显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月5日向韩国提交的韩国专利申请第10-2019-0160708号的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括用于诸如相机或指纹传感器的辅助设备的透明区域的显示装置以及该显示装置的制造方法。

背景技术

移动终端是能够通过无线通信发送和接收语音、字符和图像数据的便携式终端。诸如有机发光二极管(OLED)显示装置的平板显示器(FPD)可以用于移动终端。

近来，已经提出了一种包括诸如用于拍摄的相机和用于认证的指纹传感器的辅助设备的移动终端。

在该移动终端中，辅助设备设置在显示面板的后表面上，并且显示面板包括与辅助设备相对应的透明区域，使得辅助设备能够识别显示面板的前表面上方的物体。

为了减少非显示区域的边框并扩大显示区域，用于辅助设备的透明区域设置在显示区域内部。在完成显示面板之后，通过诸如激光微调的切割工艺去除透明区域的基板、阵列层、发光二极管、封装层和偏振层。因此，可以增加透明区域的透射率。

然而，由于增加了切割工艺，从而制造成本增加并且生产率降低。

另外，由于通过切割工艺去除了基板上的发光二极管和封装层，因此发光二极管和封装层的侧面暴露于外部。因此，外部的氧气或湿气通过发光二极管和封装层的侧面引入，并在显示面板中产生诸如颗粒的劣化。

为了防止劣化，通过在发光二极管下方的阵列层中形成凹槽来将发光二极管分开。然而，由于增加了凹槽的形成工艺，因此制造成本进一步增加并且生产率进一步降低。

发明内容

因此，本公开涉及一种显示装置以及该显示装置的制造方法，其基本上消除了由于现有技术的局限性和缺点导致的一个或更多个问题。

本公开的目的是提供一种包括透明区域的显示装置以及该显示装置的制造方法，其中使用沉积防止层在透明区域以外的显示区域中选择性地形成第二电极。

本公开的另一目的是提供一种包括透明区域的显示装置以及该显示装置的制造方法，其中在显示区域和部分透明区域中选择性地形成第二电极。

本公开的其它特征和优点将在下面的说明中阐述，并且部分地从该说明中将变得显而易见，或者可以通过本公开的实践获悉。本公开的这些和其它优点将通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其它优点，并且根据本公开的目的，如本文中所体现和广泛描述的，一种显示装置包括：基板，基板包括具有多个第一颜色子像素的显示区域和显示区域内部的透明区域；阵列层，阵列层设在基板上的显示区域中；第一电极，第一电极设在阵列层上的多个第一颜色子像素的每一个中；第一发光辅助层，第一发光辅助层设在第一电极上；发光材料层，发光材料层设在第一发光辅助层上的多个第一颜色子像素的每一个中；第二发光辅助层，第二发光辅助层设在发光材料层上；沉积防止层，沉积防止层设在第二发光辅助层上的透明区域中；第二电极，第二电极设在第二发光辅助层上，第二电极选择性地设置在未形成所述沉积防止层的区域中；封装层，封装层设在沉积防止层和第二电极上；偏振层，偏振层设在封装层上的显示区域中；以及辅助设备，辅助设备设在基板下方的透明区域中。

在另一方面，一种显示装置的制造方法包括：在基板上形成阵列层，基板包括具有多个第一颜色子像素的显示区域和显示区域内部的透明区域，阵列层设置在显示区域中；在阵列层上的多个第一颜色子像素的每一个中形成第一电极；在第一电极上形成第一发光辅助层；在第一发光辅助层上的多个第一颜色子像素的每一个中形成发光材料层；在发光材料层上形成第二发光辅助层；在第二发光辅助层上的透明区域中形成沉积防止层；在第二发光辅助层上形成第二电极，第二电极选择性地设置在未形成所述沉积防止层的区域中；在沉积防止层和第二电极上形成封装层；在封装层上的显示区域中形成偏振层；以及在基板下方的透明区域中形成辅助设备。

