像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法及电子设备

技术领域

本公开涉及像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法及电子设备。

背景技术

近年来，在显示装置的领域中，主流的是包括发光部的像素配置成行列状(矩阵状)而成的平面型(平板型)的显示装置。作为平面型显示装置的一种，存在利用发光亮度根据流过发光部的电流值而变化的所谓的电流驱动型的电光学元件、例如利用有机电致发光(Electro Luminescence：EL)元件的有机EL显示装置。

在以该有机EL显示装置为代表的平面型显示装置中，有时驱动电光学元件的驱动晶体管的晶体管特性(例如阈值电压)由于工艺的变动等而在每个像素中产生偏差。例如在专利文献1中公开了在进行该驱动晶体管的特性的校正动作时、能够缩短对驱动晶体管的栅极节点的初始化电压的写入时间的显示装置的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-34861号公报。

发明内容

发明要解决的课题

但是，在要显示具有特定图案的图像时，例如如果利用在上述专利文献1等公开的技术进行驱动晶体管的特性的校正动作，则有可能发生被称为横向串扰的在白色显示部分产生亮度差的现象。

因此，在本公开中，提出了能够防止在显示具有特定图案的图像时发生横向串扰的新颖且改进的像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法及电子设备。

用于解决课题的方案

根据本公开，提供一种像素电路，其具备：发光元件；驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一端子与所述发光元件的阳极连接；采样晶体管，所述采样晶体管的第二端子与所述驱动晶体管的栅极连接，对写入到所述驱动晶体管的信号电压进行采样；发光控制晶体管，所述发光控制晶体管的第一端子与所述驱动晶体管的第二端子连接，在所述发光控制晶体管的第二端子连接供给电源电压的电源线；以及复位晶体管，在预定的定时将所述发光元件的阳极复位为预定的电位，所述像素电路在所述信号电压从前一帧的视频信号切换为所述驱动晶体管的阈值校正基准电位之前，使所述发光控制晶体管导通，将所述电源电压写入到所述驱动晶体管的第二端子。

此外，根据本公开提供一种像素电路的驱动方法，所述像素电路具备：发光元件；驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一端子与所述发光元件的阳极连接；采样晶体管，所述采样晶体管的第二端子与所述驱动晶体管的栅极连接，对写入到所述驱动晶体管的信号电压进行采样；发光控制晶体管，所述发光控制晶体管的第一端子与所述驱动晶体管的第二端子连接，在所述发光控制晶体管的第二端子连接供给电源电压的电源线；以及复位晶体管，在预定的定时将所述发光元件的阳极复位为预定的电位，所述像素电路的驱动方法包括在所述信号电压从前一帧的视频信号切换为所述驱动晶体管的阈值校正基准电位之前，使所述发光控制晶体管导通，将所述电源电压写入到所述驱动晶体管的第二端子。

附图说明

图1是示出本公开的实施方式的显示装置100的构成例的说明图。

图2是示出同一实施方式的显示装置100的更详细的构成例的说明图。

图3是示出同一实施方式的显示装置100的更详细的构成例的说明图。

图4是提取图3所示的像素电路而示出的说明图。

图5是示出同一实施方式的显示装置100的驱动方法的比较例的说明图。

图6是示出在显示装置100显示的显示图案的例子的说明图。

图7是示出比较例中的驱动定时例的说明图。

图8是示出比较例中的驱动定时例的说明图。

图9是示出比较例中的驱动定时例的说明图。

图10是示出比较例中的驱动定时例的说明图。

图11是示出同一实施方式的显示装置100的驱动方法的说明图。

图12是示出驱动定时例的说明图。

图13是示出驱动定时例的说明图。

图14是示出驱动定时例的说明图。

图15是示出同一实施方式的显示装置100的驱动方法的说明图。

图16是示出同一实施方式的显示装置100的像素电路的变形例的说明图。

图17是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的驱动例的说明图。

图18是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的驱动例的说明图。

图19是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的驱动例的说明图。

图20是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的驱动例的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本公开的优选实施方式进行详细说明。另外，在本说明书及附图中，具有实质上相同的功能构成的构成要素赋予相同的符号，由此省略重复说明。

另外，说明以如下顺序进行。

1.本公开的实施方式

1.1.关于本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备的整体的说明

1.2.构成例及动作例

1.3.变形例

2.总结

<1.本公开的实施方式>

[1.1.关于本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备的整体的说明]

