半导体封装及其制造方法

本申请是申请日为2016年6月29日，优先权日为2016年5月9日，申请号为201610498702.6的发明专利的分案申请。

技术领域

本发明关于半导体装置及其制造方法。

背景技术

现有的半导体装置以及用于制造半导体装置的方法存在不足，例如灵敏度过低、成本过高、降低可靠度、或是封装尺寸过大。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。

发明内容

本发明内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造一半导体封装之方法。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造其的方法，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。

附图说明

图1A及1B是根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图以及一部分切去的平面图。

图2A至2F是描绘在根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置中的各种黏着剂配发区域的平面图。

图3是根据本揭露内容的另一实施例的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图。

图4A至4I是描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一具有高灵敏度的半导体装置的方法的横截面图。

具体实施方式

以下的讨论是通过提供本揭露内容的例子来呈现本揭露内容的各种特点。此种例子并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种特点的范畴不应该是必然受限于所提供的例子之任何特定的特征。在以下的讨论中，所述措辞"例如"、"譬如"以及"范例的"并非限制性的，并且大致与"举例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及类似者为同义的。

如同在此所利用的，"及/或"是表示在表列中通过"及/或"所加入的项目中的任一个或多个。举例而言，"x及/或y"是表示三个元素的集合{(x)、(y)、(x,y)}中的任一元素。换言之，"x及/或y"是表示"x及y中的一或两者"。作为另一例子的是，"x、y及/或z"是表示七个元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、(x,y,z)}中的任一元素。换言之，"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多个"。

在此所用的术语只是为了描述特定例子之目的而已，因而并不欲限制本揭露内容。如同在此所用的，单数形是欲亦包含复数形，除非上下文另有清楚相反的指出。进一步将会理解到的是，当所述术语"包括"、"包含"、"具有"、与类似者用在此说明书时，其指明所述特点、整数、步骤、操作、组件及/或构件的存在，但是并不排除一或多个其它特点、整数、步骤、操作、组件、构件及/或其之群组的存在或是添加。

将会了解到的是，尽管所述术语第一、第二、等等在此可被使用以描述各种的组件，但是这些组件不应该受限于这些术语。这些术语只是被用来区别一组件与另一组件而已。因此，例如在以下论述的一第一组件、一第一构件或是一第一区段可被称为一第二组件、一第二构件或是一第二区段，而不脱离本揭露内容的教示。类似地，各种例如是"上方的"、"在…之上"、"下方的"、"在…之下"、"侧边"、"横向的"、"水平的"、"垂直的"、与类似者的空间的术语可以用一种相对的方式而被用在区别一组件与另一组件。然而，应该了解的是构件可以用不同的方式来加以定向，例如一半导体装置可被转向侧边，因而其"顶"表面是水平朝向的，并且其"侧"表面是垂直朝向的，而不脱离本揭露内容的教示。

同样将会理解到的是，除非另有明确相反地指出，否则耦合、连接、附接、与类似者的术语是包含直接及间接(例如，具有一介于中间的组件)的耦合、连接、附接、等等。例如，若组件A耦合至组件B，则组件A可以是通过一中间的信号分布结构来间接耦合至组件B、组件A可以是直接耦合至组件B(例如，直接黏着至、直接焊接至、通过直接的金属到金属的接合来附接、等等)、等等。

在图式中，结构、层、区域、等等的尺寸(例如，绝对及/或相对的尺寸)可能会为了清楚起见而被夸大。尽管此种尺寸大致是指出一种范例实施方式，但是它们并非限制性的。例如，若结构A被描绘为大于区域B，则此大致是指出一种范例实施方式，但是除非另有指出，否则结构A一般并不需要是大于结构B。此外，在图式中，相同的组件符号可以是指整个讨论中的相似的组件。

所述揭露内容的某些实施例是有关于一种具有高灵敏度的半导体装置以及一种其制造(或是制作)方法。

一般而言，一种微机电系统(MEMS)封装是表示一种具有许多被整合在相同的芯片上的电子电路及机械构件的系统。用于制造所述MEMS封装的技术是源自于用在制造半导体芯片的硅制程技术。所述MEMS封装是以一种三维的结构来加以制造，其具有被整合在一硅基板上的微加工构件，其例如是包含一阀、一马达、一泵、一齿轮及/或一振膜。尽管一MEMS封装可被利于在此提出的各种例子中，但是本揭露内容的范畴并不限于MEMS封装。

