薄膜晶体管及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管以及一种薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

随着液晶显示器的分辨率和刷新频率不断提高，像素负载(loading)也相应增大，液晶显示器会出现充电不足的问题。举例而言，液晶显示器的分辨率达到7680RGB*4320，刷新频率达到120HZ时，液晶显示器充电时间就只有1.93us，存在充电不足的问题，最终导致液晶显示器的画面显示异常。

发明内容

本发明实施例公开一种薄膜晶体管以及一种薄膜晶体管的制备方法，可以提高充电效率，避免现有的液晶显示器存在充电不足，导致画面显示异常的问题。

具体地，第一方面，本发明实施例公开一种薄膜晶体管，包括：基底；第一金属层，设置在所述基底上，且包括栅电极；第一绝缘层，设置在所述基底上，且覆盖所述第一金属层；半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，且设置有凹槽；透明导电层，设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，且包括位于所述凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极；第二金属层，设置在所述透明导电层远离所述半导体层的一侧，且包括：与所述第一透明电极和所述第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极；第二绝缘层，设置在所述第二金属层远离所述透明导电层的一侧，并填充所述凹槽，其中所述第二绝缘层设置有贯穿孔；以及像素电极，设置在所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧，并通过所述贯穿孔连接所述第二金属层；其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。

在本发明的一个实施例中，所述第一金属电极完全覆盖所述第一透明电极，所述第二金属电极完全覆盖所述第二透明电极。

在本发明的一个实施例中，所述半导体层包括：第一半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧；第二半导体层，设置在所述第一半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；其中，所述凹槽贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层。

在本发明的一个实施例中，所述漏电极包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；所述源电极包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。。

在本发明的一个实施例中，所述透明导电层和所述第二金属层经由同一掩膜版进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。

第二方面，本发明实施例公开的一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括栅电极；在所述基底上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极；对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极；对所述半导体层进行图案化处理形成位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的凹槽；在所述第二金属层上形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层填充所述凹槽；图案化所述第二绝缘层形成贯穿所述第二绝缘层的贯穿孔；以及在所述第二金属层上形成像素电极，其中所述像素电极伸入所述贯穿孔连接所述第二金属层；其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。

在本发明的一个实施例中，所述在所述半导体层上依序叠加形成透明导电层和第二金属层，包括：在所述半导体层上形成所述透明导电层；在所述透明导电层上形成所述第二金属层，且所述第二金属层完全覆盖所述透明导电层；所述对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极，包括：对所述透明导电层进行图案化处理形成被所述第一金属电极完全覆盖的第一透明电极、以及被所述第二金属电极完全覆盖的第二透明电极。

在本发明的一个实施例中，所述在所述第一绝缘层上形成半导体层，包括：在所述第一绝缘层上形成所述第一半导体层；在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层；所述对所述半导体层进行图案化处理形成位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的凹槽，包括：对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行所述图案化处理以形成贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层的所述凹槽。

在本发明的一个实施例中，所述对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极，以及对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极，包括：使用同一个掩膜版对所述第二金属层和所述透明导电层分别进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。

在本发明的一个实施例中，所述漏电极包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；所述源电极包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。

本发明上述技术方案可以有如下的一个或者多个有益效果：一方面，通过在半导体层和第二金属层之间设置透明导电层，从而使得透明导电层的第一透明电极和第二金属层的第一金属电极组成源电极，透明导电层的第二透明电极和第二金属层的第二金属电极组成漏电极，且将第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离设置为小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离，可以减小薄膜晶体管的沟道长度，从而提高充电速度，可以有效地避免现有的液晶显示器充电不足，导致画面显示异常的问题；另一方面，通过将源极延伸部设置在第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，即将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极连接数据线，减小了源电极的面积，降低了源电极的电容，从而减小了像素负载，进一步提高了充电效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明第一实施例公开的薄膜晶体管的部分结构示意图。

