用于PECVD设备的加热装置、真空镀膜设备和加热方法

技术领域

本发明涉及真空镀膜设备技术领域，具体而言，涉及一种用于PECVD设备的加热装置、真空镀膜设备和加热方法。

背景技术

目前，在光伏电池工艺生产中，大批量硅片必须在一定的时间(通常比较短的时间)内，升温到特定的温度，而且要求每个硅片的温度都必须在特定的温度范围内，太高或者太低都会影响工艺的均匀性。通常的升温方式有辐射非接触加热。

然而，相关技术中辐射源产生的热场是不均匀的，这种热场的不均匀性造成硅片无法均匀受热，使得硅片的整体温度不均匀，影响其工艺效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提供一种用于PECVD设备的加热装置。

本发明的另一个目的在于提供一种真空镀膜设备。

本发明的另一个目的在于提供一种加热方法。

为了实现上述目的，本发明的实施例提供了一种用于PECVD设备的加热装置，加热装置包括：真空腔体；装载组件，设置在真空腔体内，装载组件用于装载待加热件；加热组件，至少部分设置在真空腔体内，加热组件包括辐射源，辐射源与真空腔体转动连接，且与装载组件对应设置；其中，加热组件通过辐射源对待加热件进行辐射加热。

在该技术方案中，由于辐射源与真空腔体转动连接，这样使得辐射源具有旋转功能，能够调整辐射源的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。避免了相关技术中利用辐射非接触的加热方式对硅片进行加热时，硅片的整体温度不均匀的问题。

另外，本发明提供的上述实施例中的用于PECVD设备的加热装置还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，加热装置还包括驱动组件，驱动组件与加热组件连接，驱动组件能够驱动辐射源转动。

在该技术方案中，驱动组件能够为辐射源的转动提供动力，通过能够控制辐射源转动地角度和方向，从而满足辐射源的转动要求，进而实现对硅片的动态加热和均匀加热，以保证硅片良好的工艺效果。

在上述任一技术方案中，加热组件还包括石英管，辐射源为红外灯管，石英管沿第一方向插设在真空腔体上，辐射源沿第一方向插设在石英管内，辐射源能够相对于石英管转动，石英管的至少一端伸出真空腔体，辐射源的至少一端伸出石英管。

在该技术方案中，石英管为红外灯管提供了安装空间，使得红外灯管能够在石英管内转动，同时石英管增加了红外灯管的红外线辐射量，提高了红外灯管的发热效率，进而确保辐射源能够满足热辐射的强度要求。

在上述任一技术方案中，驱动组件包括：驱动部；传动部，与驱动部和辐射源连接；其中，驱动部用于驱动传动部动作，以带动辐射源转动。

在该技术方案中，驱动部为传动部提供动力，使得传动部动作，传动部具有传动功能，从而能够带动辐射源转动，进而实现了加热装置对硅片的动态加热和均匀加热功能。

在上述任一技术方案中，驱动部包括：电机，设置在真空腔体上；转动块，与电机和传动部连接。

在该技术方案中，电机作为动力源能够为转动块提供旋转动力，进而确保传动部能够正常地传动。

在上述任一技术方案中，转动块具有第一端和与第一端相对设置的第二端，传动部包括：固定块，设置有安装孔；接线端头，至少部分设置在安装孔内，接线端头与辐射源伸出石英管的一端固连；第一连接杆，与第一端和固定块的一端转动连接；第二连接杆，与第二端和固定块的另一端转动连接。

在该技术方案中，驱动部为转动块提供转矩，转动块的第一端和第二端绕转动块的中心转动，这样使得第一连接杆和第二连接杆在第二方向上同步反向移动，在第一连接杆和第二连接杆的作用下，固定块、接线端头和辐射源同时在石英管内发生转动，进而实现了加热装置对硅片的动态加热和均匀加热功能。

