发光装置

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年12月6日提交的韩国专利申请第10-2021-0173063号的优先权和权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的或适当的特性。

发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生光。

发明内容

根据一个或多个实施方式的方面涉及具有改善的寿命的发光装置。

另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括

第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

在第一电极和第二电极之间且包括发射层、第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层的夹层，

其中发射层包括第一主体、第二主体和掺杂剂，

第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p-掺杂剂化合物，

第二空穴传输层包括第二空穴传输化合物和第二p-掺杂剂化合物，

第三空穴传输层包括第三空穴传输化合物并且不包括p-掺杂剂，并且

第二p-掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值大于第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。

根据一个或多个实施方式，

电子设备包括发光装置。

附图说明

结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强功能将从下述描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性截面图；

图2为根据实施方式的电子设备的示意性截面图；并且

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b或c中的至少一个”或“选自a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时a和b)，a和c二者(例如，同时a和c)，b和c二者(例如，同时b和c)，所有的a、b和c，或其变型。

根据一个或多个实施方式，发光装置可包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

位于第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，

其中发射层可包括第一主体、第二主体和掺杂剂，

夹层可包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，

第一空穴传输层可包括第一空穴传输化合物和第一p-掺杂剂化合物，

第二空穴传输层可包括第二空穴传输化合物和第二p-掺杂剂化合物，

第三空穴传输层可包括第三空穴传输化合物并且可不包括(例如，可排除)p-掺杂剂，并且

第二p-掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值可大于第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。

荧光材料和磷光材料已经被用于发光装置中，但只有荧光材料已经被用于相关领域的蓝色发光装置。荧光材料具有25％的理论量子效率，并且与磷光材料或热激活延迟荧光材料相比具有低效率性能。

相应地，期望或有必要通过开发蓝色磷光或热激活延迟荧光发光装置来最大化或增加装置的性能。然而，蓝色磷光或热激活延迟荧光发光装置在确保其适当的寿命方面仍然有困难，并且期望或有必要克服这个问题。

在根据实施方式的发光装置中，可通过在发射层和电极之间堆叠包括p-掺杂剂的多个空穴传输层(级联P-HTL)来控制或选择空穴注入和传输特性，并且因此，可控制或选择激子浓度(例如，可减少发射层中空穴累积的分布)，从而改善装置寿命。

因为根据本公开的实施方式，第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值大于第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值，所以可控制或选择空穴注入和传输特性，并且因此，可控制或选择发射层中的激子浓度以改善装置寿命。

在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括位于第一电极和发射层之间且包括空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层、空穴注入层或其任何组合的空穴传输区。

在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括位于第二电极和发射层之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。

在实施方式中，发射层可以发射蓝光。

在实施方式中，第一主体和/或第二主体可为(例如，同时)具有空穴传输取代基和电子传输取代基的化合物。术语“(例如，同时)具有空穴传输取代基和电子传输取代基的化合物”指能够(例如，同时)传输空穴和电子的双极性主体化合物。

例如，第一主体可为空穴传输主体、电子传输主体或双极性主体化合物。例如，第二主体可为双极性主体化合物。

在实施方式中，掺杂剂可为磷光掺杂剂和/或荧光掺杂剂。

例如，掺杂剂可仅包括磷光掺杂剂或可包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂。例如，荧光掺杂剂可为热激活延迟荧光掺杂剂。

例如，掺杂剂可包括磷光掺杂剂和热激活延迟荧光掺杂剂。在该情况下，在磷光掺杂剂中，系间窜跃(ISC)可比光发射更活跃地发生。

主体中生成的单重态激子可通过ISC转移至热激活延迟荧光掺杂剂。

例如，约20％至约30％的磷光掺杂剂可以发射光，并且约70％至约80％的磷光掺杂剂可生成ISC。第一主体中生成的单重态激子、第二主体中生成的单重态激子或第一主体和第二主体中生成的单重态激子可通过ISC转移至热激活延迟荧光掺杂剂。

