量子点层制备方法及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及量子点层制备方法及显示面板。

背景技术

现有技术中，在进行量子点图形化作业，制备量子点层时，通常会采用黄光工艺，采用紫外光对量子点材料进行光刻，从而制备出具备两种量子点(例如红色量子点和绿色量子点)的量子点层。

现有技术的缺陷在于，采用紫外光对量子点材料的进行光刻以形成所需量子点层，而在构建好一种颜色的量子点层后，在形成另一种颜色的量子点层的过程中，紫外光容易对已构建好的量子点层中的量子点造成影响，从而降低已构建好的量子点层中量子点的转换效率，可见，现有的量子点层制备方法的可靠性较差。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是如何降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

为了解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：一种量子点层制备方法，包括：在玻璃基板上生成第一量子点层，其中，第一量子点层包括间隔设置在玻璃基板上的多个第一量子点；在第一量子点层和玻璃基板上沉积二氧化硅，以形成覆盖第一量子点层和玻璃基板的隔离层；在隔离层上生成第二量子点层，其中，第二量子点层包括间隔设置在隔离层上的多个第二量子点，第一量子点的颜色与第二量子点的颜色不同。

其中，在玻璃基板上生成第一量子点层，包括：在玻璃基板上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，以形成第一涂布层；在第一涂布层上涂布预设混合液，以形成第二涂布层，其中，预设混合液为聚甲基丙烯酸甲酯溶于甲苯溶剂形成的混合液；在第二涂布层上涂布第一光刻胶，以形成第三涂布层；对第三涂布层进行光刻处理，以在第三涂布层上形成间隔设置的多个第一开孔；在各第一开孔处进行等离子蚀刻处理，以去除第一涂布层和第二涂布层中分别与各第一开孔的位置对应的部分；在第三涂布层和玻璃基板上涂布第一量子点层；去除玻璃基板上的第一涂布层、第二涂布层和第三涂布层。

其中，在隔离层上生成第二量子点层，包括：在隔离层上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，以形成第四涂布层；在第四涂布层上涂布预设混合液，以形成第五涂布层；在第五涂布层上涂布第二光刻胶，以形成第六涂布层；对第六涂布层进行光刻处理，以在第六涂布层上形成间隔设置的多个第二开孔；在各第二开孔处进行等离子蚀刻处理，以去除第四涂布层和第五涂布层中分别与各第二开孔的位置对应的部分；在第六涂布层和隔离层上涂布第二量子点层；去除隔离层上的第四涂布层、第五涂布层和第六涂布层。

其中，第一光刻胶的颜色与第二光刻胶的颜色不同。

其中，第二光刻胶的颜色为黑色。

其中，在各第一开孔处进行等离子蚀刻处理，包括：在各第一开孔处采用氧气等离子体进行蚀刻。

其中，去除玻璃基板上的第一涂布层、第二涂布层和第三涂布层，包括：对玻璃基板上剩余的第一涂布层进行等离子蚀刻处理，以去除玻璃基板上剩余的第一涂布层、第二涂布层和第三涂布层。

其中，在在隔离层上生成第二量子点层之后，量子点层制备方法还包括：基于转移头，将量子点层转移至显示基板上，量子点层包括第一量子点层、隔离层和第二量子点层。

其中，转移头为无印章的聚二甲基硅氧烷转移头。

为了解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：一种显示面板，显示面板包括驱动芯片和基于上述量子点层制备方法制备的量子点层。

本申请的有益效果在于：区别于现有技术，本申请的技术方案中，在玻璃基板上生成包括间隔设置在玻璃基板上的多个第一量子点的第一量子点层，在第一量子点层和玻璃基板上沉积二氧化硅以形成覆盖第一量子点层和玻璃基板的隔离层，在隔离层上生成包括间隔设置在隔离层上的多个第二量子点的第二量子点层，其中，第一量子点的颜色与第二量子点的颜色不同。基于上述方式，能够在构建好包含一种颜色量子点对应的第一量子点层后，在该第一量子点层上覆盖二氧化硅形成隔离层，再在该隔离层上生成第二量子点层，此过程中，由二氧化硅构成的隔离层具备对紫外线的消光作用，从而能够起到防止或减轻第一量子点层受到构建第二量子点层时采用的紫外光的损坏的效果，进而降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请量子点层制备方法的一实施例的流程示意图；