根据本揭露内容的一特点，其提供有一种半导体装置，所述半导体装置包含一电路板；一第一半导体晶粒，其电连接至所述电路板；在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；一第二半导体晶粒，其是黏着至所述复数个黏着剂区域并且电连接至所述电路板；以及一外壳，其是黏着至所述电路板，同时覆盖所述第一半导体晶粒、所述黏着剂区域以及所述第二半导体晶粒。

根据本揭露内容的另一特点，其提供有一种半导体装置，所述半导体装置包含一第一半导体晶粒；在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。

根据本揭露内容的又一特点，其提供有一种制造一半导体装置的方法，所述制造方法包含制备一电路板；将一第一半导体晶粒电连接至所述电路板；在所述第一半导体晶粒上形成复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；将一第二半导体晶粒附着至所述复数个黏着剂区域，并且将所述第二半导体晶粒电连接至所述电路板；以及将一外壳附着至所述电路板以覆盖所述第一半导体晶粒、所述黏着剂区域以及所述第二半导体晶粒。

参照图1A及1B，根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图以及部分切去的平面图被描绘。

如同在图1A及1B中所绘，根据本揭露内容的各种特点的具有高灵敏度的半导体装置100包含一电路板110、一第一半导体晶粒120、复数个黏着剂区域130、一第二半导体晶粒140、以及一外壳150。

在此，所述第一半导体晶粒120可以通过例如是导电凸块121来电连接至所述电路板110，并且所述第二半导体晶粒140可以通过例如是导线143来电连接至所述电路板110。

所述电路板110例如可包含一绝缘层111(或是介电层)，其具有一实质平面的第一表面111a以及一与所述第一表面111a相对的实质平面的第二表面111b；第一电路图案112a，其被形成在所述绝缘层111的第一表面111a上；第二电路图案112b，其被形成在所述绝缘层111的第二表面111b上；以及导电贯孔113，其是将所述第一电路图案112a以及所述第二电路图案112b彼此连接。注意到的是，所述电路板110仅仅是一例子而已，并且各种基板结构的任一种都可被利用(例如，有核心及无核心的基板、中介体结构、单层或是多层的重布线结构、等等)。

在此，所述绝缘层111的第一表面111a以及所述第一电路图案112a可以被例如是一第一保护层114a(或介电层)所覆盖，并且所述绝缘层111的第二表面111b以及所述第二电路图案112b可以被例如是一第二保护层114b(或介电层)所覆盖。

同时，所述第一电路图案112a的一默认的电路图案例如可以电连接至所述第一半导体晶粒120，所述第一电路图案112a的另一默认的电路图案例如可以电连接至所述第二半导体晶粒140，并且所述第一电路图案112a的又一默认的电路图案例如可以机械式及/或电性连接至所述外壳150。

一导电的黏着层116例如可被形成在连接至所述外壳150的第一电路图案112a上。当从一平面来观看时，所述导电的黏着层116例如可以具有一实质矩形的环(参看图1B)。为此目的，当从一平面来观看时，黏着至所述外壳150的第一电路图案112a(或是其之部分)例如亦可以具有一实质矩形的环。

此外，导电的焊盘(land)115可被形成在所述第二电路图案112b的特定的电路图案上，并且稍后可以被安装在一外部的装置之上。由于所述导电的焊盘115具有比一般的导电球小的厚度，因此所述半导体装置100的整体厚度可被降低。

在此，所述导电的焊盘115例如可以是被形成在所述第二电路图案112b上的一镍/金(Ni/Au)电镀层、一镍/钯/金(Ni/Pd/Au)电镀层、一焊料电镀层、以及其等同物中之一，但是本揭露内容的特点并不限于此。导电球或凸块可以连接至所述第二电路图案112b的特定的电路图案，而不是所述导电的焊盘115。

