一种显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，简称Micro LED)技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，可实现每一个像素单独定址、单独驱动发光，也将像素点的距离由毫米级别降到了微米级别。

Micro LED相比于普通的LED具有自发光，无需背光源的特性，更具有节能、高集成化等优点；而相比于同样具备自发光特性的有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称OLED)，其功耗损耗更低，有更长的寿命和更高的稳定性。因此，Micro LED技术成为了本领域的研究重点。

然而，在Micro LED显示装置的制作过程中需要采用键合工艺将微型发光二极管键合至驱动背板上。在目前应用广泛的金属键合工艺中，需对微型发光二极管进行高温键合处理，其键合温度往往在100℃-200℃以上。而微型发光二极管在此高温键合过程中容易损坏，这导致了制备良率较低的问题。

发明内容

本发明一些实施例中，显示装置包括位于微型发光二极管与驱动基板之间的键合层，键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；键合层可以直接采用较低温度进行固化，降低了微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。除了微型发光二极管和驱动基板之间键合层区域，键合层的其他区域保持绝缘，避免了各个微型发光二极管之间的串扰，提高了显示效果。

本发明一些实施例中，键合层包括基质和分散在基质中的导电材料；其中，导电材料可以是导电粒子，在自然状态下，导电粒子均匀分散在绝缘的基质中，各个导电粒子不相互接触，不能形成导电通路，因此键合层具有绝缘特性。基质具有粘性，可用于粘合微型发光二极管和驱动基板。

本发明一些实施例中，导电粒子可采用碳纳米管或纳米银，基质可采用环氧树脂、丙烯酸树酯或有机硅树脂中的一种或至少两种的组合。

本发明一些实施例中，导电材料是导电粒子，导电粒子的粒径尺寸为1nm-5μm；导电粒子在所述键合层中的分布密度为50pcs/m

本发明一些实施例中，键合层的厚度为1μm-50μm。

本发明一些实施例中，键合层在驱动基板上的正投影与驱动基板完全重叠。键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率。

本发明一些实施例中，微型发光二极管的第一电极、第二电极与驱动基板上的焊盘相对应。键合层分为：压合区域和非压合区域；压合区域为电极与对应的焊盘之间的区域；非压合区域为除压合区域以外的其他区域；压合区域导电，非压合区域绝缘。第一电极、第二电极与对应的焊盘通过压合区域电连接。第一电极和第二电极之间的键合层属于非压合区域，这部分区域仍然处于绝缘状态，避免了第一电极和第二电极之间短路的问题。各个微型发光二极管之间的键合层也属于非压合区域，此区域绝缘避免了微型发光二极管之间的串扰问题，提高了显示效果。

本发明一些实施例中，显示装置还包括：封装层，位于微型发光二极管背离驱动基板的一侧，封装层可用于封装保护微型发光二极管，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性。

本发明一些实施例中，封装层为有机层和无机层交替堆叠的多层结构；或者封装层为有机层的单层结构。

本发明一些实施例中，显示装置的制作方法包括：在驱动基板的表面形成键合层；将微型发光二极管转移至形成有键合层的驱动基板之上，将微型发光二极管与驱动基板进行压合，以使微型发光二极管通过键合层与驱动基板电连接。由于键合层在驱动基板上整层涂布，工艺难度低，可缩短工艺时间，有效地提高了生产效率；且键合层可以直接采用较低温度进行固化，从而降低了微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。

本发明一些实施例中，显示装置的制作方法还包括：对键合层进行固化处理；在微型发光二极管背离驱动基板一侧形成封装层；其中，固化温度为40℃-80℃。较低的固化温度能够显著降低微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。封装层可用于封装保护微型发光二极管，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性。

本发明一些实施例中，键合层采用旋涂法或喷墨打印法形成在所述驱动基板的全部表面，方法简单快速；且键合层在驱动基板上整面涂布，工艺难度低，有效地缩短了工艺时间，提高了生产效率。

本发明一些实施例中，压合微型发光二极管的压力为0.1Mpa-10Mpa，压合时间为1s-20s。

本发明一些实施例中，显示装置包括驱动基板、发光芯片和位于驱动基板和发光芯片之间的键合层，发光芯片通过键合层与驱动基板电连接。键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；键合层可以直接采用较低温度进行固化，降低了发光芯片在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。除了发光芯片和驱动基板之间键合层区域，键合层的其他区域保持绝缘，避免了各个发光芯片之间的串扰，提高了显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二；

