转动板I锁紧孔；转动基座为圆筒状，转动基座的上端面的对称两侧开设有两个扇环形的转动基座旋转槽，两个转动基座旋转槽下方的转动基座的外周侧面分别开设有扇环形的转动基座锁紧槽，每个转动板I锁紧槽分别与对应的一个转动板I旋转槽连通；每个转动板I旋转滑块分别朝下滑动安装在一个转动基座旋转槽中，转动板I旋转滑块的转动板I锁紧孔正对转动基座锁紧槽，转动板I旋转滑块仅能在转动基座旋转槽内沿周向转动。

当转动板I旋转滑块转动至指定位置时，转动板I锁紧孔通过穿过转动基座锁紧槽的紧定螺钉限位在转动基座锁紧槽内的指定位置处。

转动板II和转动板I的外周侧面相同位置处均设置有用于驱动转动板II和转动板I转动的转动条。

所述的流量调节机构的调节板层包括自上而下依次同轴层叠布置并相互连通的外流道流量调节板、中流道流量调节板和流量调节母板。

外流道流量调节板包括两个同心的外流道圆环，两个外流道圆环之间通过若干肋板相连接，外流道流量调节板的外侧的一个外流道圆环沿周向均匀间隔开设有若干外流道流量调节孔。

中流道流量调节板包括两个同心的中流道圆环，两个中流道圆环之间通过若干肋板相连接，中流道流量调节板的内侧的一个中流道圆环上沿周向均匀间隔开设有若干中流道流量调节孔。

流量调节母板为圆环状，流量调节母板环面的内侧上沿周向均匀间隔开设有若干外流道进气孔，流量调节母板环面的外侧上沿周向均匀间隔开设有若干中流道进气孔。

所述的外流道流量调节板的两个外流道圆环之间形成的环形间隙为中流道连通槽，外流道流量调节板内侧的一个外流道圆环的中心通孔为内流道连通孔；中流道流量调节板的两个中流道圆环之间形成的环形间隙为外流道连通槽，中流道流量调节板内侧的一个中流道圆环的中心通孔为内流道连通孔；流量调节母板的中心通孔为内流道进气孔。

内流道连通孔、内流道连通孔和内流道进气孔依次连通且直径相同；中流道连通槽、各个中流道流量调节孔和各个中流道进气孔自上而下依次正对且连通；各个外流道流量调节孔、外流道连通槽和各个外流道进气孔自上而下依次正对且连通。

每个中流道流量调节孔正对一个中流道进气孔；每个外流道流量调节孔正对一个各个外流道进气孔。

所述的流量调节母板的外流道进气孔的孔径等于外流道流量调节板的外流道流量调节孔的孔径；流量调节母板的中流道进气孔的孔径等于中流道流量调节板的中流道流量调节孔的孔径；流量调节母板的外流道进气孔的孔径小于中流道进气孔的孔径。

所述的外流道流量调节板的中流道连通槽的环宽等于流量调节母板的中流道进气孔的孔径；中流道流量调节板的外流道连通槽的环宽等于流量调节母板的外流道进气孔的孔径。

流量调节母板的外流道进气孔的数量等于外流道流量调节板的外流道流量调节孔的数量；流量调节母板的中流道进气孔的数量等于中流道流量调节板的中流道流量调节孔的数量；外流道进气孔的数量大于中流道进气孔的数量。

所述的外流道流量调节板的中心设有向上的管状的旋转轴I；中流道流量调节板的中心向上设有旋转轴II，旋转轴II的外径等于旋转轴I的内径。

旋转轴II穿插过旋转轴I中心并向上穿设过流量调节机构的转动座，进而固定连接至转动板II的中心；旋转轴I向上穿设过流量调节机构的转动座，进而固定连接至转动板I的中心。

旋转轴I的外侧面套装有磁流体密封装置进行密封。

转动板II旋转时，带动旋转轴II和中流道流量调节板绕自身轴线转动，使得正对的中流道流量调节孔与中流道进气孔之间的连通面积改变，达到调节中流道进气流量的效果。

转动板I旋转时，带动旋转轴I和外流道流量调节板绕自身轴线转动，使得正对的外流道流量调节孔和外流道进气孔之间的连通面积改变，达到调节外流道进气流量的效果。

所述的外流道流量调节板和中流道流量调节板的直径相同，流量调节母板的直径大于中流道流量调节板的直径。

所述的支撑环的内径等于中流道流量调节板的直径，支撑环的厚度等于外流道流量调节板和中流道流量调节板的厚度相加。

支撑环套装在外流道流量调节板和中流道流量调节板的外侧面，支撑环的上端面和下端面分别焊接进气结构和流量调节母板，将外流道流量调节板和中流道流量调节板密封在进气结构和流量调节母板之间。

