用于存储器感测的快速激活

本专利申请要求Majerus的题为“用于存储器感测的快速激活(QUICK ACTIVATEFOR MEMORY SENSING)”的美国专利申请第16/686,071号的优先权，所述美国专利申请提交于2019年11月15日，所述美国专利申请已转让给本申请的受让人，并且所述美国专利申请的全部内容以引用方式明确地并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及用于存储器感测的快速激活。

背景技术

下文通常涉及包含至少一个存储器装置的系统，并且更具体地涉及执行快速激活命令序列。

存储器装置被广泛用来在诸如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。例如，二进制装置最经常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两个状态之一。在其它装置中，可以存储不止两个状态。为存取所存储的信息，装置的组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为存储信息，装置的组件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪速存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在没有外部电源的情况下，也可以在延长的时间段内保持它们所存储的逻辑状态。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开时可能丢失它们所存储的状态。FeRAM可以能实现类似于易失性存储器的密度，但是由于使用铁电电容器作为存储装置而可以具有非易失性属性。

在部署存储器装置之前，可对存储器装置执行测试程序以识别缺陷并确保存储器装置的可靠性。还可执行测试程序以识别在部署存储器装置时可能发生的存储器装置的故障。

发明内容

本文公开了一种方法。所述方法可包含将包括存储器阵列的存储器装置配置成在第一模式中操作，所述第一模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的命令序列相关联；在将所述存储器装置配置成在所述第一模式中操作之后，接收与所述存储器阵列的存储器单元相关联的激活命令；以及至少部分地基于将所述存储器阵列配置成在所述第一模式中操作来执行用于执行所述激活命令的第一组操作，其中当所述存储器装置配置于所述第二模式中时，在比用于执行所述激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行所述第一组操作。

本文公开了一种设备。所述设备可以包含存储器单元和存储器控制器，所述存储器控制器与存储器单元耦合并且可配置成在第一模式中操作，所述第一模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的激活序列相关联。所述存储器控制器可操作以执行与所述第一模式相关联的第一组操作以在配置于所述第一模式中时执行激活命令，或执行与所述第二模式相关联的第二组操作以在配置于所述第二模式中时执行用于存取所述存储器单元的所述激活命令，其中用于执行所述第一组操作的持续时间短于用于执行所述第二组操作的持续时间。

本文公开了另一种设备。所述设备可包含存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元和与所述存储器阵列耦合的存储器控制器。所述存储器控制器可操作以配置第一模式，所述第一模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的一或多个命令序列相关联；在配置所述第一模式之后接收与所述存储器单元相关联的激活命令；以及至少部分地基于将所述存储器阵列配置成在所述第一模式中操作来执行用于执行所述激活命令的第一组操作，其中当配置所述第二模式时，在比用于执行所述激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行所述第一组操作。

附图说明

图1示出了支持执行如本文所公开的快速激活命令序列的系统的实例。

图2示出了支持执行如本文所公开的快速激活命令序列的存储器管芯的实例。

图3示出了用于执行本文所公开的快速激活命令序列的方法的实例。

图4示出了支持执行如本文所公开的快速激活命令序列的存储器装置的框图。

图5和6示出了说明支持执行本文所公开的快速激活命令序列的方法的流程图。

具体实施方式

可使用存取命令将信息存储在存储器装置中且从存储器装置读取信息，所述存取命令在存储器装置处触发用于存取(例如，读取或写入)由存取命令寻址的存储器单元的操作序列的性能。在一些实例中，用于执行所接收的存取命令的操作序列(或“存取命令序列”)基于存储器装置所使用的技术而不同。举例来说，用于存取铁电存储器单元的存取命令序列(例如，激活(ACT)命令序列)可包含附加操作且具有比用于存取动态随机存取存储器(DRAM)单元的对应存取命令序列(例如，ACT命令序列)长的持续时间。

在一些实例中，存取命令还用于实施存储器装置的测试程序。即，测试程序可通过向存储器装置提供特定系列的存取命令而以特定次序将一系列电压施加到存储器装置的特定组件。然而，随着存储器装置的容量的增加，测试程序的持续时间也增加。对于使用存取命令来实施与较长持续时间的存取命令序列相关联的测试程序和技术的存储器装置来说，可能会加剧测试程序持续时间的这种增加。除了增加的测试程序持续时间之外，使用存取命令序列来实施测试程序可导致电流(且因此功率)使用增加和可能对测试程序产生负面影响的意外干扰，例如，当存取命令序列致使存储器装置执行修改一或多个存储器组件的电压的不必要操作时。

为了减少测试持续时间、减少测试过程期间的电流汲取，且减轻意外干扰的负面影响，可在测试存储器装置时使用新存取命令序列。例如，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行ACT命令。在一些实例中，可以使用一组操作来执行ACT命令，该组操作省略了原本将被执行以执行ACT命令的操作，例如，可以省略与在存储器单元与数字线之间交换电荷或与感测位线的电压以确定由相应的存储器单元存储的逻辑状态相关联的操作，或者省略这两者。通过省略该组修改的操作中的某些操作，可减少ACT命令序列的持续时间，可减少存储器装置在ACT命令序列期间汲取的电流量，或可减少由ACT命令序列引起的干扰量，或其任何组合。在一些实例中，用于执行ACT命令的一组修改的操作被称为快速ACT命令序列，并且一组未修改的操作可以被称为ACT命令序列。

在一些实例中，当在存储器装置上执行的测试程序独立于存储器单元的逻辑状态时，例如，当测试程序与在测试程序期间是否正从存储器单元读取正确的逻辑状态且将正确的逻辑状态写回到存储器单元不相关时，可使用快速ACT命令。另外，或者可替代地，当ACT命令序列的持续时间超过阈值持续时间，由ACT命令序列汲取的电流量超过阈值电流，或者ACT命令序列引起的干扰量超过阈值量，或者其任意组合时，可以使用快速ACT命令。另外，或者可替代地，快速ACT命令序列可以用于支持这样的测试程序，所述测试程序旨在在不调节在ACT命令序列期间施加到组件或从组件去除的附加电压的情况下测试组件。

如参考图1和2所描述的，最初在存储器系统和管芯的上下文中描述本公开的特征。然后在用于执行图3中的快速激活命令序列的示范性方法的上下文中描述本公开的特征。参考图4到6中的涉及执行快速激活命令序列的设备图和流程图进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1示出了支持执行如本文所公开的快速激活命令序列的系统100的实例。

系统100可包含主机装置105、存储器装置110和多个信道115，所述信道115使主机装置105与存储器装置110耦合。系统100可包含一或多个存储器装置110，但可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述一或多个存储器装置110的各方面。系统100可包含电子装置(例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统)的各部分。例如，系统100可以示出计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器等的各方面。存储器设备110可以是系统的组件，所述组件可操作以为系统100的一或多个其它组件存储数据。

系统100的至少一部分可以是主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器来执行处理的装置内(诸如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置或一些其它固定或便携式电子装置等内)的处理器或其它电路的实例。在一些实例中，主机装置105可指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称为主机或主机装置105。

存储器装置110可为独立装置或组件，可操作以提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间。在一些实例中，存储器装置110可经配置以与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可操作以支持以下各项中的一或多者：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种形状因数、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例或其它因素。

存储器装置110可操作以为主机装置105的组件存储数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属类型装置(例如，通过外部存储器控制器120响应并执行由主机装置105提供的命令)。这些命令可以包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。

主机设备105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130，或诸如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。

处理器125可操作以为系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或这些组件的组合。在这样的实例中，处理器125可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或片上系统(SoC)等的实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可以由处理器125来实现或作为其一部分。

BIOS组件130可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，可以初始化和运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储在只读存储器(ROM)、闪存或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器管芯160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所需容量或指定容量。每个存储器管芯160可以包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个库、一或多个块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一个数据位。包含两个或两个以上存储器管芯的存储器件110可被称为多管芯存储器或多管芯封装或多芯片存储器或多芯片封装。

装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含硬件、固件或指令，所述指令使存储器装置110能够执行各种操作并且可操作以接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可操作以与外部存储器控制器120、一或多个存储器管芯160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可以连同存储器管芯160的本地存储器控制器165，控制本文中所描述的存储器装置110的操作。

在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或接收数据及命令两者。例如，存储器装置110可以接收指示存储器设备110将为主机装置105存储数据的写入命令或者指示存储器装置110将向主机装置105提供存储在存储器管芯160中的数据的读取命令。

本地存储器控制器165(例如，存储器管芯160的本地)可操作以控制存储器管芯160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器装置110可以不包含装置存储器控制器155和本地存储器控制器165，或者外部存储器控制器120可以执行本文描述的各种功能。这样，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165，或直接与外部存储器控制器120，或处理器125，或其组合通信。可以包含在装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者中的组件的实例可以包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调接收到的信号的解码器、用于编码或调制要传输的信号的编码器，或可操作用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者的所述操作的各种其它电路或控制器。