图1b为本发明第一实施例公开的薄膜晶体管的结构示意图。

图2为本发明第一实施例公开的薄膜晶体管的另一种部分结构示意图。

图3为本发明第一实施例公开的薄膜晶体管中源电极和漏电极的部分结构示意图。

图4为本发明第二实施例公开的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图。

图5a为本发明第二实施例的一种举例说明在形成栅电极后的结构示意图；

图5b为本发明第二实施例的一种举例说明在形成第一绝缘层后的结构示意图。

图5c为本发明第二实施例的一种举例说明在形成半导体层后的结构示意图。

图5d为本发明第二实施例的一种举例说明在形成第二金属层后的结构示意图。

图5e为本发明第二实施例的一种举例说明在对第二金属层、透明导电层以及半导体层进行图案化处理后的结构示意图。

图5f为本发明第二实施例的一种举例说明在形成第二绝缘层和贯穿孔后的结构示意图。

图5g为本发明第二实施例的一种举例说明在形成像素电极后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

【第一实施例】

参见图1a和图1b，本发明第一实施例公开了一种薄膜晶体管100，包括：基底110、第一金属层、第一绝缘层130、半导体层140、透明导电层150、第二金属层160、第二绝缘层170以及像素电极180。

其中，第一金属层设置在基底110上，且包括栅电极121，即栅电极121设置在基底110上。第一绝缘层130设置在基底110上，且覆盖第一金属层，即第一绝缘层130覆盖栅电极121。半导体层140设置在第一绝缘层130远离第一金属层120的一侧，且设置有凹槽141。透明导电层150设置在半导体层140远离第一绝缘层130的一侧，且包括位于凹槽141两侧的第一透明电极151和第二透明电极152，此处可以理解为，透明导电层150完全覆盖半导体层140以及部分覆盖第一绝缘层130。第二金属层160设置在透明导电层150远离半导体层140的一侧，且包括：与第一透明电极151和第二透明电极152分别对应的第一金属电极161和第二金属电极162。第二绝缘层170设置在第二金属层160远离透明导电层150的一侧，并填充凹槽141，其中第二绝缘层170设置有贯穿孔171。像素电极180设置在第二绝缘层170远离第二金属层160的一侧，并通过贯穿孔171连接第二金属层160。其中，第一透明电极151和第一金属电极161组成源电极191，第二透明电极152和第二金属电极162组成漏电极192，且第一透明电极151和第二透明电极152沿沟道方向的距离L1小于第一金属电极161和第二金属电极162沿所述沟道方向的距离L2。

具体地，基底110的材料例如为玻璃、石英、有机聚合物等。第一金属层为导电金属薄膜层，其材料可例如为钼、铝、铜、钛、钨等，即栅电极121的材料例如为钼、铝、铜、钛、钨等，第一金属层除了包括栅电极121之外，例如还包括阵列基板的扫描线(图中未示出)和阵列基板的公共电压线(图中未示出)，扫描线与栅电极121相连。第一绝缘层130例如为氮化硅层或者氧化硅层，当然本发明并不以此为限，其他起到绝缘作用的材料均适用于第一绝缘层130。透明导电层150的材料例如为ITO或者IZO等透明导电氧化物，即第一透明电极151和第二透明电极152的材料例如为ITO或者IZO等透明导电氧化物。第二金属层160的材料例如为钼、铝、铜、钛、钨等，即第一金属电极161和第二金属电极162的材料例如为钼、铝、铜、钛、钨等，其例如同第一金属层的材料相同，当然也可以同第一金属层的材料不同。

其中，第一金属电极161和第一透明电极151组成源电极191，第二金属电极162和第二透明电极162组成漏电极192，此外，第二金属层160和透明导电层150例如还形成阵列基板的数据线(图中未示出)，其连接源电极191。此处可以理解为，数据线例如也包括两层，即透明导电层和第二金属层，当然本发明并不以此为限，数据线也可以仅有第二金属层形成。第二绝缘层170例如为氮化硅层或者氧化硅层，当然本发明并不以此为限，其他起到绝缘作用的材料均适用于第二绝缘层170，其中提到的第二绝缘层170填充凹槽141可理解为，第二绝缘层170填充第一金属电极161和第二金属电极162之间的间隙以及第一透明电极151和第二透明电极152之间的间隙进而填充凹槽141。像素电极180例如由导电金属氧化物组成，例如ITO，当然本发明并不以此为限，其他导电材料也可适用于像素电极180。