支撑环不挡住进气结构和流量调节母板的通孔。

所述的进气结构为圆盘状，进气结构圆盘状的底部朝外径向延伸并和支撑环的上端面固接；进气结构中心设有轴向的连通孔，进气结构的内部开设有自上而下依次连通的混合腔、扩流孔和扩散腔；连通孔与混合腔不连通，扩散腔贯通进气结构，辅助气流扩散。

混合腔的中心顶面朝下形成锥形的锥形扩流结构，锥形扩流结构的外顶面中心连接连通孔；混合腔的侧壁上均匀间隔开设有若干与外部气体管路连接的切向进气流道，用于通入工艺气体并混合；扩流孔为圆台状腔体，圆台状的顶面直径小于混合腔的直径；扩流孔和扩散腔的连接处为较大的圆角。

扩散腔为朝下的喇叭状腔体，扩散腔内部流道各过渡处均设有圆角，用于气流的平稳扩散，扩散腔的底面直径等于外流道流量调节板的直径。

所述的旋转轴I向上穿设过进气结构的连通孔后再穿设至流量调节机构的转动座的转动板I，旋转轴I的直径等于连通孔的直径。

所述的环形分流腔结构为圆盘状，环形分流腔结构圆盘状的上部朝径向延伸并和流量调节母板的外边沿的下端面固接。

环形分流腔结构内部开设有连通环形分流腔结构的柱状分流腔，分流腔内设有自上而下间隔布置的一级分流板和二级分流板，一级分流板和二级分流板将分流腔分为自上而下的三层相互流通的腔体；一级分流板和二级分流板的直径均等于分流腔的内径。

分流腔内还设有两个间隔布置并与分流腔同心的圆筒体，两个圆筒体将分流腔分为自圆心向径向分布的三个互不相通的间隔区域，即依次为圆柱状中心间隔区域、圆环状中间间隔区域和圆环状外间隔区域；两个圆筒体的高度均等于或大于分流腔的高度。

靠近分流腔圆心的一个圆筒体的上端面位于流量调节母板的内边沿的下端面，远离分流腔圆心的一个圆筒体的上端面位于流量调节母板的外流道进气孔和中流道进气孔之间的间隔区域的下端面。

流量调节母板的内流道进气孔与分流腔的中心间隔区域连通，流量调节母板的各个中流道进气孔与分流腔的中间间隔区域连通，流量调节母板的各个外流道进气孔和分流腔的外间隔区域连通。

一级分流板上侧的中心间隔区域的腔体为内流道，内流道连通内流道进气孔；一级分流板上侧的中间间隔区域的腔体为中流道，中流道连通各个中流道进气孔；一级分流板上侧的外间隔区域的腔体为外流道，外流道连通各个外流道进气孔。

向进气装置的进气结构内通入工艺气体，最终自环形分流腔结构内流出，进行硅外延生长反应。

所述的一级分流板上均匀间隔开设有若干一级分流孔，二级分流板上均匀间隔开设有若干二级分流孔；一级分流孔的孔径大于二级分流孔的孔径；一级分流孔的数量小于二级分流孔的数量，即二级分流孔分布更密，孔径更小。

本发明的有益效果是：

本发明提供一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置，进气结构采用切向进气，设有锥形扩流结构；环形分流腔作两级分流设计，内流道作圆筒状设计，中流道、外流道作环形设计；流量调节机构通过转动流量调节板控制流量调节母板上外流道及中流道进气孔的开合面积。增益效果是：使不同的工艺气体能在进气结构中混合均匀后充分扩散，能利用流量调节机构单独调节外流道及内流道的进气流量，通过改变不同流道之间的流量配比来有效控制硅片衬底不同径向位置上方工艺气体的浓度分布，进而有效提升硅片外延层的厚度均匀性。