外部存储器控制器120可操作以启用信息、数据或命令中的一或多个在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间的通信。外部存储器控制器120可以转换或翻译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，本文所述的外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件或其功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可以是由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某种组合。虽然在一些实例中，外部存储器控制器120被描绘为在存储器装置110外部，但本文中所描述的外部存储器控制器120或其功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施或反之亦然。

主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可操作以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每个信道115可以是在主机装置105与存储器装置之间运送信息的传输媒体的实例。每个信道115可以包含在与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作来运送信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含主机装置105处的一或多个引脚或垫和存储器装置110处的一或多个引脚或垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可操作以充当信道的一部分。

信道115(以及相关的信号路径和端子)可以专用于传送一或多种类型的信息。例如，信道115可以包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192或其组合。在一些实例中，可以使用单数据速率(SDR)信令或双数据速率(DDR)信令在信道115上进行通信。在SDR信令中，可以为每个时钟周期(例如，在时钟信号的上升沿或下降沿)登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在DDR信令中，可以为每个时钟周期(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上)登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。

在一些实例中，信道115可以包含一或多个命令和地址(CA)信道186。CA信道186可操作以在主机装置105与存储器装置110之间传送命令，所述命令包含与所述命令(例如，地址信息)相关联的控制信息。例如，CA信道186可以包含带有所需数据的地址的读取命令。在一些实例中，CA信道186可以包含任何数量的信号路径以解码地址或命令数据中的一或多个(例如，八个或九个信号路径)。

在其它方面中，可例如在部署存储器装置110之前或同时测试存储器装置110的可靠性或缺陷。在一些实例中，在主机装置105上运行的测试程序可将存储器(或存取)命令序列提供到存储器装置110(例如经由通道115)以在存储器装置110上执行测试程序。在一些实例中，存储器装置110可经配置以基于配置于特定操作模式(例如，测试模式)中而使用经修改的存取命令序列来执行所接收的存取命令。例如，当存储器装置110配置于忽略存储在被存取的存储器单元中的数据的测试模式中时，存储器装置110可以执行省略一或多个操作的存取命令序列，这些操作原本将被用于执行所接收到的存取命令。省略操作的存取命令序列可以比包含所省略操作的存取命令序列更短、使用更少的电流或引入更少的干扰(或其任何组合)。

图2示出了支持执行如本文所公开的快速激活命令序列的存储器管芯200的实例。

存储器管芯200可以是参考图1描述的存储器管芯160的实例。在一些实例中，存储器管芯200可以被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器管芯200可包含一或多个存储器单元205，所述存储器单元每一者可经编程以存储不同逻辑状态(例如，一组两个或两个以上可能状态中的经编程一者)。举例来说，存储器单元205可操作以一次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多电平存储器单元)可操作以一次存储一个以上信息位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。

存储器单元205可以在电容器中存储表示可编程状态的状态(例如，极化状态或电媒体电荷)。在FeRAM架构中，存储器单元205可以包含电容器240，其包含铁电材料以存储表示可编程状态的电荷和/或极化。存储器单元205可以包含逻辑存储组件(诸如电容器240)和开关组件245。电容器240可以是铁电电容器的实例。电容器240的第一节点可以与开关组件245耦合，并且电容器240的第二节点可以与板线220耦合。开关组件245可以是在两个组件之间选择性地建立或取消建立电子通信的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。

存储器管芯200可以包含以诸如栅格状图案的图案布置的存取线(例如，字线210、数字线215和板线220)。存取线可以是与存储器单元205耦合的导线并且可用于对存储器单元205执行存取操作。在一些实例中，字线210可被称为行线。在一些实例中，数字线215可被称为列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线、位线或板线或其类似物的引用是可互换的，而不损失理解或操作。存储器单元205可以位于字线210、数字线215和/或板线220的交叉点处。

通过激活或选择存取线(诸如字线210、数字线215和/或板线220)，可以在存储器单元205上执行诸如读取和写入的操作。通过偏置字线210、数字线215和板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)，可以在其交叉点处存取单个存储器单元205。激活或选择字线210、数字线215或板线220可以包含将电压施加到相应线。

可以通过行解码器225、列解码器230和板驱动器235来控制存取存储器单元205。例如，行解码器225可以从本地存储器控制器265接收行地址，并且基于所接收的行地址来激活字线210。列解码器230从本地存储器控制器265接收列地址，并且基于所接收的列地址来激活数字线215。板驱动器235可以从本地存储控制器265接收板地址，并且基于所接收的板地址来激活板线220。

选择或取消选择存储器单元205可以通过激活或停用开关组件245来完成。使用开关组件245，电容器240可以与数字线215进行电子通信。例如，在开关组件245被停用时电容器240可以与数字线215隔离，并且在开关组件245被激活时电容器240可以与数字线215耦合。

字线210可以是与存储器单元205进行电子通信的导电线，所述导电线被用来在存储器单元205上执行存取操作。在一些架构中，字线210可与存储器单元205的开关组件245的栅极电子通信且可操作以控制存储器单元的开关组件245。在一些架构中，字线210可以与存储器单元205的电容器的节点进行电子通信，并且存储器单元205可以不包含开关组件。

数字线215可以是连接存储器单元205与感测组件250的导电线。在一些架构中，存储器单元205可以在部分的存取操作期间选择性地与数字线215耦合。举例来说，字线210以及存储器单元205的开关组件245可操作以选择性地耦合和/或隔离存储器单元205的电容器240和数字线215。在一些架构中，存储器单元205可以与数字线215进行电子通信(例如，恒定)。

板线220可以是与存储器单元205进行电子通信的导电线，所述导电线被用来在存储器单元205上执行存取操作。板线220可以与电容器240的节点(例如，单元底部)进行电子通信。在存储器单元205的存取操作期间，板线220可与数字线215协作以偏置电容器240。

感测组件250可确定存储在存储器单元205的电容器240上的状态(例如，极化状态或电荷)且基于所检测的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件250可以包含一或多个感测放大器以放大存储器单元205的信号输出。感测组件250可将从存储器单元205接收的跨越数字线215的信号与参考线255(例如，参考电压)进行比较。可将检测到的存储器单元205的逻辑状态作为感测组件250的输出而提供(例如，提供到输入/输出260)，且可将检测到的逻辑状态指示到包含存储器管芯200的存储器装置110的另一组件。

本地存储器控制器265可以通过各种组件(例如，行解码器225、列解码器230、板驱动器235和感测组件250)来控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器265可以是参照图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器225、列解码器230和板驱动器235及感测组件250中的一或多个可以与本地存储器控制器265在相同的位置。本地存储器控制器265可操作以从一或多个不同的存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器管芯200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个、将命令或数据(或两者)转换成可由存储器管芯200使用的信息、在存储器管芯200上执行一或多个操作，以及基于执行所述一或多个操作而将数据从存储器管芯200传送到主机装置105。本地存储器控制器265可以生成行信号和列地址信号以激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220。本地存储器控制器265还可以生成和控制在存储器管芯200的操作期间使用的各种电压或电流。通常，本文讨论的施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可以变化，并且对于在操作存储器管芯200中讨论的各种操作可以是不同的。

本地存储器控制器265可操作以在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行一或多个存取操作。存取操作的实例可以包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。本地存储器控制器265可操作以执行本文中未列出的其它存取操作或与存储器管芯200的操作相关的其它操作，所述操作与存取存储器单元205不直接相关。

本地存储器控制器265可操作以在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，可以对存储器管芯200的存储器单元205进行编程以存储所期望的逻辑状态。本地存储器控制器265可以识别要在其上执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数字线215及目标板线220。本地存储器控制器265可以激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220(例如，向字线210、数字线215或板线220施加电压)以存取目标存储器单元205。在写入操作期间，本地存储器控制器265可以向数字线215施加特定信号(例如，写入脉冲)，以在存储器单元205的电容器240中存储特定状态(例如，电荷)。用作写入操作的一部分的脉冲可以包含持续时间内的一或多个电压电平。

本地存储器控制器265可操作以在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可以确定存储在存储器管芯200的存储器单元205中的逻辑状态。本地存储器控制器265可以识别要在其上执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数字线215及目标板线220。本地存储器控制器265可以激活目标字线210、目标数字线215和目标板线220(例如，向字线210、数字线215或板线220施加电压)以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可以响应于偏置存取线而将信号传送到感测组件250。感测组件250可以放大信号。本地存储器控制器265可以激活感测组件250(例如，锁存感测组件)，并由此比较从存储器单元205接收的信号与参考线255。基于该比较，感测组件250可以确定被存储在存储器单元205上的逻辑状态。

