外延晶圆的缺陷检测方法、装置及介质

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及介质。

背景技术

作为半导体晶片的缺陷或异物的评价方法，基于由表面检查装置所检测到的亮点缺陷(LPD，Light Point Defect)的方法被广泛使用。该方法是这样一种方法，即，使光入射到评价对象晶片的表面，通过检测来自该表面的放射光(包括散射光和反射光)，对晶片的缺陷及附着于表面的异物的有无及异物尺寸进行评价。

相关方案所涉及的基于LPD的方法能够较为精确地识别出评价对象晶片表面上的附着颗粒、评价对象晶片表面上的划痕(Scratch)缺陷、深坑(Pit)缺陷以及起因于半导体晶片的结晶品质的各种凹状缺陷(比如COP(Crystal Originated Particles)、位错等，以下包含COP、位错等可以被简记为COP)。其中，附着颗粒可以通过后续增加清洗工艺消除，而Scratch缺陷、Pit缺陷以及COP无法通过增加清洗工艺消除。一直以来，相关方案所涉及的基于LPD的方法以能够将附着颗粒与COP分离检测为目的，对于层错缺陷(Stacking Fault，SF)的检出率低，无法准确地检测出层错缺陷，从而出现漏检情况，增加了出货风险。

发明内容

本公开提供了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及介质；能够准确地检测出层错缺陷，提高层错缺陷的检出率以及缺陷检测的准确性，降低漏检情况的发生和出货风险。

本公开的技术方案是这样实现的：

第一方面，本公开提供了一种外延晶圆的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法包括：

针对待测晶圆中被检出的亮点处对应的缺陷，根据所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值判定所述缺陷为能够通过清洗消除的第一缺陷或无法通过清洗消除的第二缺陷；

当根据所述第一比值无法判定所述缺陷为第一缺陷或第二缺陷时，根据所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值判定所述缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。

第二方面，本公开提供了一种外延晶圆的缺陷检测装置，所述装置包括：第一判定部和第二判定部；其中，

所述第一判定部，被配置成针对待测晶圆中被检出的亮点处对应的缺陷，根据所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值判定所述缺陷为能够通过清洗消除的第一缺陷或无法通过清洗消除的第二缺陷；

所述第二判定部，被配置成当根据所述第一比值无法判定所述缺陷为第一缺陷或第二缺陷时，根据所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值判定所述缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。

第三方面，本公开提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面所述的外延晶圆的缺陷检测方法。

第四方面，本公开提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的外延晶圆的缺陷检测方法。

本公开提供了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及介质；首先利用缺陷在DNO通道的检测尺寸与所述缺陷在DW1O通道的检测尺寸的第一比值判定该缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷，如果根据第一比值无法判定，那么就结合缺陷在DW2O通道的检测尺寸与所述缺陷在DW1O通道的检测尺寸的第二比值判定该缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。通过本公开技术方案检测到的第二缺陷，除了包括了COP之外，还包括相关方案无法准确检测的层错缺陷，从而提高层错缺陷的检出率以及缺陷检测的准确性，降低漏检情况的发生和出货风险。

附图说明

图1为本公开提供的一种表面检查装置组成示意图。

图2为本公开提供的一种外延晶圆的缺陷检测方法流程示意图。

图3为本公开提供的一种检测结果对比示意图。

图4为本公开提供的一种外延晶圆的缺陷检测装置的组成示意图。

图5为本公开提供的一种计算设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本公开中的附图，对本公开中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参见图1，其示出了本公开适用的一种表面检查装置10示例。在图1中，实线箭头示意性地表示入射光，虚线箭头示意性地表示放射光，在本公开中，放射光包括反射光和散射光的一方或两方。

在图1中，该装置10包括：具备低角度侧光源100的第一入射系统以及具备高角度侧光源101a的第二入射系统。第二入射系统包括高角度侧光源101a和反射镜101b。从高角度侧激光光源101a射出的光通过反射镜101b反射，变更其射出方向而入射到晶片1的覆盖层(未图示)的表面。