在上述任一技术方案中，加热装置包括多个加热组件，多个加热组件沿第二方向间隔设置。

在该技术方案中，每个加热组件内对应设置有红外灯管，每根红外灯管在驱动组件的控制下，能够实现同步地往复旋转，这样增加了每根红外灯管的热辐射角度，实现了加热装置其对多块硅片的动态和均匀加热，从而使得设置在真空腔体内的多块硅片能够均匀加热升温，保证了良好的工艺效果。进而提高了加热装置的加热效率，同时满足多硅片加热的要求。

在上述任一技术方案中，装载组件包括载板和传输滚轮，传输滚轮能够带动载板和装载在载板上的待加热件往复移动。

在该技术方案中，待加热件往复移动配合辐射源的转动，这样使得辐射源能够更加均匀地辐射加热载板上的硅片，从而使得载板上的硅片的整体温度更加地均匀，进而更好地保证了良好的工艺效果。

在上述任一技术方案中，加热装置还包括密封固定组件，密封固定组件设置在真空腔体上，用于固定加热组件，密封真空腔体。

在该技术方案中，密封固定组件将石英管伸出真空腔体的一端固定在真空腔体的外壁上，从而确保辐射源能够正确地安装在真空腔体内，进而确保加热装置能够实现其均匀加热功能。另外，密封固定组件能够封堵石英管与真空腔体之间的缝隙，避免真空腔体与外界连通，进而确保硅片能够在真空的环境下加热，以保证其加热的工艺效果。

本发明第二方面的技术方案提供了一种真空镀膜设备，真空镀膜设备包括：如第一方面技术方案中任一项的用于PECVD设备的加热装置；入腔门阀，与加热装置的真空腔体连通；出腔门阀，与加热装置的真空腔体连通；检测装置，用于检测待加热件的位置；控制系统，与加热装置、入腔门阀、出腔门阀和检测装置连接，控制系统能够控制入腔门阀和出腔门阀的开闭。

本发明第二方面的技术方案提供的真空镀膜设备，因包括第一方面技术方案中任一项的用于PECVD设备的加热装置，因而具有上述任一技术方案所具有的一切有益效果，在此不再赘述。

在上述方案中，空镀膜设备集成了加热装置、控制系统及其他零部件，这样使得空镀膜设备不但具有自动加热的功能，还具有均匀加热的功能，进而满足设备的自动化控制要求以及高性能要求。

本发明第三个方面的技术方案提供了一种加热方法，加热方法利用上述的真空镀膜设备进行加热，加热方法包括以下步骤：步骤S10：将待加热件传送至真空腔体内；步骤S20：待加热件在其传送方向上往复运动的同时，对待加热件进行动态加热；步骤S30：将待加热件传送至真空腔体外。

在上述方案中，由于辐射源具有旋转功能，这样能够调整辐射源的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。避免了相关技术中利用辐射非接触的加热方式对硅片进行加热时，硅片的整体温度不均匀的问题。另外，在对待加热件进行动态加热的同时，待加热件在其传送方向上往复运动，即待加热件往复移动配合辐射源的转动，这样使得辐射源能够更加均匀地辐射加热载板上的硅片，从而使得载板上的硅片的整体温度更加地均匀，进而更好地保证了良好的工艺效果。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了根据本发明实施例的用于PECVD设备的加热装置的结构示意图；

