显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置。

背景技术

MicroLED(微发光二极管)以其优越的显示效果被视为最具潜力的新型显示技术，而氧化物半导体器件(TFT，Thin Film Transistor，薄膜晶体管)以其优异的均一性，较高的迁移率和较低的漏电流，成为大尺寸MicroLED显示器件的最佳选择。但氧化物半导体器件光照稳定性较差，在持续光作用下，器件的电学特性会发生漂移，因此如何减少LED(light-emitting diode)光源对TFT的影响是MicroLED技术开发过程中需要解决的问题。

目前业界有尝试增加顶部遮光层的方式来减少光照影响，但整面涂布均匀的遮光层材料后仍会有部分光穿过遮光层影响到TFT器件，仍会使TFT器件的电学特性发生漂移。因此，如何防止光线穿过遮光层材料成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，以解决设置遮光层后，LED光线仍能穿过遮光层影响到TFT的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种显示面板，包括：

基板；

像素驱动电路层，位于所述基板上，包括多个像素驱动电路，每一所述像素驱动电路包括TFT和形成于所述TFT上的第一钝化层；

多个发光元件，设置于所述第一钝化层上，每一所述发光元件通过像素电极与对应的所述像素驱动电路的所述TFT电性连接；

第一遮光层，形成于所述第一钝化层上，设有多个开孔以暴露并围绕多个所述发光元件；

其中，所述第一遮光层背离所述第一钝化层的一侧形成有多个凸起，所述凸起的顶部与所述第一钝化层的距离小于所述发光元件与所述第一钝化层的距离。

根据本发明一优选实施例，相邻两个所述凸起之间的连接面的截面形状包括V型、U型和W型中的一种或多种。

根据本发明一优选实施例，所述凸起呈长条型，其两端端部分别延伸至所述第一遮光层的两边界。

根据本发明一优选实施例，所述基板上还形成有第二遮光层，所述TFT结构层形成于所述第二遮光层上，且所述第二遮光层与所述第一遮光层部分重叠。

根据本发明一优选实施例，所述凸起的厚度的范围为100-300nm。

根据本发明一优选实施例，所述发光元件为微型发光二极管。

根据本发明一优选实施例，所述第一遮光层靠近所述发光元件的部分相比于所述第一遮光层远离所述发光元件的部分设置有更多的凸起。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括：

在基板上形成第二遮光层；

在所述第二遮光层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成TFT；

在所述TFT上形成第一钝化层并图案化所述第一钝化层以形成第一开口；

在所述第一钝化层上形成像素电极以暴露于所述第一开口；

在所述第一钝化层上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成第一遮光层，并图案化所述第一遮光层和所述第二钝化层以形成第二开口；

对所述第一遮光层背离所述第一钝化层的一侧进行蚀刻以形成多个凸起

在所述像素电极上形成发光元件，所述发光元件电性连接于所述像素电极并暴露于所述第二开口。

本发明还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的显示面板或采用上述制作方法所制作的显示面板。

本发明的有益效果为：本发明通过在第一遮光层上设置多个凸起，使得发光二极管射向第一遮光层的光线在凸起处发生多次反射，从而被凸起多次吸收，大大增加了第一遮光层对发光二极管的光线的吸收能力，解决了发光二极管所发出的光线穿过所述第一遮光层影响到TFT的问题，有效减少了光线对TFT电学特性的影响。

附图说明

附图1为本发明的显示面板的部分结构示意图；

附图2为本发明一实施例中凸起的结构示意图；

附图3为本发明一实施例中凸起的结构示意图；

附图4为本发明一实施例中凸起的结构示意图；

附图5为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图6为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图7为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图8为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图9为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图10为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图11为本发明显示面板制作方法中的一步骤示意图；

附图12为本发明一实施例中凸起的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或模块，而是可选地还包括没有列出的步骤或模块，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