在本公开中，从第一入射系统和第二入射系统分别入射到晶片的覆盖层表面的入射光的波长没有特别限定。在一些示例中，入射光可以是紫外光，但是也可以是可见光或其他光。在本公开中，紫外光是指小于400nm的波长区域的光，可见光是指400～600nm的波长区域的光。

关于上述两种入射系统，相对于入射角，高角度(侧)/低角度(侧)是指由一方与另一方的关系相对地确定的角度，具体的角度没有限定。在一些示例中，如果将与上述覆盖层表面水平的所有方向设为0°，将与该覆盖层表面垂直的方向设为90°，将入射角规定为从最小0°到最大90°，则从第一入射系统入射到晶片的覆盖层表面的入射光的入射角可以为0°以上60°以下，优选为超过0°且30°以下的范围。另一方面，作为与上述同样地规定的入射角，从第二入射系统入射到评价对象的晶片的覆盖层表面的入射光的入射角可以为超过60°且90°以下，优选为超过80°且90°以下。

继续参见图1，该装置10还包括：高角度侧受光器201、低角度侧受光器202和低角度侧受光器203。低角度侧受光器202、203具有在载物台11上方整周接收放射光的结构。可以理解地，表面检查装置所具有的受光系统只要具有能够接收放射光的结构即可，并不限定于图1所示的结构。

关于上述三种受光器，在本公开中，高角度侧受光器201接收放射光的角度(受光角)高于低角度侧受光器202和低角度侧受光器203接收放射光的角度。需要说明的是，相对于受光角，高角度(侧)/低角度(侧)是由一方与另一方的关系相对地确定的角度，具体的角度没有限定。在一些示例中，在与前面记载的入射角同样地以晶片的覆盖层的表面为基准而规定角度的情况下，高角度侧的受光可以是指以超过80°且90°以下的受光角进行受光，低角度侧的受光可以是指以0°以上80°以下的受光角进行受光。在一些示例中，低角度侧受光器202的受光角高于低角度侧受光器203的受光角。

关于上述三种受光器，在本公开中，高角度侧受光器201、低角度侧受光器202和低角度侧受光器203可以具备选择性地接收具备特定方位角的偏振光，也可以接收全方位光，即接收所有方位角的偏振光。在一些示例中，高角度侧受光器201接收全方位光，低角度侧受光器202接收方位角为θ

此外，表面检查装置10通过具备能够使载置晶片1的载物台11旋转的旋转电机12以及能够在水平方向上移动的可动单元(未图示)，能够改变从上述各激光光源入射的光的照射位置。由此，能够对晶片1的覆盖层的表面的应评价的区域或表面整个区域依次照射(即扫描)光，并且在应评价的区域或表面整个区域进行缺陷种类的检测。

此外，表面检查装置10具备：控制部13，控制载物台11的旋转和水平方向的移动；以及运算部14，基于上述各受光器接收到的放射光的信息，计算检测出的缺陷种类的检测尺寸。此外，计算设备15从控制部13接收照射了光的位置的位置信息，并且为了向未照射位置照射光而发送使载物台11移动的信号。进而，计算设备15能够从运算部14接收与检测出的缺陷种类的检测尺寸相关的信息，生成在后面详细说明的各种测定结果。

根据图1中示出的表面检查装置10，在本公开中，通过组合第一入射系统和高角度侧受光器201，能够获得晶片的覆盖层表面在暗场窄倾斜(DNO，Dark-Field NarrowOblique)通道的第一检测结果。通过组合第一入射系统和低角度侧受光器202，能够获得晶片的覆盖层表面在暗场宽1倾斜(DW1O，Dark-Field Wide1 Oblique)通道的第二检测结果。通过组合第一入射系统和低角度侧受光器203，能够获得晶片的覆盖层表面在暗场宽2倾斜(DW2O，Dark-Field Wide2 Oblique)通道的第三检测结果。上述三种检测结果均可以包括在相应的通道条件下，针对晶片的覆盖层表面检测到的亮点以及亮点对应的检测尺寸。

