制造显示装置的方法

技术领域

实施例总体上提供了一种制造显示装置的方法。

背景技术

随着信息技术发展，显示装置作为用户和信息之间的连接媒介的重要性日益突出。例如，诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)、等离子显示装置(PDP)或量子点显示装置等的显示装置的使用正在增加。

发明内容

在显示装置中，尽管对视角没有限制，但是出于诸如隐私保护的原因，可能需要限制视角。

实施例提供了一种制造显示装置的方法。

实施例提供了一种由该方法制造的显示装置。

一种制造显示装置的方法的实施例包括：在设置于发光层上的封装层上形成有机层；在有机层上形成狭缝层，其中，暴露有机层的顶表面的至少一部分的狭缝形成在狭缝层中；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行初次蚀刻来形成第一沟槽；形成覆盖第一沟槽的侧表面的第一无机保护层；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行二次蚀刻来形成从第一沟槽延伸的第二沟槽；以及形成填充第一沟槽和第二沟槽的阻光材料。

在实施例中，有机层的厚度可以小于或等于大约50微米(μm)。

在实施例中，形成狭缝层可以包括：在有机层上施加金属层；以及通过对金属层的一部分执行干法蚀刻来形成狭缝。

在实施例中，金属层可以包括铝。

在实施例中，初次蚀刻和二次蚀刻中的每一者可以为干法蚀刻。

在实施例中，形成第一无机保护层可以包括：在被执行了初次蚀刻的有机层上形成初步第一无机保护层，以覆盖狭缝层的顶表面、第一沟槽的侧表面以及第一沟槽的底表面；以及通过对初步第一无机保护层执行各向异性的干法蚀刻，去除初步第一无机保护层的覆盖狭缝层的顶表面和第一沟槽的底表面的部分。

在实施例中，第一无机保护层可以包括透明材料。

在实施例中，第一沟槽的高度可以不同于第二沟槽的高度。

在实施例中，第一沟槽的高度可以大于第二沟槽的高度。

在实施例中，方法还可以包括：在形成阻光材料之前去除狭缝层。

在实施例中，形成阻光材料可以包括：施加阻光材料到有机层上以填充第一沟槽和第二沟槽；以及去除阻光材料的设置于有机层的顶表面上的部分。

一种制造显示装置的方法的实施例包括：在设置于发光层上的封装层上形成有机层；在有机层上形成狭缝层，其中，暴露有机层的顶表面的至少一部分的狭缝形成在狭缝层中；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行初次蚀刻来形成第一沟槽；形成覆盖第一沟槽的侧表面的第一无机保护层；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行二次蚀刻来形成从第一沟槽延伸的第二沟槽；形成覆盖第一沟槽至第(N-1)沟槽的侧表面的第(N-1)无机保护层(其中，N为大于或等于3的自然数)；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行第N次蚀刻来形成从第(N-1)沟槽延伸的第N沟槽，其中，形成附加无机保护层和形成附加沟槽分别被重复执行(N-2)次；以及形成填充第一沟槽至第N沟槽的阻光材料。

在实施例中，在第N沟槽的形成之后，方法还可以包括：去除狭缝层；施加阻光材料到有机层上以填充第一沟槽至第N沟槽；以及去除阻光材料的设置于有机层的顶表面上的部分。

在实施例中，第一无机保护层和第(N-1)无机保护层可以包括彼此不同的材料。

在实施例中，第一无机保护层至第(N-1)无机保护层中的每一者包括透明材料。

在实施例中，在阻光材料的分别填充在第一沟槽和第二沟槽至第N沟槽中的部分的量之中，阻光材料的填充在第一沟槽中的部分的量可以是最大的。

一种显示装置的实施例包括：设置在发光层上的封装层；以及设置在封装层上的阻光图案，阻光图案可以包括：限定沟槽并设置在封装层上的有机层；设置在有机层的沟槽中的阻光材料；以及设置在有机层的限定沟槽的侧表面的至少一部分与阻光材料之间的无机保护层。

在实施例中，沟槽可以包括在从有机层的顶表面向封装层的方向上从有机层的顶表面延伸的第一沟槽；以及在从有机层的顶表面向封装层的方向上从第一沟槽延伸的第二沟槽。

在实施例中，无机保护层可以包括：设置在第一沟槽和阻光材料之间的第一无机保护层；以及设置在第一无机保护层和阻光材料之间以及第二沟槽和阻光材料之间的第二无机保护层。

在实施例中，阻光图案的高度大于或等于大约10μm，并且小于或等于大约40μm。

如上所述，根据本公开的实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：在设置于发光层上的封装层上形成有机层；在有机层上形成狭缝层，其中，暴露有机层的顶表面的至少一部分的狭缝形成在狭缝层中；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行初次蚀刻来形成第一沟槽；形成覆盖第一沟槽的侧表面的第一无机保护层；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行二次蚀刻来形成从第一沟槽延伸的第二沟槽；以及形成填充第一沟槽和第二沟槽的阻光材料。在这样的实施例中，由于用于控制视角的阻光图案集成在显示装置中，因此可以减小显示装置的厚度。

此外，根据本公开的实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：在设置于发光层上的封装层上形成有机层；在有机层上形成狭缝层，其中，暴露有机层的顶表面的至少一部分的狭缝形成在狭缝层中；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行初次蚀刻来形成第一沟槽；形成覆盖第一沟槽的侧表面的第一无机保护层；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行二次蚀刻来形成从第一沟槽延伸的第二沟槽；形成覆盖第一沟槽至第(N-1)沟槽的侧表面的第(N-1)无机保护层；通过经由使用狭缝层作为掩模对有机层执行第N次蚀刻来形成从第(N-1)沟槽延伸的第N沟槽，其中，形成附加无机保护层和形成附加沟槽分别被重复执行(N-2)次；以及形成填充第一沟槽至第N沟槽的阻光材料。在这样的实施例中，N可以是大于或等于3的自然数。因此，通过制造显示装置的方法制造的显示装置可以确保正面透射率以及视角阻挡效果。

