一种具有反光挡墙的显示基板及其制备方法和应用

技术领域

本申请涉及一种具有反光挡墙的显示基板及其制备方法和应用，属于显示器件领域。

背景技术

因LED显示具有高亮度、高能效、高色域、高对比度等优点，业界普遍认为Mini-LED/Micro-LED技术将成为下一代显示技术。由于LED红光芯片成本高、RGB三色芯片衰减速度不一致造成色偏、波长一致性差等问题，科学工作者们正在积极地寻找对应的解决方案。单色Micro-LED显示器件的制作工艺研究有很多，制作工艺也较为成熟。全彩Micro-LED显示器件的制备当前主要有三种方式：三基色LED芯片拼装、荧光粉光转换层、三色投影。投影显示技术原理本身不适于平板显示，三基色拼装在巨量转移方面也面临巨大的难题。而借助量子点色转换层方案，是实现全彩显示的一种更便捷、可行的方法。目前，使用蓝光芯片搭配量子点色转换膜层实现三原色的技术方案已经越来越多地出现在人们的视线里。在用于下一代显示器的各种发光材料中，量子点因其独特的光电特性而引人注目，例如高亮度和窄发射光谱、广泛的颜色可调性、高量子产率和良好的稳定性。目前，光刻法或者喷墨打印法都在尝试，相关专利都已经布局。但不管是光刻法还是喷墨打印法，它们的共同缺点是相关设备昂贵、材料技术要求极高，以及效率低等问题。通常采用喷墨打印技术在显示基板上制备量子点层，但是，受限于工艺的限制，通过喷墨打印技术无法在中小尺寸的显示基板上制备量子点层。通过模板转印的方法制作色转换层器件，规避了工艺对材料的要求，使得的工艺更加的简单。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出一种量子点显示基板的反光挡墙方案及其制作方法。带将有蓝光芯片阵列的基板，涂覆正性光刻胶，对已涂覆正性光刻胶的基板进行曝光，显影；剩余正胶位于蓝光LED芯片正上方，形成LED芯片+正胶阵列；此时，对整个基板进行金属层沉积作为反光挡墙金属层；随后在整个基板填充胶水，填充LED芯片之间的挡墙；对基板正面打磨去除顶部的金属层和表层残留胶水，正胶露出，除胶液去除正胶；最终得到空白像素单元的图案化基板，进一步填充各量子点像素单元，获得全彩量子点显示基板。本发明技术方案如下：

一种具有反光挡墙的显示基板，所述显示基板包括基板，所述基板上上设有像素孔，所述像素孔由反光挡墙包围形成，所述反光挡墙内包含反光颗粒；所述像素孔底部设有发光芯片。

可选的，所述热固化胶水包括环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯、硅胶中的至少一种；

可选的，所述光固化胶水包含预聚物光固化胶水和单体光固化胶水中的至少一种；

可选的，所述预聚物光固化胶水包含环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂中的至少一种；

可选的，所述单体光固化胶水包含IBOA、IBOMA、HEMA、TPGDA、 HDDA、DEGDA、NPGDA、TMPTA、PETA中的至少一种。

可选的，所述反光颗粒包含银粉、铝粉或钛白粉中的至少一种。

可选的，所述反光颗粒的粒径为：50nm-100nm。

可选的，所述反光挡墙中反光颗粒的含量为10wt％-20％wt。

上述显示基板的制备方法，包括如下步骤：

步骤1)在具有发光芯片的基板上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；

步骤2)对光刻胶层进行曝光显影处理，去除反光挡墙位置的光刻胶，形成挡墙孔洞，保留发光芯片上方的光刻胶；

步骤3)在挡墙孔洞中填入反光挡墙材料，形成挡墙结构；

步骤4)去除保留的光刻胶，即得到具有反光挡墙的显示基板。

可选的，所述光刻胶层的厚度为5～30μm；

可选的，所述光刻胶层厚度为5～15μm；

可选的，所述光刻胶选自S1813、SPR220i、AZP4620中的一种；

可选的，所述显影液选自ZX238、MF-24A、ZX238中的一种；

可选的，采用丙酮去除光刻胶。

本申请还提出上基于上述基板的一种显示器件，所述显示器件中包含权利要求1～6所述的具有反光挡墙的显示基板或权利要求7～8所述的方法制备得到的具有反光挡墙的显示基板。

