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滤波器的裸芯片封装结构及射频模组

文献发布时间:2023-06-19 19:38:38


滤波器的裸芯片封装结构及射频模组

技术领域

本发明适用于无线通讯技术领域,尤其涉及一种滤波器的裸芯片封装结构及射频模组。

背景技术

射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为一个模组,从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类型不同功能的射频模组。

现有技术中,滤波器由于使用机械振动进行滤波,因此需要在封装中产生一个不能接触滤波器叉指换能器的空腔。在裸芯片模组封装(Bare Die Module Package,BDMP)中,衬底保护层在滤波器周围形成了一层保护,防止模料在数兆帕斯卡的压力下填充滤波器底部,进而造成滤波器失效。但是,衬底保护层为了成型覆盖器件,一般由有机材料制成,并具有较低的杨氏模量。固体树脂层固化的压力一般是相对固定的,从而导致滤波器的锡球必须经过精确配比,并且需要对不同的模组产品,并进行多次回流焊温度实验,以保证在进行C4(Controlled Collapse Chip Connection)封装时,锡球的塌陷量一定,并在塌陷后到达一个非常精确的高度,即,该高度不能过小,使滤波器叉指换能器接触到线路基板,并且不能过大,导致模料内溢过分,甚至冲破衬底保护层,进而模料接触到滤波器的叉指换能器。

然而,上述的裸芯片模组封装过程中,模料接触到叉指换能器上,使得叉指换能器失效;同时,在较宽泛的回流焊温度下,裸芯片封装效果差,射频模组的生产效率低,质量差等。

发明内容

本发明实施例提供一种滤波器的裸芯片封装结构及射频模组,旨在解决现有技术裸芯片模组封装效果差,射频模组生产效率低和质量差的问题。

第一方面,本发明实施例提供一种滤波器的裸芯片封装结构,所述滤波器的裸芯片封装结构包括:

线路基板;

衬底,所述衬底间隔设置于所述线路基板的其中一侧;

叉指换能器,所述叉指换能器固定于所述衬底靠近所述线路基板的一侧,且与所述线路基板间隔设置;

衬底锡球,所述衬底锡球包括多个,多个所述衬底锡球固定于所述衬底靠近所述线路基板的一侧,所述衬底锡球与所述叉指换能器间隔设置,所述衬底通过衬底锡球支撑固定于所述线路基板且形成电连接;至少部分所述衬底锡球采用的焊接材料的配比相异,以使不同位置的所述衬底锡球在同样的回流焊温度条件时下陷度相异,并使得所述衬底相对于所述线路基板呈倾斜设置,所述衬底与所述线路基板形成斜向空腔;所述叉指换能器位于所述斜向空腔内;

盖板层,所述盖板层完全盖设于所述线路基板,所述盖板层包括盖板层本体、由所述盖板层本体向远离所述线路基板凹陷形成的安装槽和由所述安装槽的任意一侧的槽侧壁凸出形成的溢料凸点,所述衬底安装于所述安装槽内,并使得所述溢料凸点夹设于所述衬底与所述线路基板之间,所述衬底抵接所述溢料凸点的一侧相较于与其相对的另一侧更远离所述线路基板;以及,

衬底保护层,所述衬底保护层夹设于所述盖板层和所述衬底之间,并延伸至所述盖板层和所述线路基板之间,且所述的溢料凸点阻挡于所述斜向空腔之外。

优选的,所述焊接材料的配比为锡/铜配比。

优选的,所述溢料凸点为圆弧结构。

优选的,所述盖板层为固体树脂材料制成。

优选的,沿所述衬底靠近所述溢料凸点的一侧向其远离所述溢料凸点的一侧的方向,所述衬底与所述线路基板之间的间距逐渐减小。

优选的,多个所述衬底锡球固定于所述衬底且间隔设置于所述叉指换能器的相对两侧。

优选的,所述衬底锡球包括固定于所述衬底的呈柱状的铜柱和形成于所述铜柱端部的呈半圆形结构的锡球,所述锡球的圆弧面固定于所述线路基板实现电连接。

优选的,所述衬底靠近所述溢料凸点的一端和与其相对的另一端中,所述叉指换能器更靠近另一端。

优选的,所述滤波器的裸芯片封装结构还包括多个间隔固定于所述线路基板远离所述衬底的一侧的模组锡球。

第二方面,本发明实施例提供一种射频模组,所述射频模组包括上述的滤波器的裸芯片封装结构。

本发明所达到的有益效果,由于对滤波器不同位置的锡球,进行不同的焊接材料配比,使得不同位置的锡球在同样的回流焊温度下,下陷程度将会有所不同;进而形成斜向空腔,完成斜向空腔的滤波器封装;盖板层在斜向空腔的一端形成较大的模料内溢的溢料凸点,用于支撑固定衬底;将滤波器叉指布置在远离该端的位置,就能在比较宽泛的回流焊温度条件下,保证模料内溢不会触碰滤波器叉指换能器,且保证滤波器叉指换能器不会接触到线路基板引起失效。这样通过对滤波器的倾斜封装,来降低裸芯片封装结构的封装难度,提高射频模组封装的良率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的滤波器的裸芯片封装结构的结构示意图。