在本公开中，上述表面检查装置10的评价对象，即晶片1为具有外延层的外延晶圆。在一些示例中，上述外延层可以是在抛光晶圆上沉积了成膜材料的沉积层。作为用于形成沉积层的成膜方法，以列举能够通过气相生长法使成膜材料沉积在抛光晶圆上的各种成膜方法，例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、原子层沉积(AtomicLayer Deposition，ALD)法等。上述外延层的厚度例如可以为5至500nm的范围，但是并不限定于该范围。

在通过上述表面检查装置10对外延晶圆表面进行检测的过程中，通过使光从一入射系统向外延晶圆的外延层表面入射且光从外延层表面放射，外延晶圆的表面所存在的缺陷会在高角度侧受光器201、低角度侧受光器202和低角度侧受光器203中作为亮点(LightPoint)被检出。通过检测亮点，在运算部14，根据标准粒子的尺寸，利用被检测到的亮点的尺寸，能够算出造成亮点的缺陷的尺寸(检测尺寸)。利用市场上销售的表面检查装置所配备的运算手段或利用公知的运算方法，能够计算基于标准粒子的尺寸的检测尺寸。

结合前述三个通道，对于单个亮点来说，会对应形成三种检测尺寸。相关方案中基于将附着颗粒与COP分离检测为目的，通常仅采用DNO通道的检测尺寸与DW1O通道的检测尺寸的比值判定亮点对应的缺陷为附着颗粒或COP。如果被判定为附着颗粒，则可以通过后续清洗而消除。如果被判定为COP，泽不可以通过后续清洗而消除。

在外延晶圆中，层错缺陷同样也是需要重视的缺陷类型。相关方案无法准确地检测层错缺陷，从而出现漏检情况，增加了出货风险。

基于此，参见图2，其示出了本公开提供的一种外延晶圆的缺陷检测方法，该方法包括步骤S201至步骤S202。

在步骤S201中，针对待测晶圆中被检出的亮点处对应的缺陷，根据缺陷在DNO通道的第一检测尺寸与缺陷在DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值判定缺陷为能够通过清洗消除的第一缺陷或无法通过清洗消除的第二缺陷。

在本公开中，通过图1所示的表面检查装置10检测外延晶圆的外延层表面，可以获得多个亮点，每个亮点的对应位置处均可以认为存在缺陷。

在一些示例中，第一缺陷可以包括非外延层起因异物(比如附着物)引起的缺陷，比如颗粒缺陷等。这类缺陷能够通过一般的清洗容易地除去。因此，为了在判定为第一缺陷之后，可以通过强化清洗条件的方式降低外延层表面的附着物。比如，增加清洗次数、延长清洗时间、使用清洗力更高的清洗剂等。或者作可以通过重新研究成膜过程来抑制成膜过程中和/或成膜过程后异物附着于外延层的表面。

在一些示例中，第二缺陷包括外延层起因缺陷，即起因于外延层形成而产生的缺陷，例如，小丘(Hillock)、层错缺陷SF、位错(Dislocation)等，也可以包括Hillock、SF和Dislocation组成的群中所选择的两种以上的缺陷连结后的复合缺陷，还可以包括COP。这些缺陷无法通过清洗消除。

在本公开中，为了能够基于第一比值准确地判定第一缺陷，可以针对第一比值设定用于判定第一缺陷的第一数值范围。当一个亮点处对应的缺陷的第一比值处于第一数值范围内，则可以判定该缺陷为第一缺陷。如果不处于第一数值范围内，则表示该缺陷存在不是第一缺陷的可能。

在本公开中，为了能够基于第一比值准确地判定第二缺陷，在一些示例中，可以针对第一比值设定用于判定第二缺陷的第二数值范围。当一个亮点处对应的缺陷的第一比值处于第二数值范围内，则可以判定该缺陷为第二缺陷。如果不处于第二数值范围内，则表示该缺陷存在不是第二缺陷的可能。