图2示出了图1中的用于PECVD设备的加热装置的局部放大视图(红外线灯管处于未旋转状态)；

图3示出了图1中的用于PECVD设备的加热装置另一个角度的局部放大视图(红外线灯管处于未旋转状态)；

图4示出了图1中的用于PECVD设备的加热装置的另一个角度的局部放大视图(红外线灯管处于旋转状态)；

图5示出了图1中的用于PECVD设备的加热装置的红外线灯管、接线端头、固定块、连接杆和旋转轴的装配关系图；

图6示出了图1中的旋转轴的剖视图；

图7示出了根据本发明实施例的真空镀膜设备的结构示意图；

图8示出了根据本发明实施例的加热方法的流程图。

其中，图1至图7中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

10、真空腔体；20、装载组件；22、载板；24、传输滚轮；30、加热组件；31、旋转支撑件；32、辐射源；34、石英管；40、驱动组件；41、旋转轴；412、固定部；414、旋转部；416、限位部；42、驱动部；422、电机；424、转动块；4242、第一端；4244、第二端；44、传动部；442、固定块；444、接线端头；446、第一连接杆；448、第二连接杆；50、密封固定组件；52、密封法兰；54、固定螺丝；56、密封圈；100、加热装置；200、待加热件；300、入腔门阀；400、出腔门阀；500、检测装置；600、控制系统。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，本申请中的待加热件200为硅片。本申请中的第一方向是指真空腔体10的宽度方向，第二方向是指真空腔体10的长度方向，可理解为：第一方向为垂直于待加热件200传输的方向，第二方向为待加热件200传输的方向，即待加热件200的传输方向和加热组件30的布设方向相垂直，可参考图2。此外，也可理解为待加热件200的传输方向与加热组件30的布设方向在真空腔体10顶部或底部的投影相交叉。

在其他实施方式中，第一方向也可为真空腔体10的长度方向，第二方向为真空腔体10的宽度方向，可以理解为：待加热件200的传输方向和加热组件30的布设方向平行。

需要说明的是，本申请中将硅片相对与辐射源32做相对运动，从而使得从辐射源32的特定角度过来的能量不固定在硅片的固定位置上，而是在一定的范围内移动，增加这些面积内的温度的均匀性。因此，辐射源32可转动设置在真空腔体10内，硅片可移动设置在真空腔体10内，具体地，硅片放置在载板22上，载板放置在传输滚轮24上，传输滚轮24转动，进而实现传输滚轮24上的硅片的移动，辐射源32可单独运动，硅片也可单独运动，当然辐射源32和硅片可以共同运动。这样可不同程度上实现提高硅片温度场的均匀性。

下面参照图1至图8描述根据本发明一些实施例的用于PECVD设备的加热装置100、真空镀膜设备和加热方法。

如图1至图4所示，本发明及本发明的实施例提供了一种用于PECVD设备的加热装置100，加热装置100包括真空腔体10、装载组件20和加热组件30。其中，装载组件20设置在真空腔体10内，装载组件20用于装载待加热件200。加热组件30部分设置在真空腔体10内，加热组件30包括辐射源32，辐射源32与真空腔体10转动连接，且与装载组件20对应设置。加热组件30通过辐射源32对待加热件200进行辐射加热。

上述设置中，由于辐射源32与真空腔体10转动连接，这样使得辐射源32具有旋转功能，能够调整辐射源32的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。避免了相关技术中利用辐射非接触的加热方式对硅片进行加热时，硅片的整体温度不均匀的问题。

具体地，如图2至图4所示，在本发明的实施例中，加热装置100还包括驱动组件40，驱动组件40与加热组件30连接，驱动组件40能够驱动辐射源32转动。

上述设置中，驱动组件40能够为辐射源32的转动提供动力，通过能够控制辐射源32转动地角度和方向，从而满足辐射源32的转动要求，进而实现对硅片的动态加热和均匀加热，以保证硅片良好的工艺效果。

具体地，如图2至图4所示，在本发明的实施例中，加热组件30还包括石英管34，辐射源32为红外灯管，石英管34沿第一方向插设在真空腔体10上，辐射源32沿第一方向插设在石英管34内，辐射源32能够相对于石英管34转动，石英管34的一端伸出真空腔体10，辐射源32的一端伸出石英管34。