图3为本发明实施例提供的键合层的截面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三；

图5为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。

其中，100-驱动基板，200-键合层，300-微型发光二极管，400-封装层，110-衬底基板，120-栅极，130-电源信号线，140-栅极绝缘层，150-有源层，160-源极，170-漏极，180-钝化层，190-焊盘，310-电极，311-第一电极，312-第二电极，210-基质，220-导电粒子，230-压合区域。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

在显示技术领域，Micro LED技术指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，可实现每一个像素单独定址、单独驱动发光，也将像素点的距离由毫米级别降到了微米级别。因Micro LED具有功耗低、寿命长、高稳定性和自发光无需背光源的特点，更加具有节能、高集成化等优势，可被应用于几乎所有的主流显示领域，被认为是未来显示技术的理想形式。

目前，Micro LED显示装置的典型结构一般包括驱动基板、微型发光二极管。

其中，微型发光二极管和驱动基板采用不同的工艺分别制作，在制作完成微型发光二极管和驱动基板之后，将微型发光二极管转移至驱动基板上进行键合处理。

普通的金属键合工艺是先采用丝网印刷法在驱动基板的焊盘上印刷少量的锡膏，或者采用蒸镀法沉积金属铟；然后将微型发光二极管转移到驱动基板上，将微型发光二极管的电极与焊盘对应贴合，再进行高温焊接。在高温键合的过程中，使用锡膏时，键合温度往往在200℃以上，即使是使用改良后的金属铟进行键合，其键合温度也在100℃以上。因此，普通的金属键合工艺的工艺时间都较长，这会降低生产效率；而且键合温度往往都是100℃-200℃以上的高温，较高的温度会造成微型发光二极管的损坏，造成制备良率较低的问题。

有鉴于此，本发明实施例提供一种显示装置，可以降低微型发光二极管与驱动基板之间的键合温度，提高显示装置的制作良率。

图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一。

参照图1，显示装置包括：驱动基板100、微型发光二极管300、键合层200和封装层400。

驱动基板100位于显示装置的底部，通常情况下其尺寸与显示装置的整体尺寸相适应，驱动基板100的尺寸略小于显示装置的尺寸。驱动基板100的形状与显示装置的整体形状相同，可以设置为矩形或方形。当显示装置为异形显示装置时，驱动基板的形状可以适应性设置为其它形状，在此不做限定。

在一些实施例中，驱动基板100还可以由多块驱动基板单元拼接而成。其中，拼接而成的驱动基板100的尺寸与显示装置的整体尺寸相适应，拼接而成的驱动基板100的尺寸略小于显示装置的尺寸，其总体形状也可以为矩形、方形或异形，在此不做限定。

驱动基板100可以采用目前成熟的薄膜工艺进行制作，驱动基板100可以制作为有源驱动基板。驱动基板100用于提供驱动信号。

微型发光二极管300位于驱动基板100的表面，呈阵列分布。

微型发光二极管300不同于发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)，具体是指微缩化的发光二极管芯片，在本发明实施例中可以采用Micro LED。当Micro LED芯片的尺寸缩小到像素级别，可以直接采用Micro LED作为发光单元直接用于图像显示。

在本发明实施例中，Micro LED的尺寸为微米量级，例如，Micro LED的尺寸小于50μm。

微型发光二极管300可以采用目前成熟的制作工艺在衬底上进行制作后，通过巨量转移技术转移到驱动基板100上，再将微型发光二极管300与驱动基板100电连接，从而通过驱动基板100控制各微型发光二极管300发光，实现各个微型发光二极管300的亮度调节。

通常情况下，在用于图像显示时，一个像素单元包括三个分别发出红光、绿光和蓝光的三个子像素，在具体实施时，可以分别采用红光Micro LED、绿光Micro LED和蓝光Micro LED构成一个像素单元，用以实现全彩显示。

封装层400位于微型发光二极管300背离驱动基板100的一侧，其透明度大于95％，通常情况下需要覆盖全部微型发光二极管300的表面，其尺寸和形状与驱动基板100的尺寸和形状相适应。