根据本公开的实施例，一种显示装置可以包括：设置在发光层上的封装层；以及设置在封装层上的阻光图案，其中，阻光图案包括：限定沟槽并设置在封装层上的有机层；设置在有机层的沟槽中的阻光材料；以及设置在有机层的限定沟槽的侧表面的至少一部分与阻光材料之间的无机保护层。因此，可以减小显示装置的重量和厚度。

然而，本公开的实施例的特征不限于上述那些，并且可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下进行各种修改或扩展。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。

图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的子像素的布置的平面图。

图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。

图3是用于描述根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图。

图4是用于描述包括在图3的制造方法中的形成狭缝层的工艺的流程图。

图5是用于描述包括在图3的制造方法中的形成第一无机保护层的工艺的流程图。

图6是用于描述包括在图3的制造方法中的去除狭缝层的工艺的流程图。

图7是用于描述根据本公开的可替代的实施例的制造显示装置的方法的流程图。

图8至图20是用于描述图7的制造方法的截面图。

图21是用于描述根据本公开的实施例的显示装置的截面图。

具体实施方式

在下文中，现在将参照其中示出了实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应当被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。同样的附图标记始终指示同样的元件。

将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者在它们之间可以存在居间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，以下描述的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区域”、“第二层”或“第二部分”。

本文中使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，并且不意图限制。除非上下文明确指出，否则本文中使用的“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”以及“至少一个(种/者)”不表示限制数量，并且意图包括单数形式和复数形式。例如，除非上下文明确指出，否则“一个元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个(种/者)”不应当被解释为限制“一个”或“一种(者)”。“或”表示“和/或”。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”、“含有”和/或“具有”当在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语以描述如附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还意图涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件的“下”侧的元件随后将被定位为“在”其他元件的“上”侧。因此，依据附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果在一幅附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……下面”可以涵盖在……上方和在……下方两种方位。

考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的用于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、或±5％以内。

除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的具有相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景中的含义相一致的含义，并且不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释。

在本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。这样，例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可以预期的。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为局限于在本文中示出的区域的特定形状，而是包括例如由于制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为的平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且也不意图限制本权利要求的范围。

图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的子像素的布置的平面图，并且图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。

参照图1和图2，根据本公开的实施例，显示装置可以包括基底100、发光层200、封装层300和阻光图案400。

基底100可以是包括透明或不透明材料的绝缘基底。

根据实施例，基底100可以包括玻璃。在这样的实施例中，显示装置2000(参见图21)可以是刚性显示装置。

根据可替代的实施例，基底100可以包括塑料。在这样的实施例中，显示装置2000可以是柔性显示装置。

在实施例中，例如，包括塑料的基底可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不必限于此。

包括缓冲层、多条导电布线、绝缘层和多个薄膜晶体管的导电层可以设置在基底100上。第一像素电极可以设置在导电层上。根据实施例，第一像素电极可以是阳极电极。像素限定层可以设置在第一像素电极上。多个开口可以穿过像素限定层来限定，以暴露第一像素电极的至少一部分。然而，本公开不必限于此。

发光层200可以设置在基底100上。在实施例中，发光层200可以设置在像素电极和像素限定层上。发光层200可以包括有机发光材料或量子点等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

根据实施例，发光层200可以发射具有红色、绿色和蓝色之中的一种颜色的光。根据可替代的实施例，发光层200可以发射具有白色、青色、品红色和黄色之中的一种颜色的光。

在发光层200包括有机发光材料的实施例中，有机发光材料可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。低分子量有机化合物可以包括铜酞菁、N,N'-二苯基联苯胺或三-(8-羟基喹啉)铝等，并且高分子量有机化合物可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)、聚苯胺、聚对苯乙炔或聚芴等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

在发光层200包括量子点的实施例中，量子点可以包括包含II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物或它们的组合的核。根据实施例中，量子点可以具有包括核和围绕核的壳的核-壳结构。壳可以用作用于通过防止核的化学劣化来保持半导体特性的保护层，并且可以用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。

发光层200可以形成为多个层(或者通过多个层来限定)，即，具有多层结构。根据实施例，发光层200可以具有其中堆叠蓝色有机发光层的结构。根据可替代的实施例，发光层200可以具有其中堆叠配置为发射具有彼此不同颜色的光的有机发光层的结构。在实施例中，例如，发光层200可以包括第一发光层、第二发光层和第三发光层。第一发光层可以发射红光，第二发光层可以发射绿光，并且第三发光层可以发射蓝光。

公共电极可以设置在发光层200和像素限定层上。根据实施例，公共电极可以是阴极电极。功能层可以设置在发光层200上面和/或下面。在实施例中，例如，功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层等。然而，本公开不必限于此。

发光层200可以包括多个像素。

在实施例中，如图1中所示，多个像素中的每一个可以包括多个子像素以表现各种颜色。根据实施例，一个单位像素PX可以包括三个子像素。在实施例中，例如，三个子像素可以包括配置为发射红光的第一子像素SP-R、配置为发射绿光的第二子像素SP-G和配置为发射蓝光的第三子像素SP-B。

在实施例中，如图1中所示，子像素的数量可以是三个，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，一个单位像素PX还可以包括配置为发射白光的第四子像素。

第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B中的每一者可以包括至少一个薄膜晶体管和至少一个发光元件。可以通过组合分别从第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B发射的光来产生图像。