根据薄膜晶体管的充电公式(现有已知公式)可知，增加沟道宽度或减小沟道长度都会提升其充电能力，然而增加沟道宽度会产生增加电容以及电感从而增加负载以及降低开口率等问题。本发明实施例通过在第二金属层160和半导体层140之间设置透明导电层150例如ITO层或者IZO层等，从而可以减小沟道长度，进而提高充电能力。举例而言，透明导电层150例如ITO层其厚度(约600A)相比第二金属层160(厚度约3000A)要薄，透明导电层150曝光显影蚀刻的分辨率均可小于第二金属层，透明导电层150的曝光分辨率例如2um，第二金属层的曝光分辨率例如为4um，那么在蚀刻过程中，ITO层蚀刻CD仅损失0.25um，而第二金属层蚀刻CD要损失2um，由此，相对于现有技术中薄膜晶体管的源电极和漏电极仅有第二金属层形成而言，本发明第一实施例公开的薄膜晶体管通过在第二金属层160和半导体层140之间设置透明导电层150，且使得第一透明电极151和第二透明电极152沿沟道方向的距离L1小于第一金属电极161和第二金属电极162沿所述沟道方向的距离L2，从而减小了沟道长度，提高了充电能力。

进一步地，如图2所示，半导体层140例如包括第一半导体层142和第二半导体层143，其中，第一半导体层142设置在第一绝缘层130远离第一金属层120的一侧，第二半导体层143设置在第一半导体层142远离第一绝缘层130的一侧，凹槽141贯穿第二半导体层143伸入第一半导体层142。其中，第一半导体层例如为a-Si层，第二半导体层例如为n

此处补充说明的是，关于ITO和a-Si层的欧姆接触:从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属和半导体的功函数以及半导体的表面态密度；从功函数对金属-半导体之间接触的影响来看要形成欧姆接触，对于n型半导体，需要Wm远远小于Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层，但是a-Si：H由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，即使Wm远远小于Ws，金属与半导体之间还是不能形成良好的欧姆接触。在实际生产中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触，从功函数角度来考虑，对于n型半导体的a-Si：H，金属功函数要小于半导体功函数，以下是各个金属功函数，Al 4.28eV，Cu4.65ev，由百度文献查得ITO功函数测量值4.5eV，ITO介于Al和Cu之间，故目前所用的薄膜晶体管的n

进一步地，如图所示，第一金属电极161完全覆盖第一透明电极151，第二金属电极162完全覆盖第二透明电极152。

进一步地，透明导电层150和第二金属层160例如经由同一掩膜版分别进行蚀刻形成源电极191和漏电极192。通过经由同一掩膜版蚀刻透明导电层和第二金属层来得到源电极和漏电极，可以提高薄膜晶体管的制备效率，简化制备工艺。此处可以理解为，在对第二金属层160进行图案化处理时，例如在第二金属层160上涂光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影得到图案化光阻层，之后以图案化光阻层作为掩膜版对第二金属层160以及透明导电层150分别进行刻蚀从而形成第一金属电极161、第二金属电极162、第一透明电极151以及第二透明电极152，且第一金属电极161完全覆盖第一透明电极151，第二金属电极162完全覆盖第二透明电极152。此处值得一提的是，在基于同一掩膜版对透明导电层150和第二金属层160进行蚀刻时，由于第二金属层蚀刻的损失远大于透明导电层150，因此可以使得第一透明电极151和第二透明电极152沿沟道方向的距离L1小于第一金属电极161和第二金属电极162沿所述沟道方向的距离L2，从而减小了沟道长度，提高了充电效率。

在本发明的其他实施例中，如图3所示，漏电极192例如包括漏极主体部1921和自漏极主体部1921侧向延伸形成的第一漏极延伸部1922和第二漏极延伸部1923，源电极191例如包括源极主体部1911和自源极主体部1911侧向延伸的源极延伸部1912，源极延伸部1912位于第一漏极延伸部1922和第二漏极延伸部1923之间。此处的源极延伸部1912、第一漏极延伸部1922和第二漏极延伸部1923例如为两层结构，即包括透明导电层和第二金属层。