本公开的显示装置是平面型(平板型)显示装置，配置有除具有驱动发光部的驱动晶体管以外，还具有采样晶体管及保持电容的像素电路而构成。作为平面型显示装置能够例示有机EL显示装置、液晶显示装置、等离子体显示装置等。这些显示装置中的有机EL显示装置利用有机材料的电致发光，将利用对有机薄膜施加电场时发光的现象的有机EL元件用作像素的发光元件(电光学元件)。

利用有机EL元件作为像素的发光部的有机EL显示装置具有如下特长。即，由于能够以10V以下的施加电压驱动有机EL元件，所以有机EL显示装置耗电低。由于有机EL元件是自发光型的元件，所以有机EL显示装置与作为相同的平面型显示装置的液晶显示装置相比，图像的可视性高，而且，由于不需要背光灯等照明部件，所以容易实现轻量化及薄型化。进一步，有机EL元件的响应速度为数微秒左右而非常高速，因此有机EL显示装置在动态图像显示时不会产生残留图像。

有机EL元件是自发光型的元件，并且是电流驱动型的电光学元件。作为电流驱动型的电光学元件除了有机EL元件以外还能够例示无机EL元件、LED元件、半导体激光元件等。

有机EL显示装置等平面型显示装置在具备显示部的各种电子设备中能够用作该显示部(显示装置)。作为各种电子设备除了电视系统以外，还能够例示：头戴式显示器、数码相机、摄像机、游戏机、笔记本型个人计算机、电子书等便携信息设备、PDA(PersonalDigital Assistant，个人数字助理)、便携电话机等便携通信设备等。

在本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，针对驱动部，能够形成为在使驱动晶体管的栅极节点成为浮动状态之后使源极节点成为浮动状态的构成。此外，针对驱动部，能够形成为在使驱动晶体管的源极节点保持为浮动状态下通过采样晶体管写入信号电压的构成。针对初始化电压，能够形成为如下构成：在与信号电压不同的定时供给到信号线，并且通过采样晶体管的采样从信号线写入到驱动晶体管的栅极节点。

在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，像素电路能够作为形成在如硅那样的半导体上的构成。此外，驱动晶体管能够作为由P沟道型晶体管形成的构成。根据如下理由，作为驱动晶体管不是使用N沟道型晶体管而是使用P沟道型晶体管。

在将晶体管不是形成在如玻璃基板那样的绝缘体上而是形成在如硅那样的半导体上的情况下，晶体管不是源极/栅极/漏极的三个端子，而是源极/栅极/漏极/背栅极(基极)的四个端子。并且，在使用N沟道型晶体管作为驱动晶体管的情况下，背栅极(基板)电压为0V，对按每个像素来校正驱动晶体管的阈值电压的偏差的动作等产生不良影响。

此外，与拥有LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏极)区域的N沟道型晶体管相比，不拥有LDD区域的P沟道型晶体管的晶体管特性偏差小，有利于实现像素的微细化，进而有利于实现显示装置的高精细化。根据这种理由等，在设想形成在如硅那样的半导体上的情况下，作为驱动晶体管优选利用P沟道型晶体管而不是N沟道型晶体管。

在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，采样晶体管也能够作为由P沟道型晶体管形成的构成。

或者在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，针对像素电路，能够形成为具有控制发光部的发光/不发光的发光控制晶体管的构成。此时，针对发光控制晶体管，也能够形成为由P沟道型晶体管形成的构成。

或者在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，针对保持电容，能够形成为连接于驱动晶体管的栅极节点和源极节点之间的构成。此外，针对像素电路，能够形成为具有连接于驱动晶体管的源极节点和固定电位的节点之间的辅助电容的构成。

或者在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，针对像素电路，能够形成为具有连接于驱动晶体管的漏极节点和发光部的阴极节点之间的开关晶体管的构成。此时，针对开关晶体管，也能够形成为由P沟道型晶体管形成的构成。此外，针对驱动部，能够形成为在发光部的不发光期间使开关晶体管为导通状态的构成。

或者在包括上述较优选构成的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备中，驱动部在采样晶体管的初始化电压的采样定时之前使驱动开关晶体管的信号成为激活状态。并且，能够形成为在使驱动发光控制晶体管的信号为激活状态之后成为非激活状态的构成。此时，针对驱动部，能够形成为如下构成：在使驱动发光控制晶体管的信号成为非激活状态之前，完成采样晶体管的初始化电压的采样。