附图说明

图1为本发明总装的爆炸图；

图2为本发明流量调节机构的爆炸图；

图3为本发明流量调节机构中转动基座、转动板I、转动板II的放大爆炸图；

图4的(a)为本发明进气结构的俯视图；

图4的(b)的为本发明进气结构的剖视图；

图5的(a)为本发明环形分流腔结构的俯视图；

图5的(b)为本发明环形分流腔结构的剖视图；

图6为本发明外流道流量调节板调节外流道进气流量示意图；

图7为本发明中流道流量调节板调节中流道进气流量示意图；

图中：1、进气结构，2、支撑环，3、环形分流腔结构，4、流量调节机构，10、磁流体密封装置，11、内流道连通孔，12、外流道流量调节板，13、中流道连通槽，14、外流道流量调节孔，15、中流道流量调节板，16、外流道连通槽，17、中流道流量调节孔，18、流量调节母板，19、外流道进气孔，20、中流道进气孔，21、内流道进气孔，22、内流道连通孔，23、旋转轴II，24、旋转轴I，25、转动基座，26、转动板I，27、转动板II，43、切向进气流道，45、混合腔，46、扩流孔，47、扩散腔，48、连通孔，49、锥形扩流结构，51、转动板II旋转滑块，52、转动板II锁紧孔，53、转动板I锁紧槽，54、转动板I旋转滑块，55、转动板I锁紧孔，56、转动基座锁紧槽，57、转动基座旋转槽，58、转动板I旋转槽，61、内流道，62、中流道，63、外流道，64、一级分流孔，65、二级分流孔，66、一级分流板，67、二级分流板。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，本发明进气装置包括进气结构1、支撑环2、环形分流腔结构3和流量调节机构4；进气结构1和支撑环2安装在流量调节机构4中间，流量调节机构4安装在环形分流腔结构3的上端面；进气结构1、环形分流腔结构3和流量调节机构4依次连通。流量调节机构4包括转动座和调节板层，转动座、进气结构1、调节板层和环形分流腔结构3自上而下依次同轴连接；进气结构1和调节板层之间通过支撑环2连接。

如图2和图3所示，流量调节机构4的转动座包括自上而下依次同轴层叠布置的转动板II27、转动板I26和转动基座25；转动板II27在旋转时可绕自身轴线在转动板I26的上端面转动；转动板I26在旋转时可绕自身轴线在转动基座25的上端面转动。

转动板II27的外周底边上的相对两侧沿轴向均设有转动板II旋转滑块51，两个转动板II旋转滑块51均沿转动板II27的径向方向开设有转动板II锁紧孔52；转动板I26的上端面的对称两侧开设有两个扇环形的转动板I旋转槽58，两个转动板I旋转槽58下方的转动板I26的外周侧面分别开设有扇环形的转动板I锁紧槽53；每个转动板I锁紧槽53分别与对应的一个转动板I旋转槽58连通；每个转动板II旋转滑块51分别朝下滑动安装在一个转动板I旋转槽58中，转动板II旋转滑块51的转动板II锁紧孔52正对转动板I锁紧槽53，转动板II旋转滑块51仅能在转动板I旋转槽58内沿周向转动。

当转动板II旋转滑块51转动至指定位置时，转动板II锁紧孔52通过穿过转动板I锁紧槽53的紧定螺钉限位在转动板I锁紧槽53内的指定位置处。

转动板I26的外周底边上的相对两侧沿轴向均设有转动板I旋转滑块54，两个转动板I旋转滑块54均沿转动板I26的径向方向开设有转动板I锁紧孔55；转动基座25为圆筒状，转动基座25的上端面的对称两侧开设有两个扇环形的转动基座旋转槽57，两个转动基座旋转槽57下方的转动基座25的外周侧面分别开设有扇环形的转动基座锁紧槽56，每个转动板I锁紧槽53分别与对应的一个转动板I旋转槽58连通；每个转动板I旋转滑块54分别朝下滑动安装在一个转动基座旋转槽57中，转动板I旋转滑块54的转动板I锁紧孔55正对转动基座锁紧槽56，转动板I旋转滑块54仅能在转动基座旋转槽57内沿周向转动。

当转动板I旋转滑块54转动至指定位置时，转动板I锁紧孔55通过穿过转动基座锁紧槽56的紧定螺钉限位在转动基座锁紧槽56内的指定位置处。

转动板II27和转动板I26的外周侧面相同位置处均设置有用于驱动转动板II27和转动板I26转动的转动条。

如图2所示，流量调节机构4的调节板层包括自上而下依次同轴层叠布置并相互连通的外流道流量调节板12、中流道流量调节板15和流量调节母板18。

外流道流量调节板12包括两个同心的外流道圆环，两个外流道圆环之间通过若干肋板相连接，外流道流量调节板12的外侧的一个外流道圆环沿周向均匀间隔开设有若干外流道流量调节孔14。

