LED发光阵列及其制备方法

技术领域

本发明涉及LED发光技术领域，尤其是涉及一种LED发光阵列及其制备方法。

背景技术

目前LED发光阵列，特别是白光LED发光阵列，多数是由单颗LED光源封装成后拼接成，这种拼接而成的LED发光阵列的像素间距较大，造成整体尺寸的偏大。

发明内容

基于此，有必要提供一种像素间距较小的LED发光阵列。

此外，还有必要提供一种上述的LED发光阵列的制备方法。

一种LED发光阵列，包括LED阵列芯片、间隔设置在所述LED阵列芯片上的多个遮光结构、设置在所述LED阵列芯片和所述遮光结构上的荧光粉层以及设置在所述荧光粉层上的保护层；

所述LED阵列芯片包括间隔设置的多个LED光源，所述遮光结构在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间。

一种上述的LED发光阵列的制备方法，包括如下步骤：

在LED阵列芯片上形成多个间隔设置的遮光结构，其中，所述LED阵列芯片包括间隔设置的多个LED光源，所述遮光结构在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间；

在所述LED阵列芯片和所述遮光结构上形成荧光粉层；以及

在所述荧光粉层上形成保护层。

这种LED发光阵列直接采用LED阵列芯片，无需拼接，LED发光阵列的像素间距就是LED阵列芯片的像素间距。相对于传统的拼接而成的LED发光阵列，这种LED发光阵列像素间距较小，可以达到100μm甚至更小，从而使得整体尺寸的较小。

此外，这种LED发光阵列在LED阵列芯片上的间隔设置多个遮光结构，且遮光结构在LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个LED光源之间，通过遮光结构对相邻的两个LED光源之间的光线进行隔离，达到了防止光串扰的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为一实施方式的LED发光阵列的结构示意图。

图2为如图1所示的LED发光阵列的制备方法的流程图。

图3为如图2所示的LED发光阵列的制备方法的原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示的一实施方式的LED发光阵列，包括LED阵列芯片10、间隔设置在LED阵列芯片10上的多个遮光结构20、设置在LED阵列芯片10和遮光结构20上的荧光粉层30以及设置在荧光粉层30上的保护层40。

LED阵列芯片10包括间隔设置的多个LED光源12，遮光结构20在LED阵列芯片10上的投影落在相邻的两个LED光源12之间。

这种LED发光阵列直接采用LED阵列芯片10，无需拼接，LED发光阵列的像素间距就是LED阵列芯片10的像素间距。相对于传统的拼接而成的LED发光阵列，这种LED发光阵列像素间距较小，可以达到100μm甚至更小，从而使得整体尺寸的较小。

此外，这种LED发光阵列在LED阵列芯片10上的间隔设置多个遮光结构20，且遮光结构20在LED阵列芯片10上的投影落在相邻的两个LED光源12之间，通过遮光结构20对相邻的两个LED光源12之间的光线进行隔离，达到了防止光串扰的效果。