所述第一半导体晶粒120是电连接至所述电路板110的第一电路图案112a。换言之，所述第一半导体晶粒120可包含一或多个导电凸块121，其是电连接至所述第一电路图案112a。所述导电凸块121例如可以是铜柱、具有焊料盖的铜柱或柱体、导电球、焊料球、以及其等同物中之一，但是本揭露内容的特点并不限于此。

所述第一半导体晶粒120可包含一数字信号处理器(DSP)、一网络处理器、一电源管理单元、一音频处理器、一射频(RF)电路、一无线基频系统单芯片(SoC)处理器、一传感器、一传感器控制器、以及一例如是特殊应用集成电路(ASIC)的电路，但是本揭露内容的范畴并不限于此。

此外，一底胶填充(underfill)122可以填入一在所述第一半导体晶粒120与所述电路板110之间的间隙。换言之，所述导电凸块121可以被所述底胶填充122所围绕。因此，避免所述导电凸块121因为在所述第一半导体晶粒120与所述电路板110的热膨胀系数之间的差异而破裂或受损是可行的。

所述复数个黏着剂区域130可被形成在所述第一半导体晶粒120上，以水平地和彼此间隔开。举例而言，所述复数个黏着剂区域130可被形成在所述第一半导体晶粒120的角落处。所述复数个黏着剂区域130可被形成在一被形成于所述第一半导体晶粒120上的第一黏着剂区域131上、以及在一被形成于所述第一半导体晶粒120上并且黏着至所述第二半导体晶粒140，同时覆盖(例如，完全地覆盖、部分地覆盖、覆盖至少一顶端部分、等等)所述第一黏着剂区域131的第二黏着剂区域132上。注意到的是，所述第二黏着剂区域132并不需要以所述第一黏着剂区域131为中心。

实际上，所述第一黏着剂区域131可被形成在所述第一半导体晶粒120上以具有一实质半球的形状，并且所述第一黏着剂区域131的一表面可以被所述第二黏着剂区域132所覆盖(例如，完全地覆盖、部分地覆盖、覆盖至少一顶端部分、等等)。因此，所述第二黏着剂区域132亦可被形成以具有一实质半球的形状。实际上，所述第一黏着剂区域131(例如，一液体黏着剂)首先可被配发在所述第一半导体晶粒120的一顶表面上以接着加以固化，并且所述第二黏着剂区域132(例如，一液体黏着剂)接着可被配发在所述第一黏着剂区域131上。接着，在所述第二半导体晶粒140被安装在所述第二黏着剂区域132上之后，所述第二黏着剂区域132被固化，因而所述第二半导体晶粒140是通过所述第二黏着剂区域132来黏着至所述第一半导体晶粒120。换言之，所述第二半导体晶粒140是在一个其漂浮在上方的状态中(例如，在一介于所述第一半导体晶粒120的顶表面与所述第二半导体晶粒140的底表面之间的间隙下)，通过所述黏着剂区域130而被黏着到所述第一半导体晶粒120之上。

所述复数个黏着剂区域130的每一个可以具有一在约10

所述复数个黏着剂区域130可以是一塑性体、一弹性体、一热塑性弹性体、一热固的树脂、一光可固化树脂、以及其等同物中的至少一种，但是本揭露内容的范畴并不限于此。例如，所述复数个黏着剂区域130可以是一种聚硅氧烷基的热固的环氧树脂。此外，所述第一黏着剂区域131以及所述第二黏着剂区域132可以是由不同的材料、或是相同的材料所做成的。所述黏着剂区域130例如可以是非导电的。

尤其，所述第一黏着剂区域131以及所述第二黏着剂区域132可以具有不同的模数。例如，所述第一黏着剂区域131的模数可以是相对高的，并且所述第二黏着剂区域132的模数可以是相对低的。换言之，所述第一黏着剂区域131的模数可以是高于所述第二黏着剂区域132的模数、或是所述第二黏着剂区域132的模数可以是低于所述第一黏着剂区域131的模数。换言之，由于所述第一黏着剂区域131是相对硬的(或是坚硬的)，因此其可以稳固地支撑所述第二半导体晶粒140。然而，由于所述第二黏着剂区域132是相对软的(或是柔性的)，其容许被施加至所述第二半导体晶粒140的外部应力能够轻易地被释放，藉此改善所述第二半导体晶粒140的灵敏度。