下面将更详细描述主体和掺杂剂。

在实施方式中，第二空穴传输层可位于第一空穴传输层和第三空穴传输层之间。

在实施方式中，第一空穴传输层可与第一电极直接物理接触。

在实施方式中，第二空穴传输层可与第一空穴传输层和第三空穴传输层直接物理接触。

在实施方式中，夹层可进一步包括电子阻挡层，并且第三空穴传输层可直接物理接触电子阻挡层。

在实施方式中，第一空穴传输层可以面向(例如，可以比其他空穴传输层更接近)第一电极，并且第三空穴传输层可以面向(例如，可以比其他空穴传输层更接近)发射层。

在实施方式中，第一空穴传输化合物、第二空穴传输化合物和第三空穴传输化合物可彼此相同或不同。

下面将更详细描述第一空穴传输化合物、第二空穴传输化合物和第三空穴传输化合物。

在实施方式中，第二空穴传输层的第二空穴传输化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能量的绝对值可大于或等于第一空穴传输层的第一空穴传输化合物的HOMO能量的绝对值。当第二空穴传输层的第二空穴传输化合物的HOMO能量的绝对值大于或等于第一空穴传输层的第一空穴传输化合物的HOMO能量的绝对值时，可以促进(例如，改善)空穴注入和传输特性的控制，并且因此，可容易控制或选择发射层中的激子浓度。

在实施方式中，在第一空穴传输层中，第一空穴传输化合物的HOMO能量值和第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量值之间的差可小于0.15eV。

例如，第一空穴传输化合物的HOMO能量值可大于第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量值，并且第一空穴传输化合物的HOMO能量值和第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量值之间的差可小于0.15eV。

在实施方式中，在第二空穴传输层中，第二空穴传输化合物的HOMO能量值和第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量值之间的差可小于0.15eV。

例如，第二空穴传输化合物的HOMO能量值可大于第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量值，并且第二空穴传输化合物的HOMO能量值和第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量值之间的差可小于0.15eV。

在第一空穴传输层和第二空穴传输层中的每一个中，当相应的空穴传输化合物的HOMO能量值和相应的p-掺杂剂化合物的LUMO能量值之间的差小于0.15eV时，可促进(例如，改善)空穴注入和传输特性的控制，并且因此，可容易控制或选择发射层中的激子浓度。

在实施方式中，夹层可进一步包括第四空穴传输层，并且第四空穴传输层可位于第一空穴传输层和第二空穴传输层之间。在该情况下，第四空穴传输层可包括第四空穴传输化合物并且可不包括(例如，可排除)p-掺杂剂。

例如，第一空穴传输化合物、第二空穴传输化合物、第三空穴传输化合物和第四空穴传输化合物可彼此相同或不同。

根据发射层中主体和掺杂剂的配置，不包括p-掺杂剂的第四空穴传输层可位于第一空穴传输层和第二空穴传输层之间，从而促进空穴注入和传输特性的控制。

在实施方式中，第一空穴传输层可与第四空穴传输层直接物理接触，

在实施方式中，第二空穴传输层可与第四空穴传输层直接物理接触。

在实施方式中，夹层可进一步包括电子阻挡层，并且电子阻挡层可与第三空穴传输层接触。例如，根据实施方式的发光装置可包括第一电极/第一空穴传输层/第二空穴传输层/第三空穴传输层/电子阻挡层/发射层结构。例如，根据实施方式的发光装置可包括第一电极/第一空穴传输层/第四空穴传输层/第二空穴传输层/第三空穴传输层/电子阻挡层/发射层结构。

在实施方式中，第一空穴传输层的厚度和第二空穴传输层的厚度可各自独立地在约

在实施方式中，第一主体与第二主体的重量比可为约1:9至约9:1。例如，发射层可包括重量比为约3:7至约7:3的第一主体和第二主体。当第一主体与第二主体的重量比在上述范围内，空穴传输可以与电子传输达到期望的平衡。

在实施方式中，当掺杂剂包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂(例如，由磷光掺杂剂和荧光掺杂剂组成)时，可包括重量比为约1:15至约15:1的磷光掺杂剂和荧光掺杂剂。例如，发射层可包括重量比为约1:10至约10:1的磷光掺杂剂和荧光掺杂剂。当磷光掺杂剂与荧光掺杂剂的重量比在上述范围内时，经过ISC的发射系统的操作可以是优异的或适当的。

本公开的一个或多个实施方式提供了包括发光装置的电子设备。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，

薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且

发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。

在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

如本文中使用的，术语“夹层”指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有的多个层。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性截面图。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外设置在第一电极110下方和/或在第二电极150上。作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有优异的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过例如在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可设置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

夹层130可进一步包括位于第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物，和/或无机材料比如量子点等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射层，和ii)位于两个或更多个发射层之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的两个或更多个发射层和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每个结构中，构成层从第一电极110起以各自叙述的顺序依次堆叠。