[1.2.构成例及动作例]

接着，对本公开的实施方式的显示装置的构成例进行说明。图1是示出本公开的实施方式的显示装置100的构成例的说明图。以下，使用图1对本公开的实施方式的显示装置100的构成例进行说明。

像素部110具有分别设置有有机EL元件及其他自发光元件的像素配置成矩阵状的构成。像素部110相对于配置成矩阵状的像素以行为单位在水平方向上设置扫描线，并且以与扫描线正交的方式按每列设置信号线。

水平选择器120依次转送预定的采样脉冲，并且由该采样脉冲依次锁存图像数据，由此将该图像数据分配给各信号线。此外，水平选择器120对分配给各信号线的图像数据分别进行模数转换处理，由此生成以时分方式表示与各信号线连接的各像素的发光亮度的驱动信号。水平选择器120将该驱动信号输出到对应的信号线。

垂直扫描仪130响应于该水平选择器120的信号线的驱动，生成各像素的驱动信号并输出到扫描线SCN。由此，显示装置100通过垂直扫描仪130依次驱动配置于像素部110的各像素，以由水平选择器120设定的各信号线的信号电平使各像素发光，在像素部110显示所希望的图像。

图2是示出本公开的实施方式的显示装置100的更详细的构成例的说明图。以下，使用图2对本公开的实施方式的显示装置100的构成例进行说明。

在像素部110中，显示红色的像素111R、显示绿色的像素111G、显示蓝色的像素111B配置成矩阵状。

并且，垂直扫描仪130具有自动调零扫描仪131、驱动扫描仪132及写入扫描仪133。通过从各扫描仪向以矩阵状配置于像素部110的像素供给信号，进行设置于各像素的TFT的导通、截止动作。

图3是示出本公开的实施方式的显示装置100的更详细的构成例的说明图。以下，使用图3对本公开的实施方式的显示装置100的构成例进行说明。

图3图示了相对于以矩阵状配置于像素部110的一个像素的像素电路。像素电路包括晶体管T1～T4、电容器C1、C2、有机EL元件EL而构成。图4是提取图3所示的像素电路并示出的说明图。

晶体管T1是控制有机EL元件EL的发光的发光控制晶体管。晶体管T1连接于电源电压VCCP的电源节点和晶体管T2的源极节点(源极电极)之间，在从驱动扫描仪132输出的发光控制信号的驱动下，控制有机EL元件EL的发光/不发光。

晶体管T2是通过使与电容器C2的保持电压对应的驱动电流流过有机EL元件EL来驱动有机EL元件EL的驱动晶体管。

晶体管T3通过对从写入扫描仪133供给的信号电压Vsig进行采样，将信号电压Vsig写入到晶体管T2的栅极节点(栅极电极)。

晶体管T4是连接于晶体管T2的漏极节点(漏极电极)和电流排出目的地节点(例如电源VSS)之间的复位晶体管。晶体管T4在来自自动调零扫描仪131的驱动信号的驱动下，在有机EL元件EL的不发光期间控制有机EL元件EL不发光。晶体管T1～T4能够作为均由P沟道型晶体管形成的构成。

电容器C2连接于晶体管T2的栅极节点和源极节点之间，保持通过晶体管T3的采样写入的信号电压Vsig。电容器C1连接于晶体管T2的源极节点和固定电位的节点(例如电源电压VCCP的电源节点)之间。该电容器C1起到如下作用：在写入了信号电压时抑制晶体管T2的源极电压变动，并且使晶体管T2的栅极源极间电压Vgs成为晶体管T2的阈值电压Vth。此外，Cp是信号线Data和电源电压Vccp之间的寄生电容。

在这种显示装置100中，利用多晶硅TFT在玻璃基板等透明绝缘基板上一并形成像素部110、水平选择器120、垂直扫描仪130等。多晶硅TFT不能避免阈值电压、迁移率的偏差，在利用有机EL元件的显示装置中，存在由于这些偏差而图像质量劣化的问题。