其中，一种情况是：石英管34的一端伸出真空腔体10时，另一端可设置在真空腔体10内，可通过设置支撑柱对真空腔体10内的石英管34做支撑此时，辐射源32的一端伸出石英管34，即伸出真空腔体10，另一端设置在真空腔体10内；另一种情况是：石英管34的两端均伸出真空腔体10，此时辐射源32至少一端伸出石英管34。

上述设置中，石英管34为红外灯管提供了安装空间，使得红外灯管能够在石英管34内转动，同时石英管34增加了红外灯管的红外线辐射量，提高了红外灯管的发热效率，进而确保辐射源32能够满足热辐射的强度要求。

具体地，如图1所示，在本发明的实施例中，加热组件30还包括旋转支撑件31，红外灯管的一端套设在旋转支撑件31上，旋转支撑件31与红外灯管固定连接，旋转支撑件31与石英管34的内径形状相适配，可实现红外灯管旋转时，旋转支撑件31与石英管34的内壁滑动摩擦，并相对转动，以确保红外灯管能够平稳、自由地旋转。

具体地，如图2至图4所示，在本发明的实施例中，驱动组件40包括驱动部42和传动部44。其中，传动部44与驱动部42和加热组件30连接，驱动部42用于驱动传动部44动作，以带动辐射源32转动。

上述设置中，驱动部42为传动部44提供动力，使得传动部44动作，传动部44具有传动功能，从而能够带动辐射源32转动，进而实现了加热装置100对硅片的动态加热和均匀加热功能。

具体地，如图2至图4所示，在本发明的实施例中，转动块424具有第一端4242和与第一端4242相对设置的第二端4244，传动部44包括固定块442、接线端头444、第一连接杆446和第二连接杆448。其中，固定块442设置有安装孔，接线端头444部分固定设置在安装孔内，接线端头444与辐射源32伸出石英管34的一端固定连接。第一连接杆446与第一端4242和固定块442的一端转动连接，第二连接杆448与第二端4244和固定块442的另一端转动连接。

上述设置中，驱动部42为转动块424提供转矩，转动块424的第一端4242和第二端4244绕转动块424的中心转动，这样使得第一连接杆446和第二连接杆448在第二方向上同步反向移动，在第一连接杆446和第二连接杆448的作用下，固定块442、接线端头444和辐射源32同时在石英管34内发生转动，进而实现了加热装置100对硅片的动态加热和均匀加热功能。

需要说明的是，接线端头444内部用于放置红外灯管的线路，一方面是起到保护线路的作用，另一方面作为夹持部，在外力的作用下，接线端头444和红外灯管绕红外灯管的中心轴旋转。固定块442把红外灯管夹紧，固定块442套设在接线端头444上，并与接线端头444固定连接，具体地，本申请中固定块442是一体成型的板块，中部开设安装孔用于安装接线端头444。

当然可根据实际情况，固定块442设置为两个规格一样的夹块，夹块镜像拼接，采用螺钉固定，拼接部形成安装孔，用于安装接线端头444，采用螺钉锁紧的方式固定夹块以形成固定块442，这样便于安装拆卸，便于锁紧，避免固定块442与接线端头444产生相对位移。固定块442上设置有螺纹安装孔，螺纹安装孔对称设置。

具体地，如图5和图6所示，在本发明的实施例中，传动部44还包括旋转轴41，第一连接杆446与固定块442的一端通过旋转轴41铰接在一起。更具体地，旋转轴41包括固定部412、旋转部414和限位部416。其中，旋转部414设置在固定部412和限位部416之间，且与固定部412和限位部416连接。固定块442的两端设置有两个安装口，旋转轴41分别穿设在两个安装口内，旋转部414与安装口相适配，具有间隙，旋转部414可转动地设置在安装口内，固定部412上设置有螺纹，用于将固定块442固定在第二连接杆448上。限位部416设置有限位台肩，能够防止固定块442从旋转轴41脱出。