应理解，前述一般描述和以下详细描述都是解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。

附图说明

本公开包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的图；

图2是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的子像素的图；

图3是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的平面图；

图4是示出图3的显示区域和透明区域的边界区域的放大平面图；

图5是沿着图4的线V-V截取的剖视图；

图6A至图6E是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的制造方法的剖视图；

图7是示出根据本公开的第一实施例的多种材料相对于显示装置的表面能吸附和解吸的图；

图8是根据本公开的第一实施例的显示装置的多种材料的行为；

图9是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的透射率的曲线图；

图10是示出根据本公开的第二实施例的显示装置的显示区域和透明区域的边界区域的放大平面图；

图11是沿着图10的线XI-XI截取的剖视图。

具体实施方式

将通过参考附图描述的以下示例实施例来阐明本公开的优点和特征及其实施方法。然而，本公开可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例使得本公开可以足够透彻和完整，以帮助本领域技术人员充分理解本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。

在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例。因此，本公开不限于所示出的细节。相同的附图标记始终表示相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时，可以省略这种已知功能或配置的详细描述。在使用本说明书中描述的术语“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用更具限制性的术语，例如“仅”，否则可以添加另一部分。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包含复数形式。

在解释元件时，即使没有明确描述误差或公差范围，该元件也被解释为包括误差或公差范围。

在描述位置关系时，例如，当将两个部分之间的位置关系描述为“在～上”、“在～上方”、“在～下”或“靠近～”时，除非使用更具限制性的术语，例如“恰好”或“直接”，否则一个或多个其它部分可以设置在该两个部分之间。

将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不偏离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

如本领域技术人员能够充分理解的，本公开的各种实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此以不同方式相互操作并在技术上驱动。本公开的实施例可以彼此独立地实施，或者可以以相互依赖的关系一起实施。

在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的实施例的显示装置以及该显示装置的制造方法。在以下描述中，相同的附图标记始终表示相同的元件。当确定与本文件有关的公知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本发明概念的主旨时，将省略其详细描述或将其简化。

图1是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的图，图2是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的子像素的图。在图1和图2中，示例性地示出了有机发光二极管(OLED)显示装置作为显示装置。

在图1中，显示装置110包括时序控制部180、数据驱动部182、栅极驱动部184和显示面板186。

时序控制部180使用从诸如显卡或电视系统的外部系统发送的图像信号和多个时序信号生成栅极控制信号、数据控制信号和图像数据。时序控制部180将数据控制信号和图像数据提供给数据驱动部182，并将栅极控制信号提供给栅极驱动部184。

数据驱动部182使用从时序控制部180发送的数据控制信号和图像数据生成数据信号(数据电压)，并将该数据电压提供给显示面板186的数据线DL。

栅极驱动部184使用从时序控制部180发送的栅极控制信号生成栅极信号(栅极电压)，并将该栅极电压提供给显示面板186的栅极线GL。

显示面板186使用栅极信号和数据信号显示图像。显示面板186包括栅极线GL、数据线DL和连接到栅极线GL和数据线DL的多个子像素SP(图2)。

例如，多个子像素SP中的每一个可以由彼此交叉的栅极线GL和数据线DL限定，并且多个子像素SP可以包括分别对应于红色、绿色和蓝色的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb。

多个子像素SP中的每一个包括多个薄膜晶体管(TFT)。例如，多个子像素SP中的每一个可以包括开关TFT、驱动TFT、存储电容器和发光二极管。

在图2中，根据本公开的第一实施例的OLED显示装置110的多个子像素SP中的每一个包括开关TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cs和发光二极管De。

开关TFT Ts根据栅极线GL的栅极信号将数据线DL的数据信号提供给驱动TFT Td，并且驱动TFT Td根据通过开关TFT Ts施加到栅极的数据信号将高电平电压ELVDD提供给发光二极管De。

发光二极管De根据对应于数据信号的电压与低电平电压ELVSS之间的电压差使用各种电流来显示各种灰度级。

图3是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的平面图，图4是示出图3的显示区域和透明区域的边界区域的放大平面图，图5是沿着图4的线V-V截取的剖视图。示例性地示出了盒上触摸型和顶部发光型的有机发光二极管(OLED)显示装置作为显示装置。

在图3、图4和图5中，根据本公开的第一实施例的显示装置110包括用于显示图像并感测触摸的显示区域DA、显示区域DA内部的透明区域TA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。