所述第二半导体晶粒140是被黏着至所述复数个黏着剂区域130，并且电连接至所述电路板110。换言之，所述第二半导体晶粒140可以直接黏着至所述复数个黏着剂区域130中的第二黏着剂区域132(例如，在不直接接触到所述第一黏着剂区域131下、等等)，并且可以通过所述导线143(例如，接合线、等等)来电连接至所述电路板110的第一电路图案112a。

所述第二半导体晶粒140可包含一MEMS装置、或是可包含各种半导体装置的任一种，其许多的例子是在此加以提供。所述MEMS装置可包含一通孔141。例如，所述第二半导体晶粒140可以是一用于感测一外部压力的压力传感器、一用于感测一声波的麦克风、一湿气传感器、一粒子或气体传感器、以及其等同物中之一，但是本揭露内容的特点并不限于此。

同时，所述第二半导体晶粒140具有一实质平面的底表面，其是与所述黏着剂区域130的第二黏着剂区域132直接接触(例如，在不直接接触到所述黏着剂区域130的第一黏着剂区域131下)。注意到的是，在各种的范例实施例中，所述第二半导体晶粒140的底表面可以接触所述第一黏着剂区域131，例如是在所述第二黏着剂区域的黏着剂固化之前，被压在所述第一黏着剂区域131之上。

例如，所述第二半导体晶粒140的约5％到约30％的底表面可以黏着至所述黏着剂区域130。换言之，所述第二半导体晶粒140的约95％到约70％的底表面可以直接被露出到外部的空气。当小于5％的第二半导体晶粒140的底表面黏着至所述黏着剂区域130时，所述第二半导体晶粒140例如可能会不稳固地黏着到所述第一半导体晶粒120之上。此外，当超过30％的第二半导体晶粒140的底表面黏着至所述黏着剂区域130时，所述第二半导体晶粒140的灵敏度可能会降低。

所述导线143是将所述电路板110的第一电路图案112a电连接至所述第二半导体晶粒140。在此，所述导线143首先被球体接合至所述电路板110的第一电路图案112a，并且其次被针脚(stitch)接合到所述第二半导体晶粒140的焊垫142，藉此最小化一导线回路的高度。

所述外壳(或盖子)150是机械式连接至被形成在所述电路板110的第一电路图案112a上的导电的黏着层116。在此，所述外壳150包含至少一通孔151，其例如是容许压力或声波或是空气能够轻易地传输至所述第二半导体晶粒140。此外，所述外壳150可以是由一种金属所做成的。所述外壳150例如可以是由铜、铝、镀镍的铁以及其等同物中之一所做成的，但是此揭露内容的范畴并不限于此。此外，所述外壳150例如可以是通过所述导电的黏着层116以及所述第一电路图案112a而接地的。

此外，空间被提供在所述外壳150的一内部区域中，亦即在所述第一半导体晶粒120、复数个黏着剂区域130、第二半导体晶粒140以及外壳150的每一个之间，并且所述导线143可以直接被曝露到例如是空气。

此外，一绝缘层可以进一步被形成在所述外壳150的内表面上，藉此防止所述导线143电性短路。例如，双马来酰亚胺三嗪(BT)、一苯酚树脂、聚酰亚胺(PI)、苯环丁烯(BCB)、聚苯并恶唑(PBO)、环氧树脂、以及其等同物及其混合物中之一可被涂覆在所述外壳150的内表面上，因而所述导线143不会电性短路至所述外壳150。

此外，一种例如是硅胶、活性氧化铝或氯化钙的吸收湿气的吸收剂可以进一步被涂覆在所述外壳150的内表面上，藉此防止贯穿到所述外壳150内的湿气影响到所述第二半导体晶粒140的效能。