具体地，如图2至图4所示，在本发明的实施例中，加热装置100包括多个加热组件30，多个加热组件30沿第二方向间隔设置。

上述设置中，每个加热组件30内对应设置有红外灯管，每根红外灯管在驱动组件40的控制下，能够实现同步地往复旋转，这样增加了每根红外灯管的热辐射角度，实现了加热装置100其对多块硅片的动态和均匀加热，从而使得设置在真空腔体10内的多块硅片能够均匀加热升温，保证了良好的工艺效果。进而提高了加热装置100的加热效率，同时满足多硅片加热的要求。

具体地，如图1所示，在本发明的实施例中，装载组件20包括载板22和传输滚轮24，载板22放设置在传输滚轮24上，传输滚轮24能够带动载板22和装载在载板22上的待加热件200往复移动。

上述设置中，待加热件200往复移动配合辐射源32的转动，这样使得辐射源32能够更加均匀地辐射加热载板22上的硅片，从而使得载板22上的硅片的整体温度更加地均匀，进而更好地保证了良好的工艺效果。

具体地，如图1所示，在本发明的实施例中，加热装置100还包括密封固定组件50，密封固定组件50设置在真空腔体10上，用于固定加热组件30，密封真空腔体10。

上述设置中，密封固定组件50将石英管34伸出真空腔体10的一端固定在真空腔体10的外壁上，从而确保辐射源32能够正确地安装在真空腔体10内，进而确保加热装置100能够实现其均匀加热功能。另外，密封固定组件50能够封堵石英管34与真空腔体10之间的缝隙，避免真空腔体10与外界连通，进而确保硅片能够在真空的环境下加热，以保证其加热的工艺效果。

具体地，如图1所示，在本发明的实施例中，密封固定组件50包括密封法兰52、固定螺丝54和密封圈56。固定螺丝54用于将密封法兰52固定在真空腔体10上。密封圈56套设在石英管34的伸出端上，且位于密封法兰52的密封槽内，密封法兰52挤压密封圈56使其变形以封堵石英管34与真空腔体10之间的缝隙。

需要说明的是，第一连接杆446和第二连接杆448设置有多个安装口，安装口数量应与红外灯管数量一致。安装口用于安装旋转轴41。旋转轴41穿过第一连接杆446或第二连接杆448上的安装口，安装口与旋转部414存在间隙，可以相对转动。当电机422驱动转动块424旋转时，带动第一连接杆446和第二连接杆448同步旋转。

如图4所示，上下连杆，通过一个个旋转轴41固定在固定块442的上下两端，此时一根根红外灯管被连杆、旋转轴41串联在一起，旋转轴41和连杆间存在间隙，可以相对转动，可以使每根红外灯管得到一个对称的旋转力矩。电机422和转动块424固定在一起，转动块424的上下外圆和连杆的上下内圆，在电机422的旋转下相互作用。当电机422带着转动块424往复旋转一定角度时，所有红外灯管，在连杆和旋转轴41的作用下，同步往复旋转，实现红外灯管对上方的硅片大角度、动态加热，使所有硅片的整体温度更加均匀，保证了最终良好的工艺效果。

在真空腔体10内，硅片放置在载板22上，载板22从真空腔体10的设置在腔体侧壁的上料端进入，通过传输滚轮24传送进入到腔体内部，当真空腔体10处于工作状态时，控制系统600控制电机422启动，转动块424在电机422作用下，带动上下连接杆沿相反的方向运动，由于红外灯管与接线端头444固定、接线端头444与固定块442固定，固定块442与旋转轴41固定，故联动的旋转轴41、固定块442、接线端头444、红外灯管、旋转支撑件31作为整体，发生旋转，可实现红外灯管的往复旋转。通过控制红外灯管的旋转与载板22的同步移动，以使硅片受热更均匀，提高工艺效果。