根据实施例，第三子像素SP-B可以比第一子像素SP-R和第二子像素SP-G具有低的发光效率。因此，第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B可以具有彼此不同的面积。在实施例中，例如，第三子像素SP-B的面积可以大于第一子像素SP-R和第二子像素SP-G的面积中的每一者。

根据可替代的实施例，第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B可以具有相同的面积。

根据实施例，一个单位像素PX可以包括一个第一子像素SP-R、一个第二子像素SP-G和一个第三子像素SP-B。

根据可替代的实施例，一个单位像素PX可以包括两个具有高亮度权重的第二子像素SP-G。

第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B中的每一者可以具有诸如多边形形状、圆形形状或椭圆形形状的各种形状。然而，本公开不必限于此。

封装层300可以设置在发光层200上。

根据实施例，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，例如，封装层300可以包括设置在发光层200上的第一无机封装层、设置在第一无机封装层上的有机封装层和设置在有机封装层上的第二无机封装层。

无机封装层可以包括氧化硅(SiO

有机封装层可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂或苝基树脂等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

根据可替代的实施例，封装层300可以仅包括无机封装层。在实施例中，例如，封装层300可以包括设置在发光层200上的第一无机封装层、通过对第一无机封装层执行等离子体处理而获得的等离子体处理层、以及设置在等离子体处理层上的第二无机封装层。

封装层300可以保护设置于基底100上的发光层200。发光层200可以通过蒸镀工艺形成，并且封装层300可以通过封装工艺形成。发光层200和封装层300共同称为平坦层EVEN。

触摸层还可以设置在封装层300上。触摸层可以包括第一触摸电极、第一触摸绝缘层、第二触摸电极和第二触摸绝缘层。

第一触摸电极可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

第一触摸绝缘层可以覆盖第一触摸电极。第一触摸绝缘层可以包括无机绝缘材料。例如，第一触摸绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

第二触摸电极可以设置在第一触摸绝缘层上以与第一触摸电极重叠。第二触摸电极可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

根据实施例，当在平面图中观察时，第一触摸电极和第二触摸电极可以具有网格结构。然而，本公开不必限于此，并且第一触摸电极和第二触摸电极中的每一者可以具有各种形状。

第二触摸绝缘层可以覆盖第二触摸电极。第二触摸绝缘层可以包括有机绝缘材料。例如，第二触摸绝缘层可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂或环氧基树脂等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

阻光图案400可以设置在平坦层EVEN上。

根据实施例，阻光图案400可以与封装层300直接接触。在这样的实施例中，阻光图案400可以设置在封装层300上，并且触摸层可以设置在阻光图案400上。

根据可替代的实施例，阻光图案400可以设置在设置于封装层300上的触摸层上。在这样的实施例中，触摸层可以设置在封装层300上，并且阻光图案400可以设置在触摸层上。

根据发光层200具有底发光结构的可替代的实施例，阻光图案400可以布置为与从发光层200发射的光的行进方向平行。在这样的实施例中，阻光图案400可以设置在基底100上，并且平坦层EVEN可以设置在阻光图案400上。

阻光图案400可以不同地布置在一个单位像素PX上。

根据实施例，如图1中所示，阻光图案400可以在一个方向上设置在第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B上。图2是示出设置在图1的第二子像素SP-G上的阻光图案400的放大截面图。

根据可替代的实施例，阻光图案400可以以格栅形状设置在一个单位像素PX上。

根据另一可替代的实施例，阻光图案400可以仅与第一子像素SP-R、第二子像素SP-G和第三子像素SP-B中的一些重叠。在实施例中，例如，当一个单位像素PX包括两个第二子像素SP-G时，阻光图案400可以仅与一个第二子像素SP-G重叠。

根据另一可替代的实施例，阻光图案400可以仅设置在一些像素上。在实施例中，例如，其上设置阻光图案400的一个单位像素PX和其上未设置阻光图案400的一个单位像素PX可以交替地布置。

然而，本公开不必限于此。

在实施例中，阻光图案400可以包括有机层10和阻光材料40。在实施例中，阻光图案400还可以包括在有机层10和阻光材料40之间的第一无机保护层30。阻光材料40可以填充通过蚀刻有机层10形成的空间(或设置在通过蚀刻有机层10形成的空间中)。在这样的实施例中，有机层10可以用作用于阻光材料40的模具。因此，当在平面图中观察时，有机层10可以围绕阻光图案400。

将在下面参照图7至图21详细描述阻光图案400的结构。

从发光层200发射的光可以由阻光图案400阻挡。虽然以大于或等于预定角度的角度出射的第一出射光L1可以由阻光图案400阻挡，但是以小于预定角度的角度出射的第二出射光L2可以被透射。预定角度可以限定为截止角度。

当出射角度超过截止角度时，从发光层200发射的光(例如，第一出射光L1)可由阻光材料40吸收。

在实施例中，当出射角度大于或等于0度并且小于或等于截止角度时，从发光层200发射的光(例如，第二出射光L2)可以被透射。在这样的实施例中，阻光材料40可以不吸收第二出射光L2。

在下文中，将参照图3至图20详细描述能够增加蚀刻深度(例如，图2的蚀刻深度DEP)并降低临界值(例如，图2的临界值CD)的蚀刻方案。

图3是用于描述根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图。图4是用于描述包括在图3的制造方法中的形成狭缝层20的工艺的流程图。图5是用于描述包括在图3的制造方法中的形成第一无机保护层30的工艺的流程图。图6是用于描述包括在图3的制造方法中的去除狭缝层20的工艺的流程图。图8至图20是用于描述图7的制造方法的截面图。为了便于描述，将进一步参照图8至图14和图18至图20来描述制造显示装置的方法的实施例。