所述吸收剂可以和所述绝缘层混合，以接着被涂覆在所述外壳150的内表面上。

在某些实例中，所述外壳150可以是由一种绝缘材料所做成的。在此，所述外壳150可以利用一种绝缘(或是非导电的)黏着剂而被黏着至所述电路板110。

如同在图1B中所绘，所述复数个黏着剂区域130的每一个都可包含所述第一黏着剂区域131以及所述第二黏着剂区域132，其可被配置在所述第一半导体晶粒120及/或所述第二半导体晶粒140的角落处。当以一平面(或是平面图)观看时，若所述第二半导体晶粒140具有一比所述第一半导体晶粒120小的尺寸，则所述黏着剂区域130可能会稍微流出到所述第二半导体晶粒140的外部。然而，当以一平面(或是平面图)观看时，若所述第二半导体晶粒140的尺寸等于或小于所述第一半导体晶粒120的尺寸，则所述复数个黏着剂区域130较佳的是被形成在所述第一半导体晶粒120以及所述第二半导体晶粒140的内部的区域而不是所述角落，以避免所述黏着剂区域130流出。

如上所述，在根据本揭露内容的各种特点的半导体装置100中，由于所述第二半导体晶粒140是通过所述复数个和彼此间隔开并且具有一预设厚度的黏着剂区域130来黏着到所述第一半导体晶粒120之上，因此所述第二半导体晶粒140的灵敏度被改善。换言之，由于所述第二半导体晶粒140是与所述第一半导体晶粒120间隔开(或是漂浮在)一预设的高度(大约10

此外，所述复数个间隔开的黏着剂区域130可以改善被施加至所述第二半导体晶粒140的外部应力的辐射效能，并且可以抑制电性噪声。

参照图2A至2F，描绘在根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置中的各种的黏着剂配发区域的平面图被描绘。

如同在图2A中所绘，黏着剂区域130a大致可被配置(或设置)在所述第一半导体晶粒120的四个角落处。如同在图2B中所绘的，黏着剂区域130b可被配置成大致在所述第一半导体晶粒120的四个角落处以及大致在其中心处。如同在图2C中所绘的，黏着剂区域130c可以大致沿着所述第一半导体晶粒120的四个侧边来加以配置。如同在图2D中所绘的，黏着剂区域130d可被配置成大致在所述第一半导体晶粒120的四个侧边以及中心处。如同在图2E中所绘，黏着剂区域130e可被配置成大致在所述第一半导体晶粒120的四个侧边的中心处。如同在图2F中所绘，黏着剂区域130f可被配置成大致在所述第一半导体晶粒120的四个侧边的中心处、以及在其中心处。注意到的是，在此相关所述第一半导体晶粒120来展示黏着剂区域130的范例图标的任一个中，所述第二半导体晶粒140可以取代所述第一半导体晶粒120，以相关所述第二半导体晶粒140来展示范例的黏着剂区域130的设置。

所述黏着剂区域130a至130f的配置图案是为了更佳的理解本揭露内容而通过举例来加以提供，并且尽管在此未加以描绘，但是所述黏着剂区域130a至130f可以用各种其它的方式来加以配置。然而，所述黏着剂区域130a至130f的每一个应该包含所述第一黏着剂区域131、以及覆盖所述第一黏着剂区域131的第二黏着剂区域132，并且所述黏着剂区域130a至130f应该是彼此间隔开一预设的距离，藉此改善被黏着到所述黏着剂区域130a至130f之上的第二半导体晶粒140的灵敏度。

参照图3，根据本揭露内容的另一实施例的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图被描绘。

如同在图3中所绘，根据本揭露内容的另一实施例的具有高灵敏度的半导体装置200可包含具有膜的形式的黏着剂区域230。例如，所述黏着剂区域230可包含一中央弹性体231、一被形成在所述弹性体231的一底表面上并且黏着至所述第一半导体晶粒120的第一黏着层232、以及一被形成在所述弹性体231的一顶表面上并且黏着至所述第二半导体晶粒140的第二黏着层233。

所述膜类型的黏着剂区域230首先可以被黏着至所述第一半导体晶粒120，并且所述第二半导体晶粒140接着可以被黏着至所述第一半导体晶粒120。或者是，所述膜类型的黏着剂区域230首先可以被黏着至所述第二半导体晶粒140的一底表面，并且所述第一半导体晶粒120接着可以被黏着至所述第二半导体晶粒140的一底表面。