因此，例如可以考虑由图4所示的电路构成来构成像素电路，校正驱动用晶体管的阈值电压、迁移率的偏差。

关于上述构成的显示装置100的驱动方法，首先，对于本公开的技术(即实施方式的驱动方法)之前的技术，说明比较例的驱动方法。

图5是示出本公开的实施方式的显示装置100的驱动方法的比较例的说明图。图5示出了水平同步信号XVD、信号电压Vdata、来自驱动扫描仪132的信号DS、来自写入扫描仪133的信号WS、来自自动调零扫描仪131的信号AZ的时间推移。此外，图5还示出了晶体管T2的源极电位Source及栅极电位Gate、以及有机EL元件EL的阳极电位Anode的时间推移。

到时刻t1为止是前一帧的发光期间。在成为该时刻t1之前，信号DS从高变低，晶体管T1从截止变为导通。在时刻t1，信号AZ从高变低，发光期间结束，消光期间开始。使信号AZ从高转变为低是为了防止在后述的Vth校正期间中电流流入有机EL元件EL而有机EL元件EL发光。

在从时刻t1到t2的期间，信号电压Vdata变化为偏置电压Vofs。该偏置电压Vofs是Vth校正的基准电位。此后，如果成为时刻t2，消光期间结束，Vth准备期间开始，则信号WS从高变低，晶体管T3从截止变为导通。通过晶体管T3导通，晶体管T2的栅极与信号线Data连接，晶体管T2的栅极电压下降至偏置电压Vofs。

如果成为时刻t3，则信号WS从低变高，晶体管T3从导通变为截止。如果晶体管T3从导通变为截止，则晶体管T2的栅极从信号线Data断开。

此后，如果成为时刻t4，则信号DS从低变高，晶体管T1从导通变为截止。通过信号DS为高，进入Vth校正期间。在Vth校正期间，晶体管T2的栅极源极间电压Vgs设定为晶体管T2的阈值电压Vth。此外，在Vth校正期间的时刻t5，信号AZ从低变高。

此后，在时刻t6，信号WS从高变低，成为信号电压Vsig向晶体管T2的写入期间。在该写入期间，晶体管T2的栅极电位成为Vsig。在时刻t7，信号WS从低变高，信号电压Vsig向晶体管T2的写入期间结束。并且，在时刻t8，信号DS从高变低，晶体管T1成为导通，由此成为有机EL元件EL发光的发光期间。在发光期间，晶体管T2的源极电位成为像素电路的电源电压VCCP。

图6是示出在显示装置100显示的显示图案的例子的说明图。如图6所示，考虑使背景为白色(高灰度)且其中具有两个黑色窗口的显示图案。在此，将黑色窗口的前段(上段)的仅白色(高灰度)显示像素的行作为第n行，将黑色窗口的第一段定义为第n+1行，将黑色窗口的第二段定义为第n+2行。

图7是示出上述比较例中的第n行、第n+1行、第n+2行的信号线Data的电位Vdata、供给电源电压的信号线Vccp及各行的信号WS、AZ、DS的驱动定时例的说明图。

在此，着眼于信号线Data的电位Vdata的变动。如果第n行的前段为白色灰度，Vsig与Vofs的关系为Vsig＜Vofs，则电位Vdata切换为Vofs时，耦合经由寄生电容Cp在正电位方向上进入信号线Vccp，在该瞬间，信号线Vccp的电位升高耦合量。

由信号线Vccp供给的电位通过金属供电线始终供给到所有像素，因此信号线Vccp的电位将要返回到Vccp，但是如果通过像素区域的扩大、高精细化，布线阻抗增加，则压摆率变慢。此时，像素电路的晶体管T1成为导通状态，并且进行将电位Vccp写入到晶体管T2的源极的动作。

但是，如果即使在晶体管T1成为截止的时间点，尚未返回到电位Vccp，信号线Vccp的电位成为Vccp+α[V]的状态，则Vth校正开始时的晶体管T2的栅极源极间电压Vgs变得更大。

对于作为黑色窗口的起始行的第n+1行，由于前一行的第n行为白色灰度，所以Vth校正时的晶体管T2的源极电压也成为Vccp+α[V]。

另一方面，对于第n+2行，在前一行中包括黒色信号(＝Vsig＞Vofs)，黒色信号像素越多(即黑色窗口的宽度越大)，当向Vofs切换时，耦合越在负电位方向上进入信号线Vccp。即，存在Vth校正时的晶体管T2的栅极源极间电压Vgs变小的倾向。

图8、图9、图10示出上述比较例中的第n行、第n+1行、第n+2行的白色像素的驱动。相对于图8、图9所示的第n行、第n+1行的驱动，在图10的第n+2行的驱动中，如上所述，Vth校正前的晶体管T2的栅极源极间电压Vgs变小。

