基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器及其制备方法

技术领域

本发明属于有机电子器件领域，尤其涉及一种基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器及其制备方法。

背景技术

部分绝缘电介质材料具有将电荷捕获在材料内部并长期保留的特性，这些捕获电荷后能长期甚至永久带电的绝缘介电材料被称为驻极体。驻极体材料因其具有偶极取向并长期处于极化状态的特点被广泛应用于电子设备、过滤织物、静电印刷和生物医疗灭菌等领域。然而在使用的过程中，驻极体材料内部的电荷群会因为环境因素影响、空气中的离子被驻极体电荷吸至驻极体中和驻极体的电荷、驻极体内的传导电流的载流子与驻极体电荷的中和等原因迅速衰减。目前，学术界正在寻找具有更高电荷捕获密度和更长的保持时间的驻极体材料。

有机场效应晶体管(OFET)作为新一代电子产品的重要组成部分因具有轻量化、环境友好、可大面积加工等优点被广泛研究与应用。OFET的基础性能指标有迁移率、开关比、阈值电压和稳定性，为实现真正的现实应用，要求OFET具有高迁移率、大开关比、低阈值电压、优异的稳定性这些特点。双极性场效应晶体管是采用内部既允许空穴也允许电子输运的双极性材料，如碳纳米管、石墨烯、过渡金属二硫化物和共轭聚合物制备的晶体管。因其既允许空穴也允许电子输运的特性，双极性场效应晶体管可以在不同的状态下(p型和n型)工作，同时双极性晶体管拥有着比常规场效应器件更高的运行速度，这些优点使得双极性晶体管在未来的电路设计中有着重要的地位。然而在双极性器件的运行过程中因为源漏电极电压不对称，栅电极很难同时耗尽整个沟道中传输的电子和空穴，这种情况通常会导致双极性晶体管具有较小的开关比，从而影响器件在未来应用中的发展。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，通过沿通道引入非均匀分布的补偿电位来同步调节传输通道中不同位置的电荷传输，聚合物双极性晶体管的关断能力可以显著提高。这种非均匀补偿电位可以由从源极和漏极预先注入到驻极体材料中产生的非均匀分布的驻极体电荷提供，另外，在含有驻极体的双极性非易失性存储中，也可以由栅极电压操纵得到足够大的转移特性位移(储存器内存窗口)。驻极体对电荷的驻留能力也因此成为了影响上述器件性能的关键，更强的电荷驻留能力通过改善驻极体内部捕获电荷密度可以使双极性晶体管得到更大的非均匀补偿电位和储存器内存窗口，从而得到更加优异的性能。本发明提供了基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器及其制备方法，目的在于使用氟化聚苯乙烯强的电荷驻留特性这一特点，以得到一种高开关比，高迁移率，在驻极体非均匀补偿电位作用下达到在同一器件上获得状态可逆切换的n型和p型性能、迁移率和开关比均增强的双极性晶体管器件。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，该存储器包括由下到上设置的衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体与有机半导体共混层、源电极和漏电极。

本发明进一步的改进在于，所述聚合物驻极体与有机半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化聚苯乙烯，半导体的材质为聚吡咯并吡咯二酮-二(噻吩-2-基)双(3，4-二氟噻吩-2-基)亚乙基、聚N-(2,2-二氟乙基)丙烯酰胺、聚吡咯并吡咯二酮-四噻吩或红荧烯中的一种，聚合物驻极体与有机半导体共混层的厚度为40-100nm。

本发明进一步的改进在于，衬底处于所述有机双极性晶体管存储器的最底部起支撑作用，衬底的材质为高掺杂硅片、石英玻璃或者柔性材料。

本发明进一步的改进在于，所述栅极的材质为高掺杂硅片或金属中的一种。

本发明进一步的改进在于，所述栅极绝缘层的材质为二氧化硅、氧化铝、聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯的一种，所述栅极绝缘层的薄膜厚度为50-300nm。

本发明进一步的改进在于，所述源电极和漏电极的材质均为金属或者有机导电材料，厚度均为50-100nm，源电极和漏电极之间为有机半导体导电沟道。

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备方法，包括以下步骤：

(1)配制聚合物驻极体溶液，加热并用磁子搅拌3-5小时使其分散均匀；有机半导体溶液，加热并用磁子搅拌4小时使其分散均匀，后将聚合物驻极体溶液和有机半导体溶液以不同的体积比混合，加热并用磁子搅拌使其混合均匀；