显示装置110包括显示面板186、系统部170和辅助设备172。显示面板186可以通过图像显示向用户发送信息，并且可以通过触摸感测从用户接收信息。系统部170可以用显示面板和辅助设备172发送并接收信号和电力。辅助设备172可以通过显示面板186接收诸如物体的形状的信息。

背板162支撑并保护基板120。背板162可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料，并且可以具有约1.6的折射率。

基板120设置在整个背板162上，并且栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126依次设置在基板120上的显示区域DA中。

基板120包括显示区域DA和透明区域TA。显示区域DA包括多个第一颜色子像素，例如红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb，并且透明区域TA设置在显示区域DA内部。

基板120可以包括玻璃或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料，并且可以具有约1.6的折射率。

诸如开关TFT Ts(图2)和驱动TFT Td(图2)的多个薄膜晶体管(TFT)和存储电容器Cs(图2)可以设置在红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个的栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126之间。

例如，栅极绝缘层122可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的栅极与半导体层之间，层间绝缘层124可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的栅极与源极之间以及栅极与漏极之间，并且钝化层126可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的源极和漏极上。

第一电极128设置在钝化层126上的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个中，并且第一发光辅助层130设置在具有第一电极128的整个基板120上。

第一电极128可以包括具有相对高的反射率的金属材料的第一层和具有相对高的功函数的透明导电材料的第二层。

例如，第一电极128可以是向发光材料层132提供空穴的阳极，并且可以连接到驱动TFT Td。

第一发光辅助层130可以包括将空穴注入发光材料层132中的空穴注入层和将空穴传输到发光材料层132的空穴传输层。空穴注入层和空穴传输层可以依次设置在第一电极128上。

发光材料层132设置在第一发光辅助层130上的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个中，并且第二发光辅助层134设置在具有发光材料层132的整个基板120上。

发光材料层132将从第一电极128提供的空穴和从第二电极140提供的电子结合以发光。

尽管在第一实施例中红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的发光材料层132示例性地包括不同材料从而分别发出红色光、绿色光和蓝色光，但是在另一实施例中，红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的发光材料层132可以具有相同材料的相同结构从而发出白色光，并且滤色器层可以设置在第二电极140上。

第二发光辅助层134可以包括将电子传输到发光材料层132的电子传输层和注入电子的电子注入层。电子传输层和电子注入层可以依次设置在发光材料层132上。

例如，电子注入层可以具有约

第一发光辅助层130和第二发光辅助层134中的每一个可以具有约1.8的折射率。

尽管在第一实施例中相同材料的第一发光辅助层130和第二发光辅助层134示例性地设置在整个基板120上，但是第一发光辅助层130和第二发光辅助层134可以以不同材料选择性地设置在红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中。

第二电极140和沉积防止层142分别设置在第二发光辅助层134上的显示区域DA和透明区域TA中。

第二电极140选择性地设置在未形成沉积防止层142的区域中。因此，第二电极140和沉积防止层142可以彼此排他地设置。

第二电极140可以包括具有半透射性和相对低的功函数的金属材料。

例如，第二电极140可以是向发光材料层132提供电子的阴极。第二电极140可以具有约

第一电极128、第一发光辅助层130、发光材料层132、第二发光辅助层134和第二电极140构成发光二极管。

沉积防止层142可以包括具有相对低的表面能的有机材料，使得在形成第二电极140时，金属材料不被吸附在沉积防止层142上并且与沉积防止层142分离。

例如，沉积防止层142可以具有约

稍后将描述沉积防止层142。

封装层150设置在具有第二电极140和沉积防止层142的整个基板120上，并且触摸层152设置在具有封装层150的整个基板120上。

封装层150防止外部的氧气或湿气的渗透。封装层150可以包括多个有机材料层和多个无机材料层，并且可以具有约1.8的折射率。

触摸层152感测触摸。触摸层152可以包括多个触摸电极和绝缘层，并且绝缘层可以具有约1.5的折射率。

尽管在第一实施例中触摸层152示例性地设置在封装层150上，但是在另一实施例中触摸层152可以设置在包括栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126的阵列层内部，或者可以被省略。