由此，与第n行、第n+1行相比，第n+2行的校正后的晶体管T2的栅极电位Vg、源极电位Vs变高，与第n行、第n+1行相比，第n+2行的视频信号写入后的晶体管T2的栅极源极间电压Vgs变小。即，与第n行、第n+1行的电流相比，第n+2行的电流变小，第n+2行的白色显示比第n行、第n+1行暗。即，如果进行图5所示的比较例的驱动，则从黑色窗口的边缘的下一行的行开始变暗，如图6所示被目视确认为串扰。

因此，在本公开的实施方式中，提供一种在显示图6所示的黑色窗口的情况下不产生串扰的显示装置100的驱动方法。

图11是示出本公开的实施方式的显示装置100的驱动方法的说明图。本公开的实施方式的显示装置100与上述比较例相比，来自驱动扫描仪132的信号DS的状态的转变定时不同。在上述比较例中，在前一帧的发光期间，信号DS从高变低，在信号线Data的电位切换为Vofs之后，信号DS从低变高。

但是，本公开的实施方式的显示装置100在前一帧的发光期间，信号DS从高变低，此后，在信号线Data的电位切换为Vofs之前，信号DS从低变高。即，本公开的实施方式的显示装置100在信号线Data的电位切换为Vofs之前使晶体管T1截止。

本公开的实施方式的显示装置100的特征在于，通过以上述方式控制信号DS的状态的切换，不受耦合的影响，将电位Vccp写入到晶体管T2的源极。

图12～14是分别示出本公开的实施方式的显示装置100的图6所示的图像的第n行、第n+1行、第n+2行的驱动的说明图。

首先，使用图12，说明本公开的实施方式的显示装置100的图6所示的图像的第n行的驱动。图12示出了水平同步信号XVD、信号电压Vdata、来自驱动扫描仪132的信号DS、来自写入扫描仪133的信号WS、来自自动调零扫描仪131的信号AZ的时间推移。此外，图12还示出了晶体管T2的源极电位Source及栅极电位Gate、以及有机EL元件EL的阳极电位Anode的时间推移。

到时刻t1为止是前一帧的发光期间。在成为该时刻t1之前，信号DS从高变低，晶体管T1从截止变为导通。在时刻t1，信号AZ从高变低，发光期间结束，消光期间开始。使信号AZ从高转变为低是为了防止在后述的Vth校正期间中电流流入有机EL元件EL而有机EL元件EL发光。

接着，在时刻t2的时间点，信号DS从低变高，晶体管T1从导通变为截止。

此后，如果在时刻t2之后且在时刻t3之前的时间点，信号线Data的电位变化为比Vsig高的Vofs，则耦合在正电位方向上进入信号线Vccp，该瞬间，信号线Vccp的电位升高耦合量。但是，在该时间点，晶体管T1成为截止，因此信号线Vccp的电位变化的影响不会对晶体管T2的源极电位产生影响。因此，即使信号线Data的电位变化为Vofs，晶体管T2的源极电位也保持为Vccp＝Vref。

此后，如果成为时刻t3，消光期间结束，Vth准备期间开始，则信号WS从高变低，晶体管T3从截止变为导通。通过晶体管T3成为导通，晶体管T2的栅极与信号线Data连接，晶体管T2的栅极电压下降至偏置电压Vofs。

如果成为时刻t4，则信号WS从低变高，晶体管T3从导通变为截止。如果晶体管T3从导通变为截止，则晶体管T2的栅极从信号线Data断开。从时刻t4进入到Vth校正期间，晶体管T2的栅极源极间电压Vgs设定为晶体管T2的阈值电压Vth。此外，在Vth校正期间中的时刻t5，信号AZ从低变高。

此后，在时刻t6，信号WS从高变低，成为信号电压Vsig向晶体管T2的写入期间。在该写入期间，晶体管T2的栅极电位成为Vsig。在时刻t7，信号WS从低变高，信号电压Vsig向晶体管T2的写入期间结束。并且，在时刻t8，信号DS从高变低，晶体管T1成为导通，由此成有机EL元件EL发光的发光期间。在发光期间，晶体管T2的源极电位为电源电压Vccp＝Vref。