可使用触发将在存储器管芯200处执行的一组操作(其也可被称为命令序列或存取命令序列)的存取命令将信息存储在存储器管芯200中并从其读取信息。在一些实例中，用于传送存取命令的信号包含对存取命令的类型的指示(例如，使用在信号中传送的两个比特)以及由存取命令所针对的存储器单元的地址(例如，使用在信号中传送的剩余比特)来指示存储器库、存储器区段或存储器行，或其任意组合。存取命令的类型可以包含激活(ACT)命令和预充电(PRE)命令。ACT命令可用于准备(或打开)存储器单元205的寻址行以用于后续读取或写入操作。举例来说，ACT命令可用于将与字线210(例如，WL_1)耦合的所有存储器单元205连接到耦合的数字线215(例如，DL_1到DL_N)。在一些实例中，ACT命令还可用于在存储器单元205行连接到数字线215之后感测存储器单元205行的逻辑状态，例如，通过激活与数字线215耦合的感测组件250。

PRE命令可用于在打开或存取或打开并存取一行存储器单元205之前关闭打开的另一行存储器单元205。在一些实例中，PRE命令可用于关闭包含一行存储器单元205的存储器区段或存储器库，使得可以打开存储器区段或存储器库中的不同行的存储器单元205。举例来说，PRE命令可用于将与字线210耦合的一行存储器单元205(例如，WL_1)从耦合的数字线215(例如，DL_1到DL_N)断开。在一些实例中，PRE命令还可用于将先前感测的逻辑状态(例如，在ACT命令期间由感测组件250感测的逻辑状态)写回到该行存储器单元205。在一些实例中，感测组件250的输出用于将先前感测的逻辑状态写回到存储器单元205行。在一些实例中，存储器管芯200处的本地存储器控制器265可以从外部装置(例如，主机装置)接收存取命令。在其它实例中，存取命令可以由存储器管芯200内部生成，例如，本地存储器控制器265可以根据安装在本地存储器控制器265或存储器管芯200上的另一组件上的测试程序生成存取命令。

本地存储器控制器265可以执行所接收或生成的存取命令。为了执行存取命令，本地存储器控制器265可以执行与存取命令相对应的一组操作(或存取命令序列)，例如，本地存储器控制器265可以以预定次序向特定组件施加一系列电压。在一些实例中，用于执行用于针对一种技术执行存取命令的存取命令序列的持续时间可以长于用于针对另一种技术执行相同存取命令的存取命令序列的持续时间。举例来说，用于执行存取一种技术的存储器单元的存取命令的存取命令序列可包含较长定时间隔，或相对于用于执行存取另一技术的存储器单元的相同存取命令的存取命令序列而言的附加操作，或两者。例如，执行存取命令序列以执行打开铁电存储器单元行的ACT命令(或ACT命令序列)可能花费比执行打开DRAM单元行的ACT命令序列更长的时间。类似地，执行一组操作以执行关闭铁电存储器单元行的PRE命令(或PRE命令序列)可能花费比执行关闭DRAM单元行的PRE命令序列更长的时间。

在一些实例中，为一或多个铁电存储器单元205执行ACT命令序列可以包含三组操作。也就是说，ACT命令序列可以包含第一组操作，所述第一组操作与将一或多个铁电存储器单元205连接到一或多个数字线215相关联。ACT命令序列还可以包含第二组操作，所述第二组操作与在一或多个铁电存储器单元205与一或多个数字线215之间交换电荷相关联，例如基于存储在一或多个铁电存储器单元205中的电荷。并且ACT命令序列可以包含第三组操作，所述第三组操作与感测一或多个数字线215的电压以确定存储在一或多个铁电存储器单元205中的逻辑状态相关联，例如基于在一或多个铁电存储器单元205与一或多个数字线215之间交换的电荷。

ACT命令序列中的第一组操作可以包含在对ACT命令中包含的行地址进行解码的同时激活由ACT命令寻址的存储器库或存储器区段。在行地址被解码并且位线215被预充电之后，可以识别字线210，所述字线与位于行地址处的一行铁电存储器单元205耦合。

ACT命令序列中的第二组操作可以包含对存储器库或存储器区段中的数字线215进行预充电，所述数字线215与由ACT命令寻址的该行铁电存储器单元205耦合。在一些实例中，数字线215在解码行地址的同时被预充电。在其它实例中，在解码行地址之后对数字线215进行预充电。在一些实例中，对数字线215进行预充电可包含将数字线215充电到非零电压。在一些实例中，对数字线215进行预充电包含在将数字线215充电到中间电压之后向数字线215施加附加的“升压”电压，例如，以完成将数字线预充电到感测电压。在其它实例中，对数字线215进行预充电可包含将数字线215连接到接地或虚拟接地。

在解码行地址并预充电数字线215之后，第二组操作可以包含激活与铁电存储器单元205行耦合的字线210(例如，激活电压可以施加到字线210)，使得存取电压被施加在铁电存储器单元205行上。在激活字线210并在铁电存储器单元行上施加存取电压之后，第二组操作可包含等待预定持续时间以随着在铁电存储器单元205行与数字线215之间交换电荷而在数字线215上产生信号。在一些实例中，数字线215的电压可在产生信号时被保持在感测电压，并且放大电容器可用于测量用于保持感测电压的电荷量。

可以在执行第二组操作之后执行ACT命令序列中的第三组操作。第三组操作可包含关闭门，所述门将感测组件250与数字线215隔离(或“隔离门”)，从而将感测组件250连接到数字线215。在将感测组件250连接到数字线215之后，可基于铁电存储器单元205行与数字线215之间的电荷交换而激活感测组件250以感测铁电存储器单元205行所存储的逻辑状态。在一些实例中，感测基于在信号产生等待时段结束时由放大电容器存储的电荷量。在一些实例中，感测逻辑状态可包含锁存感测组件250的输出以存储所感测的逻辑状态。

在感测并锁存铁电存储器单元205行的逻辑状态之后，第三组操作可包含从铁电存储器单元205行上去除所施加的电压(例如，可在铁电存储器单元205行上施加零伏)以完成ACT命令序列。在一些实例中，当在铁电存储器单元205上不施加电压时，铁电存储器单元205可被称为处于零干扰状态。在一些实例中，用于完全执行ACT命令序列的持续时间可以延长大约77.5纳秒。在一些实例中，字线210在完成ACT命令序列之后保持激活。在一些实例中，从铁电存储器单元205行上移除电压可致使最初存储在铁电存储器单元205行的一部分处的逻辑状态(例如，铁电存储器单元存储“0”)被重写到铁电存储器单元的所述部分，且相反的逻辑状态被存储在铁电存储器单元205行的另一部分处(例如，铁电存储器单元存储“1”，或反之亦然)。在一些实例中，去除施加在铁电存储器单元205行上的电压可包含例如通过将数字线215放电到虚拟接地来均衡(一或多个)板线220(例如PL_1)和数字线215的电压。

在一些实例中，为一或多个铁电存储器单元205执行PRE命令序列可以包含两组操作。也就是说，PRE命令序列可以包含第一组操作，所述第一组操作与将先前感测的逻辑状态写回到一或多个铁电存储器单元205相关联。并且PRE命令序列可以包含第二组操作，所述第二组操作与使一或多个铁电存储器单元205从一或多个数字线215断开相关联。

PRE命令序列中的第一组操作可以包含例如通过向耦合感测组件250和数字线215的晶体管施加激活电压来关闭隔离门，所述隔离门将感测组件250与数字线215隔离，所述数字线215与一行铁电存储器单元205耦合。在一些实例中，在第一间隔期间，在感测组件250与数字线215耦合之后，例如，在感测组件250处且与铁电存储器单元205相关联的锁存器输出高电压且将低电压施加到与铁电存储器单元205耦合的板线220的情况下，在铁电存储器单元205行的铁电存储器单元205上施加电压。

在关闭隔离门之后并且在第二间隔期间，第一组操作可以包含向(一或多个)板线220施加电压。在一些实例中，在将电压施加到(一或多个)板线220之后，例如，在感测组件250输出低电压且将高电压施加到与铁电存储器单元205耦合的板线220的情况下，在铁电存储器单元205行的铁电存储器单元205上施加电压。在一些实例中，感测组件250的(一或多个)输出基于在先前操作期间感测的铁电存储器单元205行的逻辑状态，例如响应于ACT命令而感测的逻辑状态。通过将(一或多个)板线200的电压从低电压移动到高电压，或反之亦然，可以将铁电存储器单元205行的先前由感测组件250感测的逻辑状态写回到铁电存储器单元205行。而且，通过执行第一组操作，铁电存储器单元205行的逻辑状态可以在破坏性感测操作之后恢复。

PRE命令序列中的第二组操作可以在执行第一组操作之后执行。第二组操作可以包含对数字线215和(一或多个)板线220的电压进行均衡使得不在铁电存储器单元205行上施加电压(即，0V)。在一些实例中，对数字线215和(一或多个)板线220的电压进行均衡包含向数字线215和(一或多个)板线220施加相同的电压(例如，低、中或高电压)。在一些实例中，对数字线215和(一或多个)板线220的电压进行均衡包含等待与去除位于铁电存储器单元205行的底部与将铁电存储器单元205行耦合到数字线215的选择组件之间的电荷相关的持续时间。也就是说，等待所述持续时间可以防止在去激活选择组件时捕获铁电存储器单元205底部上的残留电荷。一旦数字线215和(一或多个)板线220的电压已被均衡或持续时间已期满(或两者)，则铁电存储器单元205可被称为处于零干扰状态。