偏振层154设置在触摸层152上的显示区域DA中，并且粘合层156设置在偏振层154上的显示区域DA中。

偏振层154通过在阵列层和发光二极管上的反射使外部光的再发射最小化。偏振层154可以包括依次在触摸层152上的四分之一波片和线性偏振层。

盖玻璃160设置在具有粘合层156的整个基板120上。盖玻璃160保护触摸层152、发光二极管和多个TFT。

背板162、基板120、多个TFT、发光二极管和盖玻璃160构成显示面板。

系统部170和辅助设备172分别设置在背板162下方的显示区域DA和透明区域TA中。

在根据本公开的第一实施例的显示装置110中，不执行去除透明区域TA的发光二极管和封装层150的切割工艺。相反，由于使用沉积防止层142在显示区域DA中选择性地形成发光二极管的第二电极140，因此发光二极管和封装层150的侧面不暴露于外部。因此，外部氧气或外部湿气的渗透被最小化，并且诸如颗粒的劣化被最小化。

另外，由于省略了诸如激光微调的切割工艺和形成凹槽的工艺，因此简化了制造工艺，降低了制造成本，并且提高了生产率。

在下文中示出了显示装置110的制造方法。

图6A至图6E是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的制造方法的剖视图，图7是示出根据本公开的第一实施例的多种材料相对于显示装置的表面能吸附和解吸的图，图8是根据本公开的第一实施例的显示装置的多种材料的行为。

在图6A中，诸如开关TFT Ts(图2)和驱动TFT Td(图2)的多个薄膜晶体管(TFT)和存储电容器Cs(图2)可以设置在栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126之间。

可以通过光刻工艺形成多个TFT和第一电极124。

接下来，第一发光辅助层130形成在具有第一电极124的整个基板120上，发光材料层132形成在第一发光辅助层130上的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个中，第二发光辅助层134形成在具有发光材料层132的整个基板120上。

第一发光辅助层130、发光材料层132和第二发光辅助层134可以使用诸如精细金属掩模的荫罩通过热蒸发工艺形成。

第二发光辅助层134的电子注入层可以形成为基板120的顶表面。

用于电子注入层的金属材料可以具有相对高的表面能。例如，用于电子注入层的金属材料可以具有等于或大于约0.5J/m

用于电子注入层的金属材料可以具有相对低的熔点以在相对低的温度下沉积。例如，用于电子注入层的金属材料可以具有等于或低于约1000℃的熔点。

用于电子注入层的金属材料可以具有相对大的电导率。例如，用于电子注入层的金属材料可以具有等于或大于约4.0×10

用于电子注入层的金属材料可以具有相对低的功函数。例如，用于电子注入层的金属材料可以具有约2.4eV至约2.8eV的功函数。

电子注入层可以具有约

在图6B中，具有遮蔽区域SA和开口区域OA的荫罩144设置在第二发光辅助层134上方，并且有机材料通过开口区域OA沉积在第二发光辅助层134上。

因此，沉积防止层142形成在第二发光辅助层134上的透明区域TA中，并且显示区域DA的第二发光辅助层134被暴露。

可以对准荫罩144，使得遮蔽区域SA和开口区域OA分别对应于显示区域DA和透明区域TA。

用于沉积防止层142的有机材料可以具有相对小的表面能和相对低的玻璃化转变温度Tg。例如，用于沉积防止层142的有机材料可以具有等于或小于约0.2J/m

用于沉积防止层142的有机材料可以具有相对大的折射率和相对小的光吸收率。例如，用于沉积防止层142的有机材料对于约550nm波长的光可以具有等于或大于约1.7的折射率，并且可以具有等于或小于约0.02的光吸收率。

可以使用荫罩144使用于沉积防止层142的有机材料图案化。例如，可以通过荫罩144使用于沉积防止层142的有机材料图案化，以形成与分辨率约为300ppi的像素相对应的图案。

用于沉积防止层142的有机材料可以具有相对高的高温存储可靠性。例如，可以确定用于沉积防止层142的有机材料，使得即使将厚度约为

沉积防止层142可以具有约

用于沉积防止层142的有机材料可以与用于栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126的诸如光丙烯和聚酰亚胺的有机绝缘材料以及诸如硅氮化物(SiNx)、二氧化硅(SiO