参照图3并且结合图2、图10、图11、图12和图14，可以在设置于发光层200上的封装层300上形成(或提供)有机层10(S100)，可以在有机层10上形成具有暴露有机层10的顶表面的至少一部分的狭缝S(图10中所示)的狭缝层20(S200)，可以通过经由使用狭缝层20作为掩模初次蚀刻有机层10(通过经由使用狭缝层20作为掩模对有机层10执行初次蚀刻)来形成第一沟槽P1(S300)，可以形成覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1的第一无机保护层30(S400)，可以通过经由使用狭缝层20作为掩模二次蚀刻有机层10(通过经由使用狭缝层20作为掩模对有机层10执行二次蚀刻)来形成从第一沟槽P1延伸的第二沟槽P2(S500)，可以去除狭缝层20(S600)，并且可以形成填充第一沟槽P1和第二沟槽P2的阻光材料40(S700)。

参照图3和图8并且结合图2，可以在设置于发光层200上的封装层300上提供或形成有机层10(S100)。在实施例中，有机层10可以形成在平坦层EVEN上。

有机层10可以包括有机绝缘材料等。根据实施例，有机层10可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂或环氧基树脂等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

有机层10可以以各种方案或方式形成。在实施例中，例如，在粘合剂层布置在基底100上之后，可以执行有机绝缘材料的涂覆和固化以形成有机层10。在可替代的实施例中，例如，可以通过使用模具来压印有机绝缘材料以形成有机层10。有机层10可以通过经由压印工艺固化有机绝缘材料来形成。

有机层10的光折射率可以不同于基底100的光折射率。因此，可以更容易地确保显示装置2000(参见图21)的视角。然而，本公开不限于此。

有机层10的厚度D101(图8中所示)可以基于预定的正面透射率(frontaltransmittance)和截止角度(例如，期望的正面透射率和期望的截止角度)被不同地确定。根据实施例，有机层10的厚度D101可以小于或等于大约50微米(μm)。在实施例中，例如，有机层10的厚度D101可以大于或等于大约10μm且小于或等于大约40μm，即在大约10μm至大约40μm的范围内。

在商业上可获得的光控膜(LCF)的厚度可以为大约100μm。因此，在在商业上可获得的LCF附接到显示装置的情况下，显示装置可能变得较厚。

在根据本公开的制造显示装置的方法的实施例中，阻光图案400可以集成在显示装置内。包括在阻光图案400中的有机层10的厚度D101可以小于或等于大约50μm。因此，与商业上可获得的LCF附接到显示装置的情况相比，显示装置的厚度可以变得更小。

参照图3、图4、图9和图10，可以在有机层10上形成狭缝层20(S200)。狭缝层20可以提供有暴露有机层10的顶表面的至少一部分的狭缝S。

如图9中所示，可以在有机层10上形成金属层21(S210)。

金属层21可以在将在下面描述的有机层10的蚀刻工艺期间用作掩模。根据实施例，金属层21可以包括铝(Al)、钼(Mo)、含铝合金或含钼合金等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

狭缝层20可以包括可以被干法蚀刻或湿法蚀刻的材料。狭缝层20可以经由湿法蚀刻工艺去除。因此，金属层21可以包括可以被湿法蚀刻的材料。此外，当狭缝层20形成时，可以经由干法蚀刻工艺去除金属层21的一部分来以便以微小的间隔形成狭缝S。因此，金属层21可以包括可以被干法蚀刻的材料。在实施例中，金属层21可以包括铝(Al)。

在临界值(例如，图2的临界值CD)大的实施例中，金属层21可以由仅可以被湿法蚀刻的材料形成。然而，本公开不必限于此。

金属层21的厚度D211(图9中所示)可以大于或等于使金属层21在多级蚀刻工艺之后保留的预定厚度。

如图10中所示，可以穿过狭缝层20形成暴露有机层10的顶表面的至少一部分的狭缝S(S220)。

狭缝层20可以以各种方案或方式形成。在实施例中，例如，在沉积金属层21之后，狭缝层20可以经由光刻工艺形成。如上所述，当形成狭缝S时，可以使用干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺两者。

根据实施例，狭缝层20可以经由干法蚀刻工艺形成。施加到金属层21上的光致抗蚀剂可以经由干法蚀刻工艺去除。因此，可以形成具有以微小间隔形成的狭缝S的狭缝层20。

根据可替代的实施例，狭缝层20可以经由湿法蚀刻工艺形成。在临界值(例如，图2的临界值CD)大的实施例中，狭缝层20可以经由湿法蚀刻工艺形成。

狭缝S的宽度D221可以被不同地确定或修改。

根据实施例，狭缝S的宽度D221可以与像素间隔匹配。狭缝S的宽度D221可以确定阻光材料40(参见图2)的宽度。在这样的实施例中，阻光材料40和相邻的阻光材料40之间的距离可以与在像素和与该像素相邻的像素之间的距离匹配，从而可以在显示装置中减轻摩尔纹(moiré)现象。然而，本公开不限于此。

参照图3和图11，可以通过经由使用狭缝层20作为掩模初次蚀刻有机层10来形成第一沟槽P1(S300)。

第一沟槽P1可以经由蚀刻工艺形成。

根据实施例，初次蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。在湿法蚀刻工艺中，临界值D301(或图2中的临界值CD)可能增加。随着临界值D301增加，阻光材料40(参见图2)的量可能增加，从而可能难以确保正面透射率。在干法蚀刻工艺中，可以通过使带电粒子仅在一个方向上加速来执行蚀刻。因此，与湿法蚀刻工艺相比，可以精细地控制蚀刻部分。然而，本公开不限于此。