在对数字线215和(一或多个)板线220的电压进行均衡之后，第二组操作可以包含向与选择组件耦合的字线210施加去激活电压，这可以去激活选择组件并将铁电存储器单元205行与数字线215隔离。第二组操作可以包含去激活可被去激活的感测组件250。在一些实例中，在去激活字线210的同时去激活感测组件250。在其它实例中，在去激活字线210之后去激活感测组件。在感测组件250被去激活之后，第二组操作可以包含对感测组件250的节点进行均衡以完成PRE命令序列。在一些实例中，感测组件250的节点可以对应于与数字线215耦合的第一输入节点和与参考线255耦合的第二输入节点。在一些实例中，用于完全执行PRE命令序列的持续时间可以延长大约80纳秒。

可测试存储器管芯200以确保可靠性或识别故障(或两者)，以及其它原因。为了测试存储器管芯200，可以在存储器管芯200上执行一或多个测试程序。一些测试程序包含边缘测试、老化测试、可靠性测试、合格性测试和台架特性测试。边缘测试可包含在对存储器管芯200内的特定组件进行定时和电压测量的同时将特定图案施加到存储器管芯200内的组件。在一些实例中，边缘测试包含施加易于对存储器管芯200的组件造成信号干扰的图案。边缘测试可用于识别存储器管芯200内易受这种干扰影响的区域，例如，通过测量某些组件处的超过阈值电压的电压。老化测试可包含在极端操作条件(例如，升高的温度和/或电压)下操作存储器管芯200达延长的时间段。在老化测试的初始阶段期间，较不稳健的组件可能失效(例如，断开的存取线，存储器单元可能短路等)，且因此可在部署之前识别。老化测试可用于引起早期故障，使得存储器管芯200可经配置以在部署存储器管芯200之前避免发生故障的组件。

合格性测试可以包含在通告的规范内操作存储器管芯200，例如通过在指定的定时参数内执行命令序列。合格性测试可用于确认存储器管芯200符合通告的规格。类似地，台架特性测试可包含在某些参数内操作存储装置，例如通过在实验定时参数内执行命令序列。台架特性测试可用于确定存储器管芯200的规格。

在一些实例中，可以通过向存储器管芯200提供特定的存取命令序列来执行测试程序，例如，以向存储器管芯200内的组件施加特定的电压图案。例如，测试程序可以包含通过向本地存储器控制器265提供特定的ACT和PRE命令序列，将一系列电压施加到存储器管芯200内的特定组件。

随着存储器装置的容量增加，完成测试程序的持续时间也可增加，例如，随着测试更多的存储器单元、迹线、感测组件、驱动器等。此外，对于使用存取命令序列来执行测试程序的存储器装置，与高容量存储器装置相关联的测试程序的增加的持续时间对于使用与较长存取命令序列相关联的技术的存储器装置(例如FeRAM存储器装置)而言可加剧。

另外，对于使用存取命令序列来执行测试程序的存储器装置，为了执行存取命令而执行的某些操作可能不必要地汲取电流和/或干扰存储器装置中的其它组件，例如，当特定测试程序不打算汲取高电流和/或产生干扰时。

为了避免过多的成本和持续时间，可以采用缩短测试程序的技术。在一些实例中，为了减少测试持续时间和成本，存储器管芯200可经配置以在执行测试程序时使用一组修改的操作(例如，一组缩短的操作)来执行存取命令序列。另外，或者可替代地，为了避免不必要的电流汲取和不利于测试程序的干扰，存储器管芯200可以被配置成在执行测试程序时使用一组修改的操作(例如，排除用于施加和去除电压的操作的一组操作)来执行存取命令序列。

例如，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行ACT命令。例如，本地存储器控制器265接收以一行存储器单元205为目标(或寻址)的ACT命令，可以省略与在该行存储器单元205与相应的数字线215之间交换电荷相关的ACT命令序列中的操作，例如，以建立感测操作。本地存储器控制器265还可省略用于感测由存储器单元205行存储的逻辑状态的操作。这种命令序列可以被称为“快速ACT命令序列”。

在一些实例中，快速ACT命令序列可以包含两个操作。用于激活包含存储器单元205行的存储器区段的第一操作和用于激活与存储器单元205行耦合的字线210的后续操作。在一些实例中，快速ACT命令序列可以包含用于激活与存储器单元205行耦合的感测组件250的第三操作，其发生在字线210被激活之后。在一些实例中，用于完全执行快速ACT命令序列的持续时间可以延长大约10纳秒。

因此，相对于完整的ACT命令序列，快速ACT命令序列可以省略用于将数字线215预充电到预充电电压的操作；允许在存储器单元205行与数字线215之间交换电荷的延迟操作；用于将感测组件250连接到数字线215的操作；用于激活感测组件250的操作；用于存储由感测组件250感测的逻辑状态的操作；和/或用于将存储器单元205行返回到零干扰状态的操作，例如，因为存储器单元205行可以通过快速ACT命令序列保持在零干扰状态。在一些实例中，快速ACT命令或一系列快速ACT命令可用于以快速连续方式将一系列电压脉冲施加到字线210，而不干扰与字线耦合的其它组件(例如，存储器单元205行)。当快速ACT命令序列包含用于激活感测组件250的第三操作时，ACT命令或一系列ACT命令可用于以快速连续方式激活和去激活感测组件250，而不干扰与感测组件250耦合的其它组件(例如，存储器单元205行)。

在一些实例中，当存储器管芯200使用与用于感测逻辑状态的超过阈值持续时间的持续时间相关联的技术时，例如，在ACT命令序列超过40纳秒的情况下，可以使用快速ACT命令序列。在一些实例中，当在测试程序期间汲取的电流超过阈值电流时，例如，在使用一或多个ACT命令来激活多个存储器区段的情况下，可使用快速ACT命令序列。在一些实例中，当测试程序期间的干扰超过阈值干扰时，例如，在测试程序想要独立于干扰进行测量的情况下，可以使用快速ACT命令序列。此外，或者可替代地，当运行特定测试时，例如当执行忽略存储在存储器单元205中的逻辑状态的测试程序时，可以使用快速ACT命令序列。

通过使用快速ACT命令序列，使用包含ACT命令的命令序列的测试程序的持续时间可以显著地减少，例如，因为快速ACT命令序列的持续时间较短。而且，通过使用快速ACT命令序列，可以减少在测试程序期间使用的电流量，例如，因为减少了对存取线的电压的施加和去除，和/或减少了感测组件的激活。另外，通过使用快速ACT命令序列，可以减少对其它组件的意外干扰，因为减少了对存取线的电压的施加和去除，和/或减少了感测组件的激活。

在另一实例中，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行PRE命令。例如，本地存储器控制器265接收以(一或多个)存储器库、(一或多个)存储器区段和/或(一或多)行存储器单元205为目标(或寻址)的PRE命令，可以省略与将先前感测的逻辑状态写回到打开的一行存储器单元205相关的PRE命令序列中的操作。这种命令序列可以被称为“快速PRE命令序列”。

在一些实例中，快速PRE命令序列可以包含三个操作。用于去激活与存储器单元205行耦合的字线210的第一操作。用于去激活与存储器单元205耦合的感测组件250的以下操作。以及用于均衡可被均衡的感测组件250的节点的最终操作。在一些实例中，快速PRE命令序列可以包含四个操作。在这种情况下，快速PRE命令序列可以从对数字线215和与存储器单元205行耦合的(一或多个)板线220进行均衡开始，所述均衡发生在字线210被去激活之前。在一些实例中，用于完全执行快速PRE命令序列的持续时间可以延长15纳秒。

因此，相对于完整的PRE命令序列，快速PRE命令序列可以省略用于对数字线215和与存储器单元205行耦合的(一或多个)板线220进行均衡的操作；用于将激活的感测组件250(或与感测组件250相关联的锁存器)连接到数字线215的操作；用于向(一或多个)板线220施加电压(例如，写入电压)的操作；允许逻辑状态被写入存储器单元205行的延迟操作；和/或允许从存储器单元205行的底部去除电荷的延迟操作(例如，延迟操作)。在一些实例中，快速PRE命令可用于在减小的持续时间内关闭一行存储器单元205，使得后续命令(例如，ACT命令)可被更快速地处理，并允许将附加电压施加到该行存储器单元205、与该行存储器单元205相关联的组件和/或不同存储器单元205行。

在一些实例中，当存储器管芯200使用与用于写回逻辑状态的超过阈值持续时间的持续时间相关联的技术时，例如，在PRE命令序列超过40纳秒的情况下，可以使用快速PRE命令序列。在一些实例中，当在测试程序期间汲取的电流超过阈值电流时，例如，在使用一或多个PRE命令来关闭多个存储器区段的情况下，可使用快速PRE命令序列。在一些实例中，当测试程序期间的干扰超过阈值干扰时，例如，在测试程序想要独立于干扰进行测量的情况下，可以使用快速PRE命令序列。此外，或者可替代地，当运行特定测试时，例如当执行忽略存储在所存取的存储器单元205中的逻辑状态的测试程序时，可以使用快速PRE命令序列。