此处可以理解为，阵列基板的负载包括电阻和电容两部分，由电容和电阻的计算公式(现有已知公式)可知，随着分辨率的提高，栅电极以及源电极的电容增加；在现有的薄膜晶体管中，位于半导体区域的源电极的面积远大于漏电极的面积，从而源电极以及连接源电极的数据线的面积较大，电容较大，导致负载增大，严重影响充电效率；本发明实施例公开的薄膜晶体管通过减小源电极的面积，具体地，源极延伸部位于第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，即将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极连接数据线，从而降低负载，提高充电效率。

值得一提的是，在本发明的其他实施例中，薄膜晶体管可以仅在第二金属层和半导体层之间设置透明导电层，而不将自身电容较小的一极作为源电极，来实现充电效率的提高；当然在本发明的其他实施例中，薄膜晶体管也可以在第二金属层和半导体层之间不设置透明导电层，仅将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极来连接数据线，来实现充电效率的提高。

综上所述，本发明实施例公开的薄膜晶体管100，通过在半导体层和第二金属层之间设置透明导电层，从而使得透明导电层的第一透明电极和第二金属层的第一金属电极组成源电极，透明导电层的第二透明电极和第二金属层的第二金属电极组成漏电极，且将第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离设置为小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离，可以减小薄膜晶体管的沟道长度，从而提高充电速度，可以有效地避免现有的液晶显示器充电不足，导致画面显示异常的问题；进一步地，通过将源极延伸部设置在第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，减小了源电极的面积，即将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极连接数据线，降低了源电极的电容，从而减小了像素负载，进一步提高了充电效率。

【第二实施例】

参见图4，本发明第二实施例公开了一种薄膜晶体管的制备方法，例如包括：

步骤S11：在基底上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括栅电极；

步骤S12：在所述基底上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层；

步骤S13：在所述第一绝缘层上形成半导体层；

步骤S14：在所述半导体层上依序叠加形成透明导电层和第二金属层；

步骤S15：对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极；

步骤S16：对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极；

步骤S17：对所述半导体层进行图案化处理形成位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的凹槽；

步骤S18：在所述第二金属层上形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层填充所述凹槽；

步骤S19：图案化所述第二绝缘层形成贯穿所述第二绝缘层的贯穿孔；以及

步骤S20：在所述第二金属层上形成像素电极，其中所述像素电极伸入所述贯穿孔连接所述第二金属层；

其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。

在本发明的一个实施例中，步骤S14例如包括：在所述半导体层上形成所述透明导电层；以及在所述透明导电层上形成所述第二金属层，且所述第二金属层完全覆盖所述透明导电层。步骤S16例如包括：对所述透明导电层进行图案化处理形成被所述第一金属电极完全覆盖的第一透明电极、以及被所述第二金属电极完全覆盖的第二透明电极。

进一步地，步骤S15和步骤S16例如包括：使用同一个掩膜版对所述第二金属层和所述透明导电层分别进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。此处可以理解为，对第二金属层进行图案化处理以及对透明导电层进行图案化处理例如使用同一个掩膜版，即在第二金属层上涂光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影得到图案化光阻层，之后以图案化光阻层作为掩膜版对第二金属层以及透明导电层分别进行刻蚀从而形成第一金属电极、第二金属电极、第一透明电极以及第二透明电极，即形成源电极和漏电极。

在本发明的其他实施例中，步骤S13例如包括：在所述第一绝缘层上形成所述第一半导体层；以及在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层。步骤S17例如包括：对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行所述图案化处理以形成贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层的所述凹槽。

在本发明的其他实施例中，漏电极例如包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；源电极例如包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。通过将源极延伸部设置在第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，减小了源电极的面积，即将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极连接数据线，降低了源电极的电容，从而减小了像素负载，进一步提高了充电效率。