(2)选用衬底材料，对材料进行裁剪使其适合后续操作后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行1-3次超声清洗，每次超声时间10-20min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)在步骤(2)中吹干的衬底材料表面制备栅极、栅极绝缘层；

(4)将步骤(3)中得到的样品进行5-15min的紫外臭氧处理后放入甲苯中在100-150℃条件下使用OTMS修饰，完成修饰后使用氮气吹干；

(5)在氮气环境的手套箱中在步骤(4)处理好的样品表面旋涂步骤(1)配置好的溶液，旋涂后的基片放置热台上于150-200℃条件下进行退火处理；

(6)使用真空蒸镀仪向步骤(5)中退火完成的样品表面蒸镀源漏电极，蒸镀结束后待器件冷却至室温后取出。

本发明进一步的改进在于，所述步骤(1)中，将氟化聚苯乙烯溶于邻二氯苯中，得到驻极体材料溶液，其中，氟化聚苯乙烯的浓度为5-10mg/mL；将PDPP-4FTVT、P2F、PDPP4T或红荧烯溶于邻二氯苯中，得到半导体材料溶液，其中，PDPP-4FTVT、P2F、PDPP4T或红荧烯的浓度为2-4mg/mL。

本发明进一步的改进在于，所述步骤(6)中，真空蒸镀的真空度低于10

本发明进一步的改进在于，步骤(3)中，栅极材料为硅、金、银、铝、铜中的一种；

步骤(4)中，OTMS修饰时间为30min；

步骤(5)中，优选的旋涂的转速为3000r/min，退火时间为10min；

步骤(6)中，源漏电极材料为金、铝中的一种。

本发明至少具有如下有益的技术效果：

本发明首次将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，且使用了工艺简易且成熟的旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低制造难度的双极性晶体管。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得高迁移率、高开关比、状态可逆切换的n型和p型器件性能的目标。与现有技术相比，具有以下优点：

1、本发明所提供的有机双极性晶体管存储器实现了写入窗口大于110V的大窗口存储性能。

2、本发明所提供的有机双极性晶体管存储器不仅具有优异的稳定存储功能且具有较高的初始空穴迁移率(1.52cm

3、本发明所提供的有机双极性晶体管存储器通过非均匀补偿电位的作用，在同一器件上获得了高迁移率(分别为1.68和2.25cm

4、本发明所提供的器件采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产。

附图说明

图1为氟化聚苯乙烯分子结构示意图；

图2本发明中器件结构示意图；

图3为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的转移特性曲线；

图4为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的输出特性曲线；

图5为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的正向存储窗口特性曲线；

图6为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的负向存储窗口特性曲线；

图7(a)为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器在负栅极应力处理后的转移特性曲线,(b)为进行数据处理后的电流和迁移率；

图8(a)为实施例1中基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器在正栅极应力处理后的转移特性曲线，(b)为进行数据处理后的电流和迁移率。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

实施例1

如图2所示，基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，由下自上包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体、半导体共混层、源电极和漏电极。其中，衬底与栅极的材质都选用高掺杂硅；栅极绝缘层的材质为二氧化硅，栅极绝缘层的厚度为300nm；聚合物驻极体、半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化苯乙烯、半导体的材质为PDPP-4FTVT，厚度为40-100nm，源电极和漏电极的材质为金，厚度为50-100nm。本实施例的基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备步骤如下：

(1)配制浓度为10mg/mL的氟化聚苯乙烯(FPS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌4小时使其分散均匀；配制浓度为4mg/mL的PDPP-4FTVT溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，配制好之后，磁子搅拌4小时使其分散均匀，后将氟化聚苯乙烯(FPS)溶液和PDPP-4FTVT溶液以体积比10∶1混合，磁子搅拌使其混合均匀；

(2)选用表面有300nm厚度二氧化硅的高掺杂硅片，裁剪后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行2次超声清洗，每次超声时间15min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)将步骤(2)中吹干的高掺杂硅片紫外臭氧处理10min后放入甲苯中在150℃条件下使用OTMS修饰30min，完成修饰后使用氮气吹干；

(4)在氮气环境的手套箱中在步骤(3)处理好的硅片表面旋涂步骤(1)配置好的溶液，转速3000r/min，旋涂时间60s，旋涂后的基片放置热台上于200℃进行退火处理10min；