通过使用快速PRE命令序列，使用包含PRE命令的命令序列的测试程序的持续时间可以显著地减少，例如，因为快速PRE命令序列的持续时间较短。而且，通过使用快速PRE命令序列，可以减少在测试程序期间使用的电流量，例如，因为减少了对存取线的电压的施加和去除。另外，通过使用快速PRE命令序列，可以减少对其它组件的意外干扰，因为减少了对存取线的电压的施加和去除。

在一些实例中，快速ACT命令序列可以与快速PRE命令序列结合使用，以进一步减少测试程序的持续时间。而且，使用快速ACT和快速PRE命令序列可以使特定的操作模式(例如，测试模式)能够在不调节ACT和PRE命令序列中包括的某些操作的情况下执行程序(例如，测试程序)。

图3示出了用于执行本文所公开的快速激活命令序列的方法的实例。

流程图300说明由存储器装置使用第一组操作来执行所接收的ACT命令的各方面，所述第一组操作与相对于第二组操作(其也可被称为ACT命令序列)的较短持续时间、较小电流汲取和/或较小干扰(其也可被称为快速ACT命令序列)相关联。在一些实例中，当测试程序或测试程序的一部分忽略存储在存储器单元中的逻辑状态时，可以使用快速ACT命令序列。对于此类测试程序，在执行存取操作之后，存储在存储器单元中的逻辑状态是否被正确读取、存储和/或恢复在整个测试程序中可能并不重要。因此，快速ACT命令序列可以被配置成在缩短的持续时间内执行ACT命令和/或省略与可靠地写入存储器单元或从存储器单元读取相关的步骤。

在一些实例中，当执行监视存储在存储器单元中的逻辑状态的测试程序时或者当执行数据存取程序时，可以使用ACT命令序列。对于这样的测试和数据存取程序，在执行存取操作之后，存储在存储器单元中的逻辑状态最好是正确的。因此，ACT命令序列可以被配置成可靠地从存储器单元读取逻辑状态、将逻辑状态存储到存储器单元中，和/或恢复从存储器单元读取的逻辑状态。

在框305处，可以为存储器装置或由存储器装置选择测试程序。在一些实例中，测试程序由工程师选择，例如，作为部署前测试的一部分或基于在操作期间识别的问题。在一些实例中，测试程序由存储器装置选择，例如，基于加载在存储器装置上的较大测试程序内的一部分或基于存储器装置在操作期间识别的问题。在一些实例中，所选择的测试程序可以是在执行存取操作之前和之后忽略由存储器单元存储的逻辑状态的测试程序。忽略逻辑状态的测试程序可以包含应力测试、晶片级边缘测试、晶片级老化测试、晶片级可靠性测试、封装老化测试、单元级可靠性测试、合格性测试和/或特性测试。

在框310处，存储器装置可接收所选测试程序的指示。在一些实例中，接收所选测试程序的指示可以包含接收已经选择的特定测试程序或测试程序类型的指示。在一些实例中，从外部装置接收所选测试程序的指示。在其它实例中，从被编程为运行一个或一系列测试程序的内部组件接收所选测试程序的指示。

另外，或者可替代地，存储器装置可以接收使用特定的一组操作来执行所接收的存取命令的指示。在一些实例中，存储器装置可以接收将要使用快速ACT命令序列的指示。在一些实例中，快速ACT命令序列用于减少测试程序的持续时间，例如，因为快速ACT命令序列可以省略原本用于执行ACT命令序列的操作，并且可以更快地执行后续操作。类似地，快速ACT命令序列可用于减少电流汲取和对其它存储器组件的干扰，例如，因为快速ACT命令序列可省略原本用于改变一或多个存取线的电压和/或在ACT命令序列期间激活和去激活感测组件的操作。在ACT命令寻址多个存储器库、存储器区段和/或存储器行的情况下，或者当多个ACT命令用于激活多个存储器库时，快速ACT命令序列也可以用于减少电流汲取。

在一些实例中，快速ACT命令序列用于支持旨在对特定存储器组件进行单独控制的测试程序。例如，当快速ACT命令序列省略了与向数字线施加电压或从数字线去除电压相关联的操作时，试图控制数字线的测试程序可以使用快速ACT命令序列。因此，测试程序可以避免导致数字线干扰，所述数字线干扰原本将由在执行ACT命令序列时将电压施加到数字线引起。例如，将电压施加到数字线达预定持续时间的测试程序可使用快速ACT命令序列来防止在存储器单元行打开时且在施加电压之前将附加电压施加到数字线，例如，因为附加电压可能使测试程序的目的失效。

类似地，快速ACT命令序列可用于支持试图控制开关组件的测试程序和试图控制板线的测试程序，所述开关组件用于将感测组件连接到数字线。而且，快速ACT命令序列可以用于支持测试程序，所述测试程序试图测试感测组件而不干扰耦合的存储器组件。在一些实例中，快速ACT命令序列还可促进将特定电压序列施加到特定存储器组件，而不考虑原本将在执行ACT命令序列以关闭存储器单元时施加的电压。在一些实例中，将特定电压序列施加到板线或数字线(例如，循环)的测试程序可使用快速ACT命令序列来防止在关闭存储器单元时将附加电压施加到板线或数字线。在一些实例中，快速ACT命令序列可用于通过对数字线打开存储器单元而不将电压施加到数字线或与存储器单元耦合的板线来使存储器单元的底部放电。

在其它实例中，存储器装置可接收将使用ACT命令序列的指示。在一些实例中，执行ACT命令序列的持续时间可以比执行快速ACT命令序列的持续时间长。在一些实例中，ACT命令序列可以包含被包含在快速ACT命令序列中的操作和附加操作。在一些实例中，包含在ACT命令序列中的附加操作可以与在存储器单元与数字线之间交换电荷或感测存储器单元的逻辑状态或其任何组合相关联。

在框315处，存储器装置可经配置以用于对应于所选测试程序的测试模式。在一些实例中，存储器装置在外部经配置以用于测试模式，例如，通过将电压施加到测试引脚，可激活和/或去激活存储器装置内的某些组件以支持对应测试模式。在一些实例中，在经配置用于测试模式之后，存储器装置可根据经配置的测试模式来处理所接收的存取命令。

例如，如果激活测试引脚导致与忽略存储器单元的逻辑状态的测试程序相关联的第一测试模式被配置在存储器装置处，那么存储器装置可以在接收到ACT命令之后执行快速ACT命令序列。在其它实例中，如果激活测试引脚导致保持存储器单元的逻辑状态的第二测试模式被配置在存储器装置处，那么存储器装置可以在接收到ACT命令之后执行ACT命令序列。

在一些实例中，激活测试引脚可致使在存储器装置内且存储用于执行存取命令的第一组操作(例如，存储快速ACT命令序列)的第一测试组件被激活，和/或在存储器装置内且存储用于执行存取命令的第二组操作(例如，存储ACT命令序列)的第二测试组件被去激活。在一些实例中，激活测试引脚可致使感测组件避免执行与从存储器单元感测逻辑状态相关联的动作或完全停用。

在其它实例中，存储器装置将其自身配置成测试模式，例如，存储器装置可基于接收测试模式的指示而激活和去激活存储器装置内的某些组件。在一些实例中，存储器装置可配置测试模块以在接收到将运行忽略逻辑状态的测试程序的指示之后使用第一组操作(或存取命令序列，例如快速ACT命令序列、快速PRE命令序列等)来执行所接收的存储器命令。在另一实例中，所述存储器装置可配置测试模块以在接收到将使用所述第一组存取命令序列的指示之后使用所述第一组存取命令序列来执行所接收的存储器命令。在一些实例中，所述指示指示使用所指示的一组操作的特定持续时间。在其它实例中，存储器装置经配置以使用所指示的一组操作直到接收到相反指示为止。

在一些实例中，配置测试模块以使用第一组存取命令序列可以包含激活存储用于执行存取命令的第一组存取命令序列的第一测试组件和/或去激活存储用于执行存取命令的第二组操作(或存取命令序列，如ACT命令序列、PRE命令序列等)的第二测试组件。在一些实例中，存储器装置可配置感测组件以避免执行与感测来自存储器单元的逻辑状态相关联的动作，或可完全基于接收到测试程序的指示而停用感测组件。

在其它实例中，存储器装置可配置测试模块以在接收到旨在保持逻辑状态的测试程序将被运行的指示或第二组存取命令序列将被使用的明确指示之后使用第二组存取命令序列来执行所接收的存储器命令(例如，ACT命令序列)。在一些实例中，配置测试模块以使用第二组存取命令序列可以包含激活第二测试组件和/或去激活存储用于执行存取命令的第一组存取命令序列的第一测试组件。