虽然可以通过光刻工艺来图案化用于栅极绝缘层122、层间绝缘层124和钝化层126的有机绝缘材料以及无机绝缘材料，但是用于沉积防止层142的有机材料可以不通过光刻工艺来图案化，并且可以使用荫罩通过热沉积工艺来图案化。

例如，用于沉积防止层142的有机材料可以包括由以下化学式1表示的开环异构体二芳基乙烯(DAE)。

[化学式1]

在图6C中，金属材料沉积在显示区域DA的第二发光辅助层134和透明区域TA的沉积防止层142上。

金属材料的原子146未被吸附到透明区域TA的沉积防止层142上，并从透明区域TA的沉积防止层142解吸。金属材料的原子146被选择性地吸附到显示区域DA的第二发光辅助层134上，使得第二电极140选择性地形成在显示区域DA中。

用于第二电极140的金属材料可以具有相对大的表面能。例如，用于第二电极140的金属材料可以具有等于或大于约0.5J/m

具体地，用于第二电极140的金属材料的表面能可以大于用于第二发光辅助层130的电子注入层的金属材料的表面能。

用于第二电极140的金属材料可以具有相对低的熔点以在相对低的温度下沉积。例如，用于第二电极140的金属材料可以具有等于或低于约1000℃的熔点。

用于第二电极140的金属材料可以具有相对大的电导率。例如，用于第二电极140的金属材料可以具有等于或大于约1.0×10

用于第二电极140的金属材料可以具有相对小的折射率和相对小的光吸收率。例如，用于第二电极140的金属材料对于约550nm波长的光可以具有约1.0的折射率，并且可以具有等于或小于约5.5的光吸收率。

用于第二电极140的金属材料可以具有约

在图7和图8中，用于第二发光辅助层134的金属材料、用于沉积防止层142的有机材料和用于第二电极140的金属材料分别具有第一表面能SE1、第二表面能SE2和第三表面能SE3。第一表面能SE1大于第二表面能SE2并且小于第三表面能SE3(SE2

由于沉积防止层142由具有相对较小值的第二表面能SE2和相对低的玻璃化转变温度的有机材料形成，因此沉积防止层142具有有效的表面原子运动。

因此，具有第三表面能SE3的用于第二电极140的金属材料的原子146不被吸附在透明区域TA中具有相对较小值的第二表面能SE2和相对低的玻璃化转变温度的沉积防止层142的表面上，并与该表面分离，然后移动到显示区域DA。

具有第三表面能SE3的用于第二电极140的金属材料的原子146被选择性地吸附在显示区域DA中具有相对较大值的第一表面能SE1的第二发光辅助层134的电子注入层的表面上。在显示区域DA中，执行金属材料的原子146的成核，并且金属材料的原子146使用原子核作为种子逐渐积累。因此，第二电极140选择性地形成在显示区域DA中。

尽管在第一实施例中，通过调节用于第二发光辅助层134的电子注入层的金属材料、用于沉积防止层142的有机材料和用于第二电极140的金属材料的表面能，可以使得第二电极140选择性地形成在显示区域DA中，但是在另一实施例中，通过调节用于第二发光辅助层134的电子注入层的金属材料、用于沉积防止层142的有机材料和用于第二电极140的金属材料的沉积温度和沉积速率，可以使得第二电极140选择性地形成在显示区域DA中。

在图6D中，封装层150形成在具有第二电极140和沉积防止层142的整个基板120上，并且触摸层152形成在具有封装层150的整个基板120上。

接下来，偏振层154形成在封装层150上的显示区域DA中。例如，可以将具有与显示区域DA相对应的尺寸的膜类型的偏振层154附接到显示区域DA的封装层150。

接下来，粘合层156形成在偏振层154上的显示区域DA中，并且盖玻璃160形成在具有粘合层156的整个基板上。

例如，盖玻璃160可以使用粘合层156附接到偏振层154。

接下来，背板162形成在基板120的整个后表面上。

例如，具有盖玻璃160的基板120可以使用粘合层附接到背板162。

在图6E中，系统部170和辅助设备172分别设置在基板120的后表面上的显示区域DA和透明区域TA中。

在根据本公开的第一实施例的显示装置110的制造方法中，不执行去除透明区域TA的发光二极管和封装层150的切割工艺。相反，由于用于第二电极140的金属材料不被吸附在透明区域TA的沉积防止层142上，而被吸附在显示区域DA的第二发光辅助层134上，因此发光二极管的第二电极140选择性地形成在显示区域DA中，使得发光二极管和封装层150的侧面不暴露于外部。因此，外部氧气或外部湿气的渗透被最小化，并且诸如颗粒的劣化被最小化。