封装层400通常可以采用隔绝水氧的无机绝缘材料进行制作，当应用于柔性显示装置时，也可以采用有机层和无机层交替制作，在此不做限定。

封装层400用于封装保护微型发光二极管300，延长微型发光二极管的寿命，以此提高显示装置的稳定性。

键合层200位于驱动基板100和微型发光二极管300之间，在原始状态下键合层是绝缘的。

键合层200涂布在驱动基板的全部表面。在微型发光二极管300与驱动基板100对位之后，通过压合微型发光二极管300与驱动基板100使键合层200位于微型发光二极管300与驱动基板100之间的区域产生形变以形成导电通路，从而使微型发光二极管300与驱动基板100电连接，而其他区域保持绝缘状态。

现有技术中常使用丝网印刷法在焊盘上印刷锡膏或者使用蒸镀法在焊盘上沉积金属铟的方式。相比于上述两种方式，键合层200在驱动基板100上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；由于除了微型发光二极管300和驱动基板100之间键合层200区域，键合层200的其他区域保持绝缘，由此避免了各个微型发光二极管300之间的串扰，提高了显示效果。

图2为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。

参照图2，驱动基板100包括：衬底基板110，栅极金属层、栅极绝缘层、有源层150、源漏金属层、钝化层180和焊盘190。

其中，衬底基板110，位于驱动基板100的底部，通常情况下其尺寸与显示装置的整体尺寸相适应，衬底基板100的尺寸略小于显示装置的尺寸；可以采用玻璃、聚酰亚胺等绝缘耐热、化学性质稳定的材料制成刚性或柔性的衬底基板，在此不做限定。衬底基板110在驱动基板100中作为基板使用，可在衬底基板110上形成多层薄膜。

栅极金属层，位于衬底基板110之上，包括栅极120和电源信号线130的图形。可以采用金属铬、铬的合金材料、金属铝和铝的合金材料等，通过磁控溅射法、真空蒸镀法等在衬底基板110上形成一层金属薄膜后，通过刻蚀形成栅极120和电源信号线130的图形。

栅极绝缘层140，位于栅极金属层背离衬底基板110一侧。可以采用绝缘耐压性能好、与有源层150之间的界面特性较好的材料，例如氮化硅和氧化硅；通过化学气相沉积法或射频溅射法等方法在栅极金属层之上沉积一层栅极绝缘层140，用于提高薄膜晶体管的稳定性和可靠性。

有源层150，位于栅极绝缘层140背离栅极金属层的一侧。可以采用单晶硅、多晶硅等材料，通过化学气相沉积法、蒸发法或溅射法等方法在栅极绝缘层140上沉积一层单晶硅或多晶硅薄膜后，通过刻蚀形成有源层150。

源漏金属层，位于栅极绝缘层140背离栅极金属层的一侧，包括源极160、漏极170和数据信号线(图中未示出)的图形。源漏金属层可以采用金属钛、金属铝等材料，通过磁控溅射法、真空蒸镀法等在栅极绝缘层140背离栅极金属层的一侧形成一层或多层金属薄膜后，通过刻蚀形成源极160、漏极170和数据信号线的图形。

栅极120、有源层150、源极160和漏极170构成了薄膜晶体管。

钝化层180，位于源漏金属层背离栅极绝缘层140的一侧，用于绝缘保护下方膜层，并使表面平坦化。钝化层180可以采用氧化硅或氮化硅等材料，通过化学气相沉积法、蒸发法等方法在源漏金属层上沉积钝化层180，再通过刻蚀工艺形成过孔。

焊盘190，位于钝化层180背离源漏金属层的一侧，与钝化层180中过孔的位置相对应，形状与微型发光二极管300的电极310形状相适应；可以采用铜等导电材料。焊盘190通过钝化层180中的过孔分别于源漏金属层中的漏极170和电源信号线130电连接。

在本发明实施例中，微型发光二极管300最终与驱动基板100表面的焊盘190对应电连接，从而通过控制驱动基板100的信号驱动微型发光二极管300进行图像显示。

如图2所示，微型发光二极管300包括N型掺杂层、P型掺杂层、发光层和两个电极310。

其中，发光层位于N型掺杂层和P型掺杂层之间，可以采用多量子阱层，通过气相沉积工艺形成；N型掺杂层和P型掺杂层可以采用相同的材料，例如氮化镓等，分别进行P型掺杂和N型掺杂得到。微型发光二极管300包括两个电极310，分别为第一电极311和第二电极312；微型发光二极管300可以是两个电极分别位于微型发光二极管300两侧的垂直结构，也可以是位于微型发光二极管300同一侧的水平结构。在本发明实施例中，第一电极311和第二电极312均位于微型发光二极管面向驱动基板100的一侧，采用的是水平结构的微型发光二极管300。其中，电极310可以由各种导电材料形成，例如可以采用金属铜进行制作，在此不做限定。