图中,100、滤波器的裸芯片封装结构,1、线路基板,2、衬底,3、叉指换能器,4、衬底锡球,41、铜柱,42、锡球,5、衬底保护层,6、盖板层,61、盖板层本体,62、安装槽,63、溢料凸点,7、斜向空腔,8、模组锡球。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

请参照图1,本发明实施例提供一种滤波器的裸芯片封装结构100,所述滤波器的裸芯片封装结构100包括:线路基板1、衬底2、叉指换能器3、盖板层6、衬底锡球4和衬底保护层5。

线路基板1用于支撑固定盖板层6。

所述衬底2间隔设置于所述线路基板1的其中一侧。

所述叉指换能器3固定于所述衬底2靠近所述线路基板1的一侧,且与所述线路基板1间隔设置;使得叉指换能器3不会接触到线路基板1,安全性高。

所述衬底锡球4包括多个,多个所述衬底锡球4固定于所述衬底2靠近所述线路基板1的一侧,所述衬底锡球4与所述叉指换能器3间隔设置,所述衬底2通过衬底锡球4支撑固定于所述线路基板1且形成电连接;至少部分所述衬底锡球4采用的焊接材料的配比相异,以使不同位置的所述衬底锡球4在同样的回流焊温度条件时下陷度相异,并使得所述衬底2相对于所述线路基板1呈倾斜设置,所述衬底2与所述线路基板1形成斜向空腔7;所述叉指换能器3位于所述斜向空腔7内。

所述盖板层6完全盖设于所述线路基板1,所述盖板层6包括盖板层本体61、由所述盖板层本体61向远离所述线路基板1凹陷形成的安装槽62和由所述安装槽62的任意一侧的槽侧壁凸出形成的溢料凸点63,所述衬底2安装于所述安装槽62内,并使得所述溢料凸点63夹设于所述衬底2与所述线路基板1之间,所述衬底2抵接所述溢料凸点63的一侧相较于与其相对的另一侧更远离所述线路基板1;通过将盖板层本体61盖设于线路基板1上,将衬底2安装于安装槽62内,通过安装槽62一侧的溢料凸点63将衬底2和线路基板1间隔,同时,还能对衬底2进行支撑,以使所述衬底2安装固定于所述安装槽62内,固定效果好。

所述衬底保护层5夹设于所述盖板层6和所述衬底2之间,并延伸至所述盖板层6和所述线路基板1之间,且溢料凸点阻挡于所述斜向空腔之外。从而能对盖板层6、衬底2及线路基板1之间形成保护。

具体的,由于对滤波器不同位置的锡球,进行不同的焊接材料配比,使得不同位置的锡球在同样的回流焊温度下,下陷程度将会有所不同;进而形成斜向空腔7,完成斜向空腔7的滤波器封装;盖板层6在斜向空腔7的一端形成较大的模料内溢的溢料凸点63,用于支撑固定衬底2;将滤波器的叉指换能器3布置在远离该端的位置,就能在比较宽泛的回流焊温度条件下,保证模料内溢不会触碰滤波器叉指换能器3,且保证滤波器叉指换能器3不会接触到线路基板1引起失效。这样通过对滤波器的倾斜封装,来降低裸芯片封装结构100的封装难度,提高射频模组封装的良率。

在本实施例中,所述焊接材料的配比为锡/铜配比。由于对滤波器不同位置的锡球,进行不同的锡/铜配比设置,使得不同位置的锡球在同样的回流焊温度下,下陷程度将会有所不同;进而形成斜向空腔7,完成斜向空腔7的滤波器封装。

在本实施例中,所述溢料凸点63为圆弧结构。从而使得衬底保护层5不会受到衬底2和溢料凸点63的挤压破坏衬底保护层5,安全性高。

在本实施例中,所述盖板层6为固体树脂材料制成。盖板层6通过固体树脂材料填充于衬底保护层5远离所述衬底2的一侧固化后形成,结构强度高。同时,溢料凸点63通过固体树脂材料填充的过程中,通过模料内溢形成,溢料凸点63对衬底2的固定效果好。

在本实施例中,所述衬底2靠近所述溢料凸点63的一侧向其远离所述溢料凸点63的一侧的方向,所述衬底2与所述线路基板1之间的间距逐渐减小。方便形成斜向空腔7,裸芯片封装效率高。

在本实施例中,多个所述衬底锡球4固定于所述衬底2且间隔设置于所述叉指换能器3的相对两侧。方便安装叉指换能器3,同时还能通过衬底锡球45和线路基板1电连接,并能有效的形成支撑衬底2,从而将叉指换能器3与线路基板1隔离,避免叉指换能器3与线路基板1接触,进而引起滤波器失效。

在本实施例中,所述衬底锡球4包括固定于所述衬底2的呈柱状的铜柱41和形成于的所述铜柱41端部的呈半圆形结构的锡球42,所述锡球42的圆弧面固定于所述线路基板1实现电连接。这样便于衬底2和线路基板1电连接。

0在本实施例中,所述滤波器的裸芯片封装结构100还包括多个间隔固定于所述线路基板1远离所述衬底2的一侧的模组锡球8。方便模组锡球8和芯片电连接,从而实现射频模组的整体组装。

本发明实施例提供一种射频模组,所述射频模组包括上述的滤波器的裸芯片封装结构100。

5上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式用等同变化,均属于本发明的保护之内。

技术分类

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