在框320处，存储器装置可以接收ACT命令作为测试程序的一部分。在一些实例中，ACT命令用于打开存储器库、存储器区段和/或存储器单元行。打开存储器单元可包含准备用于存取存储器单元的组件(例如，字线、感测组件、数字线等)以进行感测操作(例如，通过对数字线进行预充电)。在一些实例中，打开存储器单元还可包含感测和/或存储存储器单元的逻辑状态。在一些实例中，从外部装置(例如，正在运行测试程序并生成执行测试程序的命令(包含ACT命令)的主机装置)接收ACT命令。在一些实例中，ACT命令是在存储器装置内生成的，例如，由正在运行测试程序的嵌入式测试模块生成。在一些实例中，所接收的ACT命令包含识别由所接收的ACT命令所针对的一或多个存储器单元的地址信息。例如，所接收的ACT命令可以包含与一或多个存储器单元相关联的存储器库地址、存储器区段地址和/或行地址。

在一些实例中，与也用于执行测试程序的其它存取命令一起(例如串行或并行地)接收ACT命令。在一些实例中，作为测试程序的一部分，在接收到用于一或多个存储器单元的PRE命令之后接收ACT命令，并且所述ACT命令可以用于关闭存储器单元行。在一些实例中，所接收的ACT命令是在ACT命令之后接收的，例如，以打开同一存储器区段中的多行存储器单元。

在框325处，存储器装置可以选择一组操作(或存取命令序列)来执行所接收的ACT命令。在一些实例中，存储器装置选择快速ACT命令序列作为被配置在与快速ACT命令序列相关联的第一测试模式中的结果，即，存储器装置可以基于先前被配置在第一测试模式中而自动执行快速ACT命令序列。在其它实例中，在确定存储器装置已经被配置在第一测试模式中之后，存储器装置选择快速ACT命令序列。在一些实例中，存储器装置基于确定正在执行特定测试程序或测试程序类型来选择快速ACT命令序列。

在一些实例中，快速ACT命令序列省略了包含在ACT命令序列中的操作，如与在存储器单元与数字线之间交换电荷或感测数字线的电压以确定存储器单元的逻辑状态相关联的操作，或两者。通过省略与在存储器单元与数字线之间交换电荷和/或感测数字线的电压相关联的操作，可以减少执行ACT命令的持续时间。省略的操作可以包含用于对与一行存储器单元耦合的数字线进行预充电的操作，例如，以准备感测操作。通过省略与对数字线进行预充电相关联的操作，数字线的电压可针对ACT命令的执行的全部或较长部分而保持固定(例如，在接地参考处)，从而减少在ACT命令的执行期间汲取的电流和对其它存储器组件的干扰。

省略的操作还可以包含等待操作，所述等待操作提供在一行存储器单元与预充电数字线之间可靠地交换电荷的持续时间。省略的操作还可包含用于在等待持续时间期满之后将感测组件连接到数字线的操作。在一些实例中，将感测组件连接到数字线可包含激活将感测组件耦合到数字线的隔离门。省略的操作还可以包含用于激活感测组件的操作。在一些情况下，激活感测组件包含将感测组件连接到电源电压源。另外，省略的操作可以包含用于对数字线和板线的电压进行均衡的操作，例如，因为数字线和板线的电压在快速ACT命令序列期间没有改变。

类似地，通过省略用于将感测组件的输出连接到数字线且将电压连接到板线的操作，可减少在寻址多行存储器单元的ACT命令(例如，ACTALL命令)期间汲取的电流量。在一些实例中，可以将汲取的电流量降低到阈值以下，这可以使得这样的ACT命令能够寻址增加数量的存储器行。

在其它实例中，例如，如果存储器装置被配置在与ACT命令序列相关联的第二测试模式中，可以选择ACT命令序列。在这种情况下，存储器装置可以通过执行包含上述省略的操作的ACT命令序列来执行所接收的ACT命令。

在框330处，存储器装置可以通过执行快速ACT命令序列来执行所接收的ACT命令，例如，基于所配置的第一测试模式。当执行快速ACT命令序列时，存储器装置可以通过激活ACT命令中寻址的存储器库或存储器区段开始。当激活存储器库或存储器区段时，存储器装置可以解码包含在ACT命令中的行地址，以识别相应存储器单元行的位置以及用于存取存储器单元行的字线。一旦存储器库或存储器区段被激活且行地址被解码，存储器装置可激活所识别的字线，例如，通过将激活电压施加到字线，其可将存储器单元行连接到对应的数字线。在一些实例中，快速ACT命令序列可以在激活字线之后终止。

在一些实例中，当执行快速ACT命令序列时，存储器装置还可在激活字线之后激活感测组件。在这种情况下，可以在不干扰其它存储器组件的情况下测试感测组件，例如，因为隔离门没有被激活。在一些实例中，在快速ACT命令序列结束时，由存储器单元行存储的逻辑状态未被存储器装置感测到。

在一些实例中，ACT命令可寻址整个存储器库或存储器区段(例如，ACTALL命令)，且存储器装置可激活包含在存储器库或存储器区段中的所有字线。在一些情况下，存储器装置还可激活与存储器库或存储器区段耦合的所有感测组件。

在框335处，存储器装置可以接收PRE命令作为测试程序的一部分。在一些实例中，PRE命令可以关闭存储器库、存储器区段或存储器单元行。关闭存储器单元可包含将先前感测的逻辑状态(例如，在ACT操作期间感测的逻辑状态)写回到存储器单元和/或使存储器单元从数字线断开。在一些实例中，PRE命令可以针对由PRE命令打开的一行存储器单元。在一些实例中，PRE命令可以针对在存储器装置中打开的所有存储器单元行(例如，如果PRE命令是PREALL命令)。在一些实例中，PRE命令是从运行测试程序的外部装置或从为测试程序生成命令的内部装置接收的。

在框340处，存储器装置可以执行PRE命令。在一些实例中，执行PRE命令包含执行PRE命令序列，所述PRE命令序列包含第一组操作和第二组操作，第一组操作用于例如通过在存储器单元上施加存取电压来恢复存储器单元的逻辑状态，第二组操作用于将存储器单元从数字线断开并且去激活与存储器单元耦合的存储器组件。在其它实例中，执行PRE命令包含执行快速PRE命令序列，所述快速PRE命令序列省略与将逻辑状态恢复到存储器单元相关联(例如基于存储器装置被配置在第一测试模式中)的操作。相对于使用PRE命令序列和/或ACT命令序列，用快速PRE命令序列和/或快速ACT命令序列执行所接收的PRE和ACT命令可以减少与测试程序相关联的持续时间。另外，使用快速PRE命令序列和/或快速ACT命令序列可以减少测试程序期间的电流汲取和干扰。在一些实例中，在完成快速PRE命令序列之后，可以将逻辑状态写回到存储器单元，所述逻辑状态不同于在紧接的先前感测操作之前(例如在执行快速ACT命令序列之前)由存储器单元存储的逻辑状态。在一些实例中，在完成快速PRE命令序列之后，可以将软逻辑状态(例如，降低可靠性的逻辑状态)写回到存储器单元。

在一些实例中，存储器装置可接收另一ACT命令且可重复在框320到框330处执行的操作。在一些实例中，可以在接收另一ACT命令之前将存储器装置重新配置成新的测试模式。举例来说，存储器装置可配置成第二测试模式。在这种情况下，可以使用包含从快速ACT命令序列中省略的操作的ACT命令序列来执行其它所接收的ACT命令。

图4示出根据本公开的各种实例的支持执行快速激活命令序列的存储器装置的框图。

存储器装置400可被称为电子存储器设备，并且可包含(一或多个)存储器单元405、字线410、数字线415、板线420、感测组件450、参考线455和存储器控制器465，这些可为参考图1和2所述的(一或多个)存储器单元、字线、位线、板线、感测组件、参考线和本地存储器控制器的实例。存储器装置400还可包含锁存器425和参考组件430。存储器装置400的组件可彼此电子通信且可执行参考图1到3所描述的功能。

(一或多个)存储器单元405可以被配置成存储逻辑信息。在一些实例中，可使用一或多个存取命令来存取(一或多个)存储器单元405，所述一或多个存取命令触发向与(一或多个)存储器单元405耦合的组件顺序施加电压。

参考组件430可以包含各种组件来生成感测组件450的参考信号。参考组件430可包含经配置以产生参考信号的电路。

感测组件450可将来自存储器单元405的信号(通过数字线415)与来自参考组件430的参考信号作比较。一旦确定了逻辑状态，感测组件就可以将输出存储在锁存器425中，其中可以根据存储器装置400是其一部分的电子装置的操作来使用输出。