(5)取20mg的金放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流100A左右，以

器件制备完成后，其电学性能使用Quick半导体分析软件在氮气气氛的手套箱中进行测试，数据处理绘制成的转移曲线如图3所示，空穴迁移率为1.52cm

测试结果表明，本发明所涉及具有氟化聚苯乙烯驻极体材料的双极性有机场效应晶体管将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，且使用了工艺简易且成熟的旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低难度的双极性晶体管制备方法。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得高迁移率、高开关比、状态可逆切换的n型和p型器件性能。

实施例2

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，由下自上包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体、半导体共混层、源电极和漏电极。其中，衬底选用石英玻璃；栅极的材质选用铝；栅极绝缘层的材质为氧化铝，栅极绝缘层的厚度为300nm；聚合物驻极体、半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化苯乙烯、半导体的材质为PDPP4T，厚度为50-100nm，源电极和漏电极的材质为铝，厚度为50-100nm。本实施例的基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备步骤如下：

(1)配制浓度为5mg/mL的氟化聚苯乙烯(FPS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌3小时使其分散均匀；配制浓度为3mg/mL的PDPP4T溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，配制好之后，磁子搅拌3小时使其分散均匀，后将氟化聚苯乙烯(FPS)溶液和PDPP4T溶液以体积比9∶2混合，磁子搅拌使其混合均匀；配制浓度为50mg/mL的聚苯乙烯(PS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌4小时使其分散均匀

(2)选用石英玻璃作为衬底材料，裁剪后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行1次超声清洗，每次超声时间10min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)取20mg的铝放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流80A左右，以

(4)将步骤(3)中制备的样品紫外臭氧处理120min制备氧化铝栅极绝缘层后放入甲苯中在100℃条件下使用OTMS修饰30min；

(5)在氮气环境的手套箱中将步骤(4)处理好的样品旋涂步骤(1)配置好的FPS/PDPP4T共混溶液，转速3000r/min，旋涂时间30s，旋涂后的基片放置热台上于150℃进行退火处理10min；

(6)取20mg的铝放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流80A左右，以

本发明所涉及具有氟化聚苯乙烯驻极体材料的双极性有机场效应晶体管将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料首次应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，使用了工艺简易且成熟的溶液旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低难度的双极性晶体管制备方法。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得状态可逆切换的n型和p型性能同时具有高迁移率、高开关比的特点。

实施例3

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，由下自上包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体、半导体共混层、源电极和漏电极。其中，衬底选用PI薄膜；栅极的材质选用金；栅极绝缘层的材质为PS，栅极绝缘层的厚度为300nm；聚合物驻极体、半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化苯乙烯、半导体的材质为P2F，厚度为50-100nm，源电极和漏电极的材质为金，厚度为50-100nm。本实施例的基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备步骤如下：

(1)配制浓度为10mg/mL的氟化聚苯乙烯(FPS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌5小时使其分散均匀；配制浓度为4mg/mL的P2F溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，配制好之后，磁子搅拌5小时使其分散均匀，后将氟化聚苯乙烯(FPS)溶液和P2F溶液以体积比10∶1混合，磁子搅拌使其混合均匀；配制浓度为50mg/mL的聚苯乙烯(PS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌4小时使其分散均匀

(2)选用PI作为衬底材料，裁剪后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行2次超声清洗，每次超声时间15min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)取20mg的金放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流80A左右，以

(4)将步骤(3)中制备的样品紫外臭氧处理10min后放入甲苯中在150℃条件下使用OTMS修饰30min，完成修饰后使用氮气吹干后在表面旋涂步骤(1)配置好的PS溶液制备栅极绝缘层；

(5)在氮气环境的手套箱中将步骤(4)处理好的样品表面飞旋步骤(1)配置好的FPS/P2F共混溶液，转速3000r/min，旋涂时间30s，旋涂后的基片放置热台上于200℃进行退火处理10min；

(6)取20mg的金放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流，以

本发明所涉及具有氟化聚苯乙烯驻极体材料的双极性有机场效应晶体管将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料首次应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，使用了工艺简易且成熟的溶液旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低难度的双极性晶体管制备方法。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得状态可逆切换的n型和p型性能同时具有高迁移率、高开关比的特点。

实施例4

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，由下自上包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体、半导体共混层、源电极和漏电极。其中，衬底选用PI薄膜；栅极的材质选用银；栅极绝缘层的材质为PS，栅极绝缘层的厚度为300nm；聚合物驻极体、半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化苯乙烯、半导体的材质为PDPP-4FTVT，厚度为50-100nm，源电极和漏电极的材质为金，厚度为50-100nm。本实施例的基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备步骤如下：