上述显示器件的制备方法，包括：在具有反光挡墙的显示基板的像素孔内填入可固化的像素点胶液，所述可固化的像素点胶液固化后得到所述显示器件。

本申请的方法可获得如下的有益效果

Micro-LED/Mini-LED色转换层图案化制作问题，规避了光刻工艺图案化制作对挡墙材料的性能的严苛要求，使得图案化挡墙材料选择范围更广，要求更低，挡墙反射率达到95％以上。该方法可以使器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。

附图说明

图1为本发明实施例中Micro-LED/Mini-LED图案化色转换层工艺制作流程图。

图2 Micro-LED/Mini-LED色转换层换层结构图，具有反光挡墙的 Micro-LED/Mini-LED图案化结构。

图3是Micro-LED/Mini-LED图案化色转换层制作图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。

实施例1

如图1～3所示的一种Micro-LED/Mini-LED基板的制造方法，包括如下步骤：

步骤一：在Micro-LED/Mini-LED基板上涂覆(旋涂法或者喷涂法) 一层高出发光芯片5μm-10μm的正性光刻胶层。所述的正性光刻胶为 AZP4620

步骤二：对已涂覆正性光刻胶Micro-LED/Mini-LED基板进行曝光、显影工艺。使用显影液ZX238显影后，正性光刻胶覆盖在发光芯片正上方，芯片的的正性光刻胶经过显影工艺，芯片间的正性光刻胶去除。

步骤三：对经过曝光、显影工艺的Micro-LED/Mini-LED基板旋涂反光挡墙材料(按质量比：粒径为50nm-100nm的银粉20％、环氧丙烯酸酯 50％、甲苯溶剂25％、光引发剂5％)，反光挡墙材料的高度与整形光刻胶相平。经过光固化后，反光挡墙材料固定在芯片之间，这样反光挡墙材料制作完成。

步骤四：Micro-LED/Mini-LED基板反光挡挡墙材料固化后，对基板进行去胶工艺，使用正性胶水的去胶液对留存在发光芯片上方的正性光刻胶进行去除。正性光刻胶去除后漏出发光芯片，这样厚度5μm，反射率≥ 95％具有反光挡墙的Micro-LED/Mini-LED基板图案化制作完成。

实施例2

步骤一：在Micro-LED/Mini-LED基板上涂覆(旋涂法或者喷涂法) 一层高出发光芯片5μm-10μm的正性光刻胶层。所述的正性光刻胶为 AZP4620

步骤二：对已涂覆正性光刻胶Micro-LED/Mini-LED基板进行曝光、显影工艺。使用显影液ZX238显影后，正性光刻胶覆盖在发光芯片正上方，芯片的的正性光刻胶经过显影工艺，芯片间的正性光刻胶去除。

步骤三：对经过曝光、显影工艺的Micro-LED/Mini-LED基板刮涂反光挡墙材料(按质量比：热固化挡墙材料50nm-100nm的银粉20％、环氧树脂55％、甲苯溶剂25％)，反光挡墙材料的高度与整形光刻胶相平。经过85℃/15min前烘溶剂，120℃/30min加热固化后，反光挡墙材料固定在芯片之间，这样反光挡墙材料制作完成。

步骤四：Micro-LED/Mini-LED基板反光挡挡墙材料固化后，对基板进行去胶工艺，使用正性胶水的去胶液对留存在发光芯片上方的正性光刻胶进行去除。正性光刻胶去除后漏出发光芯片，这样厚度为5μm，反射率≥95％反光挡墙的Micro-LED/Mini-LED基板图案化制作完成。

以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。