存储器控制器465可与其它组件组合而在整个存储器装置400中施加电压、将数据写入到存储器单元405、从存储器单元405读取数据，且通常如图1到3中所描述地操作存储器装置400。存储器控制器465可与字线410、数字线415、板线420、参考组件430、感测组件450电子通信。存储器控制器465可以包含偏置组件470、定时组件475和配置组件480。在一些实例中，存储器控制器465可包含行解码器、列解码器或两者，如参考图2所描述。这可以使得存储器控制器465能够存取一或多个存储器单元405。

在一些实例中，存储器控制器465可使用偏置组件470以通过向那些各种节点施加电压来激活存取线。在一些实例中，偏置组件470可经配置以施加电压以操作存储器单元405来读取或写入如上文所描述的存储器单元405。在一些实例中，偏置组件470可经配置以向参考组件430提供电压电位，以便生成感测组件450的参考信号。另外，偏置组件470可以为感测组件450的操作提供电压电势。

定时组件475可经配置以控制各种字线选择或板偏置的时序，包含用于切换和电压施加以执行存储器功能(如本文中所论述的读取和写入)的时序。在一些实例中，定时组件475可控制偏置组件470的操作。在一些实例中，存储器控制器465还可包含参考组件430、感测组件450和锁存器425。

配置组件480可经配置以在操作模式(例如，测试模式)下配置存储器装置400。例如，配置组件480可在测试模式中配置存储器阵列，其中执行第一组操作(例如，快速ACT命令序列)以执行所接收的ACT命令，或执行与较长持续时间相关联的第二组操作(例如，ACT命令序列)以执行所接收的ACT命令。配置组件480可以包含第一操作模式组件485、第二操作模式组件490和命令处理组件495。

第一操作模式组件485可经配置以存储用于第一组命令的第一组命令序列。在一些实例中，第一操作模式组件485经配置以存储快速ACT命令序列。在一些实例中，当存储器装置400被配置在第一测试模式中时，第一操作模式组件485可用于根据所存储的第一组命令序列的对应命令序列来执行所接收的命令，例如在存储器控制器465处接收到ACT命令之后，第一操作模式组件485可执行快速ACT命令序列时。

第二操作模式组件490可经配置以存储用于第二组命令的第二组命令序列。在一些实例中，第二组命令序列中的一或多个具有比第一组命令序列中的相应命令序列更长的持续时间。在一些实例中，第二操作模式组件490经配置以存储ACT命令序列。在一些实例中，当存储器装置400被配置在第二测试模式或数据存取模式中时，第二操作模式组件490可用于根据所存储的第二组命令序列的对应命令序列来执行所接收的命令，例如在存储器控制器465处接收到ACT命令之后，第二操作模式组件490可执行ACT命令序列。

命令处理组件495可经配置以接收例如从外部装置或存储器控制器465的另一组件接收的存取命令。在一些实例中，命令处理组件495可经配置以缓冲所接收的存取命令并将存取命令转发到存储器控制器465内的其它组件，如第一操作模式组件485和第二操作模式组件490。在一些实例中，命令处理组件495可经配置以例如基于安装在存储器控制器465处的测试程序生成存取命令。

在一些实例中，存储器控制器465可经配置以在第一模式(例如，第一测试模式)中操作，所述第一模式与比第二模式(例如，第二测试模式)短的命令序列相关联。存储器控制器465可进一步经配置以执行与第一测试模式相关联的第一组操作(例如，快速ACT命令序列)以在配置于第一测试模式中时执行第一存取命令(例如，ACT命令)，或执行与第二测试模式相关联的第二组操作(例如，快速ACT命令序列)以在配置于第二测试模式中时执行第一存取命令。在一些实例中，存储器控制器465可以在比第二组操作更短的持续时间内执行第一组操作。在一些实例中，存储器控制器465可使用配置组件480来识别外部装置所请求的测试模式。存储器控制器465还可使用配置组件480来针对所识别的测试模式(例如，第一或第二测试模式)配置存储器装置400。在一些实例中，存储器控制器465使用配置组件480来配置感测组件450以在配置成第一模式之后避免感测来自存储器单元的逻辑状态。

在一些实例中，存储器控制器465可以接收和处理存取命令。在一些实例中，当执行第一测试程序时，存储器控制器465使用第一操作模式组件485来处理存取命令。当第一操作模式组件485被激活时，存储器控制器465可以在接收到ACT命令之后执行快速ACT命令序列。为了执行快速ACT命令序列，作为初始步骤，第一操作模式组件485可以使用偏置组件470来激活存储器库或存储器区段。接下来，第一操作模式组件485可以使用偏置组件470来向字线410施加激活电压。在一些实例中，第一操作模式组件485还可以发送信号(例如，经由控制线440)以激活感测组件450。在一些实例中，所述信号用于将感测组件450连接到电压源。

图5示出了说明根据本公开的各方面的支持用于存储器感测的快速激活的方法500的流程图。方法500的操作可由如本文所述的存储器阵列或其组件实施。例如，方法500的操作可以由参考图4描述的存储器阵列执行。在一些实例中，存储器阵列可执行一组指令以控制存储器阵列的功能元件来执行所述功能。另外，或可替代地，存储器阵列可使用专用硬件来执行所描述功能的各方面。

在505处，存储器阵列可配置包含存储器阵列的存储器装置以在第一测试模式中操作，所述第一测试模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的命令序列相关联。505的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，505的操作的各方面可以由如参考图4所描述的配置组件来执行。

在510处，在将存储器装置配置成在第一模式中操作之后，存储器阵列可接收与存储器阵列的存储器单元相关联的激活命令。510的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，510的操作的各方面可以由如参考图4所描述的命令处理组件来执行。

在515处，存储器阵列可基于将存储器阵列配置成在第一模式中操作而执行用于执行激活命令的第一组操作，其中当存储器装置被配置在第二模式中时，在比用于执行激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行第一组操作。515的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，515的操作的各方面可以由如参考图4所描述的第一操作模式组件来执行。

在一些实例中，如本文中所述的设备可以执行一或多种方法，如方法500。所述设备可包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，其用于将包含存储器阵列的存储器装置配置成在与相对于第二模式具有减小的持续时间的命令序列相关联的第一模式中操作，在将所述存储器装置配置成在所述第一模式中操作之后接收与所述存储器阵列的存储器单元相关联的激活命令，以及基于将所述存储器阵列配置成在所述第一模式中操作来执行用于执行所述激活命令的第一组操作，其中当所述存储器装置被配置在所述第二模式时，在比用于执行所述激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行所述第一组操作。

在此描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令，其用于基于将存储器阵列配置成在第一模式中操作来选择用于执行激活命令的第一组操作而不是第二组操作。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，执行所述第一组操作可包含操作、特征、装置或指令，其用于作为所述第一组操作中的第一操作而激活所述存储器阵列中的包含所述存储器单元的存储器区段，且作为所述第一组操作中的在所述第一操作之后发生的第二操作而激活可与所述存储器单元耦合的字线，其中可与所述存储器单元耦合的数字线的电压变化在激活所述字线之后保持低于阈值。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令，其用于基于激活字线可将存储在存储器单元的底部处的充电释放到数字线。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，执行第一组操作可包含操作、特征、装置或指令，其用于激活可与存储器单元耦合的感测组件作为第一组操作中的在第二操作之后发生的第三操作，其中可在不施加电压在存储器单元上的情况下激活感测组件。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，执行第一组操作可包含用于避免感测存储器单元的逻辑状态的操作、特征、装置或指令。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可以进一步包含用于在执行激活命令之后执行与存储器单元相关联的预充电命令的操作、特征、装置或指令，其中执行预充电命令包含基于避免感测逻辑状态来避免将逻辑状态写回到存储器单元。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，存储器单元在接收预充电命令之前存储逻辑状态，并且在执行预充电命令之后存储不同的逻辑状态。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令，其用于将存储器装置配置成在第二模式中操作，在将存储器装置配置成在第二模式中操作之后接收与存储器单元相关联的第二激活命令，且基于将存储器阵列配置成在第二模式中操作而执行第二组操作以执行第二激活命令。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，执行第二组操作可包含操作、特征、装置或指令，其用于激活存储器阵列中的包含存储器单元的存储器区段；在激活存储器区段之后对可与存储器单元耦合的数字线进行预充电；在对数字线进行预充电之后激活可与选择组件耦合的字线，其中在激活所述字线之后所述数字线的电压变化超过阈值，且其中所述选择组件可与所述存储器单元耦合；等待与基于激活所述字线而在所述存储器单元与所述数字线之间交换电荷相关联的持续时间；在等待所述持续时间之后将感测组件的输入耦合到所述数字线；在将感测组件的输入耦合到数字线之后激活感测组件；且基于激活感测组件而在存储器单元上施加零电压。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，激活命令可与包含存储器单元的一组存储器单元相关联，且其中可针对该组存储器单元执行第一组操作。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，存储器阵列包含一或多个铁电存储器单元，且其中存储器单元可为铁电存储器单元。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第一模式可与晶片级边缘测试、晶片级老化测试、晶片级可靠性测试、封装老化测试、单元级可靠性测试、合格性测试或台架特性测试中的一或多个相关联。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令，其用于执行与操作第二存储器单元相关联的第一组操作，其中用于执行激活命令的电流电平基于正被配置的第一模式而保持低于阈值。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第一模式可以是第一测试模式，并且第二模式可以是第二测试模式。