需要说明的是，由于相关方案中同样也利用DNO通道与DW1O通道的检测尺寸的比值分离检测颗粒缺陷和COP，无法准确识别层错缺陷。因此，仅通过步骤S201，仍然无法提高层错缺陷的检出概率。因此，本公开通过引入DW2O通道的检测尺寸，以期望能够基于该通道的引入，提高层错缺陷的检出率。

在步骤S202中，当根据第一比值无法判定缺陷为第一缺陷或第二缺陷时，根据缺陷在DW2O通道的第三检测尺寸与缺陷的第二检测尺寸的第二比值判定缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。

在本公开中，如果无法通过第一比值确认该缺陷为第一缺陷或第二缺陷，那么就可以结合缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸进行进一步判定，本公开中也可称之为二次判定。

在二次判定过程中，为了能够基于第二比值准确地判定第一缺陷，可以针对第二比值设定用于判定第一缺陷的第三数值范围。当一个亮点处对应的缺陷的第二比值处于第三数值范围内时，则可以判定该缺陷为第一缺陷。

在二次判定过程中，为了能够基于第二比值准确地判定第二缺陷，可以针对第二比值设定用于判定第二缺陷的第四数值范围。当一个亮点处对应的缺陷的第二比值处于第四数值范围内，则可以判定该缺陷为第二缺陷。

需要说明的是，当根据图2所示的方案仍旧无法判定所述缺陷为第一缺陷或者第二缺陷，则需要借助人工目测或其他装置进行检测，比如扫描电子显微镜(ScanningElectron Microscope，SEM)，从而最终识别确认该缺陷为第一缺陷或第二缺陷。

对于上述技术方案，本公开首先利用缺陷在DNO通道的检测尺寸与所述缺陷在DW1O通道的检测尺寸的第一比值判定该缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷，如果根据第一比值无法判定，那么就结合缺陷在DW2O通道的检测尺寸与所述缺陷在DW1O通道的检测尺寸的第二比值判定该缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。通过本公开技术方案检测到的第二缺陷，除了包括了COP之外，还包括相关方案无法准确检测的层错缺陷，从而提高层错缺陷的检出率以及缺陷检测的准确性，降低漏检情况的发生和出货风险。

对于图2所示的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述根据所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值判定所述缺陷为能够通过清洗消除的第一缺陷或无法通过清洗消除的第二缺陷，包括：

获取所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值；

当所述第一比值处于第一数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第一比值处于第二数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

对于上述实现方式，需要说明的是，第一数值范围和第二数值范围并不是单个的关于数值的开区间，而是多个开区间的并集。在一些示例中，当所述第一比值处于第一数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷，包括：

当所述第一比值处于开区间(0.1，2)或(16，18)或(20，22)时，确定所述缺陷为所述第一缺陷。

在一些示例中，所述当所述第一比值处于第二数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷，包括：

当所述第一比值处于开区间(2，12)或(15，16)或(18，20)或(22，28)时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

对于上述实现方式和示例，举例来说，当一个缺陷在DNO通道检测到的第一检测尺寸为60nm，在DW1O通道检测到的第二检测尺寸为50nm，第一比值为60/50＝1.2，根据上述实现方式和示例，该缺陷处于开区间(0.1，2)中，因此，该缺陷为第一缺陷，即可以通过清洗消除的缺陷。

对于上述实现方式和示例，举例来说，当一个缺陷在DNO通道检测到的第一检测尺寸为200nm，在DW1O通道检测到的第二检测尺寸为50nm，第一比值为200/50＝4，根据上述实现方式和示例，该缺陷处于开区间(2，12)中，因此，该缺陷为第二缺陷，即无法通过清洗消除的缺陷。

对于图2所示的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述根据所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值判定所述缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷，包括：

获取所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值；

当所述第二比值处于第三数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第二比值处于第四数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

