低重稀土磁体及制造方法

技术领域

本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。

背景技术

钕铁硼烧结永磁体广泛应用在电子信息、医疗设备、新能源汽车、家用电器、机器人等高新技术领域。在过去几十年的发展过程中，钕铁硼永磁体得到快速的发展，剩磁性能基本达到理论极限。但是矫顽力离理论值差距还很大，因此，提高磁体的矫顽力是一大研究热点。

由于传统制造工艺消耗大量的Tb或Dy重稀土金属，成本增加幅度增加。通过晶界扩散技术能够大幅度降低重稀土含量，但是随着当前重稀土Tb的价格飞涨，成本依然很高。因此，持续降低重稀土的含量依然重要。由于扩散机理即通过含重稀土元素的扩散硬化Nd2Fe14B主相，形成大量核壳结构增加矫顽力。因此，对磁体研究和扩散源的研究成为重点。

提高矫顽力效果最显著通过重稀土扩散，但是重稀土的丰度低，价格昂贵。所以越来越多研究人员通过制备重稀土合金做为扩散源进行扩散，让钕铁硼磁体达到相同性能。关于特殊晶界相关专利的申请很多，比如专利CN 106024253 A通过磁体表面涂覆重稀土Tb、Dy或Ho使磁体含有M2硼化物相，具有HR富集层和(R,HR)-Fe(Co)-M1相被覆主相的核壳结构；专利CN 108305772 A主要是扩散源为R1-R2-M型合金的氢化物粉末，R1-R2-M型合金的熔点为400-800℃,并未与特定设计磁体结合，形成特定相结构的磁体，扩散后Hcj性能增加幅度高。专利CN 111524674 A提出了磁体含有晶界外延层即二颗粒晶界相R

发明内容

本发明提出一种低重稀土磁体及制造方法，通过制作在特定成分的钕铁硼磁体上形成特定晶界分布的扩散源薄膜，经过扩散、时效处理形成具有特定晶界相结构分布的钕铁硼磁体，能够在低重稀土含量的情况下，大幅增加磁体的矫顽力且能够大幅度降低磁体的生产成本。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种低重稀土磁体，由钕铁硼磁体主体合金和扩散源制备而成，所述扩散源为低重稀土扩散源，所述低重稀土扩散源化学式为R

在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到所述低重稀土磁体，所述低重稀土磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，所述R壳层，R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，所述过渡金属壳层，过渡金属是指Cu、Al、Ga中的至少一种，所述三角区具有以下特征：

和或三角区点扫1：Nd

和或三角区点扫2：Nd

和或三角区点扫3：Nd

作为优选，所述钕铁硼主体合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述钕铁硼合金原料成分含有稀土R重量百分比为28％≤R≤30％，R是指Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中至少两种混合，B重量百分比为0.8％≤B≤1.2％，Gd重量百分比为0％≤Gd≤5％，Ho重量百分比为0％≤Ho≤5％，M百分比为0％≤M≤3％，其中M是指Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中至少一种，剩余成分为Fe，所述的低熔点粉料含有含有NdCu、NdAl和CeGa，各成分重量百分比为0％≤NdCu≤3％，0％≤NdAl≤3％，0％≤NdGa≤3％。

作为优选，所述低重稀土磁体厚度为0.3-6mm。

本发明还提出了一种上述低重稀土磁体制造方法，包括如下步骤：

S1、将配制好的钕铁硼合金原料经熔炼、速凝薄片，制得钕铁硼合金薄片，将所述钕铁硼合金薄片进行机械破碎，破碎为150-400μm的鳞片状钕铁硼合金薄片；

S2、将所述鳞片状钕铁硼合金薄片、低熔点粉料、润滑剂进行机械混合搅拌，然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，经气流磨制备钕铁硼粉末；

S3、将上述粉末压制成型，烧结得到所需的钕铁硼磁体主体合金。

S4、将烧结后的所述钕铁硼磁体主体合金进行机械加工为所需形状，然后通过涂覆的方式在所述钕铁硼磁体主体合金垂直或平行于C轴方向面形成低重稀土扩散源的薄膜；

S5、进行扩散、时效和回火处理，制得低重稀土磁体。

作为优选，步骤S1所述的钕铁硼合金原料成分含有稀土R重量百分比为28％≤R≤30％，R是指Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中至少两种混合，B重量百分比为0.8％≤B≤1.2％，Gd重量百分比为0％≤Gd≤5％，Ho重量百分比为0％≤Ho≤5％，M百分比为0％≤M≤3％，其中M是指Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中至少一种，剩余成分为Fe，所述的低熔点粉料含有NdCu、NdAl和CeGa，各成分重量百分比为0％≤NdCu≤3％，0％≤NdAl≤3％，0％≤NdGa≤3％。