第一沟槽P1的临界值D301可以与蚀刻时间成比例。

在实施例中，蚀刻时间可以设定为长的以形成具有高的高度的阻光图案400(参见图2)。随着蚀刻时间增加，第一沟槽P1的临界值D301可以增加。在这样的实施例中，随着蚀刻时间增加，第一沟槽P1的蚀刻深度D302和第一沟槽P1的临界值D301可以增加。当临界值D301增加时，阻光材料40的涂覆可以以厚的厚度来执行。由于随着阻光材料40变得更厚，阻光材料40阻挡更多的出射光，因此可能难以确保正面透射率。

第一沟槽P1的蚀刻深度D302可以与蚀刻时间成比例。

在实施例中，蚀刻时间可以设定为短的，以形成小尺寸的阻光图案400。随着蚀刻时间的减少，第一沟槽P1的蚀刻深度D302可以减小。可以根据阻光图案400的蚀刻深度(图2的DEP)来调整截止角度。

例如，在初次蚀刻时间为大约600秒并且狭缝层20的宽度D221(参见图10)为大约1.27μm的实施例中，临界值D301可以为大约2.5μm，并且蚀刻深度D302可以为大约16μm。在这样的实施例中，阻光材料40可以具有大约2.5μm的宽度和大约16μm的深度。随着蚀刻时间减少，临界值D301可以减小，并且蚀刻深度D302可以减小。随着临界值D301减小，可以进一步确保正面透射率。

参照图3、图5、图12和图13，可以形成覆盖第一沟槽P1(参见图11)的侧表面HB1的第一无机保护层30(S400)。可以形成初步第一无机保护层以覆盖狭缝层20的顶表面HA、第一沟槽P1的侧表面HB1和第一沟槽P1的底表面HC1(S410)。当初步第一无机保护层被各向异性地干法蚀刻时，初步第一无机保护层的一部分可以被去除。初步第一无机保护层的去除的部分可以是覆盖狭缝层20的顶表面HA和第一沟槽P1的底表面HC1的部分。因此，可以形成第一无机保护层30(S420)。

如图12中所示，可以形成初步第一无机保护层以覆盖狭缝层20的顶表面HA、第一沟槽P1的侧表面HB1和第一沟槽P1的底表面HC1的全部(S410)。

第一无机保护层30可以具有用于将在下面描述的有机层10的干法蚀刻工艺的第一蚀刻速率。在实施例中，有机层10可以具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。在这样的实施例中，第一无机保护层30可以不在有机层10的蚀刻工艺中受到影响。因此，第一沟槽P1的由第一无机保护层30覆盖的侧表面HB1可以不被蚀刻。

第一无机保护层30可以包括选自可以在将在下面描述的有机层10的干蚀刻工艺中用作保护层的多种无机材料中的至少一种。在实施例中，例如，第一无机保护层30可以包括硅绝缘材料等。

根据实施例，初步第一无机保护层可以包括氮化硅(SiN

根据可以在相对高的温度下形成初步第一无机保护层的可替代的实施例，初步第一无机保护层可以包括氧化硅(SiO

第一无机保护层30可以以化学气相沉积(CVD)方案形成。然而，本公开不限于此。

第一无机保护层30可以包括透明材料。因此，随着第一无机保护层30的厚度D401增加，可以改善正面透射率。随着有机层10的上表面的在两个相邻的阻光材料40之间的部分的宽度D402变得较宽和第一无机保护层30的厚度D401变得较厚，可以改善正面透射率。

第一无机保护层30的厚度D401可以基于相对于有机层10的层选择比而不同地确定。

根据实施例，第一无机保护层30相对于有机层10的层选择比可以是高的。在层选择比是高的的这种实施例中，第一无机保护层30在将在下面描述的二次蚀刻工艺中几乎不被蚀刻。因此，当第一无机保护层30相对于有机层10的层选择比是高的时，第一无机保护层30可以以薄的厚度沉积。

根据可替代的实施例，第一无机保护层30相对于有机层10的层选择比可以是低的。在层选择比是低的的这种实施例中，第一无机保护层30在将在下面描述的二次蚀刻工艺中被蚀刻。因此，第一无机保护层30可以以厚的厚度沉积，以在二次蚀刻工艺期间保护有机层10。在这种情况下，第一无机保护层30的沉积的厚度D401可以大于或等于预定厚度，该预定厚度使第一无机保护层30在经过二次蚀刻工艺之后保留。第一无机保护层30的沉积的厚度D401可以基于二次蚀刻工艺时间而不同地确定。然而，本公开不限于此。

如图13中所示，通过各向异性地干法蚀刻初步第一无机保护层，可以仅去除初步第一无机保护层的一部分(S420)。初步第一无机保护层的去除的部分可以是覆盖狭缝层20的顶表面HA和第一沟槽P1的底表面HC1的部分。因此，可以形成覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1的第一无机保护层30。

覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1的第一无机保护层30可以通过蚀刻初步第一无机保护层来形成。

根据实施例，蚀刻初步第一无机保护层的方案可以是各向异性的蚀刻工艺。各向异性的蚀刻工艺可以是其中加速成气态的粒子(离子)在初步第一无机保护层的表面上形成高挥发性反应产物的工艺，并且随着反应产物挥发，初步第一无机保护层的部分被去除。因此，在各向异性的蚀刻工艺中，初步第一无机保护层可以仅在加速的粒子的行进方向上被蚀刻。可以通过调整加速的粒子的入射方向来选择蚀刻目标部分。在实施例中，例如，可以通过使加速粒子垂直入射到有机层10上来仅蚀刻狭缝层20的顶表面HA和第一沟槽P1的底表面HC1。

参照图3和图14，可以通过经由使用狭缝层20作为掩模二次蚀刻有机层10来形成从第一沟槽P1(参见图11)延伸的第二沟槽P2(S500)