对于上述实现方式，需要说明的是，如果第一比值既不处于第一数值范围，也不处于第二数值范围，那么在所有可能的范围内，第一比值小于0.1或者所述第一比值处于开区间(12,15)。针对这两个数值范围，用于判定第一缺陷的第三数值范围和用于判定第二缺陷的第四数值范围也相应不同。

在一些示例中，所述当所述第二比值处于第三数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷，包括：

当所述第一比值小于0.1，并且所述第二比值大于20时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第一比值处于开区间(12,15)，并且所述第二比值小于1.5或大于15时，确定所述缺陷为所述第一缺陷。

在一些示例中，所述当所述第二比值处于第四数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷，包括：

当所述第一比值小于0.1，并且所述第二比值小于20时，确定所述缺陷为所述第二缺陷；

当所述第一比值处于开区间(12,15)，并且所述第二比值大于1.5且小于15时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

对于上述实现方式及示例，需要说明的是，当第一比值无法判定时，本公开采用DW2O通道的第三检测尺寸与第二检测尺寸之间的比值进行二次判定，利用倾斜光通道(DW1O通道和DW2O通道)对层错缺陷更加敏感的特性，提高层错缺陷的检出率以及缺陷检测的准确性，降低漏检情况的发生和出货风险。

为了阐述上述技术方案的技术效果，本公开提供了一下对比实验。

在对比实验中，首先，利用扫描电子显微镜针对100片外延晶圆的缺陷进行检测并分类，获得缺陷的基准数据。该基准数据为100片外延晶圆中存在100个无法通过清洗消除的第二缺陷。

接着，利用相关方案对上述100片外延晶圆的缺陷进行检测，该相关方案为：采用DNO通道的检测尺寸与DW1O通道的检测尺寸的比值判定亮点对应的缺陷为第一缺陷或第二缺陷。详细来说，当该比值大于0.1且小于1.5时，判定该缺陷为第一缺陷。当该比值小于0.1或大于等于1.5时，判定该缺陷为第二缺陷。根据该相关方案，检测获得的第二缺陷为44个，检出率为44％。

最后，利用本公开提供的技术方案对上述100片外延晶圆的缺陷进行检测，获得85个第二缺陷，检出率为85％。结合图3所示的本公开提供的技术方案的部分检测数据与基准数据之间的对比示意可以看出：以W1、W2、W3、W4这4片外延晶圆为例，本公开提供的技术方案的所检测到的第二缺陷与SEM检测到的第二缺陷的数量和位置一致，体现了本公开提供的技术方案提高了第二缺陷的检出率和准确性。

通过将相关方案与本公开提供的技术方案的检出率进行比较，可以看出，相关方案中，仅采用DNO通道的检测尺寸与DW1O通道的检测尺寸的比值进行判定的检出率较低。本公开提供的技术方案由于引入了DW2O通道的检测尺寸进行二次判定，从而提高了第二缺陷的检出率。

基于前述技术方案相同的发明构思，参见图4，其示出了本公开提供的一种外延晶圆的缺陷检测装置40，所述装置40包括：第一判定部401和第二判定部402；其中，

所述第一判定部401，被配置成针对待测晶圆中被检出的亮点处对应的缺陷，根据所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值判定所述缺陷为能够通过清洗消除的第一缺陷或无法通过清洗消除的第二缺陷；

所述第二判定部402，被配置成当根据所述第一比值无法判定所述缺陷为第一缺陷或第二缺陷时，根据所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值判定所述缺陷是否为第一缺陷或第二缺陷。

在一些示例中，所述第一判定部401，被配置成：

获取所述缺陷在暗场窄倾斜DNO通道的第一检测尺寸与所述缺陷在暗场宽1倾斜DW1O通道的第二检测尺寸的第一比值；

当所述第一比值处于第一数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第一比值处于第二数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

在一些示例中，所述第一判定部401，被配置成：

当所述第一比值处于开区间(0.1，2)或(16，18)或(20，22)时，确定所述缺陷为所述第一缺陷。

在一些示例中，所述第一判定部401，被配置成：

当所述第一比值处于开区间(2，12)或(15，16)或(18，20)或(22，28)时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