作为优选，所述低重稀土扩散源的制备方法为雾化制粉，非晶甩带制粉或铸锭。

作为优选，所述低重稀土扩散源扩散源需进行吸氢和脱氢处理，脱氢温度为400-600℃。

作为优选，步骤S2所述的低熔点粉料粒度为200nm-4μm,所述的钕铁硼粉末粒度为3-5μm。

作为优选，步骤S3所述的烧结过程的烧结温度是980-1060℃，烧结时间为6-15h。

作为优选，步骤S5所述扩散温度为850-930℃，扩散时间为6-30h，时效温度为420-680℃，升温速度为1-5℃/min，降温速度为5-20℃/min，时效时间为3-10h。

采用上述进一步方案的有益效果是：

1.通过设计晶界为低熔点磁体，并在该磁体上形成具有特殊晶界结构的扩散源，进行扩散、时效处理，得到具有特定晶界结构的低重稀土含量的钕铁硼磁体。通过对磁体成分和扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。

2.本发明的低重稀土磁体含有低熔点相的NdCu、NdAl、NdGa有利于增加磁体晶界的扩散系数，从而提高扩散源的扩散效率。

4.扩散源的晶相结构分布为RH相、RHM相镶嵌分布，实现低熔点相和重稀土相同时快速进入磁体，在大幅度提高扩散系数的同时，能够很好的形成具有磁隔绝作用的壳层，很好的实现了提高矫顽力的作用。

5.扩散后的低重稀土磁体具有特征相，特征相Fe质量含量＜30％，具有非铁磁性，能够很好的具有磁隔绝作用；

6.本发明提出能够很好的降低磁体中重稀土含量，能够很大程度降低磁体的成本，工艺简单，能够实现大量生产。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1：扩散重稀土合金后的磁体微观结构扫描电镜照片。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

还需要说明的是术语“和或”是指涵盖而不是排他性，从而使得不仅包括罗列的要素也包括一些未明确列出的要素、方法、过程、物品及设备所必须的要素。

以下结合附图对本发明作进一步详细说明。

一种低重稀土磁体，由钕铁硼磁体主体合金和扩散源制备而成，所述扩散源为低重稀土扩散源，所述低重稀土扩散源化学式为R

钕铁硼合金原料成分含有稀土R重量百分比为28％≤R≤30％，R是指Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中至少两种混合，B重量百分比为0.8％≤B≤1.2％，Gd重量百分比为0％≤Gd≤5％，Ho重量百分比为0％≤Ho≤5％，M百分比为0％≤M≤3％，其中M是指Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中至少一种，剩余成分为Fe，所述的低熔点粉料含有NdCu重量百分比0-3％、NdAl重量百分比0-3％、NdGa重量百分比为0-3％。

参照上述成分配比，实施例如下所述：

1、钕铁硼磁体材料的成分：

成分编号分为1-22，其中通过混合不同比例NdCu,或NdAl，或NdGa的低熔点合金粉料为形成不同成分配比的成分列表，单位是重量百分比即wt％。如下表1所示：

表1

其中空格是指不含有该元素。通过成分设计为上述22种配份。编号为1-22号的钕铁硼磁体材料的制作方法如下：

(1)熔炼除了添加低熔点粉料以外成分制备钕铁硼磁体速凝薄片，之后经机械破碎成粒度范围在150-400μm的鳞片状钕铁硼磁体薄片；

(2)将粒度范围在200nm-4μm的相应合金比例的NdCu、NdAl、NdGa低熔点粉料混合后加入到所述鳞片状钕铁硼磁体薄片；

(3)混合所述鳞片状钕铁硼磁体薄片、低熔点粉料、润滑剂，机械搅拌，然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，其中脱氢温度为400-600℃，气流磨为合金粉末，优选气流磨为D50为3-5μm粒度；

(4)将气流磨后的合金粉末进行取向成型和冷等静压，制成坯料。

(5)将坯料在进行真空烧结，通入氩气快速冷却，然后进行一级回火和二级时效，并掏柱测试磁体性能，具体工艺过程见下表2所示；

表2

(6)将坯料进行机械加工，切割成相应尺寸的样品，扩散源浆料涂覆在样品垂直于C轴的两面，金属Dy的增重为1.0％，Dy合金中Dy的含量为1.0％，增重为重量百分比即wt％。

将钕铁硼磁体主体合金进行最优化工艺试验达到最优性能后再进行扩散试验，Dy合金扩散后矫顽力增加幅度可以达到8-9.5kOe，使用Dy含量低，磁体的制作成本实现大大幅度降低。

其中以扩散Dy合金为实施例，扩散金属Dy为对比例。

实施例是扩散Dy合金及其具体工艺，如下表3所示：

表3

对比例扩散金属Dy及其具体工艺，如下表4所示

表4

基于以上数据，首先通过在甩带薄片中晶界添加NdCu、或NdAl、或NdGa低熔点粉料，制成具有低熔点晶界通道适合磁体扩散的钕铁硼磁体，有利于扩散特别是重稀土镝合金扩散源的扩散，扩散后△Hcj＞7.5kOe，矫顽力增加明显。