例如，空穴传输层可包括如上所述的第一空穴传输层、第二空穴传输层、第三空穴传输层和/或第四空穴传输层。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。例如，第一空穴传输层、第二空穴传输层、第三空穴传输层和第四空穴传输层可各自包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L

L

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R

R

R

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

其中，在式CY201至式CY217中，R

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)任何由式CY201至式CY203表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)任何由式CY201至式CY203表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)任何由式CY201至式CY217表示的基团。

例如，空穴传输区可包括化合物HT1至HT46中的至少一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

/>

/>

/>

/>

空穴传输区的厚度可在约

发射辅助层可通过根据从发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了如上所述的材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性能的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为例如p-掺杂剂。

在一些实施方式中，第一空穴传输层可包括第一p-掺杂剂化合物，并且第二空穴传输层可包括第二p-掺杂剂化合物。

在一些实施方式中，第一p-掺杂剂化合物和第二p-掺杂剂化合物可各自具有-3.5eV或更小的LUMO能级(或功函)，并且第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值可大于第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。

在一些实施方式中，基于相应的空穴传输层的总重，第一p-掺杂剂化合物和第二p-掺杂剂化合物的掺杂浓度可各自独立地在约0.1wt％至约10wt％的范围内。

在实施方式中，第一p-掺杂剂化合物和第二p-掺杂剂化合物可各自独立地包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物(将下面更详细地描述)或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和/或F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和/或由式221表示的化合物等：

式221

其中，在式221中，

R

R

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和/或铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和/或钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)和/或金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)和/或锡(Sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和/或镥(Lu)等)；等。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和/或碲(Te)等。

非金属的示例可包括氧(O)和/或卤素(例如，F、Cl、Br和/或I等)等。

例如，含元素EL1和元素EL2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物等)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物等。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和/或CsI等。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层可具有其中红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料在单个层中彼此混合的结构，并且因此可发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

例如，基于100重量份的第一主体和第二主体，发射层中磷光掺杂剂的总量或者磷光掺杂剂和热激活延迟荧光掺杂剂的总量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

主体

空穴传输主体可为具有强空穴性能的化合物。表述“具有强空穴性能的化合物”指易于接受空穴的化合物，并且这种性能可通过包括空穴接收部分(也称为空穴传输部分)来获得。

空穴接收部分可包括例如由富π-电子的杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物和/或吲哚衍生物)得到的部分和/或由芳族胺化合物得到的部分。

电子传输主体可为具有强电子性能的化合物。表述“具有强电子性能的化合物”指易于接受电子的化合物，并且这种性能可通过包括电子接收部分(也称为电子传输部分)来获得。

电子接收部分可包括例如由缺π电子的杂芳族化合物得到的部分。例如，电子接收部分可包括由含氮的杂芳族化合物得到的部分。

当化合物仅包括空穴传输部分或仅包括电子传输部分时，很清楚该化合物的性质是否具有空穴传输特性或电子传输特性。

在实施方式中，化合物可(例如，同时)包括空穴传输部分和电子传输部分。在该情况下，化合物中的空穴传输部分的总数和电子传输部分的总数之间的简单比较可用作用于预测该化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的标准，但是不是绝对标准。这种简单的比较不能作为绝对标准的原因之一是，一个空穴传输部分和一个电子传输部分可能不具有分别吸引空穴和电子的完全相同的能力。

相应地，确定具有特定结构的化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的相对可靠的方法是在装置中直接实施该化合物。

在一个或多个实施方式中，术语“双极性主体”指(例如，同时)包括空穴传输部分和电子传输部分并且能够在一定程度上(例如，同时)接收电子和空穴的化合物。

主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar

其中，在式301中，

Ar

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q

在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A

X

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L

L

xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且

R

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的至少一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

/>

/>

/>

/>

/>

/>

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L

L

式402

在式402中，

X

环A

T

X

Q

R

Q

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

在实施方式中，在式402中，i)X

在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L

式401中的L

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的至少一种：

/>

/>

热激活延迟荧光材料

发射层可包括热激活延迟荧光材料。

在本说明书中，热激活延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。

发射层中包括的热激活延迟荧光材料可充当(例如，用作)主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型或种类。

在实施方式中，热激活延迟荧光材料的三重态能级(eV)和热激活延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可等于或大于0eV且等于或小于0.5eV。当热激活延迟荧光材料的三重态能级(eV)和热激活延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，热激活延迟荧光材料从三重态到单重态的上转换可有效发生，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