图2是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之一；

图3是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之二；

图4是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之三；

图5是图1所示量子点层制备方法中步骤S11的流程示意图；

图6是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之四；

图7是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之五；

图8是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之六；

图9是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之七；

图10是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之八；

图11是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之九；

图12是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之十；

图13是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之十一；

图14是图1所示量子点层制备方法中步骤S13的流程示意图；

图15是本申请量子点转移过程的一实施例的示意图；

图16是本申请显示面板的一实施例的结构示意图。

附图标记：玻璃基板101，第一量子点102，隔离层103，第二量子点104，第一涂布层105，第二涂布层106，第三涂布层107，第一开孔1071，量子点覆盖层108，第四涂布层109，第五涂布层110，第六涂布层111，第二开孔1111，转移头X，显示面板20，驱动芯片21，量子点层22。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。

本申请的描述中，需要说明书的是，除非另外明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械来能接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间隔相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况连接上述属于在本申请的具体含义。

本申请首先提出一种量子点层制备方法，参见图1，图1是本申请量子点层制备方法的一实施例的流程示意图，如图1所示，量子点层制备方法包括：

步骤S11：在玻璃基板上生成第一量子点层。

其中，第一量子点层包括间隔设置在玻璃基板上的多个第一量子点。

参见图2，图2是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之一，如图2所示，在玻璃基板101上生成多个第一量子点102，多个第一量子点102可以在玻璃基板101上间隔设置，从而形成陈列排布的多个第一量子点102，或其它排布的多个第一量子点102。

步骤S12：在第一量子点层和玻璃基板上沉积二氧化硅，以形成覆盖第一量子点层和玻璃基板的隔离层。

其中，在形成如图1所示的玻璃基板101上的多个第一量子点102后，参见图3，图3是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之二，如图3所示，可在玻璃基板101上设置有多个第一量子点102的一侧沉积二氧化硅，以形成具备与玻璃基板101材质类似的性质的隔离层103。

需要说明的是，能够对紫外线起到消光作用，通过隔离层对二氧化硅的吸收，即可防止在后续制备第二量子点层时，所采用的紫外光对已形成的第一量子点层中的第一量子点102造成损坏而降低其转换效率，进而提高量子点层制备方法所制备量子点层的质量，提高量子点层制备方法的可靠性。

具体地，该隔离层的厚度可以是5纳米，或其它厚度，具体可根据实际需求而定，此处不作限定。

步骤S13：在隔离层上生成第二量子点层。

其中，第二量子点层包括间隔设置在隔离层103上的多个第二量子点104，第一量子点102的颜色与第二量子点104的颜色不同。

参见图4，图4是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之三，如图4所示，在隔离层103上生成多个第二量子点104，多个第二量子点104可以在玻璃基板101上间隔设置，从而形成陈列排布的多个第二量子点104，或其它排布的多个第二量子点104。

由于通过沉积二氧化硅所形成隔离层103的存在，能够减少或消除生成第二量子点104时所采用的紫外线对隔离层103所覆盖的第一量子点102造成的负面影响，降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

区别于现有技术，本申请的技术方案中，在玻璃基板上生成包括间隔设置在玻璃基板上的多个第一量子点的第一量子点层，在第一量子点层和玻璃基板上沉积二氧化硅以形成覆盖第一量子点层和玻璃基板的隔离层，在隔离层上生成包括间隔设置在隔离层上的多个第二量子点的第二量子点层，其中，第一量子点的颜色与第二量子点的颜色不同。基于上述方式，能够在构建好包含一种颜色量子点对应的第一量子点层后，在该第一量子点层上覆盖二氧化硅形成隔离层，再在该隔离层上生成第二量子点层，此过程中，由二氧化硅构成的隔离层具备对紫外线的消光作用，从而能够起到防止或减轻第一量子点层受到构建第二量子点层时采用的紫外光的损坏的效果，进而降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

在一实施例中，参见图5，图5是图1所示量子点层制备方法中步骤S11的流程示意图，如图5所示，步骤S11具体可包括：

步骤S111：在玻璃基板上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，以形成第一涂布层。

步骤S112：在第一涂布层上涂布预设混合液，以形成第二涂布层。

其中，预设混合液为聚甲基丙烯酸甲酯溶于甲苯溶剂形成的混合液。

步骤S113：在第二涂布层上涂布第一光刻胶，以形成第三涂布层。

步骤S114：对第三涂布层进行光刻处理，以在第三涂布层上形成间隔设置的多个第一开孔。

步骤S115：在各第一开孔处进行等离子蚀刻处理，以去除第一涂布层和第二涂布层中分别与各第一开孔的位置对应的部分。

步骤S116：在第三涂布层和玻璃基板上涂布第一量子点层。

步骤S117：去除玻璃基板上的第一涂布层、第二涂布层和第三涂布层。

具体地，参见图6，图6是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之四，如图6所示，在步骤S111中，在玻璃基板101上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，形成用于改善接触界面表面能的第一涂布层105，在涂布该1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷的时候，将水滴角控制在大于30度的程度，且在涂布该1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷之前，还可采用臭氧对玻璃基板101用于形成第一涂布层105的一侧进行清洗，以避免玻璃基板101上存在污染物而导致第一涂布层105生成失败。