图13所示的第n+1行、图14所示的第n+2行的驱动也同样。即，在本实施方式中，信号DS为高，在晶体管T1成为截止的定时，通过使信号线Data的电位变化，对晶体管T2的源极电位不产生耦合的影响。

如上所述，本公开的实施方式的显示装置100通过以上述方式控制信号DS的状态的切换，能够防止在白色背景显示黑色窗口等特殊图案时发生串扰，并且能够实现高质量的图像显示。

本公开的实施方式的显示装置100可以在进行Vth校正的水平期间之前一个水平期间以上，预先将电位Vofs写入到晶体管T2的栅极。图15是示出本公开的实施方式的显示装置100的驱动方法的说明图。在图15中示出了在第n+1行、第n+2行中，为了在进行Vth校正的水平期间的前一个水平期间，预先将电位Vofs写入到晶体管T2的栅极，使信号线WS的状态变化的情况。

通过在进行Vth校正的水平期间之前一个水平期间以上，预先将电位Vofs写入到晶体管T2的栅极，本公开的实施方式的显示装置100不会受到前一帧的视频信号的影响，能够设定Vth校正开始时的晶体管T2的栅极源极间电压。

至此为止，示出了像素电路由P型MOSFET构成的例子，但是即使在像素电路由N型MOSFET构成的情况下，也同样地能够防止串扰的发生，并且能够实现高质量的图像显示。

图16是示出本公开的实施方式的显示装置100中的像素电路的变形例的说明图。图16示出了由四个N型MOSFET构成的像素电路。

晶体管T11是控制有机EL元件EL的发光的发光控制晶体管。晶体管T11连接于电源电压VCCP的电源节点和晶体管T12的源极节点(源极电极)之间，在从驱动扫描仪132输出的发光控制信号的驱动下，控制有机EL元件EL的发光/不发光。

晶体管T12是驱动晶体管，通过使与电容器C12的保持电压对应的驱动电流流过有机EL元件EL，驱动有机EL元件EL。

晶体管T13通过对从写入扫描仪133供给的信号电压Vsig进行采样，将信号电压Vsig写入到晶体管T12的栅极节点(栅极电极)。

晶体管T14是连接于晶体管T12的漏极节点(漏极电极)和电流排出目的地节点(例如电源VSS)之间的复位晶体管。晶体管T14在来自自动调零扫描仪131的驱动信号的驱动下，在有机EL元件EL的不发光期间控制有机EL元件EL不发光。晶体管T11～T14能够形成为均由N沟道型晶体管形成的构成。

在具备图16所示的像素电路的显示装置100中，考虑显示具有图6所示的黑色窗口的图像的情况。如上所述，将黑色窗口的前段(上段)的仅白色(高灰度)显示像素的行作为第n行，将黑色窗口的第一段定义为第n+1行，将黑色窗口的第二段定义为第n+2行。

图17是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的第n+1行的驱动例的说明图。此外，图18是示出具备图16所示的像素电路的显示装置100中的第n+2行的驱动例的说明图。在图17、图18中示出了信号电压Vdata、来自驱动扫描仪132的信号DS、来自写入扫描仪133的信号WS、来自自动调零扫描仪131的信号AZ的时间推移。此外，在图17、图18中还示出了晶体管T12的源极电位Vs及栅极电位Vg的时间推移。此外，在图17、图18中还示出了晶体管T14的源极电位Vs的时间推移。

在时刻t1，信号WS、AZ从低变高。由此，晶体管T13、T14从截止切换为导通。通过晶体管T13成为导通，晶体管T12的栅极电位成为Vofs，源极电位下降至Vss。

在时刻t2，信号AZ从高变低。由此，晶体管T14从导通切换为截止。通过晶体管T14成为截止，晶体管T12的源极电位Vs从电源电位Vss断开，并且由于蓄积于电容器C12的电荷而开始上升。

此后，在时刻t3，信号WS从高变低。由此，晶体管T13从导通切换为截止。通过晶体管T13成为截止，晶体管T12的栅极从信号线Data断开。此外，在该时刻t3的时间点，信号线Data的电位变化为Vsig。

此后，如果成为时刻t4，则信号WS再次从低变高。由此，晶体管T13从截止切换为导通。通过晶体管T13成为导通，晶体管T12的栅极电位变为Vsig。

此后，在时刻t5，信号WS从高变低。由此，晶体管T13从导通切换为截止。并且，在时刻t6的时间点，信号DS从高变低。由此，晶体管T11从导通切换为截止，电流流过有机EL元件EL，有机EL元件EL发光。