在本发明实施例中，微型发光二极管300的电极310与驱动基板100的焊盘190通过二者之间的键合层200电连接，由此通过控制驱动基板100内的电源信号线和数据信号线的传输信号来控制输出至两个焊盘190上的电信号，从而控制微型发光二极管300的亮度。

图3为本发明实施例提供的键合层的截面结构示意图。

参照图3，在本发明实施例中，键合层200由基质210和均匀分散在基质210中的导电材料组成。

具体地，基质210可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂或有机硅树脂等绝缘胶体中的一种，或者至少两种的组合，在此不做限定。导电材料可以是导电粒子220。在键合层200中，具有绝缘特性的基质210用于分散导电粒子220，还可以用于粘合焊盘190与微型发光二极管300的电极310。导电粒子220可以使用具有良好导电性能的碳纳米管或者纳米银，在此不做限定。

键合层200可以使用目前成熟的制作工艺将导电粒子220均匀分散在基质210中进行制作。优选地，导电材料可以是导电粒子，其粒径尺寸范围为1nm-5μm，在键合层200中的分布密度为50pcs/m

在制作完驱动基板100之后，键合层200被整层涂布在驱动基板100上。在具体实施时，整层涂布键合层200的方式能有效地提高生产效率。优选地，涂布的键合层200的厚度为1μm-50μm；键合层200在驱动基板100上的正投影与驱动基板100完全重叠，覆盖驱动基板100的全部表面。

在将微型发光二极管300转移至驱动基板100上的过程中，需要将微型发光二极管的电极310(包括第一电极311和第二电极312)与驱动基板100上对应的焊盘190对位。因为基质210具有粘性，可通过压合微型发光二极管300，使微型发光二极管300的电极310与驱动基板100上的焊盘190通过二者之间的键合层200对应粘合。

图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三。

参照图4，在本发明实施例中，键合层200可分为两个区域：压合区域230和非压合区域。

其中，压合区域230是位于微型发光二极管的电极310与所对应的驱动基板上的焊盘190之间的区域；非压合区域是除了压合区域230之外的其他区域。

在本发明实施例中，在对微型发光二极管施加压力时，压合区域230受到压力影响发生了形变，对位贴合的电极310和焊盘190会挤压压合区域230使此区域中的导电粒子220在受到挤压后会相互接触，从而形成导电通路，使得键合区域导电，从而使得微型发光二极管的电极310与焊盘190电连接。

而非压合区域未受到挤压，仍然保持自然状态，其内部导电粒子220保持不相互接触的状态，不能形成导电通路，因此非压合区域绝缘。

具体来说，第一电极311和第二电极312之间的键合层200属于非压合区域，这部分区域仍然处于绝缘状态，避免了第一电极311和第二电极312之间短路的问题。各个微型发光二极管300之间的键合层200也属于非压合区域，此区域绝缘避免了微型发光二极管300之间的串扰问题，提高了显示效果。

在本发明一些实施例中，如图1或2，显示装置还包括封装层400，其位于微型发光二极管300背离驱动基板100的一侧。

封装层400可以使用有机层的单层结构，也可以采用无机层和有机层交替堆叠的多层结构，在此不做限定；其中，有机层可以采用环氧树脂、丙烯酸树酯和有机硅树脂等可隔绝水氧的有机材料，无机层可以采用氧化硅、氮化硅、氧化铝等可隔绝水氧的无机材料，在此不做限定。

封装层400可通过旋涂法和喷墨打印法等形成在微型发光二极管300的表面，其透明度大于95％，用于封装保护微型发光二极管300，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性的同时具有较好的透光效果。

另一方面，本发明实施例提供一种上述任一显示装置的制作方法，图5为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。