在一些实施方式中，热激活延迟荧光材料可包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C

热激活延迟荧光材料的示例可包括化合物DF1至DF7和DF10至DF12中的至少一种：

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每个结构中，构成层从发射层起以各自叙述的顺序依次堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C

在实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar

其中，在式601中，

Ar

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R

Q

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar

例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X

L

xe611至xe613可各自独立地与结合xe1描述的相同，

R

R

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至ET45中的至少一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq

/>

/>

/>

电子传输区的厚度可在约

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括例如化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触(例如，物理接触)第二电极150。

电子注入层可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和/或稀土金属的一种或多种氧化物、一种或多种卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或一种或多种碲化物。

含碱金属化合物可包括一种或多种碱金属氧化物(比如Li

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，以及ii)作为与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或者可包括下述(例如，由下述组成)：ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

第二电极150

第二电极150可设置在如上所述的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且用于形成第二电极150的材料可包括各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或其任何组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可位于第一电极110的外侧(例如，在第一电极110的背向远离第二电极150的一侧上)和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧(例如，在第二电极150的背向远离第一电极110的一侧上)。在一个或多个实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层被提取至(例如，发射到)外侧，或者发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层被提取至(例如，发射到)外侧。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发光效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，使得可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm处)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的至少一种、化合物CP1至CP6中的至少一种、β-NPB或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光。发光装置与上述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。在实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。关于量子点的细节可各自独立地与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体。

在一个或多个实施方式中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可电连接至发光装置的第一电极或第二电极。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，同步)防止或基本上防止环境空气和/或水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外设置在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖和/或瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上所述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的电子设备的截面图。

图2的电子设备可包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可设置在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可设置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可设置在有源层220上，并且栅电极240可设置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可设置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240和漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可设置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可放置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可设置在钝化层280上。钝化层280可放置为暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可放置为连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可设置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一部分，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露部分中。像素限定层290可为聚酰亚胺类有机膜或聚丙烯酸类有机膜。在一个实施方式中，夹层130的一个或多个层可延伸超过像素限定层290的上部，而以公共层的形式放置。

第二电极150可设置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可设置在封盖层170上。封装部分300可设置在发光装置上以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN

图3为根据另一实施方式的电子设备的截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，除了遮光图案500和功能区400另外设置在封装部分300上之外。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图3的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像等中的一个或多个适当的方法形成于特定区中。

当包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10

当包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层通过旋涂形成时，通过考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和在约80℃至约200℃的热处理温度下进行。

取代基的一般定义

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“环状基团”可包括C

如本文中使用的术语“富π电子的C

例如，

C

C

富π电子的C

缺π电子的含氮C

T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文中使用的术语“环状基团”、“C

单价C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，并且在其整个分子结构无芳香性(例如，当整体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基和/或金刚烷基等。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同结构的二价基团。

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外具有至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当整体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和/或氮杂金刚烷基等。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“C

如本文中使用的术语“R

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C

各自未取代的或被下述取代的C

-Si(Q

如本文中使用的Q

如本文中使用的术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如本文中使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如本文中使用的术语“Ph”指苯基，如本文中使用的术语“Me”指甲基，如本文中使用的术语“Et”指乙基，如本文中使用的术语“tert-Bu”或“Bu

如本文中使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C

如本文中使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C

该取代基定义部分中的最大碳原子数仅作为示例给出。例如，C

除非另外限定，否则如本文中使用的*和*'各自指与对应的式中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考实施例更详细描述根据实施方式的化合物和发光装置。

实施例

发光装置的制造

比较例1

将玻璃基板(阳极，

将作为空穴传输化合物的HT1和作为p-掺杂剂的HAT-CN沉积(例如，共沉积)在玻璃基板上以形成厚度为

然后，在没有p-掺杂剂的情况下，将HT2沉积于其上以形成厚度为

接下来，将TCTA真空沉积于其上以形成厚度为

将作为第一主体的化合物H1、作为第二主体的化合物H123和作为磷光掺杂剂的化合物PD26沉积(例如，共沉积)在电子阻挡层上，以形成厚度为

接下来，将化合物H123真空沉积于其上以形成厚度为

将TPM-TAZ和Liq以5:5的重量比沉积(例如，共沉积)在空穴阻挡层上，以形成厚度为

将Liq真空沉积在电子传输层上以形成厚度为

实施例1

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一空穴传输化合物的HT1和作为第一p-掺杂剂的HAT-CN沉积(例如，共沉积)在基板上，以形成厚度为