(1)配制浓度为8mg/mL的氟化聚苯乙烯(FPS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌5小时使其分散均匀；配制浓度为2mg/mL的P2F溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，配制好之后，磁子搅拌5小时使其分散均匀，后将氟化聚苯乙烯(FPS)溶液和PDPP-4FTVT溶液以体积比8∶2混合，磁子搅拌使其混合均匀；配制浓度为50mg/mL的聚苯乙烯(PS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌5小时使其分散均匀

(2)选用PI作为衬底材料，裁剪后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行2次超声清洗，每次超声时间20min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)取20mg的银放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流，以

(4)将步骤(3)中制备的样品紫外臭氧处理10min后放入甲苯中在125℃条件下使用OTMS修饰30min，完成修饰后使用氮气吹干后在表面旋涂步骤(1)配置好的PS溶液制备栅极绝缘层；

(5)在氮气环境的手套箱中将步骤(4)处理好的样品表面飞旋步骤(1)配置好的FPS/P2F共混溶液，转速3000r/min，旋涂时间30s，旋涂后的基片放置热台上于175℃进行退火处理10min；

(6)取20mg的金放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流，以

本发明所涉及具有氟化聚苯乙烯驻极体材料的双极性有机场效应晶体管将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料首次应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，使用了工艺简易且成熟的溶液旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低难度的双极性晶体管制备方法。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得状态可逆切换的n型和p型性能同时具有高迁移率、高开关比的特点。

实施例5

基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器，由下自上包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、聚合物驻极体、半导体共混层、源电极和漏电极。其中，衬底选用PI薄膜；栅极的材质选用铜；栅极绝缘层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，栅极绝缘层的厚度为300nm；聚合物驻极体、半导体共混层中聚合物驻极体的材质为氟化苯乙烯、半导体的材质为红荧烯，厚度为50-100nm，源电极和漏电极的材质为金，厚度为50-100nm。本实施例的基于氟化聚苯乙烯的有机双极性晶体管存储器的制备步骤如下：

(1)配制浓度为10mg/mL的氟化聚苯乙烯(FPS)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌4小时使其分散均匀；配制浓度为4mg/mL的P2F溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，配制好之后，磁子搅拌4小时使其分散均匀，后将氟化聚苯乙烯(FPS)溶液和红荧烯溶液以体积比10∶1混合，磁子搅拌使其混合均匀；配制浓度为50mg/mL的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液，溶剂为邻二氯苯(O-DCB)，磁子搅拌5小时使其分散均匀

(2)选用PI作为衬底材料，裁剪后依次在去离子水、丙酮、异丙醇中分别进行3次超声清洗，每次超声时间15min，清洗完成后使用氮气吹干；

(3)取20mg的铜放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流，以

(4)将步骤(3)中制备的样品紫外臭氧处理10min后放入甲苯中在150℃条件下使用OTMS修饰30min，完成修饰后使用氮气吹干后在表面旋涂步骤(1)配置好的PS溶液制备栅极绝缘层；

(5)在氮气环境的手套箱中将步骤(4)处理好的样品表面飞旋步骤(1)配置好的FPS/P2F共混溶液，转速3000r/min，旋涂时间30s，旋涂后的基片放置热台上于200℃进行退火处理10min；

(6)取20mg的金放置于钨舟中，将钨舟置于真空蒸镀仪的电流式加热装置中。真空蒸镀仪预先抽真空，开启机械泵，旁抽阀，当真空度小于30Pa时关闭旁抽阀，再开启前极阀，分子泵，主阀，进行蒸镀操作。调节电流100A左右，以

本发明所涉及具有氟化聚苯乙烯驻极体材料的双极性有机场效应晶体管将氟化聚苯乙烯材料作为驻极体介电材料首次应用到双极性有机场效应晶体管存储器中，使用了工艺简易且成熟的溶液旋涂法制备聚合物驻极体与有机半导体共混薄膜，提供了一种低难度的双极性晶体管制备方法。氟化聚苯乙烯材料作为有机双极性晶体管存储器的电荷存储材料，相比于现有的驻极体双极性晶体管存储器，增强了存储性能。同时，利用氟化聚苯乙烯材料强驻留电荷能力这一特点，形成驻极体产生非均匀补偿电位作用达到在同一器件上获得状态可逆切换的n型和p型性能同时具有高迁移率、高开关比的特点。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。