中流道流量调节板15包括两个同心的中流道圆环，两个中流道圆环之间通过若干肋板相连接，中流道流量调节板15的内侧的一个中流道圆环上沿周向均匀间隔开设有若干中流道流量调节孔17。

流量调节母板18为圆环状，流量调节母板18环面的内侧上沿周向均匀间隔开设有若干外流道进气孔19，流量调节母板18环面的外侧上沿周向均匀间隔开设有若干中流道进气孔20。

外流道流量调节板12的两个外流道圆环之间形成的环形间隙为中流道连通槽13，外流道流量调节板12内侧的一个外流道圆环的中心通孔为内流道连通孔11；中流道流量调节板15的两个中流道圆环之间形成的环形间隙为外流道连通槽16，中流道流量调节板15内侧的一个中流道圆环的中心通孔为内流道连通孔22；流量调节母板18的中心通孔为内流道进气孔21。

内流道连通孔11、内流道连通孔22和内流道进气孔21依次连通且直径相同；中流道连通槽13、各个中流道流量调节孔17和各个中流道进气孔20自上而下依次正对且连通；各个外流道流量调节孔14、外流道连通槽16和各个外流道进气孔19自上而下依次正对且连通；每个中流道流量调节孔17正对一个中流道进气孔20；每个外流道流量调节孔14正对一个各个外流道进气孔19。

流量调节母板18的外流道进气孔19的孔径等于外流道流量调节板12的外流道流量调节孔14的孔径；流量调节母板18的中流道进气孔20的孔径等于中流道流量调节板15的中流道流量调节孔17的孔径；流量调节母板18的外流道进气孔19的孔径小于中流道进气孔20的孔径。

外流道流量调节板12的中流道连通槽13的环宽等于流量调节母板18的中流道进气孔20的孔径；中流道流量调节板15的外流道连通槽16的环宽等于流量调节母板18的外流道进气孔19的孔径。

流量调节母板18的外流道进气孔19的数量等于外流道流量调节板12的外流道流量调节孔14的数量；流量调节母板18的中流道进气孔20的数量等于中流道流量调节板15的中流道流量调节孔17的数量；外流道进气孔19的数量大于中流道进气孔20的数量。

外流道流量调节板12的中心设有向上的管状的旋转轴I24；中流道流量调节板15的中心向上设有旋转轴II23，旋转轴II23的外径等于旋转轴I24的内径。

旋转轴II23穿插过旋转轴I24中心并向上穿设过流量调节机构4的转动座，进而固定连接至转动板II27的中心；旋转轴I24向上穿设过流量调节机构4的转动座，进而固定连接至转动板I26的中心；旋转轴I24的外侧面套装有磁流体密封装置10进行密封。

转动板II27旋转时，带动旋转轴II23和中流道流量调节板15绕自身轴线转动，使得正对的中流道流量调节孔17与中流道进气孔20之间的连通面积改变，达到调节中流道62进气流量的效果。

转动板I26旋转时，带动旋转轴I24和外流道流量调节板12绕自身轴线转动，使得正对的外流道流量调节孔14和外流道进气孔19之间的连通面积改变，达到调节外流道63进气流量的效果。

外流道流量调节板12和中流道流量调节板15的直径相同，流量调节母板18的直径大于中流道流量调节板15的直径；支撑环2的内径等于中流道流量调节板15的直径，支撑环2的厚度等于外流道流量调节板12和中流道流量调节板15的厚度相加。

支撑环2套装在外流道流量调节板12和中流道流量调节板15的外侧面，支撑环2的上端面和下端面分别焊接进气结构1和流量调节母板18，将外流道流量调节板12和中流道流量调节板15密封在进气结构1和流量调节母板18之间。支撑环2不挡住进气结构1和流量调节母板18的通孔。

如图4的a和b所示，进气结构1为圆盘状，进气结构1圆盘状的底部朝外径向延伸并和支撑环2的上端面固接；进气结构1中心设有轴向的连通孔48，进气结构1的内部开设有自上而下依次连通的混合腔45、扩流孔46和扩散腔47；连通孔48与混合腔45不连通，扩散腔47贯通进气结构1，辅助气流扩散。

混合腔45的中心顶面朝下形成锥形的锥形扩流结构49，锥形扩流结构49的外顶面中心连接连通孔48；混合腔45的侧壁上均匀间隔开设有若干与外部气体管路连接的切向进气流道43，用于通入工艺气体并混合；扩流孔46为圆台状腔体，圆台状的顶面直径小于混合腔45的直径；扩流孔46和扩散腔47的连接处为较大的圆角。