在步骤S112中，在第一涂布层105上涂布上述预设混合液，该预设混合液具体可以是聚甲基丙烯酸甲酯溶于甲苯溶剂形成的质量分数为3％的混合液，并在涂布完上述预设混合液后对其进行烘干固化，以形成第二涂布层106，该烘干固化的温度可以是90摄氏度。

在步骤S113中，在第二涂布层106上涂布光刻胶，形成第三涂布层107。

参见图7，图7是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之五，如图7所示，在步骤S114中，对光刻胶构成的第三涂布层107进行光刻处理，从而在第三涂布层107上形成间隔设置的多个第一开孔1071，其中，相邻第一开孔1071之间的间距可以与量子点层所在显示面板上相邻像素之间的间距相同。

参见图8，图8是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之六，如图8所示，在步骤S115中，可在各第一开孔1071处进行等离子蚀刻处理，蚀刻至玻璃基板101的表面露出，以去除第一涂布层105和第二涂布层106中分别与各第一开孔1071的位置对应的部分，具体地，该等离子蚀刻具体可以是采用氧气等离子体进行等离子蚀刻，也可以是采用其它类型等离子体进行等离子蚀刻或等离子清洗，具体可根据实际需求而定，此处不作限定。

参见图9，图9是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之七，如图9所示，在步骤S116中，在第三涂布层107和玻璃基板101上涂布量子点材料，以使得量子点材料覆盖全部第三涂布层107的表面，并填充因前述等离子蚀刻处理所蚀刻出的位于各涂布层内的容纳空间，对量子点材料进行烘干固化，形成第一量子点层，该烘干固化的温度可以是90摄氏度。

如图2所示，通过采用干式蚀刻方式，将玻璃基板101上的第一涂布层105、第二涂布层106，第三涂布层107及部分量子点覆盖层108进行剥离，余留下多个第一量子点102，完成第一量子点层的构建。

基于上述方式，能够构建出具有稳定间距，且转换效率较好的第一量子点层，改善量子点层的质量。

可选地，参见图14，图14是图1所示量子点层制备方法中步骤S13的流程示意图，如图14所示，步骤S13具体可包括：

步骤S131：在隔离层上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，以形成第四涂布层。

步骤S132：在第四涂布层上涂布预设混合液，以形成第五涂布层。

步骤S133：在第五涂布层上涂布第二光刻胶，以形成第六涂布层。

步骤S134：对第六涂布层进行光刻处理，以在第六涂布层上形成间隔设置的多个第二开孔。

步骤S135：在各第二开孔处进行等离子蚀刻处理，以去除第四涂布层和第五涂布层中分别与各第二开孔的位置对应的部分。

步骤S136：在第六涂布层和隔离层上涂布第二量子点层。

步骤S137：去除隔离层上的第四涂布层、第五涂布层和第六涂布层。

具体地，上述步骤S131-S137与前文所述步骤S111-S117相对应，区别在于，步骤S111-S117为在玻璃基板101上生成第一量子点层，而步骤S131-S137为在隔离层103上生成第二量子点层，其中，玻璃基板101与隔离层103的材质接近，而所生成的第二量子点104分别位于相应的两个第一量子点102之间，或者，所生成的第一量子点102分别位于相应的两个第二量子点104之间。

基于上述方式，在制备第二量子点层而采用上述光刻处理时，因光刻处理而采用的紫外光将会被隔离层103所吸收，进而减少第一量子点层因紫外光而导致转换效率衰减严重的可能性，提高量子点层制备方法的可靠性。

此外，还可基于上述工艺，实现量子点之间的间距小于10微米的量子点层的构建，改善显示面板的显示效果。

上述步骤S131-S137具体可如下：

参见图10，图10是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之八，如图10所示，在步骤S131中，在隔离层103上涂布1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷，形成用于改善接触界面表面能的第四涂布层109，在涂布该1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷的时候，将水滴角控制在大于30度的程度，且在涂布该1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷之前，还可采用臭氧对隔离层103用于形成第四涂布层109的一侧进行清洗，以避免隔离层103上存在污染物而导致第四涂布层109生成失败。