参照图1，本发明提供一实施例，一种显示面板，包括基板1、像素驱动电路层和多个发光元件14，其中，所述基板1用于承载设置于其上的膜层，所述基板1可以包括如玻璃、石英和聚合物树脂的单层绝缘材料，或者如双层聚合物树脂的多层绝缘材料，所述基板1可以是刚性基板、或者柔性基板。所述像素驱动电路层位于所述基板1上，包括多个像素驱动电路，每一所述像素驱动电路包括TFT，可以知道的是，所述TFT包括栅极层、栅极绝缘层5、有源层4和源漏极层，所述栅极层包括栅极6，所述源漏极层包括源漏极8，所述源漏极层上形成有第一钝化层9，所述第一钝化层9可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质；多个发光元件14设置于所述第一钝化层9上，每一所述发光元件14均与对应的所述像素驱动电路的所述TFT电性连接，所述发光元件14可以是微型发光二极管，可以知道的是，所述第一钝化层9上设置有开孔，所述开孔内形成有像素电极10，所述微型发光二极管通过所述像素电极10与所述源漏极层的源漏极8连接；所述第一钝化层9上形成有第一遮光层12，所述第一遮光层12上设有多个开孔以暴露并围绕多个所述发光元件14，所述第一遮光层12背离所述第一钝化层9的一侧形成有多个凸起13，可以知道的是，当所述微型发光二极管的所发出的光线射向所述凸起13时，部分光线将反射至与之相邻的另一所述凸起13，被反射的所述光线被所述凸起13多次吸收，大大增加了所述第一遮光层12对光线的吸收能力，即增加了所述第一遮光层12的遮光效果。

本发明通过在第一遮光层12上设置多个凸起13，使得发光二极管射向第一遮光层12的光线在凸起13处发生多次反射，从而被凸起13吸收，大大增加了第一遮光层12对发光二极管的光线的吸收能力，解决了发光二极管所发出的光线穿过所述第一遮光层12影响到TFT的问题，有效减少了光线对TFT电学特性的影响。

本发明一实施例，由上述可知，增加光线在所述凸起13的反射次数可提升所述第一遮光层12对光线的吸收能力，故为了进一步提升所述第一遮光层12的遮光效果，通过设计使得射向所述凸起13的光线在相邻两个凸起13之间至少发生两次反射，可以知道的是，由于入射角度的原因，射向所述凸起13的光线中，仅有部分光线可发生两次及以上的反射次数。

具体的，如图2所示，以相邻两个所述凸起13连接面的截面形状为V型作为示例性说明，相邻两个所述凸起13之间互相连接，即相邻两个凸起13之间的距离L

具体的，如图3所示，射向所述第一遮光层12的光线在所述凸起13间发生反射的次数与所述凸起13的两条斜边的角度相关，所述光线的入射点不变，改变所述凸起13的两条斜边的角度，当相邻两个凸起13之间的距离为L

具体的，如图4所示，射向所述第一遮光层12的光线在所述凸起13间发生反射的次数还与相邻所述凸起13之间的距离有关，所述光线的入射点不变，当所述凸起13的两条斜边的角度为θ

当所述凸起13的两条斜边的角度不变，仅变化高度时，是对所述凸起13的同比例放大，因此，本实施例中不做说明。

上述仅以两个所述凸起13的连接面的截面形状为V型时做示例性说明，可以知道的是，两个所述凸起13的连接面的截面形状是其他凹型时，通过改变相关参数也可实现上述效果，如U型和W型，上述形状的变形也在本申请的构思和保护之内。

综上所述，改变所述凸起13的两条斜边的角度以及相邻所述凸起13之间的距离均可改变所述光线在所述凸起13之间的反射次数，因此，在本领域技术人员需要光线在所述凸起13中达到相应的反射次数时，本领域技术人员能够通过改变上述参数以达到足够的反射次数。

本发明一实施例，如图12所示，所述凸起13呈长条型，其两端端部分别延伸至所述第一遮光层12相对的两边界，可以知道的是，所述凸起13还可设置为较短的长条型，阵列设置于所述第一遮光层12上。

本发明一实施例，所述钝化层包括第一钝化层9和第二钝化层11，所述第一钝化层9形成于所述源漏极层上，所述第二钝化层11形成于所述第一钝化层9上，所述第一遮光层12和所述发光元件14均位于所述第二钝化层11上，所述像素电极10形成于所述第一钝化层9和所述第二钝化层11所开设的开孔内。

本发明一实施例，所述基板1上还形成有第二遮光层2，所述第二遮光层2上形成有绝缘层3，所述TFT结构层形成于所述绝缘层3上，具体的，所述有源层4形成于所述绝缘层3上，所述第二遮光层2的位置对应于所述有源层4并与所述第一遮光层12部分重叠，以对所述有源层4的两侧进行遮光保护。