另外，由于省略了诸如激光微调的切割工艺和形成凹槽的工艺，因此简化了制造工艺，降低了制造成本，并且提高了生产率。

图9是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的透射率的曲线图。图9示出了省略了盖玻璃160的显示装置的透射率。

在图9的根据本公开的第一实施例的显示装置110中，由于沉积防止层142，第二电极140形成在显示区域DA中而不形成在透明区域TA中。

在根据比较例的显示装置中，具有半透射性质的第二电极140形成在显示区域DA和透明区域TA中并与沉积防止层142重叠。

第二电极140包括镁银(MgAg)，并且具有约

对于约400nm至约800nm波长的光，第一实施例的显示装置110的透明区域TA的透射率大于比较例的显示装置的透明区域TA的透射率。

对于约430nm、约550nm和约620nm波长的光，第一实施例的显示装置110的透明区域TA分别具有约107.6％、约107.2％和约108.0％的强度。对于约430nm、约550nm和约620nm波长的光，比较例的显示装置的透明区域TA分别具有约75.7％、约75.8％和约63.2％的强度。

因此，与比较例的显示装置的透明区域TA相比，第一实施例的显示装置110的透明区域TA具有高约30％以上的透射率，并且显示装置110的亮度得到提高。

另外，由于第一实施例的显示装置110的透明区域TA具有相对较高值的均匀透射率，因此诸如色偏移的劣化被最小化。

对于约430nm、约550nm和约620nm波长的光，具有盖玻璃160的第一实施例的显示装置110的透明区域TA可以分别具有约97.6％、约97.2％和约98.0％的强度。对于约430nm、约550nm和约620nm波长的光，具有盖玻璃160的比较例的显示装置的透明区域TA分别具有约76.7％、约65.8％和约53.2％的强度。

在根据本公开的第一实施例的显示装置110中，不执行去除透明区域TA的发光二极管和封装层150的切割工艺。相反，由于用于第二电极140的金属材料不被吸附在透明区域TA的沉积防止层142上，而被吸附在显示区域DA的第二发光辅助层134上，因此发光二极管的第二电极140选择性地形成在显示区域DA中，使得发光二极管和封装层150的侧面不暴露于外部。

因此，外部氧气或外部湿气的渗透被最小化，并且诸如颗粒的劣化被最小化。

例如，在通过诸如激光微调的切割工艺去除了透明区域TA的发光二极管和封装层150的比较例的显示装置中，从在约85℃的温度和约85％的湿度下进行200小时的存储可靠性测试中出现了湿气渗透的劣化。在使用沉积防止层142在显示区域DA中选择性地形成第二电极140的第一实施例的显示装置110中，从在约85℃的温度和约85％的湿度下进行408小时的存储可靠性测试中没有出现湿气渗透的劣化。

另外，由于省略了诸如激光微调的切割工艺和形成凹槽的工艺，因此简化了制造工艺，降低了制造成本，并且提高了生产率。

此外，由于透明区域TA具有相对较高值的均匀透射率，因此亮度被提高，并且诸如色偏移的劣化被最小化。

在另一实施例中，通过在透明区域TA的一部分中设置诸如红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的颜色子像素，图像的显示质量得到提高。

图10是示出根据本公开的第二实施例的显示装置的显示区域和透明区域的边界区域的放大平面图，图11是沿着图10的线XI-XI截取的剖视图。示例性地示出了盒上触摸型和顶部发光型的有机发光二极管(OLED)显示装置作为显示装置。

在图10和图11中，根据本公开的第二实施例的显示装置210包括用于显示图像并感测触摸的显示区域DA、显示区域DA内部的透明区域TA和围绕显示区域DA的非显示区域(未示出)。