在步骤S132中，在第四涂布层109上涂布上述预设混合液，该预设混合液具体可以是聚甲基丙烯酸甲酯溶于甲苯溶剂形成的质量分数为3％的混合液，并在涂布完上述预设混合液后对其进行烘干固化，以形成第五涂布层110，该烘干固化的温度可以是90摄氏度。

在步骤S133中，在第五涂布层110上涂布光刻胶，形成第六涂布层111。

参见图11，图11是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之九，如图11所示，在步骤S134中，对光刻胶构成的第六涂布层111进行光刻处理，从而在第六涂布层111上形成间隔设置的多个第二开孔1111，其中，相邻第二开孔1111之间的间距可以与量子点层所在显示面板上相邻像素之间的间距相同。

参见图12，图12是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之十，如图12所示，在步骤S135中，可在各第二开孔1111处进行等离子蚀刻处理，蚀刻至隔离层103的表面露出，以去除第四涂布层109和第五涂布层110中分别与各第二开孔1111的位置对应的部分，具体地，该等离子蚀刻具体可以是采用氧气等离子体进行等离子蚀刻，也可以是采用其它类型等离子体进行等离子蚀刻或等离子清洗，具体可根据实际需求而定，此处不作限定。

参见图13，图13是本申请量子点层的一实施例的剖面示意图之十一，如图13所示，在步骤S136中，在第六涂布层111和隔离层103上涂布量子点材料，以使得量子点材料覆盖全部第六涂布层111的表面，并填充因前述等离子蚀刻处理所蚀刻出的位于各涂布层内的容纳空间，对量子点材料进行烘干固化，形成第二量子点层，该烘干固化的温度可以是90摄氏度。

进一步地，第一光刻胶的颜色与第二光刻胶的颜色不同。

具体地，构建第三涂布层107时所采用的第一光刻胶的颜色，与构建第六涂布层时所采用的第二光刻胶的颜色不同，第六涂布层时所采用的第二光刻胶的颜色的暗度具体可以大于预设暗度阈值。

更进一步地，第二光刻胶的颜色为黑色。

具体地，在第二光刻胶的颜色为黑色时，在步骤S134中采用黄光工艺对第六涂布层进行开孔形成多个第二开孔时，所采用的紫外光将更难以穿透黑色光刻胶对第一量子点102造成影响，进一步降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

可选地，步骤S117具体可包括：

对玻璃基板101上剩余的第一涂布层105进行等离子蚀刻处理，以去除玻璃基板101上剩余的第一涂布层105、第二涂布层106和第三涂布层107。

在一实施例中，在步骤S13之后，量子点层制备方法还可包括：

基于转移头X，将量子点层转移至显示基板上，量子点层包括第一量子点层、隔离层103和第二量子点层。

具体地，参见图15，图15是本申请量子点转移过程的一实施例的示意图，可采用转移头X吸附量子点层，并将之转移至对应显示基板上，用于构建含上述量子点层制备方法所制备量子点层的显示面板。

可选地，转移头X为无印章的聚二甲基硅氧烷转移头。

基于上述方式，能够同时吸附第一量子点层、隔离层103和第二量子点层构成的量子点层，一同转移至对应的显示基板上，例如，在第一量子点层为红色量子点层，而第二量子点层为绿色量子点层时，能够一次将整个量子点层都转移至对应的显示基板上，提高转移效率。

本申请还提出一种显示面板，参见图16，图16是本申请显示面板的一实施例的结构示意图，如图16所示，显示面板20包括驱动芯片21和量子点层22，量子点层22为基于前文任意一实施例所述的量子点层制备方法制备的量子点层。

区别于现有技术，本申请的技术方案中，在玻璃基板上生成包括间隔设置在玻璃基板上的多个第一量子点102的第一量子点102层，在第一量子点102层和玻璃基板上沉积二氧化硅以形成覆盖第一量子点102层和玻璃基板的隔离层，在隔离层上生成包括间隔设置在隔离层上的多个第二量子点的第二量子点层，其中，第一量子点102的颜色与第二量子点的颜色不同。基于上述方式，能够在构建好包含一种颜色量子点对应的第一量子点102层后，在该第一量子点102层上覆盖二氧化硅形成隔离层，再在该隔离层上生成第二量子点层，此过程中，由二氧化硅构成的隔离层具备对紫外线的消光作用，从而能够起到防止或减轻第一量子点102层受到构建第二量子点层时采用的紫外光的损坏的效果，进而降低量子点层的量子点的转换效率在制备中出现过大衰减的风险，以提高量子点层制备方法的可靠性。

在本申请的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(可以是个人计算机，服务器，网络设备或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。