由于所述中央弹性体231具有一比所述第一及第二黏着层232及233小的模数，因此所述第二半导体晶粒140的灵敏度不会因为所述中央弹性体231而降低。换言之，由于所述中央弹性体231的模数是相对低的，被施加至所述第二半导体晶粒140的外部应力可以轻易地加以释放。此外，由于所述第一及第二黏着层232及233的模数是相对高的，因此所述第一及第二黏着层232及233可以稳固地被黏着至所述中央弹性体231。

同时，所述膜类型的黏着剂区域230例如可以具有前述在图1A、1B以及2A至2F中所描绘的黏着剂区域130以及130a至130f的所有特点(例如，设置、等等)。

如上所述，在根据本揭露内容的另一实施例的具有高灵敏度的半导体装置200中，由于彼此间隔开一预设的距离并且具有一预设的厚度的复数个黏着剂区域230亦被形成在所述第一半导体晶粒120与所述第二半导体晶粒140之间，因此所述第二半导体晶粒140的灵敏度可被改善。此外，由于所述半导体装置200的黏着剂区域230需要单一固化的制程，因此所述半导体装置200的制程可加以简化。

参照图4A至4I，描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一具有高灵敏度的半导体装置的方法的横截面图。

根据本揭露内容的各种特点的制造具有高灵敏度的半导体装置100的方法是包含制备一电路板、连接一第一半导体晶粒、形成黏着剂区域、连接一第二半导体晶粒、以及附接一外壳、以及单粒化。

如同在图4A中所绘，在电路板的制备中，所述电路板110被制备，所述电路板110包含一绝缘层111，其具有一实质平面的第一表面111a以及一与所述第一表面111a相对的实质平面的第二表面；第一电路图案112a，其被形成在所述绝缘层111的第一表面111a上；第二电路图案112b，其被形成在所述绝缘层111的第二表面111b上；以及导电贯孔113，其是将所述第一电路图案112a以及所述第二电路图案112b彼此连接。如同在此论述的，各种基板的任一种可被利用以取代一电路板(或是额外地被利用)。

在此，具有一预设的厚度的一导电的黏着层116可以预先被形成在所述第一电路图案112a的所述外壳150稍后将被附接到的一区域上。

此外，所述第一电路图案112a的导电凸块121及/或导线143稍后将被连接到的区域可以穿过一第一保护层114a而被露出至外部。

此外，导电的焊盘115可以预先被形成在所述第二电路图案112b的稍后将被连接至一外部装置的区域上。例如，在所述单粒化之前，导电球可被形成在所述第二电路图案112b上，而不是所述导电的焊盘115。

如同在图4B中所绘，所述电路板110可包含被配置成一矩阵配置的单元119，而所述半导体装置100将被形成在所述单元119之处。在所述半导体装置100的制造完成之后，所述个别的单元119被单粒化以被分成个别的装置。

如同在图4C中所绘，在第一半导体晶粒的连接中，导电凸块121被形成在所述第一半导体晶粒120上，并且电连接至所述电路板110的第一电路图案112a。所述第一半导体晶粒120可以通过例如是质量回焊、热压接合、雷射辅助的接合、以及其等同物中之一来电连接至所述电路板110的第一电路图案112a，但是此揭露内容的范畴并不限于此。在此，所述导电凸块121可以是由例如是共晶焊料(Sn

此外，一底胶填充122可以进一步被注入到一在所述第一半导体晶粒120与所述电路板110之间的间隙中，藉此容许所述第一半导体晶粒120能够更稳固地连接至所述电路板110。

如同在图4D及4E中所绘，在黏着剂区域的形成中，复数个和彼此间隔开的黏着剂区域130被形成在所述第一半导体晶粒120上。例如，首先是一第一黏着剂区域131被形成在所述第一半导体晶粒120上，以接着被刚性地固化。此外，其次是一第二黏着剂区域132被形成在所述第一黏着剂区域131上。在此，当一固化制程是在所述第一黏着剂区域131上加以执行时，在所述第二黏着剂区域132上并没有固化制程被执行。以此种方式，所述第一黏着剂区域131是首先被形成及固化的，藉此在所述第二黏着剂区域132中，呈现减低的由于所述第二半导体晶粒140的重量所造成的流出。