可以通过使用狭缝层20作为掩模来二次蚀刻有机层10。在实施例中，类似于初次蚀刻工艺，二次蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。

在实施例中，如上所述，第一无机保护层30可以在二次蚀刻工艺期间用作保护层。在这样的实施例中，第一无机保护层30可以防止第一沟槽P1的临界值CD(参见图2)(例如，图11的临界值D301)在二次蚀刻工艺期间增加。

蚀刻深度可以通过调整蚀刻时间来调整。在实施例中，可以以使得第一沟槽P1可以具有第一高度(或深度)并且第二沟槽P2可以具有等于第一高度的第二高度的方式来调整二次蚀刻工艺时间以蚀刻有机层10。

然而，本公开不限于此。在实施例中，例如，第二高度可以不同于第一高度。根据实施例，第一高度和第二高度中的每一者可以大于或等于大约1μm并且小于或等于大约25μm。在实施例中，例如，当蚀刻时间为大约900秒时，第一高度和第二高度中的每一者可以为大约25μm。在可替代的实施例中，例如，当蚀刻时间为大约600秒时，第一高度和第二高度中的每一者可以为大约16μm。然而，本公开不限于此。

在实施例中，最上面的沟槽的临界值和最下面的沟槽的临界值是用于视角阻挡效果的因素。在这样的实施例中，用于形成第一沟槽P1的蚀刻时间和用于形成第二沟槽P2的蚀刻时间可以彼此不同以改善视角阻挡效果。因此，第一沟槽P1的高度和第二沟槽P2的高度可以彼此不同。在实施例中，第一沟槽P1的高度可以大于第二沟槽P2的高度。因此，可以改善视角阻挡效果。通过调整第一高度和第二高度可以确保各种视角。然而，本公开不限于此。

参照图3和图18，可以去除狭缝层20(参见图14)(S600)。

在蚀刻有机层10之后，狭缝层20可以被去除。根据实施例，可以通过使用湿法蚀刻来去除狭缝层20。然而，本公开不限于此。

参照图3、图6、图19和图20，可以形成填充第一沟槽P1和第二沟槽P2的阻光材料40(S700)。首先，可以将阻光材料40施加到有机层10上以填充第一沟槽P1和第二沟槽P2(S710)，并且可以去除设置在有机层10上的阻光材料40。

如图19中所示，可以施加阻光材料40来填充第一沟槽P1和第二沟槽P2(S710)。

阻光材料40可以包括吸收或阻挡从发光层200发射的光的材料。阻光材料40可以包括诸如黑色颜料的深色颜料、深色染料、诸如铝或银的金属、金属氧化物或深色聚合物等。这些可以单独使用或彼此组合使用。

根据实施例，填充在第一沟槽P1中的阻光材料40和填充在第二沟槽P2中的阻光材料40可以彼此不同。显示装置可以包括相互不同的阻光材料40，从而可以进一步减轻摩尔纹(moiré)现象。

根据可替代的实施例，填充在第一沟槽P1中的阻光材料40和填充在第二沟槽P2中的阻光材料40可以彼此相同。

如图20中所示，可以去除设置在有机层10的顶表面HA1上的阻光材料40(S720)。

在实施例中，可以去除设置在有机层10的顶表面HA1上的阻光材料40以确保正面透射率。阻光材料40可以以各种方案或方式来去除。在实施例中，例如，阻光材料40可以经由诸如化学机械研磨(CMP)等的研磨工艺来去除。然而，本公开不限于此。

光可以不透射穿过其中设置阻光材料40的区域，并且可以透射穿过其中设置有机层10的区域。设置在有机层10的顶表面HA1上的阻光材料40可以被去除，以进一步确保透射区域。随着透射区域变得更大，可以进一步确保或增加正面透射率。

图7是用于描述根据本公开的可替代的实施例的制造显示装置的方法的流程图。图8至图20是用于描述图7的制造方法的截面图。

参照图7并且结合图2、图10、图11、图12和图14，根据本公开的另一实施例，用于制造显示装置的方法1100可以包括：在设置于发光层200上的封装层300上形成(或提供)有机层10(S100)；在有机层10上形成具有暴露有机层10的顶表面的至少一部分的狭缝S的狭缝层20(S200)；通过经由使用狭缝层20作为掩模初次蚀刻有机层10来形成第一沟槽P1(S300)；形成覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1的第一无机保护层30(S400)；通过经由使用狭缝层20作为掩模二次蚀刻有机层10来形成从第一沟槽P1延伸的第二沟槽P2(S500)；形成覆盖第一沟槽P1至第(N-1)沟槽的侧表面的第(N-1)无机保护层；通过经由使用狭缝层20作为掩模第N次蚀刻有机层10(对有机层10执行第N次蚀刻)来形成从第(N-1)沟槽延伸的第N沟槽PN(参见图21)，其中，分别重复执行(N-2)次附加无机保护层的形成和附加沟槽P3、……或PN的形成(S400'和S500')；去除狭缝层20(S600)；以及形成填充第一沟槽P1至第N沟槽PN的阻光材料40(S700)。在这样的实施例中，N可以是大于或等于3的自然数。

除了分别重复执行(N-2)次附加无机保护层的形成和附加沟槽P3、……或PN的形成(S400'和S500')之外，将参照图7至图20描述的用于制造显示装置的方法1100的实施例可以与参照图3至图6、图8至图14和图18至图20描述的用于制造显示装置的方法1000的实施例基本相同。在下文中，将省略或简化与上述相同或相似元件的任何重复的详细描述。