图6示出了说明根据本公开的各方面的支持用于存储器感测的快速激活的方法600的流程图。方法600的操作可由如本文所述的存储器阵列或其组件实施。例如，方法600的操作可以由参考图4描述的存储器阵列执行。在一些实例中，存储器阵列可执行一组指令以控制存储器阵列的功能元件来执行所述功能。另外，或可替代地，存储器阵列可使用专用硬件来执行所描述功能的各方面。

在605处，存储器阵列可配置包含存储器阵列的存储器装置以在第一模式中操作，所述第一测试模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的命令序列相关联。605的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，605的操作的各方面可以由如参考图4所描述的配置组件来执行。

在610处，在将存储器装置配置成在第一模式中操作之后，存储器阵列可接收与存储器阵列的存储器单元相关联的激活命令。610的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，610的操作的各方面可以由如参考图4所描述的命令处理组件来执行。

在615处，存储器阵列可基于将存储器阵列配置成在第一模式中操作而执行用于执行激活命令的第一组操作，其中当存储器装置被配置在第二模式中时，在比用于执行激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行第一组操作。615的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，615的操作的各方面可以由如参考图4所描述的第一操作模式组件来执行。

在620处，作为第一组操作中的第一操作，存储器阵列可激活存储器阵列中包含存储器单元的存储器区段。620的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，620的操作的各方面可由如参考图4所述的第一操作模式组件(例如，与偏置组件组合)来执行。

在625处，作为第一组操作中的在第一操作之后发生的第二操作，存储器阵列可激活与存储器单元耦合的字线，其中与存储器单元耦合的数字线的电压变化在激活字线之后保持低于阈值。625的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，625的操作的各方面可由如参考图4所述的第一操作模式组件(例如，与偏置组件组合)来执行。

应当注意，本文中所描述的方法是可能的实施方式，并且操作和步骤可以被重新安排或以其它方式修改，并且其它实施方式是可能的。此外，可以组合来自两种或两种以上方法的部分。

描述了一种设备。所述设备可以包含存储器单元和存储器控制器，所述存储器控制器与存储器单元耦合并且可配置成在第一模式下操作，所述第一模式与相对于第二模式具有减小的持续时间的激活序列相关联，所述存储器控制器可操作以执行与所述第一模式相关联的第一组操作以在配置于第一模式中时执行激活命令，或与第二模式相关联的第二组操作以在配置于第二模式中时执行激活命令，其中用于执行所述第一组操作的持续时间短于用于执行所述第二组操作的持续时间。

在一些实例中，存储器控制器可以包含用于配置组件的操作、特征、装置或指令，所述配置组件可操作以识别由外部装置请求的测试模式且针对所识别的测试模式配置所述设备，所述测试模式包含第一模式或第二模式。

在一些实例中，配置组件可操作以基于所识别的测试模式来选择第一组操作或第二组操作。

在一些实例中，存储器控制器可包含用于第一模式组件和第二模式组件的操作、特征、装置或指令，所述第一模式组件可操作以存储对应于激活命令的第一命令序列，所述第二模式组件可操作以存储对应于激活命令的第二命令序列，其中第一命令序列可在比第二命令序列更短的时间段内执行。

所述设备的一些实例可包含感测组件，所述感测组件与所述存储器单元耦合且可操作以在可配置所述第一模式时在执行所述激活命令期间避免感测来自所述存储器单元的逻辑状态。

描述了一种设备。所述设备可包含存储器阵列(其包含存储器单元)和与所述存储器阵列耦合的存储器控制器，所述存储器控制器可操作以配置与相对于第二模式具有减小的持续时间的一或多个命令序列相关联的第一模式，在配置所述第一模式之后接收与所述存储器单元相关联的激活命令，以及基于将所述存储器阵列配置成在所述第一模式中操作来执行用于执行所述激活命令的第一组操作，其中当配置所述第二模式时，在比用于执行所述激活命令的第二组操作更短的持续时间内执行所述第一组操作。

一些实例可进一步包含基于将存储器阵列配置成在第一模式中操作来选择用于执行激活命令的第一组操作而不是第二组操作。

一些实例可进一步包含作为第一组操作的初始操作而激活存储器阵列中包含存储器单元的存储器区段，且在激活存储器区段之后作为第一组操作的下一操作而激活可与存储器单元耦合的字线。

一些实例可进一步包含在激活字线之后激活可与存储器单元耦合的感测组件。

一些实例可进一步包含在激活字线之后且在不感测存储器单元的逻辑状态的情况下执行预充电命令。

可以使用多种不同技术和工艺中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可以贯穿上文描述所引用的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和芯片。一些附图可以将信号示出为单个信号；然而，本领域普通技术人员应当理解，信号可以表示信号总线，其中总线可以具有各种位宽。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指在组件之间的关系，其支持在组件之间信号的流动。如果在组件之间存在任何导电路径，其能够在任何时间支持在组件之间信号的流动，那么组件被认为是彼此进行电子通信(或导电接触、连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接的组件的装置的操作，在彼此进行电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。在连接的组件之间的导电路径可以是在组件之间的直接导电路径，或者在连接的组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可以包含中间组件，如开关、晶体管或其它组件。在一些实例中，可以例如使用如开关或晶体管的一或多个中间组件来将在连接的组件之间信号的流动中断一段时间。

术语“耦合”是指从在组件之间的开路关系移动到在组件之间的闭路关系的情况，在所述开路关系中，当前不能通过导电路径在组件之间传递信号，在所述闭路关系中，能够通过导电路径在组件之间传递信号。在诸如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，所述组件发起允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的更改。

术语“隔离”是指在组件之间的关系，其中信号当前不能在组件之间流动。如果在组件之间存在开路，那么组件被彼此隔离。例如，开关打开时，由位于在组件之间的开关分隔的两个组件被彼此隔离。控制器将两个组件彼此隔离时，控制器使用先前允许信号流动的导电路径来影响防止信号在组件之间流动的更改。

可以在如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上形成本文中所论述的装置(其包含存储器阵列)。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOS)，或另一衬底上的半导体材料外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电性。可以在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段来执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可以表示场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可以通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包括重掺杂(例如，简并)半导体区域。源极和漏极可以由轻掺杂半导体区域或通道分隔。如果通道是n型(即，多数载流子是电子)，那么FET可以被称为n型FET。如果通道是p型(即，多数载流子是空穴)，那么FET可以被称为p型FET。通道可以由绝缘栅氧化物封端。可以通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。例如，分别将正电压或负电压施加到n型FET或p型FET可以导致通道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以是“导通”的或被“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以是“关闭”的或被“去激活”。

本文中陈述的描述结合附图描述了实例配置，并且不表示可以被实现的或在权利要求的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”表示“充当实例、例子或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例”。详细描述包含提供对所描述技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式示出了众所周知的结构和装置以避免使所描述实例的概念模糊。

在附图中，相似的组件或特征可以具有相同的附图标记。进一步，可以通过在参考标记之后加上破折号和在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么所述描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，而与第二参考标记无关。

可以使用多种不同技术和工艺中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可以贯穿上文描述所引用的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和芯片。通过设计成执行本文中所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任意组合，可以实现或执行结合本文中的公开所描述的各种说明性框和模块。通用处理器可以是微处理器，但在备选方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。

可以在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任意组合中实现本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实现，那么功能可以作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过所述计算机可读媒体传送。其它实例和实施方式在本公开和所附权利要求的范围内。例如，由于软件的特性，能够使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些的任一个的组合来实现上述功能。实现功能的特征还可以在物理上位于各种位置，包含经分布而使得在不同的物理位置实现部分功能。此外，如本文中所使用的，包含在权利要求中，如在项目列表中所使用的“或”(例如，由例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开头的项目列表)指示包含列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表表示A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。此外，如本文中所使用的，短语“基于”不应被解释为对封闭的条件集的引用。例如，被描述为“基于条件A”的示范性步骤可以在不脱离本公开的范围的情况下是基于条件A和条件B两者。换而言之，如本文中所使用的，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体，通信媒体包含促进计算机程序从一个地方传送到另一个地方的任何媒体。非暂时存储媒体可以是能够由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体能够包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、压缩盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁存储装置或能够被用来以指令或数据结构的形式携带或存储所需程序代码装置和能够由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或诸如红外、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传送软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或诸如红外、无线电和微波的无线技术被包含在媒体的定义中。如本文中所使用的盘和光盘包含CD、激光盘、光盘、数字通用盘(DVD)、软盘和蓝光盘，其中盘通常磁性地再现数据，而光盘通过激光光学地再现数据。上述内容的组合也被包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对所属领域的技术人员而言将是显而易见的，并且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中所定义的一般原理可以被应用于其它变化。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是将符合与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。