参照图5，本发明实施例提供的显示装置的制作方法，包括：

S501、提供驱动基板；

S502、在驱动基板的表面形成键合层；

S503、将微型发光二极管转移至形成有键合层的驱动基板之上，将微型发光二极管与驱动基板进行压合，以使微型发光二极管通过键合层与驱动基板电连接；

S504、对键合层进行固化处理；

S505、在微型发光二极管背离驱动基板一侧形成封装层。

本发明实施例提供通过在驱动基板的表面形成一层键合层，再将微型发光二极管转移至驱动基板之上进行压合，使得微型发光二极管通过键合层与驱动基板电连接。相比于现有技术中使用丝网印刷法选择性地印刷锡膏或使用蒸镀法选择性地蒸镀金属铟，键合层在驱动基板上整面涂布工艺难度降低，有效缩短了工艺时间，提高了生产效率。键合层可以直接采用较低温度进行固化，由此降低了微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。

具体地，本发明实施例提供的驱动基板的制作方法可参见现有技术。

本发明实施例中驱动基板用于提供驱动信号，实现显示装置的有源驱动。在具体实施时，可以在衬底基板上依次形成栅极金属层，栅极绝缘层，有源层、源漏金属层、钝化层和焊盘。其中，栅极金属层可使用金属铬或金属铝等材料；栅极绝缘层可使用氮化硅或氧化硅等材料；有源层可使用单晶硅或多晶硅等材料；源漏金属层可使用掺杂的金属钛和金属铝等材料；钝化层可使用氮化硅或氧化硅等材料；焊盘则可使用铜等导电材料，在此不做限定；制作工艺包括真空蒸镀法、磁控溅射法、刻蚀法等。

在形成了驱动基板之后，在驱动基板表面上形成键合层。在具体实施时，键合层是一种可流动的混合液体，此混合液体可通过将导电材料均匀分散在基质中形成；其中导电材料可以为导电粒子，导电粒子可采用碳纳米管或纳米银，基质可采用环氧树脂、丙烯酸树酯或有机硅树脂中的一种或至少两种的组合；优选地，导电材料可以是导电粒子，其粒径范围为寸为1nm-5μm，在键合层中的分布密度为50pcs/m

使用旋涂法或喷墨打印法在驱动基板上形成键合层的工艺相比于现有技术中的丝网印刷法或蒸镀法简单快速。且键合层在驱动基板上整面涂布，相比于现有技术中选择性的在焊盘上印刷锡膏或蒸镀铟更简单，有效地缩短了工艺时间。

在本发明一些实施例中制作的显示装置包括多个像素单元，一个像素单元包括三个分别发出红光、绿光和蓝光的三个子像素。在具体实施时，可以分别采用红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管和蓝光微型发光二极管构成一个像素单元，用以实现全彩显示。

具体地，本发明实施例中的微型发光二极管的制作方法可参见现有技术。

微型发光二极管包括外延片和电极，在实际制作过程中，可使用有机物化学气相沉积法在衬底上依次形成N型掺杂层，发光层和P型掺杂层。最后可使用电子束蒸发工艺在外延片上形成第一电极和第二电极；其中，若第一电极与第二电极位于微型发光二极管的两侧，则微型发光二极管为垂直结构；若第一电极与第二电极位于微型发光二极管的同一侧，则微型发光二极管为水平结构；在本发明实施例中采用的是水平结构的微型发光二极管。

进一步地，可使用巨量转移技术将微型发光二极管转移至驱动基板上。微型发光二极管的电极与驱动基板上的焊盘对位贴合后，因键合层中的基质具有一定的粘性，对微型发光二极管施加压力，从而通过键合层将微型发光二极管与驱动基板初步粘合在一起。

由于压合区域的键合层发生形变，其内部形成了导电通路，因此微型发光二极管与驱动基板通过键合层电连接。优选地，压合微型发光二极管的压力为0.1Mpa-10Mpa，压合时间为1s-20s。

在压合处理之后，为了使微型发光二极管与驱动基板的连接更加稳固，需采用热固化法对键合层进行固化处理。其中，固化温度为40℃-80℃。相比于现有的需要100℃-200℃以上的高温将微型发光二极管与驱动基板进行焊接的技术，本发明中仅使用40℃-80℃的温度完成了将微型发光二极管与驱动基板的键合，较低的固化温度能够显著降低芯片在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。

并且，此过程也将键合层各个区域的内部结构进一步固化，以使非压合区域保持绝缘状态，压合区域保持导电状态；避免了微型发光二极管内部第一电极与第二电极短路的问题；也避免了各个微型发光二极管之间串扰的问题，提高了显示的效果。