本发明一实施例，所述第一遮光层12上所述凸起13的顶部与所述第一钝化层9的距离小于所述发光元件14的发光面与所述第一钝化层9的距离，可以知道的是，所述第一遮光层12及其上的凸起13均是用于吸收所述发光元件14所发出的光，以防止对TFT的电学特性造成影响，因此所述发光元件14的发光面应大于所述凸起13的顶部与所述钝化层的距离，所述凸起13的厚度范围为100-300nm，具体的，所述凸起13的厚度为200nm。

本发明一实施例，所述第一遮光层12靠近所述发光元件14的部分相比于所述第一遮光层12远离所述发光元件14的部分设置有更多的凸起13，可以知道的是，由于光线传播及所述发光元件14发光角度的问题，距离所述发光元件14较近的所述第一遮光层12将会受到更强的光照强度，基于此，可在所述第一遮光层12靠近所述发光元件14的部分设置更多的凸起13，以达到更好的遮光效果。

本发明还提供一种显示面板的制作方法，具体包括以下步骤：

如图5所示，在玻璃基板1上沉积第一金属层，具体的，可采用物理气相溅射沉积法来形成所述第一金属层，所述第一金属层可为Mo、Mo/Cu膜层等，对所述第一金属层进行图形化处理以形成第二遮光层2。

如图6所示，在所述基板1及所述第二遮光层2上沉积一层无机阻隔层，即上述绝缘层3，具体的，可采用化学气相沉积法来形成所述无机阻隔层，所述无机阻隔层可以为SiOx或SiNx膜层。

在所述绝缘层3上沉积一氧化半导体层，对所述氧化半导体层图形化形成有源层4，具体的，采用物理气相溅射沉积法形成所述有源层4，所述有源层4包括GZO/IGTO/IGZTO等氧化半导体层。

如图7所示，在所述有源层4上沉积一无机阻隔层，即上述栅极绝缘层5，具体的，可采用化学气相沉积法来形成栅极绝缘层5，所述栅极绝缘层5可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等，这些物质可以单独使用或彼此组合而使用。

在所述栅极绝缘层5上，沉积第二金属层，对所述第二金属层图形化形成上述栅极层，并采用顶部栅极自对准工艺完成栅极绝缘层5的图形化，所述栅极6可以利用低电阻物质构成。所述栅极6可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属，但并不局限于此。

如图8所示，在所述绝缘层3、有源层4及栅极层上沉积间质保护层7，具体的，采用化学气相沉积法形成所述间质保护层7，所述间质保护层7材料可为SiOx或SiOx/SiNx叠层材料，并通过光刻制程开孔，然后通过物理气相沉积Cu或Mo金属层，以形成所述源漏极8。

如图9所示，在所述间质保护层7和所述源漏极8上沉积一钝化保护层，以形成第一钝化层9，具体的，可通过化学气相沉积所述第一钝化层9，所述第一钝化层9的膜层材质可为SiOx或SiOx/SiNx叠层材料。通过光刻制程在所述第一钝化层9上形成第一开口，并通过物理气相沉积ITO/IZO等金属层，以在所述第一开口形成TFT的像素电极10。

如图10和图11所示，在所述像素电极10和所述第一钝化层9上继续采用化学气相沉积法形成第二钝化层11，所述第二钝化层11的膜层材质可为SiOx或SiNx膜层；然后涂布遮光层材料，以形成上述第一遮光层12，所述第一遮光层12可为BM(Black matrix，黑色矩阵)等光吸收材料，如黑色有机光阻材料，然后再通过干法刻蚀工艺对第二钝化层11和所述第一遮光层12在像素电极10所对应位置形成第二开口。继续通过干法蚀刻工艺对所述第一遮光层12的表面进行特殊处理，以形成上述凸起13。在所述像素电极10上形成发光元件，所述发光元件电性连接于所述像素电极10并暴露于所述第二开口。

本发明通过在第一遮光层12上形成多个凸起13，使得发光二极管射向第一遮光层12的光线在凸起13处发生多次反射，从而被凸起13多次吸收，大大增加了第一遮光层12对发光二极管的光线的吸收能力，解决了发光二极管所发出的光线穿过所述第一遮光层12影响到TFT的问题，有效减少了光线对TFT电学特性的影响。

本发明还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的显示面板或如上述制作方法所制作的显示面板。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。