为了便于理解，下面结合图5a至图5g对本发明第一实施例公开的薄膜晶体管100的制备方法进行具体化说明。

在步骤S11中，基底110的材料例如为玻璃、石英、有机聚合物等。第一金属层为导电金属薄膜层，其材料可例如为钼、铝、铜、钛、钨等，即栅电极121的材料例如为钼、铝、铜、钛、钨等，此处值得一提的是，第一金属层除了包括栅电极121之外，例如还包括阵列基板的扫描线和阵列基板的公共电压线，扫描线与栅电极121相连。如图5a所示，步骤S11具体可为：在基底110上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图案化处理得到栅电极121，此处提到的图案化处理例如包括：通过掩膜版蚀刻所述第一金属层以形成栅电极121。

在步骤S12中，第一绝缘层130的材料例如为氮化硅或者氧化硅中的一种，当然本发明并不以此为限。如图5b所示，步骤S12例如包括：通过气相沉积法或溅射方法形成第一绝缘层130，第一绝缘层130例如完全覆盖第一金属层，即完全覆盖栅电极121。

在步骤S13中，半导体层140例如包括两层：第一半导体层例如a-Si层和第二半导体层例如n

在步骤S14中，透明导电层150的材料例如为ITO或者IZO等透明导电氧化物。第二金属层160的材料例如为钼、铝、铜、钛、钨等。如图5d所示，步骤S14例如包括：在半导体层140和第一绝缘层130上溅射形成透明导电层150，以及在透明导电层150上溅射形成第二金属层160，其中第二金属层160例如完全覆盖透明导电层150。

如图5e所示，步骤S15至步骤S17可以理解为：采用同一个掩膜版对第二金属层160、透明导电层150和半导体层140进行图案化处理，以形成位于凹槽141两侧的第一透明电极151和第二透明电极152以及与第一透明电极151和第二透明电极152分别对应的第一金属电极161和第二金属电极162，其中第一金属电极161完全覆盖第一透明电极151，第二金属电极162完全覆盖第二透明电极152，具体地，在第二金属层160上涂光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影得到图案化光阻层，之后以图案化光阻层作为掩膜版对第二金属层160、透明导电层150以及半导体层140分别进行刻蚀从而形成源电极191和漏电极192，以及凹槽141。在基于同一掩膜版对透明导电层150和第二金属层160进行蚀刻时，由于第二金属层蚀刻的损失远大于透明导电层150，因此可以使得第一透明电极151和第二透明电极152沿沟道方向的距离L1小于第一金属电极161和第二金属电极162沿所述沟道方向的距离L2，从而减小了沟道长度，提高了充电效率。

在步骤S18中，第二绝缘层170的材料例如为氮化硅或者氧化硅。如图5f所示，步骤S18和步骤S19可以理解为：通过气相沉积法形成第二绝缘层170，以及在第二绝缘层170上涂光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影得到图案化光阻层，之后以图案化光阻层为掩膜版刻蚀第二绝缘层170形成贯穿孔171。

在步骤S20中，像素电极180例如包括导电金属氧化物，例如ITO等。如图5g所示，步骤S20例如包括：在第二绝缘层170上溅射形成像素电极层，然后对像素电极层进行图案化处理形成像素电极180，图案化处理例如包括：在像素电极层上涂光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影得到图案化光阻层，之后以图案化光阻层为掩膜版刻蚀像素电极层形成像素电极180，从而完成薄膜晶体管100的制备。

综上所述，本发明实施例公开的薄膜晶体管的制备方法，通过在半导体层和第二金属层之间设置透明导电层，从而使得透明导电层的第一透明电极和第二金属层的第一金属电极组成源电极，透明导电层的第二透明电极和第二金属层的第二金属电极组成漏电极，且将第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离设置为小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离，可以减小薄膜晶体管的沟道长度，从而提高充电速度，可以有效地避免现有的液晶显示器充电不足，导致画面显示异常的问题；进一步地，通过将源极延伸部设置在第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，减小了源电极的面积，即将薄膜晶体管自身电容较小的一极作为源电极连接数据线，降低了源电极的电容，从而减小了像素负载，进一步提高了充电效率。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。