参照图7至图11并且结合图2，可以在设置于发光层200上的封装层300上形成有机层10(S100)，并且可以在有机层10上形成狭缝层20。狭缝层20可以提供有至少暴露有机层10的顶表面的一部分的狭缝S(S200)。可以通过经由使用狭缝层20作为掩模初次蚀刻有机层10来形成第一沟槽P1(S300)。

实施例中，可以在设置于发光层200上的封装层300上形成有机层10(S100)。在实施例中，有机层10可以形成在平坦层EVEN上。有机层10的厚度D101可以基于正面透射率和截止角度而不同地确定。

在形成有机层10之后，可以形成金属层21(S210)。金属层21的厚度D211可以大于或等于预定厚度，该预定厚度使金属层21即使在经过多级蚀刻工艺之后也保留。当形成狭缝S时，可以使用干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺两者(S210)。具有以微小间隔形成的狭缝S的狭缝层20可以通过干法蚀刻工艺形成。在实施例中，狭缝S的宽度可以被调整以防止摩尔纹(moiré)现象。

可以形成狭缝层20(S200)，并且可以通过初次蚀刻有机层10来形成第一沟槽P1(S300)。初次蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。随着蚀刻时间增加，临界值D301和蚀刻深度D302可以增加。因此，为了确保正面透射率，蚀刻时间可以设定为短的。因此，可以防止临界值D301增加。

参照图7和图12至图14，可以形成覆盖第一沟槽P1(参见图11)的侧表面HB1的第一无机保护层30(S400)，并且可以通过经由使用狭缝层20作为掩模二次蚀刻有机层10来形成从第一沟槽P1延伸的第二沟槽P2(S500)。

在初次蚀刻之后，可以形成覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1的第一无机保护层30。在实施例中，第一无机保护层30可以包括透明材料以确保正面透射率。根据实施例，第一无机保护层30可以在形成平坦层EVEN之后形成，第一无机保护层30可以由氮化硅(SiN

在形成第一无机保护层30之后，有机层10可以被二次蚀刻。在实施例中，第一沟槽P1的由第一无机保护层30保护的侧表面HB1可以不被蚀刻。

参照图7和图15至图17，可以形成覆盖第一沟槽至第(N-1)沟槽的侧表面的第(N-1)无机保护层。此后，可以通过经由使用狭缝层20作为掩模第N次蚀刻有机层10来形成从第(N-1)沟槽延伸的第N沟槽。在这样的实施例中，可以分别重复执行(N-2)次附加无机保护层的形成和附加沟槽的形成(S400'和S500')。

可以形成初步第N无机保护层以覆盖狭缝层20的顶表面HA、第一沟槽至第N沟槽的侧表面和第N沟槽的底表面的全部。接下来，可以通过各向异性地干法蚀刻初步第N无机保护层，仅去除初步第N无机保护层的一部分。初步第N无机保护层的去除的部分可以是覆盖狭缝层20的顶表面HA和第N沟槽的底表面的部分。

在实施例中，例如，可以形成初步第二无机保护层以覆盖狭缝层20的顶表面HA、第一沟槽P1(参见图11)的侧表面HB1和第二沟槽P2(参见图12)的侧表面HB2以及第二沟槽P2的底表面HC2的全部(S410')。接下来，可以经由各向异性的干法蚀刻去除初步第二无机保护层的覆盖狭缝层20的顶表面HA和第二沟槽P2的底表面HC2的部分(S420')。因此，可以形成覆盖第二沟槽P2的侧表面HB2的第二无机保护层32。第二无机保护层32可以覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1和第二沟槽P2的侧表面HB2。在实施例中，第二无机保护层32可以包括透明绝缘材料以确保正面透射率。

参照图17，可以通过第三次蚀刻有机层10来形成第三沟槽P3(S500')。在这种情况下，第二无机保护层32可以在第三次蚀刻工艺期间用作保护层。在这样的实施例中，第二无机保护层32可以覆盖第一沟槽P1的侧表面HB1和第二沟槽P2的侧表面HB2，以防止沟槽的临界值CD(参见图2)增加。

可以执行重复执行上述工艺的多级蚀刻工艺。由于临界值CD可以随着蚀刻时间减少而变小，因此可以在短时间内多次重复执行蚀刻工艺。在这样的实施例中，可以在形成无机保护层之后执行有机层10的蚀刻工艺以防止临界值CD增加。

第一无机保护层30至第N无机保护层可以包括彼此不同的材料。考虑到蚀刻时间、蚀刻速率或成本等，第一无机保护层30至第N无机保护层可以包括彼此不同的材料。然而，本公开不限于此。

第一无机保护层30至第N无机保护层中的每一者可以包括透明材料。第一无机保护层30至第N无机保护层和有机层10中的每一者可以透射光。在实施例中，光可以不透射穿过其中设置阻光材料40的区域，并且可以透射穿过其中设置有机层10和第一无机保护层30至第N无机保护层的区域。第一无机保护层30至第N无机保护层可以具有彼此不同的厚度。在实施例中，例如，初次蚀刻时间可以大于二次蚀刻时间。在这样的实施例中，第二无机保护层32的厚度(例如，图15的第二无机保护层32的厚度D411)可以小于第一无机保护层30的厚度(例如，图12的第一无机保护层30的厚度D401)。第二无机保护层32的厚度可以大于或等于预定厚度，该预定厚度使第二无机保护层32在经过有机层10的蚀刻工艺之后保留。

如图15和图16中所示，第一无机保护层30和第二无机保护层32可以设置在第一沟槽P1的侧表面HB1上。仅第二无机保护层32可以设置在第二沟槽P2的侧表面HB2上。第二无机保护层32可以具有第二厚度D512。因此，第一沟槽P1的侧表面HB1可以具有比第二厚度D512厚的第一厚度D511。然而，本公开不限于此。