将作为第二空穴传输化合物的HT3和作为第二p-掺杂剂的TCNQ沉积(例如，共沉积)在第一空穴传输层上，以形成厚度为

第一p-掺杂剂的LUMO能量值和第二p-掺杂剂的LUMO能量值在下面显示。

作为第一p-掺杂剂的HAT-CN：-4.8eV

作为第二p-掺杂剂的TCNQ：-5.1eV

比较例2

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一空穴传输化合物的HT3和作为第一p-掺杂剂的TCNQ沉积(例如，共沉积)在基板上，以形成厚度为

将作为第二空穴传输化合物的HT1和作为第二p-掺杂剂的HAT-CN沉积(例如，共沉积)在第一空穴传输层上，以形成厚度为

实施例2

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一空穴传输化合物的HT1和作为第一p-掺杂剂的HAT-CN沉积(例如，共沉积)在基板上，以形成厚度为

在没有p-掺杂剂的情况下，将作为第四空穴传输化合物的HT2沉积在第一空穴传输层上，以形成厚度为

将作为第二空穴传输化合物的HT3和作为第二p-掺杂剂的TCNQ沉积(例如，共沉积)在第四空穴传输层上，以形成厚度为

比较例3

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一空穴传输化合物的HT3和作为第一p-掺杂剂的TCNQ沉积(例如，共沉积)在基板上，以形成厚度为

在没有p-掺杂剂的情况下，将作为第四空穴传输化合物的HT2沉积在第一空穴传输层上，以形成厚度为

将作为第二空穴传输化合物的HT1和将作为第二p-掺杂剂的HAT-CN沉积(例如，共沉积)在第四空穴传输层上，以形成厚度为

表1显示根据比较例1至3以及实施例1和2制造的发光装置的空穴传输层结构。

表1

作为第一空穴传输化合物的HT1的HOMO能量值为-4.75eV，

作为第一p-掺杂剂化合物的HAT-CN的LUMO能量值为-4.8eV，并且

HT1的HOMO能量值和HAT-CN的LUMO能量值之间的差为0.05eV。

作为第二空穴传输化合物的HT3的HOMO能量值为-5.23eV，

作为第二p-掺杂剂化合物的TCNQ的LUMO能量值为-5.10eV，并且

HT3的HOMO能量值和TCNQ的LUMO能量值之间的差为0.13eV。

在实施例1和2中，作为第二空穴传输化合物的HT3的HOMO能量的绝对值大于作为第一空穴传输化合物的HT1的HOMO能量的绝对值。

为了评估根据比较例1至3以及实施例1和2制造的发光装置的特性，测量在10mA/cm

利用通过Hamamatsu Photonics公司制造的测量装置C9920-2-12测量发光装置的驱动电压和寿命。

表2

参考表2，确认与比较例1至3的发光装置相比，实施例1和2的发光装置各自具有优异的或适当的驱动电压和寿命。

就此而言，确定在根据实施方式的发光装置中，因为第二空穴传输层的第二p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值大于第一空穴传输层的第一p-掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值，可以控制空穴注入和传输特性，并且作为结果，控制了发射层中的激子浓度，从而改善装置寿命。

如上所述，根据一个或多个实施方式，与相关领域中的装置相比，发光装置可表现出低驱动电压和改善的寿命。

在描述本发明构思的实施方式时，使用“可”当指“一个或多个本发明构思的实施方式”。

如本文中使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文中使用的“约”或“近似”包括叙述值并且意思是在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)而确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意思是在叙述的值的一个或多个标准偏差内，或在叙述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

并且，在本文中阐述的任何数值范围旨在包括在阐述范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限，并且本说明书中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地阐述落入在本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。

本文中描述的根据本发明的实施方式的电子设备和/或任意其他相关装置或部件可利用任意适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如，设备的各种部件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在独立IC芯片上。此外，设备的各种部件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上实施，或在一个基板上形成。此外，设备的各种部件可为在一个或多个计算装置中一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其他系统部件交互以执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可在计算装置中使用标准存储器装置，比如，例如，随机存取存储器(RAM)来实施。计算机程序指令也可被存储在其他非暂时性计算机可读介质，比如，例如CD-ROM或闪存驱动器等中。而且，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可结合或集成到单个计算装置中，或者专用计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。

应该理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由下述权利要求及其等效物限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。