显示装置210包括显示面板、系统部270和辅助设备272。显示面板可以通过图像显示向用户发送信息，并且可以通过触摸感测从用户接收信息。系统部270可以用显示面板和辅助设备272发送并接收信号和电力。辅助设备272可以通过显示面板186接收诸如物体的形状的信息。

背板262支撑并保护基板220。背板262可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料，并且可以具有约1.6的折射率。

基板220设置在整个背板262上，并且栅极绝缘层222、层间绝缘层224和钝化层226依次设置在基板220上的显示区域DA的多个第一颜色子像素和透明区域TA的多个第二颜色子像素中。

基板220包括显示区域DA和透明区域TA。显示区域DA包括诸如红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的多个第一颜色子像素，并且透明区域TA包括诸如红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的多个第二颜色子像素以及与多个第二颜色子像素交替的多个透明子像素SPt。

尽管在第二实施例中，透明区域TA的多个第二颜色子像素的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb以及多个透明子像素SPt示例性地沿水平方向以1:1对应关系彼此交替，但是在另一实施例中，透明区域TA的多个第二颜色子像素的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb以及多个透明子像素SPt可以沿水平方向以一比多对应关系彼此交替。

例如，透明区域TA的多个第二颜色子像素的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb以及多个透明子像素SPt可以以1:3对应关系彼此交替，使得透明区域TA具有约75％的开口率。

基板220可以包括玻璃或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料，并且可以具有约1.6的折射率。

诸如开关TFT Ts(图2)和驱动TFT Td(图2)的多个薄膜晶体管(TFT)和存储电容器Cs(图2)可以设置在红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个的栅极绝缘层222、层间绝缘层224和钝化层226之间。

例如，栅极绝缘层222可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的栅极与半导体层之间，层间绝缘层224可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的栅极与源极之间以及栅极与漏极之间，并且钝化层226可以设置在开关TFT Ts和驱动TFT Td的源极和漏极上。

第一电极228设置在钝化层226上的显示区域DA和透明区域TA的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个中，并且第一发光辅助层230设置在具有第一电极228的整个基板220上。

第一电极228可以包括具有相对高的反射率的金属材料的第一层和具有相对高的功函数的透明导电材料的第二层。

例如，第一电极228可以是向发光材料层232提供空穴的阳极，并且可以连接到驱动TFT Td。

第一发光辅助层230可以包括将空穴注入发光材料层232中的空穴注入层和将空穴传输到发光材料层232的空穴传输层。空穴注入层和空穴传输层可以依次设置在第一电极228上。

发光材料层232设置在第一发光辅助层230上的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中的每一个中，并且第二发光辅助层234设置在具有发光材料层232的整个基板220上。

发光材料层232将从第一电极228提供的空穴和从第二电极240提供的电子结合以发光。

尽管在第二实施例中显示区域DA和透明区域TA的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的发光材料层232示例性地包括不同材料从而分别发出红色光、绿色光和蓝色光，但是在另一实施例中，显示区域DA和透明区域TA的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb的发光材料层232可以具有相同材料的相同结构从而发出白色光，并且滤色器层可以设置在第二电极240上。

第二发光辅助层234可以包括将电子传输到发光材料层232的电子传输层和注入电子的电子注入层。电子传输层和电子注入层可以依次设置在发光材料层232上。

例如，电子注入层可以具有约

第一发光辅助层230和第二发光辅助层234中的每一个可以具有约1.8的折射率。

尽管在第二实施例中相同材料的第一发光辅助层230和第二发光辅助层234示例性地设置在整个基板220上，但是第一发光辅助层230和第二发光辅助层234可以以不同材料选择性地设置在显示区域DA和透明区域TA的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中。

第二电极240设置在第二发光辅助层234上的显示区域DA和透明区域TA的红色子像素SPr、绿色子像素SPg和蓝色子像素SPb中，并且沉积防止层242设置在第二发光辅助层234上的透明区域TA的多个透明子像素SPt中。