在以上述方式驱动图16所示的像素电路时，在时刻t1，信号电压Vdata从Vsig切换为Vofs时，如果没有耦合的影响，则晶体管T12的源极电位以虚线所示的方式变化。但是，如在上述P沟道型的像素电路中所指出的那样，由于经由寄生电容的耦合的影响，写入到晶体管T12的源极的Vss的电位变动。

在图17所示的第n+1行的像素电路和图18所示的第n+2行的像素电路中，耦合的电位方向改变，在从时刻t3到t4的Vth校正期间，Vth校正开始时的晶体管T12的栅极源极间电压Vgs变动。并且，从时刻t4到t5的视频信号写入期间结束后的、晶体管T12的栅极源极间电压Vgs也在第n+1行的像素电路和第n+2行的像素电路中不同，其结果，显示装置100如果进行图17、图18所示的驱动，则发生串扰。

因此，在本实施方式中，使决定Vth校正开始时的晶体管T12的源极节点的、晶体管T14的导通、截止的定时为在信号线的电位Vdata从前段的Vsig切换为Vofs之前。本实施方式通过以上述方式进行驱动，能够不受经由寄生电容的耦合的影响而进行晶体管T12的Vth校正。并且在本实施方式中，通过消除经由寄生电容的耦合的影响，能够防止串扰的发生。

图19是示出本实施方式的具备图16所示的像素电路的显示装置100中的第n+1行的驱动方法的说明图。在图19中示出了信号电压Vdata、来自驱动扫描仪132的信号DS、来自写入扫描仪133的信号WS、来自自动调零扫描仪131的信号AZ的时间推移。此外，图19中还示出了晶体管T12的源极电位Vs及栅极电位Vg的时间推移。此外，图19中还示出了晶体管T14的源极电位Vs的时间推移。

在本实施方式中，如图19所示，在信号线的电位Vdata从前段的Vsig切换为Vofs之前的时刻t1的时间点，将信号AZ从低切换为高。通过在时刻t1的时间点，将信号AZ从低切换为高，晶体管T14从导通切换为截止。通过晶体管T14成为截止，即使信号电压Vdata从Vsig切换为Vofs时的耦合进入到源极电位Vs，也不会对晶体管T12的源极电位Vs产生影响。

因此，本实施方式的显示装置100通过执行图19所示的驱动，消除了经由寄生电容的耦合的影响，能够防止串扰的发生。

本公开的实施方式的显示装置100也可以在进行Vth校正的水平期间之前一个水平期间以上，预先将电位Vofs写入到晶体管T12的栅极。

图20是示出本实施方式的具备图16所示的像素电路的显示装置100中的第n+1行的驱动方法的说明图。图20中示出了信号电压Vdata、来自驱动扫描仪132的信号DS、来自写入扫描仪133的信号WS、来自自动调零扫描仪131的信号AZ的时间推移。此外，图20中还示出了晶体管T12的源极电位Vs及栅极电位Vg的时间推移。此外，图20中还示出了晶体管T14的源极电位Vs的时间推移。

在图20所示的驱动方法中，在进行Vth校正的水平期间的前一个水平期间的时刻t1的时间点，使信号WS从低变高。通过信号WS从低变高，晶体管T13成为导通。通过晶体管T13成为导通，电位Vofs被写入到晶体管T12的栅极。并且在时刻t2的时间点，信号线Data的电位成为Vsig，并且信号WS从高变低，晶体管T13成为截止。

此后，在从前段的Vsig切换为Vofs之前的时刻t3的时间点，将信号AZ从低切换为高。通过在时刻t3的时间点将信号AZ从低切换为高，晶体管T14从导通切换为截止。通过晶体管T14成为截止，即使信号电压Vdata从Vsig切换为Vofs时的耦合进入到源极电位Vs，也不会对晶体管T12的源极电位Vs产生影响。此后，进行与图19所示的驱动相同的驱动。

由此，本公开的实施方式的显示装置100不受前一帧的视频信号的影响，能够设定Vth校正开始时的晶体管T12的栅极源极间电压。

<2.总结>

如上所述，根据本公开的实施方式，能够提供显示装置100，该显示装置100能够防止在白色背景显示黑色窗口等特殊图案时发生串扰，并且能够实现高质量的图像显示。

并且，同样地还提供一种具备本公开的实施方式的显示装置的电子设备。具备本公开的实施方式的显示装置的电子设备起到优化对比度和防止横向串扰的两种效果。这种电子设备存在：电视机、智能手机等便携电话、平板式便携终端、个人计算机、便携式游戏机，便携式音乐播放装置、数码相机、数字摄像机、手表式便携终端、可穿戴设备等。