优选的，本实施方式中，LED阵列芯片10为Mini-LED阵列芯片或Micro-LED阵列芯片。

优选的，本实施方式中，荧光粉层30的材料为白光荧光粉。

优选的，本实施方式中，LED阵列芯片10可以为绿光LED阵列芯片、蓝光LED阵列芯片、紫光LED阵列芯片或紫外光LED阵列芯片。

具体来说，白光荧光粉为微米级的白光荧光粉。

遮光结构20的作用在于对相邻的两个LED光源12之间的光线进行隔离，因此，理论上来说，只要是能够起到遮光作用的不透明结构即可。

一般来说，遮光结构20为深色(优选为黑色)。

优选的，本实施方式中，遮光结构20的材料为光刻胶。

采用光刻胶制作遮光结构20，可以采用曝光、显影技术配合，从而便于工业化生产。

一般来说，光刻胶可以选择正性光刻胶或负性光刻胶。

更优选的，遮光结构20的材料为黑色光刻胶。

遮光结构20的形状根据LED阵列芯片10上的LED光源12的排列情况确定。

具体来说，遮光结构20可以为栅格状、条状或块状。

保护层40设置在荧光粉层30上，从而对荧光粉层30进行保护。

本实施方式中，保护层40的材料为有机硅胶。在其他的实施方式中，保护层40也可以选择其他材料。

结合图2和图3，本发明还提供了一实施方式的上述LED发光阵列的制备方法，包括如下步骤。

S10、在LED阵列芯片10上形成多个间隔设置的遮光结构20。

优选的，本实施方式中，LED阵列芯片10为Mini-LED阵列芯片或Micro-LED阵列芯片。

结合图3(a)，LED阵列芯片10包括间隔设置的多个LED光源12。

结合图3(d)，遮光结构20在LED阵列芯片10上的投影落在相邻的两个LED光源12之间。

遮光结构20的作用在于对相邻的两个LED光源12之间的光线进行隔离，因此，理论上来说，只要是能够起到遮光作用的不透明结构即可。

一般来说，遮光结构20为深色(优选为黑色)。

优选的，本实施方式中，遮光结构20的材料为光刻胶。

采用光刻胶制作遮光结构20，可以采用曝光、显影技术配合，从而便于工业化生产。

具体来说，结合图3(a)～图3(d)，本实施方式中，S20具体为：

在LED阵列芯片10上形成光刻胶层20’；

在光刻胶层20’上盖上掩膜板50，做曝光处理，其中，掩膜板50上交替设有透光区52和不透光区54，不透光区54在LED阵列芯片10上的投影落在相邻的两个LED光源12之间；以及

通过显影液60清洗曝光后的光刻胶层20’，从而使得对应不透光区54的光刻胶保留，形成遮光结构20。

在LED阵列芯片10上形成光刻胶层20’的操作可以为：在LED阵列芯片10上涂覆光刻胶浆料，干燥后形成光刻胶层20’。

特别优选的，本实施方式中，遮光结构20的材料为黑色光刻胶(BM)。

遮光结构20的形状根据LED阵列芯片10上的LED光源12的排列情况确定。

具体来说，遮光结构20可以为栅格状、条状或块状。

一般来说，光刻胶可以选择正性光刻胶或负性光刻胶。

需要指出的是，本实施方式中，光刻胶选择的是正性光刻胶，曝光后的正性光刻胶可以被显影液60溶解洗去，从而保留未经过曝光的正性光刻胶。

在其他的实施方式中，也可以选择负性光刻胶，未曝光的负性光刻胶可以被显影液60溶解洗去，从而保留经过曝光后的负性光刻胶。

具体来说，在该实施例中，在LED阵列芯片10上形成多个间隔设置的遮光结构20的操作为：

在LED阵列芯片10上形成光刻胶层；

在光刻胶层上盖上掩膜板，做曝光处理，其中，掩膜板上交替设有透光区和不透光区，透光区在LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个LED光源之间；以及

通过显影液清洗曝光后的光刻胶层，从而使得对应透光区的光刻胶保留，形成遮光结构20。

S20、在LED阵列芯片10和S10形成的遮光结构20上形成荧光粉层30。

结合图3(e)，荧光粉层30设置在LED阵列芯片10和遮光结构20上。

荧光粉层30可以为荧光粉浆料涂覆在LED阵列芯片10和遮光结构20上，干燥后得到。

优选的，本实施方式中，荧光粉层30的材料为白光荧光粉。

优选的，本实施方式中，LED阵列芯片10可以为绿光LED阵列芯片、蓝光LED阵列芯片、紫光LED阵列芯片或紫外光LED阵列芯片。

具体来说，白光荧光粉为微米级的白光荧光粉。

S30、在S20形成的荧光粉层30上形成保护层40。

结合图3(f)，保护层40设置在荧光粉层30上，从而对荧光粉层30进行保护。

本实施方式中，保护层40的材料为有机硅胶。在其他的实施方式中，保护层40也可以选择其他材料。

这种LED发光阵列的制备方法制得的LED发光阵列直接采用LED阵列芯片10，制备过程中无需拼接，LED发光阵列的像素间距就是LED阵列芯片10的像素间距。相对于传统的拼接而成的LED发光阵列，这种LED发光阵列像素间距较小，可以达到100μm甚至更小，从而使得整体尺寸的较小。

此外，这种LED发光阵列的制备方法制得的LED发光阵列在LED阵列芯片10上的间隔设置多个遮光结构20，且遮光结构20在LED阵列芯片10上的投影落在相邻的两个LED光源12之间，通过遮光结构20对相邻的两个LED光源12之间的光线进行隔离，达到了防止光串扰的效果。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。