另外，在本发明一些实施例中制作的显示装置中还包括具有隔绝水氧作用的封装层。封装层可通过旋涂法和喷墨打印法等方法在微型发光二极管背离驱动基板一侧形成；封装层是透明度大于95％的有机层的单层结构，或者有机层与无机层交替堆叠的多层结构。有机层可采用环氧树脂等材料；无机层可采用氧化硅等材料。封装层可用于封装保护微型发光二极管，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：驱动基板、发光芯片和位于驱动基板和发光芯片之间的键合层，发光芯片通过键合层与驱动基板电连接。键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；键合层可以直接采用较低温度进行固化，降低了发光芯片在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。除了发光芯片和驱动基板之间键合层区域，键合层的其他区域保持绝缘，避免了各个发光芯片之间的串扰，提高了显示效果。

其中，发光芯片可以为Micro LED，也可以为其它可键合至驱动基板上为显示装置提供光源或作为像素单元显示的发光芯片，在此不做限定。

该显示装置可以为显示器、电视等显示设备，也可以为手机、平板电脑、电子相册等移动终端设备，在此不做限定。

根据第一发明构思，显示装置包括位于微型发光二极管与驱动基板之间的键合层，键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；键合层可以直接采用较低温度进行固化，由此降低了微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。由于除了微型发光二极管和驱动基板之间键合层区域，键合层的其他区域保持绝缘，由此避免了各个微型发光二极管之间的串扰，提高了显示效果。

根据第二发明构思，键合层包括基质和分散在基质中的导电材料。导电材料可以是导电粒子；基质还具有粘性，可用于粘合微型发光二极管和驱动基板。导电粒子可采用碳纳米管或纳米银，基质可采用环氧树脂、丙烯酸树酯或有机硅树脂中的一种或至少两种的组合。在自然状态下，导电粒子均匀分散在绝缘的基质中，各个导电粒子不相互接触，不能形成导电通路，因此键合层具有绝缘特性。压合之后，键合层中各个导电粒子受到挤压相互接触，形成导电通路，因此压合处的键合层具有导电特性。

根据第三发明构思，键合层的厚度为1μm-50μm，且键合层在驱动基板上的正投影与驱动基板完全重叠。键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加简单快速，可以提高生产效率。

根据第四发明构思，微型发光二极管的第一电极和第二电极与驱动基板上的焊盘相对应。由此，键合层可分为：压合区域和非压合区域；压合区域为电极与对应的焊盘之间的区域；非压合区域为除压合区域以外的其他区域；压合区域导电，非压合区域绝缘。因此，第一电极和第二电极与对应的焊盘通过压合区域电连接。第一电极和第二电极之间的键合层属于非压合区域，这部分区域仍然处于绝缘状态，避免了第一电极和第二电极之间短路的问题。各个微型发光二极管之间的键合层也属于非压合区域，此区域绝缘避免了微型发光二极管之间的串扰问题，提高了显示效果。

根据第五发明构思，显示装置还包括：封装层，位于微型发光二极管背离驱动基板的一侧；封装层为有机层和无机层交替堆叠的多层结构；或者封装层为有机层的单层结构。封装层可用于封装保护微型发光二极管，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性。

根据第六发明构思，本发明一些实施例中，显示装置的制作方法包括：在驱动基板的表面形成键合层；将微型发光二极管转移至形成有键合层的驱动基板之上，将微型发光二极管与驱动基板进行压合，以使微型发光二极管通过键合层与驱动基板电连接。显示装置的制作方法还包括：对键合层进行固化处理；在微型发光二极管背离驱动基板一侧形成封装层；其中，固化温度为40℃-80℃。较低的固化温度能够显著降低微型发光二极管在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。封装层可用于封装保护微型发光二极管，延长微型发光二极管的寿命，提高显示装置的稳定性。

根据第七发明构思，键合层采用旋涂法或喷墨打印法在驱动基板的全部表面上形成，方法简单快速，工艺难度低；且键合层在驱动基板上整面涂布，工艺难度低，有效地缩短了工艺时间，提高了生产效率。

根据第八发明构思，显示装置包括驱动基板、发光芯片和位于驱动基板和发光芯片之间的键合层，发光芯片通过键合层与驱动基板电连接。键合层在驱动基板上整层涂布的方式更加快速，可以提高生产效率；键合层可以直接采用较低温度进行固化，降低了发光芯片在键合过程中的损坏率，提高了制备良率。除了发光芯片和驱动基板之间键合层区域，键合层的其他区域保持绝缘，避免了各个发光芯片之间的串扰，提高了显示效果。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。