在一些示例中，所述第二判定部402，被配置成：

获取所述缺陷在暗场宽2倾斜DW2O通道的第三检测尺寸与所述缺陷的第二检测尺寸的第二比值；

当所述第二比值处于第三数值范围内时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第二比值处于第四数值范围内时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

在一些示例中，当根据所述第一比值无法判定所述缺陷为第一缺陷或第二缺陷时，所述第一比值小于0.1或者所述第一比值处于开区间(12,15)。

在一些示例中，所述第二判定部402，被配置成：

当所述第一比值小于0.1，并且所述第二比值大于20时，确定所述缺陷为所述第一缺陷；

当所述第一比值处于开区间(12,15)，并且所述第二比值小于1.5或大于15时，确定所述缺陷为所述第一缺陷。

在一些示例中，所述第二判定部402，被配置成：

当所述第一比值小于0.1，并且所述第二比值小于20时，确定所述缺陷为所述第二缺陷；

当所述第一比值处于开区间(12,15)，并且所述第二比值大于1.5且小于15时，确定所述缺陷为所述第二缺陷。

请参考图5，其示出了前述图1中所示出的计算设备15的示意性的结构方框图。在一些示例中，计算设备15可以为智能手机、智能手表、台式电脑、手提电脑、虚拟现实终端、增强现实终端、无线终端和膝上型便携计算机等设备中的至少一种。计算设备15具有通信功能，可以接入有线网络或无线网络。计算设备15可以泛指多个终端中的一个，本领域技术人员可以知晓，上述终端的数量可以更多或更少。在一些示例中，计算设备15可以基于所接入的有线网络或无线网络接收与检测出的缺陷种类的检测尺寸相关的信息。可以理解地，计算设备15承担本公开技术方案的计算及处理工作，本公开对此不作限定。

如图5所示，本公开中的计算设备可以包括一个或多个如下部件：处理器510和存储器520。

可选的，处理器510利用各种接口和线路连接整个计算设备内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器520内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器520内的数据，执行计算设备的各种功能和处理数据。可选地，处理器510可以采用数字信号处理(Digital Signal Processing，DSP)、现场可编程门阵列(Field－ProgrammableGateArray，FPGA)、可编程逻辑阵列(Programmable Logic Array，PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器510可集成中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图像处理器(Graphics Processing Unit，GPU)、神经网络处理器(Neural-network Processing Unit，NPU)和基带芯片等中的一种或几种的组合。其中，CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；GPU用于负责触摸显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制；NPU用于实现人工智能(Artificial Intelligence，AI)功能；基带芯片用于处理无线通信。可以理解的是，上述基带芯片也可以不集成到处理器510中，单独通过一块芯片进行实现。

存储器520可以包括随机存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)。可选地，该存储器520包括非瞬时性计算机可读介质(non-transitory computer-readable storage medium)。存储器520可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器520可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现以上各个方法实施例的指令等；存储数据区可存储根据计算设备的使用所创建的数据等。

除此之外，本领域技术人员可以理解，上述附图所示出的计算设备的结构并不构成对计算设备的限定，计算设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。比如，计算设备中还包括显示屏、摄像组件、麦克风、扬声器、射频电路、输入单元、传感器(比如加速度传感器、角速度传感器、光线传感器等等)、音频电路、WiFi模块、电源、蓝牙模块等部件，在此不再赘述。

本公开还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如上各个实施例所述的外延晶圆的缺陷检测方法。

本公开还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中；计算设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算设备执行以实现上述各个实施例所述的外延晶圆的缺陷检测方法。

本领域技术人员应该可以意识到，在上述一个或多个示例中，本公开所描述的功能可以用硬件、软件、固件或它们的任意组合来实现。当使用软件实现时，可以将这些功能存储在计算机可读介质中或者作为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码进行传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质，其中通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。

需要说明的是：本公开所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。