一种超细氧化钴的制备方法
文献发布时间:2023-06-19 11:59:12
技术领域
本发明涉及无机金属材料技术领域,具体涉及一种超细氧化钴的制备方法。
背景技术
超细氧化钴的制备方法通常采用“化学沉淀—热分解”工艺,其中化学沉淀为采用草酸盐、苛性碱、尿素等作沉淀剂进行直接沉淀的方法,往往容易造成沉淀剂的局部浓度过大而引起局部产物过饱和度过高,最终造成粒度分布不均匀。
CN200510031546.4公开了一种超细氧化钴的制备方法,将尿素加入钴盐溶液中混合、溶解后,加入表面活性剂进行直接沉淀反应,生产工艺复杂,采用表面活性剂会对制备的碳酸钴成品中杂质含量造成不良影响,并且浆料中杂质洗涤困难。
发明内容
针对上述已有技术存在的不足,本发明提供一种超细氧化钴的制备方法,采用简易合成方法,无需表面活性剂、杂质容易洗涤、合成方便简单,制备超细氧化钴颗粒D50<2.0um。
本发明是通过以下技术方案实现的。
一种超细氧化钴的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)配液:配置钴浓度80-100g/L的氯化钴溶液和浓度180-220g/L碳酸氢铵溶液;
(2)反应:将超纯水加入到反应釜中,再将经步骤(1)得到的氯化钴溶液、碳酸氢铵溶液同时加入反应釜中,在搅拌条件下进行反应,其中,控制氯化钴溶液流量为3000-3800L/h,碳酸氢铵溶液流量为5500-6000L/h,反应温度30-40℃,搅拌转速1200-1500r/min,反应停留时间1-2h;反应结束后,陈化0.5-1.0h;
(3)洗涤:将经步骤(2)得到的物料进行洗涤、压滤成块状物料;
(4)烘干:将得到的块状物料在200-230℃温度下烘干,得到碳酸钴;
(5)煅烧:将得到的碳酸钴煅烧,得到超细氧化钴。
进一步地,所述步骤(2)超纯水的加入量为反应釜容积的1/10-1/11。
进一步地,所述步骤(5)将得到的碳酸钴在300-360℃进行煅烧3-4h。
本发明的有益技术效果,本发明提供了一种超细氧化钴的制备方法,合成超细氧化钴用碳酸钴无需采用表面活性剂,不引入杂质,采用超纯水能够避免Na离子引入,常规洗涤能够有效除去碳酸钴中Cl离子,Cl含量低于30ppm,并且碳酸钴粒径D50低于2.0um,反应快速,产量大。
附图说明
图1为本发明制备的氧化钴形貌的SEM图。
图2为本发明制备的碳酸钴形貌的SEM图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
实施例1
一种超细氧化钴的制备方法,包括以下步骤:
1)原料:氯化钴溶液、碳酸氢铵溶液、超纯水;
2)配液:配置钴浓度为80g/L的氯化钴溶液,配置220g/L碳酸氢铵溶液;
3)反应:将超纯水加入到反应釜中,加入量2.5m
4)洗涤:将经步骤3)得到的物料进到板框压滤机中进行自动洗涤,左右洗涤各3次,压榨成块状物料;
5)烘干:块状物料进入闪蒸干燥机中,通过230℃温度进行烘干,获得碳酸钴;
6)煅烧:获得的碳酸钴经过回转窑360℃进行煅烧4h,得到D50 1.5um的超细氧化钴。
实施例2
一种超细氧化钴的制备方法,包括以下步骤:
1)原料:氯化钴溶液、碳酸氢铵溶液、超纯水;
2)配液:配置钴浓度为90g/L的氯化钴溶液,配置180g/L碳酸氢铵溶液;
3)反应:将超纯水加入到反应釜中,加入量3.5m
4)洗涤:将经步骤3)得到的物料进到板框压滤机中进行自动洗涤,左右洗涤各3次,压榨成块状物料;
5)烘干:块状物料进入闪蒸干燥机中,通过200℃温度进行烘干,获得碳酸钴;
6)煅烧:获得的碳酸钴经过回转窑300℃进行煅烧3h,得到D50 1.3um的超细氧化钴。
实施例3
一种超细氧化钴的制备方法,包括以下步骤:
1)原料:氯化钴溶液、碳酸氢铵溶液、超纯水;
2)配液:配置钴浓度为100g/L的氯化钴溶液,配置200g/L碳酸氢铵溶液;
3)反应:将超纯水加入到反应釜中,加入量3.5m
4)洗涤:将经步骤3)得到的物料进到板框压滤机中进行自动洗涤,左右洗涤各3次,压榨成块状物料;
5)烘干:块状物料进入闪蒸干燥机中,通过200℃温度进行烘干,获得碳酸钴;
6)煅烧:获得的碳酸钴经过回转窑330℃进行煅烧3h,得到D50 1.1um的超细氧化钴。
对比例1
一种超细氧化钴的制备方法,包括以下步骤:
1)原料:氯化钴溶液、碳酸氢铵溶液、超纯水;
2)配液:配置钴浓度为140g/L的氯化钴溶液,配置200g/L碳酸氢铵溶液;
3)反应:将超纯水加入到反应釜中,加入量2.0m
4)洗涤:将经步骤3)得到的物料进到板框压滤机中进行自动洗涤,左右洗涤各3次,压榨成块状物料;
5)烘干:块状物料进入闪蒸干燥机中,通过200℃温度进行烘干,获得碳酸钴;
6)煅烧:获得的碳酸钴经过回转窑330℃进行煅烧3h,得到D50 3.6um的氧化钴。
以上所述的仅是本发明的较佳实施例,并不局限发明。应当指出对于本领域的普通技术人员来说,在本发明所提供的技术启示下,还可以做出其它等同改进,均可以实现本发明的目的,都应视为本发明的保护范围。
- 一种超细氧化钴的制备方法
- 一种超细氧化钴粉体材料的制备方法