以上，参照附图对本公开的优选实施方式进行了详细说明，但是本公开的技术范围不限制于上述例子。显然具有本公开的技术领域中的通常知识的人在权利要求书记载的技术思想的范围内，能够想到各种改变例或修正例，应当理解这些当然也属于本公开的技术范围。

此外，本说明书记载的效果仅是说明或例示而并非限制。即，本公开的技术可以与上述效果一起或代替上述效果，起到根据本说明书的记载对本领域技术人员而言显而易见的其他效果。

另外，以下构成也属于本公开的技术范围。

(1)一种像素电路，具备：

发光元件；

驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一端子与所述发光元件的阳极连接；

采样晶体管，所述采样晶体管的第二端子与所述驱动晶体管的栅极连接，对写入到所述驱动晶体管的信号电压进行采样；

发光控制晶体管，所述发光控制晶体管的第一端子与所述驱动晶体管的第二端子连接，在所述发光控制晶体管的第二端子连接供给电源电压的电源线；以及

复位晶体管，在预定的定时将所述发光元件的阳极复位为预定的电位，

所述像素电路在所述信号电压从前一帧的视频信号切换为所述驱动晶体管的阈值校正基准电位之前，使所述发光控制晶体管导通，将所述电源电压写入到所述驱动晶体管的第二端子。

(2)根据所述(1)所述的像素电路，其中，

所述像素电路在进行所述驱动晶体管的阈值校正的水平期间的前一个以上的水平期间，使所述采样晶体管导通，以对所述驱动晶体管的栅极设定阈值校正基准电位。

(3)根据所述(1)或(2)所述的像素电路，其中，

所述发光控制晶体管是P沟道型晶体管，所述发光控制晶体管的所述第一端子是漏极。

(4)根据所述(1)～(3)中任一项所述的像素电路，其中，

所述复位晶体管是P沟道型晶体管。

(5)根据所述(1)～(4)中任一项所述的像素电路，其中，

所述驱动晶体管是P沟道型晶体管，所述驱动晶体管的所述第一端子是漏极，所述驱动晶体管的所述第二端子是源极。

(6)根据所述(1)或(2)所述的像素电路，其中，

所述发光控制晶体管是N沟道型晶体管，所述发光控制晶体管的所述第一端子是源极。

(7)根据所述(1)、(2)、(6)中任一项所述的像素电路，其中，

所述复位晶体管是N沟道型晶体管。

(8)根据所述(1)、(2)、(6)、(7)中任一项所述的像素电路，其中，

所述驱动晶体管是N沟道型晶体管，所述驱动晶体管的所述第一端子是源极，所述驱动晶体管的所述第二端子是漏极。

(9)一种显示装置，具备：

配置有所述(1)～(8)中任一项所述的像素电路的像素阵列部；以及

驱动所述像素阵列部的驱动电路。

(10)一种电子设备，

具备所述(9)所述的显示装置。

(11)一种像素电路的驱动方法，所述像素电路具备：

发光元件；

驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一端子与所述发光元件的阳极连接；

采样晶体管，所述采样晶体管的第二端子与所述驱动晶体管的栅极连接，对写入到所述驱动晶体管的信号电压进行采样；

发光控制晶体管，所述发光控制晶体管的第一端子与所述驱动晶体管的第二端子连接，在所述发光控制晶体管的第二端子连接供给电源电压的电源线；以及

复位晶体管，在预定的定时将所述发光元件的阳极复位为预定的电位，

所述像素电路的驱动方法包括在所述信号电压从前一帧的视频信号切换为所述驱动晶体管的阈值校正基准电位之前，使所述发光控制晶体管导通，将所述电源电压写入到所述驱动晶体管的第二端子。

符号说明

100、显示装置；110、像素部；111B、像素；111G、像素；111R、像素；120、水平选择器；130、垂直扫描仪；131、自动调零扫描仪；132、驱动扫描仪；133、写入扫描仪；C1、电容器；C2、电容器；T1、晶体管；T2、晶体管；T3、晶体管；T4、晶体管。