如上所述，第N沟槽可以被蚀刻为具有第N高度。在这种情况下，N可以是大于或等于1的自然数。根据实施例，可以通过调整第一沟槽至第N沟槽的第一高度至第N高度来确保各种视角。根据可替代的实施例，第一沟槽至第N沟槽的第一高度至第N高度可以彼此相等。

随着蚀刻深度(例如，图2的蚀刻深度DEP)和临界值(例如，图2的临界值CD)减小，可以改善正面透射率。因此，可以调整蚀刻时间以执行多次蚀刻，从而可以形成具有相同高度的沟槽。因此，可以改善正面透射率。然而，本公开不限于此。

参照图7和图18至图20，可以去除狭缝层20(参见图17)(S600)，并且可以形成填充第一沟槽至第N沟槽的阻光材料40(S700)。首先，在将阻光材料40施加到有机层10上以填充第一沟槽至第N沟槽之后，可以去除阻光材料40的设置于有机层10上的部分。

在阻光材料40的分别填充在第一沟槽至第N沟槽中的部分的量之中，阻光材料40的填充在第一沟槽P1中的部分的量可以是最大的。因此，可以改善显示装置的正面透射率。

例如，在N为3的实施例中，可以施加填充第一沟槽P1、第二沟槽P2和第三沟槽P3的阻光材料40(S710)，并且可以去除设置于有机层10上的阻光材料40(S720)。在这样的实施例中，分别填充在沟槽中的阻光材料40的量可以从第一沟槽P1向第三沟槽P3减少。然而，本公开不限于此。

如上所述，在狭缝层20的去除(S600)之前，可以执行能够选择性蚀刻有机层10的材料的涂覆，并且可以分多个阶段来蚀刻有机层10。随着蚀刻时间变短，临界值CD可以最小化。因此，可以在短时间内重复执行多次蚀刻。在实施例中，可以形成覆盖沟槽的侧表面的无机保护层以防止在先前蚀刻工艺中形成的沟槽的临界值CD增加，并且可以执行有机层10的蚀刻工艺。因此，可以减小填充有阻光材料40的空间，从而可以确保正面透射率。

图21是用于描述根据本公开的实施例的显示装置2000的截面图。

将参照图21描述的显示装置2000的实施例可以通过上面参照图3至图20描述的用于制造显示装置的方法1000或1100的实施例来制造。因此，在下文中将省略或简化图21的显示装置2000的与上文描述的元件相同或相似的元件的任何重复的详细描述。

在显示装置2000设置在车辆中的实施例中，当显示装置2000的视角是宽的时，显示装置2000可能妨碍驾驶员的视野。特别地，当在夜间驾驶时，显示装置2000的图像可能被车辆的挡风玻璃反射，这可能分散驾驶员对驾驶的注意力。

此外，当诸如便携式终端的显示装置2000的视角是宽的时，除了用户之外的人可能观看到显示装置2000的图像，这可能导致隐私问题。

参照图2和图21，根据本公开的实施例，显示装置2000可以包括：设置于发光层200上的封装层300；以及设置于封装层300上的阻光图案400。

阻光图案400可以包括有机层10、阻光材料40和无机保护层。有机层10可以设置在封装层300上。阻光材料40可以位于有机层10之间。无机保护层可以设置在有机层10的限定沟槽的侧表面的至少一部分和阻光材料40之间。

阻光图案400可以设置或填充在沟槽中。沟槽可以包括第一沟槽P1和第二沟槽P2。第一沟槽P1可以在从有机层10的顶表面向封装层300的方向上形成。第二沟槽P2可以从第一沟槽P1延伸。第二沟槽P2可以在从有机层10的顶表面向封装层300的方向上形成。

无机保护层可以包括第一无机保护层30和第二无机保护层32。第一无机保护层30可以设置在第一沟槽P1和阻光材料40之间。第二无机保护层32可以设置在第一无机保护层30和阻光材料40之间。此外，第二无机保护层32可以设置在第二沟槽P2和阻光材料40之间。

阻光图案400可以集成在显示装置2000内。因此，视角可以被限制。

阻光材料40的填充量可以基于沟槽的临界值CD1至CDN来确定。根据实施例，第一沟槽P1的第一临界值CD1可以最大，并且第N沟槽PN的第N临界值CDN可以最小。因此，可以改善显示装置2000的正面透射率。

由阻光图案400限定的沟槽可以具有彼此不同的高度。根据实施例，第一沟槽P1的高度D2001和与封装层300相邻的第N沟槽PN的高度D2002可以彼此不同。每一个沟槽的高度可以调整以防止摩尔纹(moiré)现象。

阻光图案400可以具有依据其在显示装置2000中的位置而不同地确定的厚度。根据实施例，阻光图案400的高度可以大于或等于大约10μm，并且小于或等于大约40μm。因此，显示装置2000的厚度可以变得更薄。

阻光图案400可以包括透射部件LT和阻光部件SP。

透射部件LT可以包括有机层10和无机保护层。有机层10和无机保护层可以包括透明材料。因此，可以透射从发光层200发射的光。

阻光部件SP可以包括阻光材料40。因此，可以吸收从发光层200发射的光。

在实施例中，可以最小化临界值CD1至CDN，并且可以最大化有机层10的厚度D2003和无机保护层的厚度D2004，以确保正面透射率以及视角阻挡效果。在实施例中，可以经由上述多级蚀刻方案来最小化临界值。

例如，本公开的实施例可以应用于显示装置和包括显示装置的诸如高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、计算机(例如平板个人计算机(PC)或笔记本计算机)、车载导航系统、电视机、或计算机监视器等的电子装置。

本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例是为了使本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。

虽然已经参照本发明的实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。