如同在图4F及4G中所绘，在第二半导体晶粒的连接中，所述第二半导体晶粒140(例如，一MEMS装置、或是各种类型的半导体装置的任一种)被黏着至所述复数个黏着剂区域130。在此，当所述黏着剂区域130的第一黏着剂区域131被固化时，所述第二黏着剂区域132尚未被固化。因此，在所述第二半导体晶粒140利用拾放设备而被设置在所述第二黏着剂区域132上之后，所述固化制程被执行。当所述第二黏着剂区域132是由一种热固的树脂所做成时，一在例如是约100℃到约350℃的范围内的温度被施加至所述第二黏着剂区域132。当所述第二黏着剂区域132是一种光可固化树脂时，例如是紫外线可被施加至所述第二黏着剂区域132。以此种方式，所述第二半导体晶粒140是通过所述复数个黏着剂区域130来机械式地黏着至所述第一半导体晶粒120。

此外，所述第二半导体晶粒140是通过导线143来电连接至所述电路板110。换言之，所述第二半导体晶粒140的焊垫142是通过所述导线143来电连接至所述电路板110的第一电路图案112a。

举例而言，所述导线143的第一末端首先被球体接合至所述电路板110的第一电路图案112a，并且所述导线143的第二末端其次被针脚接合至所述第二半导体晶粒140的焊垫142。于是，所述导线143的每一个的一导线回路的高度被最小化，藉此最小化所述半导体装置100的厚度。

如同在图4H中所绘，在外壳的附接中，具有一通孔151的外壳150(或是盖子)被连接至先前被形成在所述电路板110上的导电的黏着层116。换言之，在由一种金属所做成的外壳150被设置在所述导电的黏着层116上之后，一在例如是约100℃到约250℃的范围内的温度被施加，以将所述金属外壳150机械式及/或电性连接至所述导电的黏着层116。在此，具有所述导电的黏着层116的第一电路图案112a可以是接地的。

如同在图4I中所绘，在所述单粒化中，复数个半导体装置100是从所述电路板110加以分开。如上所述，所述电路板110包含复数个单元，并且所述半导体装置100是被形成在所述复数个单元的每一个中。因此，在所述半导体装置100的制造完成之后，个别的半导体装置100是利用例如是一钻石刀片、一冲压机或雷射射束，以从所述电路板110加以分开。

如上所述，在根据本揭露内容的一实施例的一种具有高灵敏度的半导体装置以及其制造方法中，一MEMS装置(或是其它半导体晶粒或电性构件)被黏着到复数个在一电路板或是一半导体晶粒上并且具有一预设的厚度的和彼此间隔开的黏着剂区域之上，因而所述MEMS装置被配置以实质漂浮在空气中。因此，被施加至所述MEMS装置的外部应力可以更有效率地被降低，藉此抑制电性噪声。此外，所述黏着剂区域包含一第一黏着剂区域以及一覆盖所述第一黏着剂区域的第二黏着剂区域，藉此在所述黏着剂区域中，呈现降低的由于所述MEMS装置的重量所造成的流出。

在此的讨论是包含许多的举例说明的图，其展示一电子封装组件以及其制造方法的各种的部分。为了举例说明的清楚起见，此种图并未展示每一个范例组件的所有特点。在此提供的范例组件及/或方法的任一个都可以与在此提供的其它组件及/或方法的任一个或是全部共享任一个或是所有的特征。

总之，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体装置以及一种制造一半导体装置的方法。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种其制造方法，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。尽管先前的内容已经参考某些特点及例子来加以叙述，但是熟习此项技术者将会理解到可以做成各种的改变，并且等同物可加以取代，而不脱离本揭露内容的范畴。此外，可以做成许多修改以将一特定的情况或材料调适至本揭露内容的教示，而不脱离其范畴。因此，所欲的是本揭露内容不受限于所揭露之特定的例子，而是本揭露内容将会包含落入所附的权利要求的范畴内之所有的例子。