如图7所示，本发明还提供了一种空镀膜设备，包括如第一方面实施例中任一项的用于PECVD设备的加热装置100、入腔门阀300、出腔门阀400、检测装置500和控制系统600。其中，入腔门阀300与加热装置100的真空腔体10连通，出腔门阀400与加热装置100的真空腔体10连通。检测装置500用于检测待加热件200的位置。控制系统600与加热装置100、入腔门阀300、出腔门阀400和检测装置500连接，控制系统600能够控制入腔门阀300和出腔门阀400的开闭。

上述设置中，真空镀膜设备集成了加热装置100、控制系统600及其他零部件，这样使得真空镀膜设备不但具有自动加热的功能，还具有均匀加热的功能，进而满足设备的自动化控制要求以及高性能要求。

本发明第二方面的技术方案提供的真空镀膜设备，因包括第一方面实施例中任一项的用于PECVD设备的加热装置100，因而具有上述任一实施例所具有的一切有益效果，在此不再赘述。

如图8所示，本发明还提供了一种PECVD设备的加热方法，加热方法利用上述的真空镀膜设备进行加热，加热方法包括以下步骤：

步骤S10：将待加热件传送至真空腔体内；

步骤S20：待加热件在其传送方向上往复运动的同时，对待加热件进行动态加热；

步骤S30：将待加热件传送至真空腔体外。

上述设置中，由于辐射源32具有旋转功能，这样能够调整辐射源32的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。避免了相关技术中利用辐射非接触的加热方式对硅片进行加热时，硅片的整体温度不均匀的问题。

另外，在对待加热件进行动态加热的同时，待加热件在其传送方向上往复运动，即待加热件200往复移动配合辐射源32的转动，这样使得辐射源32能够更加均匀地辐射加热载板22上的硅片，从而使得载板22上的硅片的整体温度更加地均匀，进而更好地保证了良好的工艺效果。

需要说明的是，入腔门阀300和出腔门阀400和真空腔体10与抽真空装置相连接，载板22通过入腔门阀300进入到真空腔体10，经真空腔体10加热完成后，通过出腔门阀400离开真空腔体10的过程中，入腔门阀300和出腔门阀400及真空腔体10均处于真空状态。

需要说明的是，本申请中的检测装置500包括第一检测装置、第二检测装置和第三检测装置。

(1)承载有硅片的载板22通过入腔口进入到真空腔体10内。

当第一检测装置检测载板22已完全进入真空腔体10内后，控制系统600控制入腔门阀300关闭，载板22静止停放在传输滚轮24上。

载板22随着传输滚轮24的转动进而反复移动，同时，红外灯管在驱动组件40的作用下反复旋转。

当第二检测装置检测到入腔门阀300已关闭后，控制系统600一方面控制驱动部42带动传动部44摇摆式旋转，即红外灯管也同步摇摆式旋转，一方面控制传输滚轮24沿载板22的传输方向前后往复旋转。

在预设加热时间内，持续上述动作，即采用动态加热方式，可提高加热的均匀性。

(3)载板22完成加热后，通过出腔门阀400离开真空腔体10。

当控制系统600检测到已达到预设加热时间后，控制系统600一方面控制驱动部42和传输滚轮24停止运动，一方面控制系统600控制出腔门阀400打开，当第三检测装置检测到出腔门阀400已打开，控制系统600控制传输滚轮24将载板22传输至真空腔体10外。

第一检测装置和第二检测装置设置在真空腔体10或入腔门阀300上，用于检测门阀的开闭，第三检测装置设置在真空腔体10或出腔门阀400上，用于检测门阀的开闭。

从以上的描述中，可以看出，由于辐射源32与真空腔体10转动连接，这样使得辐射源32具有旋转功能，能够调整辐射源32的热辐射角度，从而增加其热辐射的范围和热辐射的均匀性，实现了对硅片的动态加热和均匀加热，进而使得硅片在加热时的整体温度更加均匀，保证了良好的工艺效果。避免了相关技术中利用辐射非接触的加热方式对硅片进行加热时，硅片的整体温度不均匀的问题。

在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。