扩散腔47为朝下的喇叭状腔体，扩散腔47内部流道各过渡处均设有圆角，用于气流的平稳扩散，扩散腔47的底面直径等于外流道流量调节板12的直径。

所述的旋转轴I24向上穿设过进气结构1的连通孔48后再穿设至流量调节机构4的转动座的转动板I26，旋转轴I24的直径等于连通孔48的直径。

如图5的a和b所示，环形分流腔结构3为圆盘状，环形分流腔结构3圆盘状的上部朝径向延伸并和流量调节母板18的外边沿的下端面固接；环形分流腔结构3内部开设有连通环形分流腔结构3的柱状分流腔，分流腔内设有自上而下间隔布置的一级分流板66和二级分流板67，一级分流板66和二级分流板67将分流腔分为自上而下的三层相互流通的腔体；一级分流板66和二级分流板的直径均等于分流腔的直径。

分流腔内还设有两个间隔布置并与分流腔同心的圆筒体，两个圆筒体将分流腔分为自圆心向径向分布的三个互不相通的间隔区域，即依次为圆柱状中心间隔区域、圆环状中间间隔区域和圆环状外间隔区域；两个圆筒体的高度均等于或大于分流腔的高度。

靠近分流腔圆心的一个圆筒体的上端面位于流量调节母板18的内边沿的下端面，远离分流腔圆心的一个圆筒体的上端面位于流量调节母板18的外流道进气孔19和中流道进气孔20之间的间隔区域的下端面。

流量调节母板18的内流道进气孔21与分流腔的中心间隔区域连通，流量调节母板18的各个中流道进气孔20与分流腔的中间间隔区域连通，流量调节母板18的各个外流道进气孔19和分流腔的外间隔区域连通。

一级分流板66上侧的中心间隔区域的腔体为内流道61，内流道61连通内流道进气孔21；一级分流板66上侧的中间间隔区域的腔体为中流道62，中流道62连通各个中流道进气孔20；一级分流板66上侧的外间隔区域的腔体为外流道63，外流道63连通各个外流道进气孔19。

一级分流板66上均匀间隔开设有若干一级分流孔64，二级分流板67上均匀间隔开设有若干二级分流孔65；一级分流孔64的孔径大于二级分流孔65的孔径；一级分流孔64的数量小于二级分流孔65的数量，即二级分流孔65分布更密，孔径更小。

向进气装置的进气结构1内通入工艺气体，最终自环形分流腔结构3内流出，进行硅外延生长反应。

具体实施过程如下：

如图6和图7所示，通过拨动转动板II27和转动板I26的转动条使得转动板II27和转动板I26绕自身轴线旋转；转动板II27旋转带动旋转轴II23和中流道流量调节板15绕自身轴线转动，使得正对的中流道流量调节孔17与中流道进气孔20之间的连通面积改变，可以调节中流道62进气流量；连通面积越大，进气流量越大，连通面积越小，进气流量越小；转动板I26旋转带动旋转轴I24和外流道流量调节板12绕自身轴线转动，使得正对的外流道流量调节孔14和外流道进气孔19之间的连通面积改变，可以调节外流道63进气流量；当转动板II27和转动板I26旋转至各自的指定角度后，锁紧转动板II27和转动板I26不动，即完成流量调节过程。

流量调节过程完成后，自进气结构1的混合腔45的若干连通外部管路的切向进气流道43通入工艺气体，具体实施时可开设三个切向进气流道43，混入的工艺气体可为载气氢气、硅源以及掺杂气体等；工艺气体在进气结构1的混合腔45内混合均匀后依次经锥形扩流结构49和扩流孔46后流通至扩散腔47内，接着依次通过外流道流量调节板12、中流道流量调节板15和流量调节母板18流通至环形分流腔结构3的分流腔中，依次经过环形分流腔结构3的一级分流板66和二级分流板67进行两级分流后，形成均匀的垂直气流流通至环形分流腔结构3的外部，进行硅外延生长过程，并形成外延层。

通过检测外延生长后的外延层厚度均匀性来反馈调整，若厚度均匀性未达到预期结果，则重新进行流量调节过程并通入工艺气体进行再次检测，直至检测达到预期结果，获得此时自内流道61、中流道62和外流道63流通出环形分流腔结构3之后的流量配比，从而得到更为合适的硅外延生长的工艺参数，并进行后续的硅外延片生产。

上述具体实施方式用来解释说明本发明，而不是对本发明进行限制，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，即依本发明保护范围及说明书内容所作的等效的变化与修饰，都应落入本发明的保护范围。