第二电极240选择性地设置在未形成沉积防止层242的区域中。因此，第二电极240和沉积防止层242可以彼此排他地设置。

第二电极240可以包括具有半透射性和相对低的功函数的金属材料。

例如，第二电极240可以是向发光材料层232提供电子的阴极。第二电极240可以具有约

第一电极228、第一发光辅助层230、发光材料层232、第二发光辅助层234和第二电极240构成发光二极管。

沉积防止层242可以包括具有相对低的表面能的有机材料，使得在形成第二电极240时，金属材料不被吸附在沉积防止层242上并且与沉积防止层242分离。

例如，沉积防止层242可以具有约

沉积防止层242可以通过与第一实施例相同的工艺由相同的材料形成。

由于在透明区域TA的多个透明子像素SPt中没有形成第二电极240而是形成了沉积防止层242，因此提高了透明区域TA的透射率。

例如，透明区域TA的多个透明子像素SPt可以具有约94％的透射率，并且透明区域TA可以具有约75％的开口率。因此，不具有抗反射层258的透明区域TA可以具有约71％的透射率，具有抗反射层258的透明区域TA可以具有约75％的透射率。

封装层250设置在具有第二电极240和沉积防止层242的整个基板220上，并且触摸层252设置在具有封装层250的整个基板220上。

封装层250防止外部的氧气或湿气的渗透。封装层250可以包括多个有机材料层和多个无机材料层，并且可以具有约1.8的折射率。

触摸层252感测触摸。触摸层252可以包括多个触摸电极和绝缘层，并且绝缘层可以具有约1.5的折射率。

尽管在第二实施例中触摸层252示例性地设置在封装层250上，但是在另一实施例中触摸层252可以设置在包括栅极绝缘层222、层间绝缘层224和钝化层226的阵列层内部，或者可以被省略。

偏振层254设置在触摸层252上的显示区域DA中，并且粘合层256设置在偏振层254上的显示区域DA中。

偏振层254通过在阵列层和发光二极管上的反射使外部光的再发射最小化。偏振层254可以包括依次在触摸层252上的四分之一波片和线性偏振层。

抗反射层258设置在触摸层252上的透明区域TA中。

抗反射层258通过根据触摸层252与抗反射层258的界面处的反射调节干涉，提高了透明区域TA的透射率。

在另一实施例中，可以省略抗反射层258。

盖玻璃260设置在具有粘合层256的整个基板220上。盖玻璃260保护触摸层252、发光二极管和阵列层。

背板262、基板220、多个TFT、发光二极管和盖玻璃260构成显示面板。

系统部270和辅助设备272分别设置在背板262下方的显示区域DA和透明区域TA中。

在根据本公开的第二实施例的显示装置210中，不执行去除透明区域TA的发光二极管和封装层250的切割工艺。相反，由于使用沉积防止层242在显示区域DA的多个第一颜色子像素和透明区域TA的多个第二颜色子像素中选择性地形成发光二极管的第二电极240，因此发光二极管和封装层250的侧面不暴露于外部。因此，外部氧气或外部湿气的渗透被最小化，并且诸如颗粒的劣化被最小化。

另外，由于省略了诸如激光微调的切割工艺和形成凹槽的工艺，因此简化了制造工艺，降低了制造成本，并且提高了生产率。

此外，由于多个第二颜色子像素设置在透明区域TA中，因此显示装置210的显示区域扩大，并且图像的显示质量提高。

此外，由于包括具有半透射性质的第二电极240的发光二极管设置在透明区域TA的多个第二颜色子像素中，因此颜色再现性由于微腔效应而提高，并且寿命增加。

此外，由于在透明区域TA的多个透明子像素SPt中形成了沉积防止层242而不是第二电极240，因此提高了透明区域TA的透射率。

因此，在根据本公开的第一实施例和第二实施例的显示装置和显示装置的制造方法中，由于使用沉积防止层将发光二极管的第二电极选择性地设置在透明区域以外的显示区域中，因此诸如颗粒的劣化被最小化，制造成本降低，并且生产率提高。

另外，由于使用沉积防止层将发光二极管的第二电极选择性地设置在显示区域和部分透明区域中，因此诸如颗粒的劣化被最小化，制造成本降低，生产率提高，并且即使在透明区域中也显示图像。

对于本领域技术人员将显而易见的是，在不偏离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种更改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的更改和变化，只要它们属于所附权利要求及其等同物的范围。