将实施例与对比例进行具体分析如下：

实施例1，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.2kGS，Hcj增加10.21kOe，对比例1，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.19kGS，Hcj增加8.21kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例2，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.24kGS，Hcj增加8.78kOe，对比例2，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.23kGS，Hcj增加6.78kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例3，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.22kGS，Hcj增加7.58kOe，对比例3，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.20kGS，Hcj增加5.08kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例4，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.24kGS，Hcj增加7.52kOe，对比例4，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.23kGS，Hcj增加5.02kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例5，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散NdDyCu后Br下降0.25kGS，Hcj增加9.51kOe，对比例5，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.23kGS，Hcj增加7.51kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散NdDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例6，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散NdDyCu后Br下降0.23kGS，Hcj增加8.31kOe，对比例6，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.21kGS，Hcj增加6.81kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散NdDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例7，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散NdDyCu后Br下降0.22kGS，Hcj增加8.82kOe，对比例7，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.21kGS，Hcj增加7.32kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散NdDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例8，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.21kGS，Hcj增加9.35kOe，对比例8，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.19kGS，Hcj增加7.85kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例9，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.24kGS，Hcj增加9.35kOe，对比例9，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.22kGS，Hcj增加7.35kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例10，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.22kGS，Hcj增加9.88kOe，对比例10，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.21kGS，Hcj增加7.88kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例11，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.21kGS，Hcj增加7.74kOe，对比例11，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.2kGS，Hcj增加4.74kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例12，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.22kGS，Hcj增加7.6kOe，对比例12，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.2kGS，Hcj增加5.1kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例13，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuGa后Br下降0.25kGS，Hcj增加7.6kOe，对比例13，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.23kGS，Hcj增加5.6kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuGa的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例14，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuGa后Br下降0.22kGS，Hcj增加8.25kOe，对比例14，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.21kGS，Hcj增加6.75kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuGa的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例15，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuGa后Br下降0.25kGS，Hcj增加8.98kOe，对比例15，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.23kGS，Hcj增加7.48kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuGa的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例16，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuAl后Br下降0.23kGS，Hcj增加8.94kOe，对比例16，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.22kGS，Hcj增加7.44kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuAl的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例17，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuAl后Br下降0.2kGS，Hcj增加8.07kOe，对比例17，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.2kGS，Hcj增加6.57kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuAl的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例18，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCuAl后Br下降0.26kGS，Hcj增加8.6kOe，对比例18，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.25kGS，Hcj增加7.1kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCuAl的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例19，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.25kGS，Hcj增加8.5kOe，对比例19，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.24kGS，Hcj增加6kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例20，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.2kGS，Hcj增加7.5kOe，对比例20，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.2kGS，Hcj增加6kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例21，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.25kGS，Hcj增加9.5kOe，对比例21，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.24kGS，Hcj增加7kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

实施例22，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，进行扩散PrDyCu后Br下降0.2kGS，Hcj增加7.5kOe，对比例22，相比扩散前，扩散金属Dy，Br下降0.2kGS，Hcj增加5kOe，矫顽力增加均明显，但是扩散PrDyCu的Hcj增加幅度更大，优势更加明显。

针对以上的重稀土合金扩散源扩散后性能效果明显优于纯重稀土的扩散后的性能。因此，我们将扩散重稀土合金后的磁体进行微观结构测定。主要使用ZISS电镜进行SEM进行测试，牛津EDS进行样品磁体元素的组成。其中定义：稀土壳层即R壳层是指围绕晶粒连续性超过60％，过渡金属壳层是指围绕晶粒连续性超过40％。另外，对a，b，c三个点为不同位置的取样点，但是在尺寸＜1μm的小三角区特征为6:14相型富Cu，即点扫的化学式是重量百分比即wt％:Fe

实施例1，将该磁体扩散PrDyCu后磁体有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例2，将该磁体扩散PrDyCu后具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例3，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例4，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例5，将该成分磁体进行扩散NdDyCu后磁体具有Nd，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例6，将该成分磁体进行扩散NdDyCu后磁体具有Nd，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例7，将该成分磁体进行扩散NdDyCu后磁体具有Nd，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例8，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例9，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例10，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例11，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例12，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例13，将该成分磁体进行扩散PrDyCuGa后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成三角区点扫1：Nd

实施例14，将该成分磁体进行扩散PrDyCuGa后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成三角区点扫相1：Nd

实施例15，将该成分磁体进行扩散PrDyCuGa后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成三角区点扫1：Nd

实施例16，将该成分磁体进行扩散PrDyCuAl后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例17，将该成分磁体进行扩散PrDyCuAl后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例18，将该成分磁体进行扩散PrDyCuAl后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成三角区点扫1：Nd

实施例19，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例20，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例21，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

实施例22，将该成分磁体进行扩散PrDyCu后磁体具有Pr，Dy稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成三角区点扫1：Nd

参照以上实施例的方式，以本说明书中列出的其它原料和条件等进行了试验，并同样制得了本发明的低重稀土磁体。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。